JPS61221747A - 感光性樹脂膜の形成方法 - Google Patents

感光性樹脂膜の形成方法

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Publication number
JPS61221747A
JPS61221747A JP6473485A JP6473485A JPS61221747A JP S61221747 A JPS61221747 A JP S61221747A JP 6473485 A JP6473485 A JP 6473485A JP 6473485 A JP6473485 A JP 6473485A JP S61221747 A JPS61221747 A JP S61221747A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive resin
substrate
under
coating
atmosphere
Prior art date
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Pending
Application number
JP6473485A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuyoshi Nakamura
中村 充喜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS61221747A publication Critical patent/JPS61221747A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体素子の製造などに用いられる写真製版
工程における感光性樹脂膜の形成方法の改良に関するも
のである。
〔従来の技術〕
基板への感光性樹脂の塗布処理は基板の塗布前ベーク、
塗布、及び塗布後ベークの3つの工程を経て完了する。
塗布前ベークで基板表面の水分、異物を除去する。塗布
では基板表面に感光性樹脂を滴下した後、基板を回転さ
せて薄膜を形成する0そして、塗布後ベークで感光性樹
脂中の溶剤を気化蒸発させて乾燥させ、基板との密着性
を向上させ膜厚の均一化をはかる。従って、形成される
感光性樹脂膜の膜質を大きく左右するのは塗布後ベーク
である。
第2図は従来の塗布後ベーク装置の構成を概念的に示す
斜視図で、(1)は基台、(2)はその上面に設けられ
たプレート状のヒータ、(3)はヒータ(2)の上を覆
うように設けられヒータ(2)からの熱を反射する熱反
射盤、(4)は被加工基板(図示せず)t−ヒータ(2
)の上へ搬送し、′!九除去するために熱反射盤(3)
に形成された開口である。
この装置では、塗布前ベーク及び上面への感光性樹脂の
塗布を終えた基板が開口(4)を経てヒータ(2)の上
へ載置され、基板下面からのヒータ(2)による熱、及
び上面からの熱反射盤(31からの反射熱によって所要
時間加熱される。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の感光性樹脂膜の形成方法に用いられた塗布後ベー
ク装置は以上のように構成されていたので、感光性樹脂
中の溶剤を気化させるなめには、その温度が溶剤の沸点
に達するまで昇温させる必要があり、これによって感光
性樹脂中の感光剤が部分的に破壊され、感光性が変動し
、その特性の制御がむつかしいこと、更には、薄膜面内
で溶剤の不均一な気化に伴う膜厚の不均一性、また、高
温による薄膜の熱流動を発生することなどの問題。
点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、塗布後ベーク時に、感光性樹脂中の感光剤を
破壊させることなく、溶剤を均一に気化させ、薄膜の熱
流動の発生をも制御して、膜厚の均一な感光性樹脂膜を
得る方法を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る感光性樹脂膜の形成方法では、塗布感光
性樹脂膜を減圧雰囲気で加熱するようにする。
〔作  用  〕
この発明では、塗布感光性樹脂膜を減圧雰囲気において
加熱するので、大気圧中での加熱する場合よりも低温で
溶剤の気化が可能で、高温に昇温することによる上述の
各種問題点は回避できる。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例に用いる塗布後ベーク装置
の構成を概念的に示す斜視図で、従来例の第2図と同一
符号は同等部分を示す。第1図において、(5)は基台
(1)のヒータ(2)の上を気密に覆う気密室、(6)
は被加工基板をヒータ(2)の上へ搬送し、また除去す
るために気密室(5)に設けられた開閉扉、(7)は気
密室(5)内を減圧状態にするための排気用パイプであ
る。
この実施例では、従来と同様、塗布前ベーク及ヒータ(
2)の上に運ばれ真空吸着され、加熱が開始されると同
時に、気密室(5)は気密にされ、排気用パイプ(7)
を介して内部が排気され、大気圧より減圧雰囲気に保持
される。所要時間の加熱を完了すると、気密室(5)は
大気圧にもどされ、基板の真空吸着も解除され、基板は
気密室(5)から搬出される。
以上のように、この実施例では、感光性樹脂の塗布後ベ
ークを減圧雰囲気の下で行なうので、感光性樹脂膜中の
溶剤は大気圧の下でよりも低温で気化し、従って、設定
昇温温度は低くてよく、尋ゆ一キ感光性樹脂中の感光剤
の部分的破壊の程度は大気圧中での加熱の場合より減少
し、感光特性の変動も小さくすることが可能であり、そ
の特性の制御も高温処理の場合より当然容易になる。ま
た、感光性樹脂膜の溶剤の気化も比較的均一になり、ま
た、薄膜の熱流動の発生をも抑制でき、膜厚の均一な感
光性樹脂膜の形成を管理性よく可能になる。
なお、上記実施例では感光性樹脂塗布直後のベークの場
合について説明したが、感光性樹脂膜の露光後の現像を
行なった後のベークにも同様の技術が適用でき、現像液
、リンス液等の薬液の気化を低温で実施できるので、感
光性樹脂薄膜の熱流動を防止できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明では基板への感光性樹脂
の塗布後ベークを低圧雰囲気の下で行なうので、感光特
性及び膜厚の均一な感光性樹脂膜が制御性よく得られる
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に用いる塗布後ベーク装置
の構成を概念的に示す斜視図、第2図は従来の塗布後ベ
ーク装置の構成を概念的に示す斜視図である。 図において、(2)は加熱器(ヒータ)、(5)は気密
室、(7)は排気用パイプである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す0

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に感光性樹脂を塗布したのち、塗布後ベー
    クを実施するに際して、大気圧より減圧された雰囲気の
    下で上記基板を加熱することを特徴とする感光性樹脂膜
    の形成方法。
JP6473485A 1985-03-27 1985-03-27 感光性樹脂膜の形成方法 Pending JPS61221747A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0250165A (ja) * 1988-05-09 1990-02-20 Mitsubishi Electric Corp パターン形成方法
WO2007037553A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-05 Zeon Corporation 金属配線付き基板の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0250165A (ja) * 1988-05-09 1990-02-20 Mitsubishi Electric Corp パターン形成方法
WO2007037553A1 (ja) * 2005-09-30 2007-04-05 Zeon Corporation 金属配線付き基板の製造方法
JP4978800B2 (ja) * 2005-09-30 2012-07-18 日本ゼオン株式会社 金属配線付き基板の製造方法

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