JPH03163819A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03163819A JPH03163819A JP30193989A JP30193989A JPH03163819A JP H03163819 A JPH03163819 A JP H03163819A JP 30193989 A JP30193989 A JP 30193989A JP 30193989 A JP30193989 A JP 30193989A JP H03163819 A JPH03163819 A JP H03163819A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、写真
製版工程のレジスト塗布技術による半導体装置の製造方
法に関するものである。
製版工程のレジスト塗布技術による半導体装置の製造方
法に関するものである。
［従来の技術］
半導体装置の写真製版工程では、レジストを塗布したウ
ェハをベーク炉でベークするが、第３図は従来のベーク
炉の代表例を示す。（１）はベークプレ−１・、（２〉
は塗布後のウェハ、（３〉はベーク炉のカバー、（４）
はヒ＝タ−の熱の伝導の様子を示す。
ェハをベーク炉でベークするが、第３図は従来のベーク
炉の代表例を示す。（１）はベークプレ−１・、（２〉
は塗布後のウェハ、（３〉はベーク炉のカバー、（４）
はヒ＝タ−の熱の伝導の様子を示す。
次にベークの手順を説明する。ベークプレ−１・（１）
はヒータによって常に加熱状態におがれ、定温度に保た
れている。レジストが塗布されたウェハ（２）はベルト
又はロボットハンドラー等でベクプレ−ト（１）上に運
ばれる。ウェハ（２）はベクプレート（１）上に密着ま
たはプロキシミイティベークと呼ばれるような点接触型
で設置され、ベクされる。ベーク炉のカバー（３）内は
Ｎ２ガスで満たされ、常時適量排気されている。一定時
間ベクされたウェハ（２）はベーク炉から移動され、レ
ジスト塗布後のベークが完了する。
はヒータによって常に加熱状態におがれ、定温度に保た
れている。レジストが塗布されたウェハ（２）はベルト
又はロボットハンドラー等でベクプレ−ト（１）上に運
ばれる。ウェハ（２）はベクプレート（１）上に密着ま
たはプロキシミイティベークと呼ばれるような点接触型
で設置され、ベクされる。ベーク炉のカバー（３）内は
Ｎ２ガスで満たされ、常時適量排気されている。一定時
間ベクされたウェハ（２）はベーク炉から移動され、レ
ジスト塗布後のベークが完了する。
［発明の解決しようとする課題１
以上のような従来の半導体装置の製造方法におけるベー
ク手順では、ベークプレート上に設置されたウェハは、
瞬時にして全体が設定温度に加熱され、ウェハ上に塗布
されたレジストも瞬時にして加熱される。また、ウェハ
はＮ２ガス雰囲気中で加熱されるため、レジストの溶剤
も揮発し易い状態となっている。この結果、ウェハ上に
塗布されたレジスト薄膜の表層部の溶剤のみが素早く揮
発し表面に硬質層が形或される。レジスト塗布後のベー
クはレジストの感度をも左右する重要な工程であるため
、レジストの溶剤をある一定量揮発させなければならな
いが、この硬質層によって溶剤の揮発が妨げられること
によりベーク程度が弱くなり、また、ベーク時間が長く
なる傾向になる、あるいはレジスト剥離に弱くなるとい
う問題点があった。
ク手順では、ベークプレート上に設置されたウェハは、
瞬時にして全体が設定温度に加熱され、ウェハ上に塗布
されたレジストも瞬時にして加熱される。また、ウェハ
はＮ２ガス雰囲気中で加熱されるため、レジストの溶剤
も揮発し易い状態となっている。この結果、ウェハ上に
塗布されたレジスト薄膜の表層部の溶剤のみが素早く揮
発し表面に硬質層が形或される。レジスト塗布後のベー
クはレジストの感度をも左右する重要な工程であるため
、レジストの溶剤をある一定量揮発させなければならな
いが、この硬質層によって溶剤の揮発が妨げられること
によりベーク程度が弱くなり、また、ベーク時間が長く
なる傾向になる、あるいはレジスト剥離に弱くなるとい
う問題点があった。
この発明は上記の問題点を解消するためになされたもの
で、塗布されたレジスト表面のみの硬化を防ぎ、内部か
らの溶剤の揮発をすみやかに行わせることができる半導
体装置の製造方法を得ることを目的とする。
で、塗布されたレジスト表面のみの硬化を防ぎ、内部か
らの溶剤の揮発をすみやかに行わせることができる半導
体装置の製造方法を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係る半導体装置の製造方法は、ベクカバーに
よってベーク炉内を完全に密閉し、バジガスはＮ２など
の不活性ガス士レジスト溶剤であり、不活性ガスと溶剤
の比率は制御可能である。
よってベーク炉内を完全に密閉し、バジガスはＮ２など
の不活性ガス士レジスト溶剤であり、不活性ガスと溶剤
の比率は制御可能である。
また、排気速度および不活性ガス＋溶剤の流量を３
調節することにより、炉内の圧カは可変である。
その他は従来と同様である。
［作 用１
この発明においては、不活性ガス＋溶剤はガス状にてベ
ータ炉内に充満し、ガスの供給圧′と炉の排気速度、及
びＮ２と溶剤の比率をバランスさせることにより、炉内
を一定の蒸気圧を保つ。このことによりレジスト表層部
の溶剤の急激な揮発を防止し、レジス１〜表面に皮膜を
形成することを防ぎ、レジスト内部の溶剤の揮発を促進
させる。
ータ炉内に充満し、ガスの供給圧′と炉の排気速度、及
びＮ２と溶剤の比率をバランスさせることにより、炉内
を一定の蒸気圧を保つ。このことによりレジスト表層部
の溶剤の急激な揮発を防止し、レジス１〜表面に皮膜を
形成することを防ぎ、レジスト内部の溶剤の揮発を促進
させる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を第１図，第２図を参照して
説明する。第１図においてベークプレ１−（１）はヒー
タにより加熱されている。（２）はレジストの塗布され
たウェハ、（５）は密閉型ベークカバーであり、密閉度
の高い構造となっている。
説明する。第１図においてベークプレ１−（１）はヒー
タにより加熱されている。（２）はレジストの塗布され
たウェハ、（５）は密閉型ベークカバーであり、密閉度
の高い構造となっている。
内部はＮ２とレジスト溶剤による一定の蒸気圧としてベ
ークを実行する。
ークを実行する。
次に前述した作用のメカニズムの具体例を示す。
第２図において横軸はベーク時間、縦軸は露光に４
対する感度を表わす。この実験に急激に加熱した場合と
徐々に加熱した場合の感度の変化を比較したものである
６曲線（６）は急激に加熱した場合、曲線（７〉は徐々
に加熱した場合の感度変化を表わす。例えば（Ｃ）とい
う感度を得たい場合は、急激に加熱の方は（Ｂ）という
ベーク時間が必要となり、徐々に加熱した場合は（Ａ）
というベーク時間で済む。これはレジスト表面の皮膜の
形成状態が異なるためと考えられる。
徐々に加熱した場合の感度の変化を比較したものである
６曲線（６）は急激に加熱した場合、曲線（７〉は徐々
に加熱した場合の感度変化を表わす。例えば（Ｃ）とい
う感度を得たい場合は、急激に加熱の方は（Ｂ）という
ベーク時間が必要となり、徐々に加熱した場合は（Ａ）
というベーク時間で済む。これはレジスト表面の皮膜の
形成状態が異なるためと考えられる。
なお、上記実施例では溶剤のキャリアガスとしてＮ２を
用いたが、他の不活性ガスを用いても良い。
用いたが、他の不活性ガスを用いても良い。
［発明の効渠１
以上のように、この発明によれば、炉内のパージガスに
不活性ガス＋溶剤を用いたので、ベーク初期・における
レジスト表面の硬化を防ぎ、内部がらの溶剤の揮発を促
すようにしたので、従来技術と比較して、同じ時間ベー
クした場合はベークの強化によるレジスト剥離の防止、
また、同じべ−ク程度にしようとした場合はベーク時間
の短縮が可能となる。
不活性ガス＋溶剤を用いたので、ベーク初期・における
レジスト表面の硬化を防ぎ、内部がらの溶剤の揮発を促
すようにしたので、従来技術と比較して、同じ時間ベー
クした場合はベークの強化によるレジスト剥離の防止、
また、同じべ−ク程度にしようとした場合はベーク時間
の短縮が可能となる。
５一
第１図はこの発明の一実施例を説明するためのべ−ク炉
の概略立断面図、第２図は同じく露光に対する感度に対
するベーク時間の特性線図、第３図は従来の半導体の製
造方法を説明するためのベク炉の概略立断面図である。 （１）・・ベークプレート、（２）・・レジストが塗布
されたウェハ、（５〉 ・・密閉型ベークカバなお、
各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
の概略立断面図、第２図は同じく露光に対する感度に対
するベーク時間の特性線図、第３図は従来の半導体の製
造方法を説明するためのベク炉の概略立断面図である。 （１）・・ベークプレート、（２）・・レジストが塗布
されたウェハ、（５〉 ・・密閉型ベークカバなお、
各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- レジスト塗布後のウェハを密閉型ベークカバーを有する
ベーク炉に収容し、前記ベーク炉内のパージガスに不活
性ガスと前記レジストの溶剤を使用し、かつ、前記ベー
ク炉内のガス圧、蒸気圧を可変とした半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30193989A JPH03163819A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30193989A JPH03163819A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03163819A true JPH03163819A (ja) | 1991-07-15 |
Family
ID=17902930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30193989A Pending JPH03163819A (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03163819A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111232A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Nec Corp | フォトレジスト用オーブン |
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| US6217319B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-04-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing device and method of processing wafer |
| JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
| KR20140011262A (ko) * | 2012-07-18 | 2014-01-28 | 가부시키가이샤 소쿠도 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN105413986A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-03-23 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种设有压强平衡器的热真空干燥装置及压强平衡器 |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP30193989A patent/JPH03163819A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| JPH07111232A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Nec Corp | フォトレジスト用オーブン |
| US6217319B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-04-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing device and method of processing wafer |
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| US8614500B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming apparatus, film forming method, and semiconductor device |
| KR20140011262A (ko) * | 2012-07-18 | 2014-01-28 | 가부시키가이샤 소쿠도 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP2014022570A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US9375748B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-06-28 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US9828676B2 (en) | 2012-07-18 | 2017-11-28 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US10047441B2 (en) | 2012-07-18 | 2018-08-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN105413986A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-03-23 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 一种设有压强平衡器的热真空干燥装置及压强平衡器 |
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