JPS59132618A - レジストパタ−ンの形成方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はレジストパターンの形成方法及びその装置に関
する。

〔発明の技術的背景〕

超ＬＳＩをはじめとして、半導体素子の集積度が高まる
につれて微細にして、かつ高精度のパターン形成技術が
要求されている。このため、許容される寸法精度は非常
に厳しいものとなり、最先端分野では６インチマスク或
いは５インチウェハ内で３へ６０．１８ｍ（但し八はウ
ェハの平均寸法直に対するばらつきを示す）の寸法精度
が要求され始めている。また、酸度ラインで使用される
ためにはマスク間或いはウェハ間での寸法変動を３Ｎ≦
０．１５μｍ　に抑えることが必要であシ、一方量産効
果を高めるだめに、高感度のレジストが必要であると共
に、使用する露光装置（エネルギ照射装置）に適合した
感度にすべく感度制御が必要となる。

ところで、従来レジストパターンを形成するには次のよ
うな方法が採用されている。まず、被処理板（例えばマ
スク基板）上にレジストを回転塗布法や浸漬法によシ塗
布する。つづいて、基板上のレジスト膜を所定の温度（
Ｔｂ）でオーブン或いは熱板等の加熱手段で加熱する、
いわゆるベークを行なう。所定時間ベーク後、レジスト
膜付被処理板を常温、常圧中で２０〜３０分間程度自然
放冷して室温程度まで冷却する。

次いで、冷却後の基板上のレジスト膜にそのレジストに
応じた所定の露光量で、露光を行ない、更に所定の現像
、リンス処理を施してレジストパターンを形成する。

〔背景技術の問題点〕

しかしながら、従来の方法ではレジストの感度調整を同
一レジストで行なうことが難しく、露光条件上もプロセ
ス上も制約された条件下でしか使用できず、適切な条件
下でのレジタ）　ノｆターンを形成することができなか
った。また、プリベーク後の被処理板上のレジスト膜の
感度に差が生じ、高精度のレジスト・９ターンの形成が
困難であった。

〔発明の目的〕

本発明はレジストの感度を安定化させかつ任意の感度条
件を選定することを可能とし、もって高精度のレジスト
パターンを再現性よく形成し得る方法及びその装置を提
供しようとするものである。

〔発明の概要〕

本発明者らは従来方法による被処理板のレジストパター
ンの寸法の差異について鋭意研究し５− た結果、ノリベーク後、レジスト膜が被覆された被処理
板を自然冷却により冷却するため、例えば被処理板を立
置きした場合、第１図に示す如く異なる温度の等温線Ｔ
ｌ　　＋　Ｔｚ　　＋　Ｔｓ（ＴＩ＞Ｔｚ＞Ｔｓ）が生
じることに起因することを究明した。但し、第１図は被
処理板の冷却中におけるある時間の状態を示し、時間経
過に伴なって刻々と変化する。事実、第１図図示の等温
線をもつ被処理板上のレジスト膜を露光、現像処理した
後のレジストパターンの寸法分布を精密に測定した結果
、寸法分布と温度分布に強い相関関係があることがわか
った。

更に、前記被処理板の自然放冷時において、被処理板を
立置きにした場合の冷却速度は第２図に示す如く冷却曲
線Ａのような冷却速度で冷却される上部と、冷却曲線Ｂ
のような冷却速度で冷却される下部とが生じることを究
明した。

事実、第２図図示の曲線Ａで冷却された被処理板上のレ
ジスト膜部分の感度について調べたところ、第３図に示
す如く曲線Ａ′の感度特性を示６− し、同様に第２図図示の曲線Ｂで冷却された被処理板上
のレジスト膜部分の感度は、同第３図図示の曲線Ｂ′の
感度特性を示し、冷却速度と感度特性が強い相シ１１関
係があり、これが寸法の差異を生じさせる原因であるこ
とがわかった。

以−ヒの事から、従来技術では冷却過程での冷却速度を
制御していないため、冷却条件によ如感度がふらつき、
それが高精度のレジストパターンの形成を困難にしてい
る原因であることがわかった。

そこで、本発明者らはレジストの感度特性がベーク後の
冷却速度に相関すると共に、その冷却速度むらによって
感度のばらつきが生じることを踏えて、レジストを塗布
した被処理板をレジストに応じた温度でベーク（ノリベ
ーク）した後、被処理板のレジスト膜の速度を制御しな
がら冷却することによって、感度を常に安定化でき、か
つ同一レジストでの感度条件を極めて高感度の領域から
低感度の領域まで広範囲に選択することを可能として同
一レジストで露光装置及び他のプロセスの最も制御が容
易な感度条件に適合でき、ひいては高精度のレジストパ
ターンを再現性よく量産的に形成し得る方法、並びにか
かるレジストパターンを形成し得る装置を見い出したも
のである。

即ち、本願筒１の発明は被処理板上にレジストを塗布し
た後、ベーク、露光、現像処理を施してレジメ）　ｐ４
ターンを形成する方法において、前記ベーク後に被処理
板のレジスト膜の温度を制御しながら冷却することを特
徴とするものである。

上記被処理板としては、例えばマスク基板、ウェハ或い
は該ウェハ上に各種の半導体膜、絶縁膜もしくは金属膜
を被覆したもの等を挙げることができる。

上記レジストとしては、例えばフォトレジスト、遠紫外
線感応レジスト、電子線感応レジスト、Ｘ線感応レジス
ト、高加速Ｘ線感応レジスト、イオンビーム感応レジス
ト等を挙げることができる。

−ｈ記被処理板のレジスト膜の冷却に用いられる冷却材
としては、レジストに対して実質的に溶解又は反応を生
じない液体或いは気体のうちの一方又は両者を挙げるこ
とができる。前者の液体としては、例えば任意の設定温
度の水又はフロンを用いることができる。後者の気体と
しては、例えば任意の設定温度の窒素ガス又はフロンガ
ス等を挙げることができる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

実施例１ 第４図は本発明に係るレジスト・母ターン形成装置のプ
リベーク・冷却機構を示す概略図である。図中の１は底
面及び左右側壁の一部が開口されたチャンバーである。

このチャンノ々−１は上下動する第１．第２の内部シャ
、り２１．２゜により左端側（入口側）からプリベーク
室３、第１冷却室４１％第２冷却室４１の３室に区画さ
れている。前記グリベーク室３０入口部には９− 上下動する入口用外部シャッタ５１が配設されている。

前記第２冷却室４２の出口部には上下動する出口用外部
シャッタ５２が配設されている。また、前記プリベーク
室３の底部にはホットグレート６が配設されている。前
記第１冷却室４１の前記ホットプレート６のレベルよシ
下方には例えば冷却水７を収容した冷却槽８が設置され
ている。また、同第１冷却室４１の底面には前記冷却槽
８内の冷却水７中に浸漬されたシ、引き上げられたシす
る支持台９が上下動自在に配設されている。前記冷却槽
８には該冷却槽８内の冷却水７の温度調整を行なうだめ
の温度コントローラ１０が連結されておシ、かつ該コン
トローラ１０の他端は冷却水７を循環するだめのポンプ
１ノを介して前記冷却槽８に連結している。更に、前記
第２冷却室４２の底面には回転自在な真空チャック１２
が前記ホットプレート６と同レベルとなるように配設さ
れている。前記第２冷却室４鵞の出口側には被処理板を
露光機構（図示せず）に搬送する搬送台１３１０− が設けられている。

また、前記シリベーク室３、ｍ　１１第２の冷却室４１
＊４２に対応するチャンバー１の土壁には第１．第２．
菓３の温風供給器１４１γ１４３が夫々設けられている
。これら温風供給器１４１〜Ｊ４３には夫々例えば窒素
ガスを供給する第１．第２．第３の温風供給管ｉｓｌ〜
１５３が連結されている。第１．第２の温風供給管ｉｓ
ｌ、ｉｓ２は弁１６１を介装した配管１７１で相互に連
結されている。また、前記第２、第３の温風供給管１５
３，１５３は弁１６２を介装した配管１７２により相互
に連結されている。更に、前記プリベーク室３及び第１
冷却室４１の第１内部シャッタ２１付近のチャンバ−１
土壁内面には温度センサＩ８８，１Ｂ、が夫々取付けら
れている。これら温度センサ１８１゜１８Ｉはプリベー
ク工程時の温度を検知し、その検出値に基づいて第１温
風供給管１５１からの供給量や前記ホットプレート６の
温度を図示しない制御器を介して制御するものである。

また、前記嬉１冷却室４１及び第２冷却室４２上方のチ
ャンバ−１土壁内面にはそれら冷却室４１ｒ４２の温度
を検出する冷却室用温度センサ１９１．１９．が取付け
られている。これら温度センサ１９１，１９２はそれら
に対応する冷却室４１＋４２の温度を検出し、その検出
値に基づいて第２．第３の温風供給管１５２　。

１５３からの湯風温度や供給器を図示しない制御器を介
して制御するものである。なお、前記プリベーク室３の
後段側にはレジスト塗布機構（図示せず）によりレジス
ト膜が被覆された被処理板を同プリベーク室３に搬送す
る搬送部材（図示せず）が設置されている。

次に、本発明の方法を前述した第４図図示のグリベーク
・冷却機構を参照して説明する。

まず、入口用外部シャッタ５１及び第１内部シャッタ２
１を開き、第２内部シャッタ２２及び出口用外部シャッ
タ５２を閉じた後、既にレジスト塗布機構によシレジス
トが塗布された被処理板、例えばマスク基板２０を開放
されたチャンバー１の入口部を通してプリベーク室３内
に搬送し、そのホットプレート６上にセットし、同プレ
ート６によりマスク基板２０上のレジスト膜を所定温度
と時間でプリベークした。この時、シリベーク室３内の
温度は第１温風供給管１５真から温風が供給された第１
温風供給器１４１と温度センサ１１１１，１Ｂ、とによ
シリベーク温度（Ｔｂ　）に保たれる。

次いで、プリベークの完了したマスク基板２０を図示し
ない搬送部材によシ第１冷却室４１内に搬送してその内
の支持台９上にセットした後、直ちに支持台９を下降さ
せて冷却槽８内の任意所定温度Ｔａ１に調整された冷却
水７中に浸漬して均一に急冷した。この時、第１内部ジ
ャツメ２１は閉じられ、第１冷却室４１内は第２温風供
給器１４２と冷却用温度センサ１９１とにより前記冷却
水７の温度（Ｔａｒ　）に保たれる。こうした冷却工程
によシマスフ基板２０は第５図の曲線Ｃｉ　に示すよう
な冷却がなされた。

なお、第５図中の横軸の１．はマスク基板２０１３− を冷却水７中に浸漬した時刻である。

次いで、冷却の完了したマスク基板２０を支持台２２θ
の上昇によシ冷却水ｚ中から引き上げた後、第２内部シ
ャッタ２２を開き、図示しない搬送部材によりマスク基
板２０を第３温風供給器１４３と冷却用温度センサ１９
２とにより前記冷却水７の温度（Ｔｅｌ）に設定された
第２冷却室４２に搬送してその内の真空チャックＪ２に
セット、固定した。つづいて、第２内部シャッタ２２を
閉じだ後、真空チャックＩＪを所定速度で回転させてマ
スク基板２０及びその上のレジスト膜の均一冷却と乾燥
を行なった。なお、この時、第１内部シャッタ２１は開
けられ、プリベーク室３と第１冷却室４１内をシリベー
ク温度（Ｔｂ　）まで上げて次のマスク基板のプリベー
クがなされる。その後、冷却、乾燥の完了したマスク基
板を第２冷却室４２の開放した出口部から搬送台１３に
送り、露光、現像、リンス処理工程を経てマスク基板上
にレジストパターンを形成した。

１４− 実施例２ 実施例１と同様、プリベーク室３でマスク基板２０上の
レジストをプリベークした後、マスク基板２θを図示し
ない搬送部材によシ第１冷却室４Ｉ内に搬送してその内
の支持台９上にセットし、第１内部シャッタ２１を閉じ
た。この時、第１冷却室４１内の温度は未だプリベーク
温度（Ｔｂ　）である。つづ込て、第２温風供給器１４
２から冷却水７の温度（Ｔａ１　）よシ高い温度（Ｔｓ
ｓ）の徐冷用温風を第１冷却室４！内に供給し、マスク
基板２０を自然放冷することなく冷却を開始した。この
冷却では冷却用温度センサ１９１　で第１冷却室４１内
の温度を監視し、基板２０上のレジスト膜の面内が均一
かつ一定の冷却速度を保つように制御する。

マスク基板２０の温度がグリベーク温度（Ｔｂ）よりや
や低い温度まで冷却されたら、冷却速度を早めるために
Ｔａ２よシ低いＴａ３の温風で冷却する。マスク基板２
０の温度が所定の温度まで均一速度で冷却されたら、支
持台９を下降させて、冷却槽８内の任意所定温度（Ｔｌ
ｌｌ）に調整された冷却水７中に浸漬して均一冷却を行
なった。

この時、第１内部シャッタ２は閉じられ、第１冷却室４
１内は第２温風供給器ノ４２と冷却用温度センサ１９１
とにより前記冷却水７の温度（Ｔａ１）に保たれる。こ
うした冷却工程によりマスク基板２０は同第５図の曲線
Ｃ２に示すような冷却がなされた。なお、第５図中の横
軸のｔ２はマスク基板２０を冷却水７中に浸漬した時刻
を示す。

次いで、冷却の完了したマスク基板２０を実施例１と同
様、第２冷却室４２内で均一冷却と乾燥を行ない、更に
第２冷却室４２から搬送台１３上へ搬送し、露光、現像
、リンス処理工程を経てマスク基板上にレジス）　ｉ４
ターン形成した。

実施例３ 実施例１と同様、プリベーク室３でマスク基板２０上の
レジストをプリベークした後、マスク基板２０を図示し
ない搬送部材により第１冷却室４１内に搬送してその内
の支持台９上にセットし、第１内部シャッタ２１を閉じ
た。つづいて、第２温風供給器１４８から冷却水７の温
度（Ｔｅｌ）よシ高い温度（Ｔｓｓ　）の徐冷用温風を
第１冷却室４１内に供給し、マスク基板２０の冷却を開
始した。この冷却では冷却用温度センサ１９１で第１冷
却室４１内の温度を監視し、基板２０上のレジスト膜の
面内が均一かつ一定の冷却速度を保つように制御する。

マスク基板２０の温度がノリベーク温度（Ｔｂ）よりか
なり低い温度まで冷却されたら、支持台９を下降させて
冷却槽８内の任意所定温度（Ｔａ□）に調整された冷却
水７中に浸漬して均一冷却を行なった。この時、第１内
部シャッタ２１は閉じられ、第１冷却室４１内は第２温
風供給器１４２と冷却用温度センサ１９１とにより前記
冷却水２の温度（Ｔｓｓ　）に保たれる。こうした冷却
工程によりマスク基板２０は同第５図の曲線Ｃ３に示す
ような冷却がなされた。なお、第５図中の横軸のｔ３は
マスク基板２０を冷却水１７− ７中に浸漬した時刻を示す。

次いで、冷却の完了したマスク基板２０を実施例１と同
様に処理してマスク基板２０上にレジストパターンを形
成した。

しかして、本実施例１〜３のレジストパターンの形成に
おいて、レジスト材料の設定や露光等を下記条件で行な
った時の露光量に対する膜厚残存率の関係を調べたとこ
ろ、第６図に示す特性図を得た。なお、第６図中のＣ１
′は実施例１の冷却処理がなされたレジストの特性線、
Ｃ、／は実施例２の同特性線、Ｃ８′は実施例３の同特
性線である。

〈条件〉 レジスト：Ｔｇ＝１３３℃のＥＢレジスト（東し社製；
　ＥＢＲ−９）。

露光条件；加速電圧２０　ＫｅＶの電子ビーム。

現像処理；　ＭＩＢＫ：ＩＰＡ＝７　：　３の現像液（
液温：２５℃）で１０分間処理。

リンス処理；　ＩＰＡのリンス′０．（液温；２５℃）
で３０秒間処理。

−１８〜 冷却条件；Ｔｂ＝２００℃、’ｒ８．　＝２５°に設定
。

上述した第６図から明らかな如く、同一レジスト、冷却
工程以外は全く同一プロセスの処理でも感度を広範囲に
制御できることがわかる。

また、本実施例１〜３のレジストノやターンの形成にお
いて、レジスト利料の設定や露光等を下配榮件で行なっ
たところ、電子ビームの感度を８μｅ／ｌ−〜２μｅ　
／ｉ？７７１”の範囲で変化させることができた。

〈条件〉 レジスト　；Ｔｇ＝１００℃のＥＢレジスト（ＰＭＭＡ
）。

露光条件；加速電圧２０　ＫｅＶの電子ビーム。

現像処理：　ＭＩＢＫの現像液（液温２５℃）で１３分
間処理。

リンス処理ｉ　ＩＡＡのリンス液（液温２５℃）で３０
秒間処理。

冷却条件；Ｔｂ＝１７０℃、Ｔｓｔ＝２５℃に設定。

しだがって、レジストの感度の安定化と、任意の感度条
件に選定することができることによって高精度のレジス
）　ｔｊターンを形成できる。

１だ、従来技術では実用性の点で使用が困難であったレ
ジストについても十分報産的に高精度のレジストパター
ンの形成が可能となる。

なお、上記実施例では冷却工程において、温度をモニタ
しながら行なったが、シーケンスの条件（温風闇、時間
等）が一定に制御できれば条件設定以外、特に温度をモ
ニタする必要はなく温度センサを省略することも可能で
ある。

また、上記実施例では被処理板の急冷手段として浸漬法
を採用したが、以下に示す種々の冷却法を採用し得る。

（イ）第７図に示す如く回転する頁、空チャック２ノ上
にプリベーク後の被処理板２０′を固定し、真空チャッ
ク２１を回転させながら冷媒噴出ノズル２２．２２より
被処理板２０’に冷媒（液体や気体）を吹きつけて均一
な冷却速度に制御しながら冷却してもよい。

（ロ）第８図に示す如く、多孔式冷媒噴出ノズル２３か
ら噴出された冷媒（液体や気体）の界囲気に置かれた支
持基台２４上にプリベーク後の被処理板２０’を搬送部
材２５で搬送して該被処理板２０’を均一な冷却速度に
制御しながら冷却を行ない、ひきつづき冷媒として液体
を用いた場合は後続の回転真空チャック２ノによりスピ
ン乾燥する。

（ハ）第９図に示す如く低温で熱容量の大きな冷却プレ
ート２６に搬送部材２５で搬送された被処理板２０′を
近接させて均一に冷却する。

に）第１０図に示す如く熱容量の犬きガ冷却速度制御用
プレート２７に被処理板２０’を接触させて均一に冷却
速度を制御しながら冷却する。

〔発明の効果〕

以上詳述した如く、本発明によればレジストの感度を安
定化でき、かつ同一レノストでの感度条件を極めて高感
度の領域から低感度の領域まで広範囲に選択することを
可能にして同一レジストで露光装置及び他のプロセスの
最も制御が容易な感度条件に適合でき、ひいては高精度
のレジストパターンを量産的に形成し得る方法並びに装
置を提供できるものである。

＝２１−

【図面の簡単な説明】

第２図はプリベーク後の被処理板を立置きにして自然放
冷しだ時の冷却過程を示す特性図、第３図は第２図図示
の異なる冷却過程のレジスト部分における露光量と膜厚
残存率との関係を示す特性図、第、１図はプリベーク後
の被処理板を立置きにして自然放冷した時の温度等高線
を示す図、第４図は本発明の一実施例を示すレジストノ
母ターン形成装置のシリベーク・冷却機構の概略図、第
５図は第４図図示のプリベーク・冷却機構を用いてプリ
ベーク、冷却を行なった実施例１〜３の冷却過程を示す
特性図、第ｑ図゛は実施例１〜３の冷却がなされたレジ
ストの露光量と膜厚残存率との関係を示す特性図、第５
図〜第１０図は夫々本発明の他の冷却方法を示す概略図
である。 １・・・チャンバ　ｓ　２１＋２１・・・内部シャッタ
、３・・・ノリベーク室、４１１４１１・・・冷却室、
５．。 ５２・・・外部シャッタ、６・・・ホットプレート、７
・・・冷却水、８・・・冷却槽、９・・・支持台、１ｏ
・・・温２２− 度コントローラ、１２．２１・・・真空チャック、ノ４
１−１４３・・・温風供給器、１８１ｒ１８２＋１９□
　、１９□・・・温度センサ、２０．２０’・・・被処
理板、２２・・・噴射ノズル、２３・・・多孔式冷媒噴
出ノズル、２６・・・冷却プレート、２７・・・冷却速
度制御用プレート。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦２３− 第２図 第３図　　　　吐１’ｌ　　（＋） ｆＦ！、！２＋５０ ヒ （つ。））り１導ゾ・（Ｙ、≦１ 第１頁の続き ０発　明　者　篠崎俊昭 川崎市幸区小向東芝町１番地東 京芝浦電気株式会社総合研究所 内 手続補正書 昭和　：年ノ　　月ｍ日 特許庁長官　　　若　杉　和　夫　　殿１、事件の表示 特願昭５８−６９８４号 ２、発明の名称 レジストパターンの形成方法及びその装置３、補正をす
る者 事件との関係　特許出願人 （３０７）　　東京芝浦昂気株式会社 ４、代理人 （ｊ、補正の対象 明細書、図面 ７、補正の内容 １１）明細書の特許請求の範囲を別紙の如く訂正Ｔる。 （２）　　明細書中梁７頁１４〜１５行目にかけて、［
レジストを受面した被処理板をレジストに応じた温度で
ベーク］とあるな「レジストを塗布した被処理板を該レ
ジストに応じた温度、例えはレジストのガラス転移温度
以上の温度でベーク」と訂正する。 （３）明細書中梁８頁２０行目の「できる。」の後に改
行して下紀文を追加する。 記 上記レジストのベーク温度はレジストに応じて設定すれ
ばよいが、特に該レジストのガラス転移温度（Ｔｇ　）
以上の温度に設定することが望ましい。 （４）　　明細書中梁１３頁３〜４行目にかけて、［レ
ジスト膜を所定温度と時間で］とあるな「レジスト膜を
該レジストのガラス転移温度（Ｔｇ　）以上の所定温度
と時間で」と訂正する。 （５）　　明細書中梁１３頁７〜８行目にかけて、［こ
よりプリベーク温度（Ｔｂ）に保たれる。」とあるな「
こよりＴｇより高いプリベーク温度（Ｔｂ）に保たれる
。」と訂正する。 （６）　　明細書中梁１３頁１３行目において、「任意
所定温度１）ｓｓｊとあるをｒＴｇより低い所定温度Ｔ
５．」と訂正する。 （７）明細書中第１５白９〜１０行目にかけて。 ［温度（Ｔ、、）より高い温度（Ｔｓｔ）の徐冷用温風
」とあるな「温度（Ｔｓｌ）より高く、かつＴｇよりわ
ずかに制い温度の徐冷用温風」と訂正する。 （８）明細書中梁１５頁１７行目において、「低い温度
まで」とあるを［低い温度（Ｔｓｙ）まで］と訂正する
。 （９）　　明細書中梁１５頁１８行目において、［Ｔ８
２より低いＴｓ３の温風］とあるな［Ｔ５□より低い温
風］と訂正する。 （１０）明糾ｊ書中第１５頁１９〜２０行目にかけて、
「所定の温度まで均一速度で冷却されたら」とあるな［
所定の温ＩＪｔ′（Ｔｓｌｌ　）まで均一速度で冷却さ
れた時」と訂正する。 ０１１　　明細書中梁１７日４行目において、「より高
い温度（Ｔａ２）の」とあるを「より高く、かつＴｇよ
り低い７１ｉＡＫの」と訂正する。 ０２　　明細書中梁１７自１０〜１１行目にかけて、「
シリベーク／７ａ度（Ｔｂ）よりかなり低い温度まで冷
却されたら」とあるをｒＴｇよりかな番）低い温度（Ｔ
！、４　）　′ｆ、で冷却された時」と訂正する。 ０３　　明細小中第１９臼１行目において、「冷却条件
；Ｔｂ−２０ｏ°Ｃ２Ｔｓ１＝２５°に設定。」とある
を「冷却条件；Ｔｂ＝２００℃。 ＴｓＩ−２５℃＋Ｔｓｔ＝１４Ｑ℃、Ｔｓ、＝１２０℃
。 Ｔ５．　＝　］　Ｏ０℃に設定。」と訂正する。 ０４）　　明細書中梁１９頁１７行目において、［冷却
条件；Ｔｂ＝］７０℃ｙ　ＴＳｌ　＝　２５℃に設定。 」とあるを［冷却条件；Ｔｂ＝１７０℃。 １１ｓ、＝　２５℃＋Ｔｓｔ＝ｌ］０℃ＩＴｓｓ″９０
℃―Ｔｓ４＝８０℃に設定。」と訂正する。 ０５）　　図面の第５図を別紙の如く訂正する。 ２、特許請求の範囲 （１）被処理板上（ニレジストを塗布し、ベークした後
冷却し、四に所定波長域の電磁波或いは所定エネルギー
の粒子線の照射（以下、露光と祢Ｔ）、現像処理を施し
てレジストツクターンを形成する方法において、前記ベ
ーク後に被処理板のレジスト膜の温度を制御しながら冷
却することを特徴とするレジストツクターンの形成方法
。 （２）　　ベークをレジストのガラス転移温度以上の温
度で行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記戦
のレジストパターンの形成方法。 １３）冷却処理におけるレジスト膜の温度制御を、レジ
７）　ｔＦＪの面内で均一化するように行なうことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジストパターン
の形成方法。 （４）　　ベーク後の被処理板のレジ７）　ＩＩＩ（の
温度を制御しながら冷却することによも）レジストの感
度特性を制御して選択することを特徴とする特許茜肖求
の範囲第１項記載のレジストパターンの形成方法。 （５）　　ベーク後の被処理板のレジスト膜の冷却を、
レジストに対して実質的に溶解又は反応を生じない液体
或いは気体のうちの一方もしくは両者を用いて行なうこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジストパ
ターンの形成方法。 （６）　　レジストに対して実質的に溶解もしくは反応
を生じない液体が、任意の設定温度の水又はフロンであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のレジス
トパターンの、形成方法。 （７）　　レジストに対して実質的に溶解もしくは反応
を生じない気体が、任意の設定温度の窒素ガスモジくは
フロンガスであること乞特徴とする特許請求の範囲第５
項記載のレジストツクターンの形成方法。 （８）　　ベーク後の被処理板のレジスト膜の冷却を、
浸漬法、スプレー法又はシャワー法を用いて行なうこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジスト膜や
ターンの形成方法。 （９）　　ベーク後の被処理板のレジスト膜の冷却を、
仔意設宇温度の熱容蹟の大きな制御用プレートに被処理
板を接触もしくは近接することにより行ｌｃうことな特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジストツヤター
ンの形成方法。 （１０）被処理様上へのレジストの塗布手段、べ一り手
段、窯元手段及び現像手段を備えたレジストツヤターン
の形成装置において、ベーク後の被処理板のレジスト膜
の温度を制御しながら冷却下る手段を設けたことを特徴
とするレジストツヤターンの形成装置。 （１１１ベーク手段がレジストのガラス転移温度以−］
−の温度で行なわれるものであることを特徴とする特許
請求の範囲第１０項記載のレジストパターンの形成装置
。 出願人代理人　　弁理士　鈴江式彦 　３− （つ。）Ｉぞ惧ｑ　（ｔ、、Ｈ’１

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理板上にレジストを塗布し、ベークした後冷
   却し、更に所定波長域の電磁波或いは所定エネルギーの
   粒子線の照射（以下、露光と称す）、現像処理を施して
   レジストノリ−ンを形成する方法において、前記ベーク
   後に被処理板のレジスト膜の温度を制御しながら冷却す
   ることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
2. （２）冷却処理におけるレジスト膜の温度制御を、レジ
   スト膜の面内で均一化するように行なうことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載のレジストパターンの形成
   方法。
3. （３）　　ベーク後の被処理板のレジスト膜の温度を制
   御しながら冷却することによシレジストの感度特性を制
   御して選択することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載のレジストパターンの形成方法。
4. （４）　ベーク後の被処理板のレゾスト膜の冷却を、レ
   ジストに、対して実質的に溶解又は反応を生じない液体
   或いは気体のうちの一方もしくは両者を用いて行なうこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジス）　
   ｙ４ターンの形成方法。
5. （５）　　レジストに対して実質的に溶解もしくは反応
   を生じない液体が、任意の設定温度の水又はフロンであ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のレジス
   ）　ｔ４ターンの形成方法。
6. （６）　　し・クストに対して実質的に溶解もしくは反
   応を生じない気体が、任意の設定温度の璧素ガスもしく
   はフロンガスであることを特徴とする特許請求の範囲第
   ４項記載のレジストパターンの形成方法。
7. （７）　　ベーク後の被処理板のレジスト膜の冷却を、
   浸漬法、スプレー法又はシャワー法を用いて行なうこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレジストノ４
   ターンの形成方法。
8. （８）　　ベーク後の被処理板のレジスト膜の冷却を、
   任意設定温度の熱容量の大きな制御用プレートに被処理
   板を接触もしくは近接することによシ行なうことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載のレジタ）　ｐＲパタ
   ーン形成方法。
9. （９）被処理板上へのレジストの塗布手段、ベーク手段
   、露光手段及び現像手段を備えたレジタ）　ｉＪ？ター
   ンの形成装置において、ベーク後の被処理板のレジスト
   膜の温度を制御しながら冷却する手段を設けたことを特
   徴とするレジタトノ９ターンの形成装置。