JPS60133727A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS60133727A JPS60133727A JP58241376A JP24137683A JPS60133727A JP S60133727 A JPS60133727 A JP S60133727A JP 58241376 A JP58241376 A JP 58241376A JP 24137683 A JP24137683 A JP 24137683A JP S60133727 A JPS60133727 A JP S60133727A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の技術分野〕
本発明はレジストパターンの形成方法に関する。
〔発明の技術的背景〕
超ＬＳＩ’ｉはじめとして、半導体素子の集積度が高ま
るにつれて微細にして、かつ高精度のパターン形成技術
が要求されている。このため、許容される寸法精度は非
常に厳しいものとなり、最先端分野では６インチマスク
或いは５インチウェハ内で３σ≦０．１μｍ（但しσは
ウェハの平均寸法値に対するばらつきを示す）の寸法精
度が要求され始めている。着た、量産ラインで使用され
るためにはマスク間或いはウェハ間での寸法変動を３σ
≦０．１５μｍに抑えることが必要であり、一方量産効
果を高めるために、高感度のレジストが必要であると共
に、使用する露光装置（エネルギ照射装置）に適合した
感度にすべく感度制御が必要となる。 ところで、従来レジストパターンを形成するには次のよ
うな方法が採用されている。まず、被処理板（例えばマ
スク基板）上にレジスト全回転塗布法や浸漬法により塗
布する。つづいて、基板上のレゾスト膜を所定の温度（
Ｔｂ）でオープン或いは熱板等の加熱手段で加熱する、
いわゆるベークを行なう。所定時間ベーク後、レジスト
膜付被処理板を常温、常圧中で２０〜３０分間程度自然
放冷して室温程度１で冷却する。 次いで、冷却後の基板上のレジスト膜にそのレジストに
応じた所定の露光１で、露光を行ない、更に所定の現像
、リンス処理を施してレジストパターンを形成する。 〔背景技術の問題点〕 しかしながら、従来方法では高感度のレジストは解像性
が劣るために所望の寸法精度を得ることが難しく、逆に
高解像性を有するレジストは低感度であるため、量産ラ
インで必要とする高スループツトが得られない問題があ
った。また、レゾストの感度調整を同一レジストで行な
うことが難しく、露光条件上もプロセス上も制約された
条件下で
るにつれて微細にして、かつ高精度のパターン形成技術
が要求されている。このため、許容される寸法精度は非
常に厳しいものとなり、最先端分野では６インチマスク
或いは５インチウェハ内で３σ≦０．１μｍ（但しσは
ウェハの平均寸法値に対するばらつきを示す）の寸法精
度が要求され始めている。着た、量産ラインで使用され
るためにはマスク間或いはウェハ間での寸法変動を３σ
≦０．１５μｍに抑えることが必要であり、一方量産効
果を高めるために、高感度のレジストが必要であると共
に、使用する露光装置（エネルギ照射装置）に適合した
感度にすべく感度制御が必要となる。 ところで、従来レジストパターンを形成するには次のよ
うな方法が採用されている。まず、被処理板（例えばマ
スク基板）上にレジスト全回転塗布法や浸漬法により塗
布する。つづいて、基板上のレゾスト膜を所定の温度（
Ｔｂ）でオープン或いは熱板等の加熱手段で加熱する、
いわゆるベークを行なう。所定時間ベーク後、レジスト
膜付被処理板を常温、常圧中で２０〜３０分間程度自然
放冷して室温程度１で冷却する。 次いで、冷却後の基板上のレジスト膜にそのレジストに
応じた所定の露光１で、露光を行ない、更に所定の現像
、リンス処理を施してレジストパターンを形成する。 〔背景技術の問題点〕 しかしながら、従来方法では高感度のレジストは解像性
が劣るために所望の寸法精度を得ることが難しく、逆に
高解像性を有するレジストは低感度であるため、量産ラ
インで必要とする高スループツトが得られない問題があ
った。また、レゾストの感度調整を同一レジストで行な
うことが難しく、露光条件上もプロセス上も制約された
条件下で
【−か使用できず、適切な条件下でのレジスト
パターンを形成することができなかった。また、プリベ
ーク後の被処理板上のレジスト膜の感度に差が生じ、高
精度のレジスト・母ターンの形成が困難であった。 〔発明の目的〕 本発明はレジストの感度の安定化を図り、かつ任意の感
度条件を選定することを可能とし、もって高精度のレジ
ストノ９ターンを再現性よく形成し得る方法全提供しよ
うとするものである。 〔発明の概要〕 本発明者らは従来方法による被処理板のレジス） ノ９
ターンの寸法の差量について鋭意研究した結果・プリベ
ーク後、レノスト膜が被覆された被処理板を自然冷却に
よシ冷却するため、例えば被処理板を立置きした場合、
第１図に示す如く異なる温度の等温線Ｔ１＊ Ｔａ ＋
Ｔａ （Ｔｔ）Ｔ２：＞Ｔｓ）が生じることに起因す
ること全究明した。但し、第１図は被処理板の冷却中に
おけるある時間の状態を示し、時間経過に件なって刻々
と変化する。事実、第１図図示の等温線をもつ被処理板
上のレジスト膜を露光、現像処理した後のレジスト・９
ターンの寸法分布を精密に測定した結果、寸法分布と温
度分布に強い相関連係があることがわかった。 更に、前記被処理板の自然放冷時において、被処理板を
立置きにした場合の冷却速度は第２図に示す如く冷却曲
線Ａのような冷却速度で冷却される上部と、冷却曲線Ｂ
のような冷却速度で冷却される下部とが生じることを究
明した。 事実、第２図図示の曲線Ａで冷却された被処理板上のレ
ジスト膜部分の感度について調べたところ、第３図に示
す如く曲線Ａ′の感度特性全示し、同様に第２図図示の
曲線Ｂで冷却された被処理板上のレジスト膜部分の感度
は、同第３図図示の曲線Ｂ′の感度特性を示し、冷却速
度と感度特性が強い相関関係があシ、これが寸法の差量
を生じさせる原因であることがわかった。 以上の事から、従来技術では冷却過程での冷却速度を制
御していない丸め、冷却条件により一５＝ 感度がふらつき、それが高精度のレジストパターンの形
成を困難にしている原因であることがわかった。 そこで、本発明者らはレジストの感度特性がベーク後の
冷却速度に相関すると共に、その冷却速度むらにより感
度のばらつきを生じることを踏えて、レジストを塗布し
た被処理板をチャンバ内に水平に配置し、該レジストに
応じた温度でベ−り（デリベ−り）した後、前記チャン
バ内の上部に水平に配置した受熱体を用いて放射熱伝達
のみで被処理板のレジスト膜を均一冷却した。その結果
、隠元、現像工程において感度の安定化が図られ、かつ
受熱体として異なる吸収係数を有する材料を用いること
によシ同一しシストの感度制御が可能とな如、ひいては
高精度のレジストノ９ターンを再現性よく量産的に形成
し得る方法を見い出した。 即ち、本発明は被処理板上にレジストを塗布し、ベーク
した後冷却し、更に露光、現像処理を施してレジスト・
七ターンを形成する方法にお６− いて、前記レジスト塗布後の林処理板をチャンバ内に水
平に配置し、所定の条件でベークした後、前記チャンバ
内の上部に水平に配置した受熱体を用いて放射熱伝達の
みで被処理板上のレジスト膜を均一冷却せしめることを
特徴とするものである。 上記被処理板としては、例えばマスク基板、ウェハ或い
は該ウェハ上に各種の半導体膜、絶縁膜もしくは金属膜
を被覆したもの等を挙げることができる。 上記レジストとしては、例えばフォトレノスト、遠紫外
線感応レジスト、電子線感応レジスト、Ｘ線感応レジス
ト、高加速Ｘ線感応レジスト、イオンビーム感応レジス
ト等を挙げることができる。 上記受熱体としては、処理温度が長波長域に主要範囲が
あシ、またプリベーキング／４Ｌ度１８０°乙であるた
め、酸化アルミニウム、酸化黄銅、粗い酸化鋼などが好
ましい。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 第４図は本発明のレジス） ノ４ターン形成工程に用い
られる加熱・冷却装置の概略図、第５図は第４図の装置
の要部拡大断面図である。図中の１は底部を除く壁体が
断熱材料で形成されたチャンバであり、このチャンバ１
の底部には薄いガラス板２が設けられている。このチャ
ンバ１内の土壁には冷却媒体、例えば水が流通する偏平
状の中空体３が水平に配設されておシ、かつこの中空体
３の両端は冷却配管４ ｍ ＋ ４ ｂ ｔ’介して冷
却流体リザーバ５に連結されている。 なお、入側の冷却配管４ａにはポンプ６が介装されてい
る。また、前記中空体３の下面には吸収率〜９０チの酸
化アルミニウムからなる受熱象７が水平に設けられてい
る。更に、前記チャンバ１の左側壁にはバルブ８】を介
装し友リーク用配管９が連結されておシ、かつ同チャン
バ１の右側壁にはバルブ８８′ｔ−介装した吸引配管Ｉ
Ｏが連結されている。この吸引配管１ｏの他端は真空ポ
ンプ１ノに連結されている。前記チャンバ１底部のガラ
ス板２には上下動可能で該ガラス板２と密接乃至離間す
るホットプレート１２が配設されている。 次に、前記加熱冷却装置を用いてレジスト・９ターンの
形成方法を説明する。 まず、ブランクマスク上にガラス転移速度（Ｔｇ）＝１
００℃のＥＢレジスト（ポリメチルメタクリレート）全
転回塗布して厚さ０．６μｍのレジスト膜を形成した。 つづいて、第４図及び第５図に示す如くブランクマスク
１３を該マスクと同材質のカセット１４に収容した状態
で、同カセット１４をチャンバ１のガラス板上にレジス
ト膜が上面側となるように水平にセットした。 ひきつづき、バルブ８１を閉じ、バルブ８．全開き、真
空ポンプ１１を作動してチャンバ１内のがスを排気して
真空度ｔ−１０一’ｔｏｒｒ程度とした後、ホットプレ
ート１２のヒータを加熱してブランクマスク１３上のレ
ジスト膜を１８０℃、１９一 時間プリベークした。プリベ−り終了稜、直ちにホット
プレート１２を下方に移動させてガラス板２に対して離
間させた後、ポンプ６を作動して冷却流体リザーバ５内
の水を冷却配管４ ａ％中空体３、冷却配管４ｂ’ｚ通
して循環させて、中空体３下面吋受熱、ｌＬ７’に＋分
に冷却した。こノ時、チャンノぐ１内は高真空状態に保
たれているため、受熱縁７によって放射熱伝達のみでブ
ランクマスク１３上のレジスト膜が均一に冷却された。 ブランクマスク１３上のレジスト膜の表面温度がそのＴ
ｇよシ低くなった時に、バルブ８、全開いてリーク用配
管９全通してＮ２ガスを１０分間程度供給しｆｃ後、カ
セット１４と共にブランクマスク１３をチャンバ１から
取シ出した。次いで、加速電圧２００ ｋｓＶの電子ビ
ームによる露光（露光量４μａ／ｃｍ２） 、ＭＩＢＫ
の現像液（液温２５℃）での１３分間の現像処理、ＩＡ
Ａのリスス液（液温２５℃）での３０分間のリンス処理
を施してブランクマスク上にレジスト膜やターンを形成
した。 １０− しかして、本実施例の方法及びプリベ−り後自然放冷し
た以外実施例と同様な方法（比較ｆ！ｌ）により形成さ
れたレジス） ノｊターンについて調べた。その結果、
比較例ではブランクマスクの面内での感度のばらつきに
より、目的とする高精度のレジス） ｔ９ターンの形成
が困難であった。 これに対し、前述した加熱冷却装置によりレジスト膜の
プリベーク、均一冷却が施さねた本実施例の場合はブラ
ンクマスクの面内での感度均一化によシ目的とする高精
度のレジスト・９ターンを形成することができた。 また、本実施例において、受熱板として吸収率の異なる
材料を用いて放射熱伝達のみでブランクマスク上のレジ
スト膜の均一冷却を行なうことによって、感度の安定化
と共に、レジスト膜の感度を８μｃ／ｃｔｎ 〜０，５
μｃ２雀の範囲で変化させることができる。 なお、上記実施例では冷却流体リザーバ内の冷却媒体と
して水を用いたが、この代シに他の冷却液体、或いは冷
却した窪素ガス、アルゴンがス又はフロンガス等を用い
てもよい。 また、本発明方法は第４図及び第５図図示の加熱冷却装
置を用いてプ１）′ベーク、均一冷却を行なう場合に限
定されない。例えば第６図に示す如く底部に搬送ベルト
１５が配置された偏平型のチャンバ１′内の上部は受熱
板７を水平に配置し、チャンバ１′内にカセット１４と
共にセットしたブランクマスク１３表面のレジスト膜ト
前記受熱薫７との距離−が７■以下と近接して配置でき
るような構造の加熱冷却装置を用いてもよい。こうした
加熱冷却装置よシ、カセット１４のブランクマスク１３
のレジスト膜をホットプレート１２による加熱によって
プリベークし、ホットプレート１２全下方に移動させた
後、中空体３内に水を流通させて受熱水７を冷却すれば
、プリベークされたブランクマスク１３上レジスト膜は
受熱［７に対して７ｍ以下と著しく近接して配置されて
いるため、チャンバ内を高真空状態にしたのと同様、放
射熱伝達のみでレジスト膜が冷却され、その結果均一冷
却がなされる。つ１す、第６図図示の装置ではチャンバ
１′内を高真空にするための真空ポンプを付設せずに均
一冷却を行なうことができる。 〔発明の効果〕 以上詳述した如く、本発明によればレジストの感度の安
定化を図シ、かつ任意の感度条件を選定することを可能
とし、もって高精度のレジスト・ｆターンを再現性よく
形成し得る方法を提供できる。
パターンを形成することができなかった。また、プリベ
ーク後の被処理板上のレジスト膜の感度に差が生じ、高
精度のレジスト・母ターンの形成が困難であった。 〔発明の目的〕 本発明はレジストの感度の安定化を図り、かつ任意の感
度条件を選定することを可能とし、もって高精度のレジ
ストノ９ターンを再現性よく形成し得る方法全提供しよ
うとするものである。 〔発明の概要〕 本発明者らは従来方法による被処理板のレジス） ノ９
ターンの寸法の差量について鋭意研究した結果・プリベ
ーク後、レノスト膜が被覆された被処理板を自然冷却に
よシ冷却するため、例えば被処理板を立置きした場合、
第１図に示す如く異なる温度の等温線Ｔ１＊ Ｔａ ＋
Ｔａ （Ｔｔ）Ｔ２：＞Ｔｓ）が生じることに起因す
ること全究明した。但し、第１図は被処理板の冷却中に
おけるある時間の状態を示し、時間経過に件なって刻々
と変化する。事実、第１図図示の等温線をもつ被処理板
上のレジスト膜を露光、現像処理した後のレジスト・９
ターンの寸法分布を精密に測定した結果、寸法分布と温
度分布に強い相関連係があることがわかった。 更に、前記被処理板の自然放冷時において、被処理板を
立置きにした場合の冷却速度は第２図に示す如く冷却曲
線Ａのような冷却速度で冷却される上部と、冷却曲線Ｂ
のような冷却速度で冷却される下部とが生じることを究
明した。 事実、第２図図示の曲線Ａで冷却された被処理板上のレ
ジスト膜部分の感度について調べたところ、第３図に示
す如く曲線Ａ′の感度特性全示し、同様に第２図図示の
曲線Ｂで冷却された被処理板上のレジスト膜部分の感度
は、同第３図図示の曲線Ｂ′の感度特性を示し、冷却速
度と感度特性が強い相関関係があシ、これが寸法の差量
を生じさせる原因であることがわかった。 以上の事から、従来技術では冷却過程での冷却速度を制
御していない丸め、冷却条件により一５＝ 感度がふらつき、それが高精度のレジストパターンの形
成を困難にしている原因であることがわかった。 そこで、本発明者らはレジストの感度特性がベーク後の
冷却速度に相関すると共に、その冷却速度むらにより感
度のばらつきを生じることを踏えて、レジストを塗布し
た被処理板をチャンバ内に水平に配置し、該レジストに
応じた温度でベ−り（デリベ−り）した後、前記チャン
バ内の上部に水平に配置した受熱体を用いて放射熱伝達
のみで被処理板のレジスト膜を均一冷却した。その結果
、隠元、現像工程において感度の安定化が図られ、かつ
受熱体として異なる吸収係数を有する材料を用いること
によシ同一しシストの感度制御が可能とな如、ひいては
高精度のレジストノ９ターンを再現性よく量産的に形成
し得る方法を見い出した。 即ち、本発明は被処理板上にレジストを塗布し、ベーク
した後冷却し、更に露光、現像処理を施してレジスト・
七ターンを形成する方法にお６− いて、前記レジスト塗布後の林処理板をチャンバ内に水
平に配置し、所定の条件でベークした後、前記チャンバ
内の上部に水平に配置した受熱体を用いて放射熱伝達の
みで被処理板上のレジスト膜を均一冷却せしめることを
特徴とするものである。 上記被処理板としては、例えばマスク基板、ウェハ或い
は該ウェハ上に各種の半導体膜、絶縁膜もしくは金属膜
を被覆したもの等を挙げることができる。 上記レジストとしては、例えばフォトレノスト、遠紫外
線感応レジスト、電子線感応レジスト、Ｘ線感応レジス
ト、高加速Ｘ線感応レジスト、イオンビーム感応レジス
ト等を挙げることができる。 上記受熱体としては、処理温度が長波長域に主要範囲が
あシ、またプリベーキング／４Ｌ度１８０°乙であるた
め、酸化アルミニウム、酸化黄銅、粗い酸化鋼などが好
ましい。 〔発明の実施例〕 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 第４図は本発明のレジス） ノ４ターン形成工程に用い
られる加熱・冷却装置の概略図、第５図は第４図の装置
の要部拡大断面図である。図中の１は底部を除く壁体が
断熱材料で形成されたチャンバであり、このチャンバ１
の底部には薄いガラス板２が設けられている。このチャ
ンバ１内の土壁には冷却媒体、例えば水が流通する偏平
状の中空体３が水平に配設されておシ、かつこの中空体
３の両端は冷却配管４ ｍ ＋ ４ ｂ ｔ’介して冷
却流体リザーバ５に連結されている。 なお、入側の冷却配管４ａにはポンプ６が介装されてい
る。また、前記中空体３の下面には吸収率〜９０チの酸
化アルミニウムからなる受熱象７が水平に設けられてい
る。更に、前記チャンバ１の左側壁にはバルブ８】を介
装し友リーク用配管９が連結されておシ、かつ同チャン
バ１の右側壁にはバルブ８８′ｔ−介装した吸引配管Ｉ
Ｏが連結されている。この吸引配管１ｏの他端は真空ポ
ンプ１ノに連結されている。前記チャンバ１底部のガラ
ス板２には上下動可能で該ガラス板２と密接乃至離間す
るホットプレート１２が配設されている。 次に、前記加熱冷却装置を用いてレジスト・９ターンの
形成方法を説明する。 まず、ブランクマスク上にガラス転移速度（Ｔｇ）＝１
００℃のＥＢレジスト（ポリメチルメタクリレート）全
転回塗布して厚さ０．６μｍのレジスト膜を形成した。 つづいて、第４図及び第５図に示す如くブランクマスク
１３を該マスクと同材質のカセット１４に収容した状態
で、同カセット１４をチャンバ１のガラス板上にレジス
ト膜が上面側となるように水平にセットした。 ひきつづき、バルブ８１を閉じ、バルブ８．全開き、真
空ポンプ１１を作動してチャンバ１内のがスを排気して
真空度ｔ−１０一’ｔｏｒｒ程度とした後、ホットプレ
ート１２のヒータを加熱してブランクマスク１３上のレ
ジスト膜を１８０℃、１９一 時間プリベークした。プリベ−り終了稜、直ちにホット
プレート１２を下方に移動させてガラス板２に対して離
間させた後、ポンプ６を作動して冷却流体リザーバ５内
の水を冷却配管４ ａ％中空体３、冷却配管４ｂ’ｚ通
して循環させて、中空体３下面吋受熱、ｌＬ７’に＋分
に冷却した。こノ時、チャンノぐ１内は高真空状態に保
たれているため、受熱縁７によって放射熱伝達のみでブ
ランクマスク１３上のレジスト膜が均一に冷却された。 ブランクマスク１３上のレジスト膜の表面温度がそのＴ
ｇよシ低くなった時に、バルブ８、全開いてリーク用配
管９全通してＮ２ガスを１０分間程度供給しｆｃ後、カ
セット１４と共にブランクマスク１３をチャンバ１から
取シ出した。次いで、加速電圧２００ ｋｓＶの電子ビ
ームによる露光（露光量４μａ／ｃｍ２） 、ＭＩＢＫ
の現像液（液温２５℃）での１３分間の現像処理、ＩＡ
Ａのリスス液（液温２５℃）での３０分間のリンス処理
を施してブランクマスク上にレジスト膜やターンを形成
した。 １０− しかして、本実施例の方法及びプリベ−り後自然放冷し
た以外実施例と同様な方法（比較ｆ！ｌ）により形成さ
れたレジス） ノｊターンについて調べた。その結果、
比較例ではブランクマスクの面内での感度のばらつきに
より、目的とする高精度のレジス） ｔ９ターンの形成
が困難であった。 これに対し、前述した加熱冷却装置によりレジスト膜の
プリベーク、均一冷却が施さねた本実施例の場合はブラ
ンクマスクの面内での感度均一化によシ目的とする高精
度のレジスト・９ターンを形成することができた。 また、本実施例において、受熱板として吸収率の異なる
材料を用いて放射熱伝達のみでブランクマスク上のレジ
スト膜の均一冷却を行なうことによって、感度の安定化
と共に、レジスト膜の感度を８μｃ／ｃｔｎ 〜０，５
μｃ２雀の範囲で変化させることができる。 なお、上記実施例では冷却流体リザーバ内の冷却媒体と
して水を用いたが、この代シに他の冷却液体、或いは冷
却した窪素ガス、アルゴンがス又はフロンガス等を用い
てもよい。 また、本発明方法は第４図及び第５図図示の加熱冷却装
置を用いてプ１）′ベーク、均一冷却を行なう場合に限
定されない。例えば第６図に示す如く底部に搬送ベルト
１５が配置された偏平型のチャンバ１′内の上部は受熱
板７を水平に配置し、チャンバ１′内にカセット１４と
共にセットしたブランクマスク１３表面のレジスト膜ト
前記受熱薫７との距離−が７■以下と近接して配置でき
るような構造の加熱冷却装置を用いてもよい。こうした
加熱冷却装置よシ、カセット１４のブランクマスク１３
のレジスト膜をホットプレート１２による加熱によって
プリベークし、ホットプレート１２全下方に移動させた
後、中空体３内に水を流通させて受熱水７を冷却すれば
、プリベークされたブランクマスク１３上レジスト膜は
受熱［７に対して７ｍ以下と著しく近接して配置されて
いるため、チャンバ内を高真空状態にしたのと同様、放
射熱伝達のみでレジスト膜が冷却され、その結果均一冷
却がなされる。つ１す、第６図図示の装置ではチャンバ
１′内を高真空にするための真空ポンプを付設せずに均
一冷却を行なうことができる。 〔発明の効果〕 以上詳述した如く、本発明によればレジストの感度の安
定化を図シ、かつ任意の感度条件を選定することを可能
とし、もって高精度のレジスト・ｆターンを再現性よく
形成し得る方法を提供できる。
第１図はプリベーク後の被処理板金立置きにして自然放
冷した時の温度等溝線を示す図、第２図はプリベーク後
の被処理板を立置きにして自然放冷した時の冷却過程を
示す特性図、第３図は第２図図示の異なる冷却過程のレ
ジスト部分における露光量と膜厚残存率の関係を示す特
性図、第４図は本発明の実施例で用いた加熱冷却装置の
一形態を示す概略図、第５図は第４図の装置の要部拡大
断面図、第６図は本発明方法に用いられる加熱冷却装置
の他の形態を示す要１３一 部所面図である。 １．１′・・・チャンバ、３・・・偏平状の中空体、５
・・・冷却流体リザーバ、７・・・受熱板、１ノ・・・
真空Ｉンプ、１２・・・ホットプレート、１３・・・ブ
ランクマスク、１４・・・カセット、１５・・・搬送ベ
ルト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦＝１４− 明Ｖ） 嫂 皺 、 。 餌馳（泊朴 ］ 鞍
冷した時の温度等溝線を示す図、第２図はプリベーク後
の被処理板を立置きにして自然放冷した時の冷却過程を
示す特性図、第３図は第２図図示の異なる冷却過程のレ
ジスト部分における露光量と膜厚残存率の関係を示す特
性図、第４図は本発明の実施例で用いた加熱冷却装置の
一形態を示す概略図、第５図は第４図の装置の要部拡大
断面図、第６図は本発明方法に用いられる加熱冷却装置
の他の形態を示す要１３一 部所面図である。 １．１′・・・チャンバ、３・・・偏平状の中空体、５
・・・冷却流体リザーバ、７・・・受熱板、１ノ・・・
真空Ｉンプ、１２・・・ホットプレート、１３・・・ブ
ランクマスク、１４・・・カセット、１５・・・搬送ベ
ルト。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦＝１４− 明Ｖ） 嫂 皺 、 。 餌馳（泊朴 ］ 鞍
Claims (2)
- （１） Ｍ処理板上にレジストを塗布し、ベークした後
冷却し、更に所定波長域の電磁波或いは所定エネルギー
の粒子線の選択照射（以下、露光と称す）、現凍奥理を
施してレジスト・母ターンを形成する方法において、前
記レジスト塗布後の被処理板をチャンバ内に水平に配置
し、所みて被処理板上のレジスト膜を均一冷却せしめる
ことを特徴とするレゾス）ｙｆターンの形成方法０ - （２）受熱体を、別の吸収率を有する材料のものに替え
ることによって、被処理板のレノスト膜の冷却速度を制
御することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のレ
ジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241376A JPS60133727A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241376A JPS60133727A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60133727A true JPS60133727A (ja) | 1985-07-16 |
| JPH045258B2 JPH045258B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=17073361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58241376A Granted JPS60133727A (ja) | 1983-12-21 | 1983-12-21 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60133727A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06294112A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-10-21 | Giken Kogyo Kk | 魚巣ブロック |
-
1983
- 1983-12-21 JP JP58241376A patent/JPS60133727A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06294112A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-10-21 | Giken Kogyo Kk | 魚巣ブロック |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH045258B2 (ja) | 1992-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |