JPH0572579B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0572579B2 JPH0572579B2 JP15264583A JP15264583A JPH0572579B2 JP H0572579 B2 JPH0572579 B2 JP H0572579B2 JP 15264583 A JP15264583 A JP 15264583A JP 15264583 A JP15264583 A JP 15264583A JP H0572579 B2 JPH0572579 B2 JP H0572579B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blank mask
- resist
- mask
- frame
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレジストパターンの形成方法に関し、
詳しくはブランクマスク上に塗布したレジスト膜
のベーク後の冷却工程を改良したレジストパター
ンの形成方法に係る。
詳しくはブランクマスク上に塗布したレジスト膜
のベーク後の冷却工程を改良したレジストパター
ンの形成方法に係る。
従来、ブランクマスク上にレジストパターンを
形成するには、次のような方法が採用されてい
る。まず、ブランクマスク上にレジストを回転塗
布法や浸漬法により塗布する。つづいて、ブラン
クマスク上のレジスト膜を所定の温度（Tb）で
オーブン或いは熱板等の加熱手段で加熱する、い
わゆるベークを行なう。所定時間ベーク後、ブラ
ンクマスクを常温、常圧中で20〜30分間程度自然
放冷して室温程度まで冷却する。次いで冷却後の
基板上のレジスト膜にそのレジストに応じた所定
の露光量で露光を行ない、更に所定の現像、リン
ス処理を施してレジストパターンを形成する。
形成するには、次のような方法が採用されてい
る。まず、ブランクマスク上にレジストを回転塗
布法や浸漬法により塗布する。つづいて、ブラン
クマスク上のレジスト膜を所定の温度（Tb）で
オーブン或いは熱板等の加熱手段で加熱する、い
わゆるベークを行なう。所定時間ベーク後、ブラ
ンクマスクを常温、常圧中で20〜30分間程度自然
放冷して室温程度まで冷却する。次いで冷却後の
基板上のレジスト膜にそのレジストに応じた所定
の露光量で露光を行ない、更に所定の現像、リン
ス処理を施してレジストパターンを形成する。
しかしながら、従来の方法では自然放冷後のブ
ランクマスク上のレジスト膜内で感度差が生じ、
高精度（面内の均一性の高い）のレジストパター
ンの形成が困難であつた。
ランクマスク上のレジスト膜内で感度差が生じ、
高精度（面内の均一性の高い）のレジストパター
ンの形成が困難であつた。
本発明は面内での寸法均一性の高い、高精度の
レジストパターンを再現性よく形成し得る方法を
提供しようとするものである。
レジストパターンを再現性よく形成し得る方法を
提供しようとするものである。
本発明者らは従来方法によるブランクマスク上
のレジストパターンの面内不均一化について鋭意
研究した結果、プリベーク後、レジスト膜が被覆
されたブランクマスクを平置きにして自然放冷す
ると、第１図に示す如くブランクマスク１の温度
はプリベーク時の初期温度T0から時間経過に伴
なつてT1，T2，T3……と冷却される温度分布と
なり、ブランクマスク１の中心部の冷え方が周辺
部に比べて遅く、中心部と周辺部とでは自然放冷
後において温度差が生じることに起因することを
見い出した。事実、自然放冷により冷却したブラ
ンクマスク上のレジスト膜の中心部と周辺部の感
度を調べたところ、第２図に示す如く中心部では
曲線ａの感度特性を示し、周辺部では曲線ｂの感
度特性を示し、中心部は周辺に比べて感度が低
く、自然放冷後のレジスト膜面内の温度差が感度
差に相関することがわかつた。このようにブラン
クマスクにおいてその上のレジスト膜の中心部と
周辺部とで温度差が生じるのは、その形状が矩形
で、冷却速度の早いコーナ部を有するためと考え
られ、ウエハのように円形に近いものでは平置き
して自然放冷しても中心部と周辺部との間で顕著
な温度差は生じない。
のレジストパターンの面内不均一化について鋭意
研究した結果、プリベーク後、レジスト膜が被覆
されたブランクマスクを平置きにして自然放冷す
ると、第１図に示す如くブランクマスク１の温度
はプリベーク時の初期温度T0から時間経過に伴
なつてT1，T2，T3……と冷却される温度分布と
なり、ブランクマスク１の中心部の冷え方が周辺
部に比べて遅く、中心部と周辺部とでは自然放冷
後において温度差が生じることに起因することを
見い出した。事実、自然放冷により冷却したブラ
ンクマスク上のレジスト膜の中心部と周辺部の感
度を調べたところ、第２図に示す如く中心部では
曲線ａの感度特性を示し、周辺部では曲線ｂの感
度特性を示し、中心部は周辺に比べて感度が低
く、自然放冷後のレジスト膜面内の温度差が感度
差に相関することがわかつた。このようにブラン
クマスクにおいてその上のレジスト膜の中心部と
周辺部とで温度差が生じるのは、その形状が矩形
で、冷却速度の早いコーナ部を有するためと考え
られ、ウエハのように円形に近いものでは平置き
して自然放冷しても中心部と周辺部との間で顕著
な温度差は生じない。
そこで、本発明者らはブランクマスクの面内で
の感度差が自然放冷時での中心部と周辺部との温
度差により起こることを踏えて、レジスト膜の塗
布がなされたブランクマスクを、該マスクと同一
もしくはほぼ同一の熱伝導率を有する材料からな
る枠状部材に互に面一となるように嵌合させた状
態、つまりあたかもブランクマスクの周囲を枠状
部材により水平方向に拡張させるような状態でベ
ークした後、そのまま平置きにして冷却したとこ
ろ、ブランクマスク上のレジスト膜が均一温度に
冷却され、レジスト膜面内の感度が一様となり、
その後の露光、現像処理により高精度のレジスト
パターンを形成し得る方法を見い出した。
の感度差が自然放冷時での中心部と周辺部との温
度差により起こることを踏えて、レジスト膜の塗
布がなされたブランクマスクを、該マスクと同一
もしくはほぼ同一の熱伝導率を有する材料からな
る枠状部材に互に面一となるように嵌合させた状
態、つまりあたかもブランクマスクの周囲を枠状
部材により水平方向に拡張させるような状態でベ
ークした後、そのまま平置きにして冷却したとこ
ろ、ブランクマスク上のレジスト膜が均一温度に
冷却され、レジスト膜面内の感度が一様となり、
その後の露光、現像処理により高精度のレジスト
パターンを形成し得る方法を見い出した。
即ち、本発明はブランクマスク上にレジストを
塗布し、ベークした後冷却し、更に露光、現像処
理を施してレジストパターンを形成する方法にお
いて、前記レジスト塗布がなされたブランクマス
クを、該マスクと同一もしくはほぼ同一の熱伝導
率を有する材料からなる枠状部材に互に面一とな
るように嵌合させた状態でベークした後、そのま
ま平置きにして冷却せしめることを特徴とするも
のである。
塗布し、ベークした後冷却し、更に露光、現像処
理を施してレジストパターンを形成する方法にお
いて、前記レジスト塗布がなされたブランクマス
クを、該マスクと同一もしくはほぼ同一の熱伝導
率を有する材料からなる枠状部材に互に面一とな
るように嵌合させた状態でベークした後、そのま
ま平置きにして冷却せしめることを特徴とするも
のである。
上記レジストとしては、例えばフオトレジス
ト、遠紫外レジスト、電子線レジスト、Ｘ線感応
レジスト、高加速Ｘ線感応レジスト、イオンビー
ム感応レジスト等を挙げることができる。
ト、遠紫外レジスト、電子線レジスト、Ｘ線感応
レジスト、高加速Ｘ線感応レジスト、イオンビー
ム感応レジスト等を挙げることができる。
上記ブランクマスクのレジスト膜の冷却手段と
しては、自然放冷、或いは低温雰囲気中での冷却
等を挙げることができる。
しては、自然放冷、或いは低温雰囲気中での冷却
等を挙げることができる。
上記枠状部材はブランクマスクのプリベーク、
冷却時において、既述の如く該マスクをあたかも
水平方向に拡張させる役目をする。このため、同
枠状部材はブランクマスクの熱伝導率と同一かも
しくはほぼ同一の材料から形成することが必要で
ある。枠状部材の熱伝導率がブランクマスクのそ
れと大巾に異なると、プリベーク後の冷却時にお
いて枠状部材とこれに嵌合させたブランクマスク
との境界で温度差が生じ、ブランクマスクの周囲
をあたかも水平方向に拡張させる作用を発揮でき
なくなる。具体的にはブランクマスクの基板とし
て熱伝導率0.65kcal／ｍ・ｈ・degのソーダガラ
スを用いた場合、枠状部材として熱伝導率k1が
0.62＜k1＜0.68の材料から形成することが望まし
い。また、ブランクマスクの基板として熱伝導率
1.16kcal／ｍ・ｈ・degの石英ガラスを用いた場
合、枠状部材として熱伝導率k2が1.12＜k2＜1.20
の材料から形成することが望ましい。
冷却時において、既述の如く該マスクをあたかも
水平方向に拡張させる役目をする。このため、同
枠状部材はブランクマスクの熱伝導率と同一かも
しくはほぼ同一の材料から形成することが必要で
ある。枠状部材の熱伝導率がブランクマスクのそ
れと大巾に異なると、プリベーク後の冷却時にお
いて枠状部材とこれに嵌合させたブランクマスク
との境界で温度差が生じ、ブランクマスクの周囲
をあたかも水平方向に拡張させる作用を発揮でき
なくなる。具体的にはブランクマスクの基板とし
て熱伝導率0.65kcal／ｍ・ｈ・degのソーダガラ
スを用いた場合、枠状部材として熱伝導率k1が
0.62＜k1＜0.68の材料から形成することが望まし
い。また、ブランクマスクの基板として熱伝導率
1.16kcal／ｍ・ｈ・degの石英ガラスを用いた場
合、枠状部材として熱伝導率k2が1.12＜k2＜1.20
の材料から形成することが望ましい。
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
まず、寸法４インチ角で熱伝導率が1.16kcal／
ｍ・ｈ・degの石英ガラス板片面にCr薄膜を蒸着
したブランクマスクを用意し、このブランクマス
クのCr薄膜上にTg＝100℃のEBレジスト（ポリ
メチルメタクリレート）を回転塗布して厚さ
1.0μmのレジスト膜を被覆した。つづいて、第３
図Ａ，Ｂに示す如く前記ブランクマスク１１を枠
状部材１２の凹部１３に該マスク１１のレジスト
膜と部材１２表面とが互に面一となるように嵌合
させた。なお、枠状部材１２は前記石英ガラス板
と同一熱膨張率の石英ガラスからなり、その凹部
１３はブランクマスク１１の外径より大き目の寸
法で、深さが同マスク１１の厚さより少し深い角
形をなし、かつ該凹部１３と外線との長さΔlが
２インチとなつている。
ｍ・ｈ・degの石英ガラス板片面にCr薄膜を蒸着
したブランクマスクを用意し、このブランクマス
クのCr薄膜上にTg＝100℃のEBレジスト（ポリ
メチルメタクリレート）を回転塗布して厚さ
1.0μmのレジスト膜を被覆した。つづいて、第３
図Ａ，Ｂに示す如く前記ブランクマスク１１を枠
状部材１２の凹部１３に該マスク１１のレジスト
膜と部材１２表面とが互に面一となるように嵌合
させた。なお、枠状部材１２は前記石英ガラス板
と同一熱膨張率の石英ガラスからなり、その凹部
１３はブランクマスク１１の外径より大き目の寸
法で、深さが同マスク１１の厚さより少し深い角
形をなし、かつ該凹部１３と外線との長さΔlが
２インチとなつている。
次いで、ブランクマスク１１を枠状部材１２と
共に180℃の温度で60分間プリベークした後、そ
のまま平置きにして室温中で自然放冷した。この
時、ブランクマスク１１が嵌合された枠状部材１
２は第４図に示す如くプリベーク時の初期温度
T0から時間経過に伴なつてT1，T2，T3……と冷
却され、枠状部材１２の周辺で温度勾配をもつ温
度分布となる。その結果、ブランクマスク１１の
面内はその外周領域の枠状部材１２の存在により
均一に冷却された。
共に180℃の温度で60分間プリベークした後、そ
のまま平置きにして室温中で自然放冷した。この
時、ブランクマスク１１が嵌合された枠状部材１
２は第４図に示す如くプリベーク時の初期温度
T0から時間経過に伴なつてT1，T2，T3……と冷
却され、枠状部材１２の周辺で温度勾配をもつ温
度分布となる。その結果、ブランクマスク１１の
面内はその外周領域の枠状部材１２の存在により
均一に冷却された。
次いで、枠状部材からブランクマスクを取り出
し、該マスクのレジスト膜に加速電圧を20kevの
電子ビームを4.4μc／cm2の露光量で露光した後、
25℃のMIBKの現像液で13分間処理し、更に25℃
のIAAのリンス液で30秒間処理してレジストパ
ターンを形成した。
し、該マスクのレジスト膜に加速電圧を20kevの
電子ビームを4.4μc／cm2の露光量で露光した後、
25℃のMIBKの現像液で13分間処理し、更に25℃
のIAAのリンス液で30秒間処理してレジストパ
ターンを形成した。
しかして、形成されたレジストパターンはブラ
ンクマスクの面内での寸法均一性の高い、高精度
のものであつた。これは、プリベーク、冷却工程
において、第４図に示す如くブランクマスク１１
を均一温度に冷却され、ブランクマスク上のレジ
スト膜の面内感度を均一化できるためである。
ンクマスクの面内での寸法均一性の高い、高精度
のものであつた。これは、プリベーク、冷却工程
において、第４図に示す如くブランクマスク１１
を均一温度に冷却され、ブランクマスク上のレジ
スト膜の面内感度を均一化できるためである。
なお、上記実施例では角形の凹部を有する枠状
部材を用いたが、これに限定されない。例えば、
第５図に示す如くブランクマスクと略同厚さで、
同マスクの外径と同形の角状貫通穴を有する枠状
部材１２′を用いてもよい。
部材を用いたが、これに限定されない。例えば、
第５図に示す如くブランクマスクと略同厚さで、
同マスクの外径と同形の角状貫通穴を有する枠状
部材１２′を用いてもよい。
上記実施例では凹部の外線の長さΔlがブラン
クマスクの1/2（２インチ）の枠状部材を用いた
が、該長さが更に長いものを用いても勿論よい。
こうした枠状部材を用いればブランクマスクの面
内均一冷却をより一層図ることができる。
クマスクの1/2（２インチ）の枠状部材を用いた
が、該長さが更に長いものを用いても勿論よい。
こうした枠状部材を用いればブランクマスクの面
内均一冷却をより一層図ることができる。
以上詳述した如く、本発明によれば面内での寸
法均一性の高い、高精度のレジストパターンをブ
ランクマスク上に再現性よく形成でき、ひいては
微細かつ高精度のマスクを量産的に製造できる等
顕著な効果を有する。
法均一性の高い、高精度のレジストパターンをブ
ランクマスク上に再現性よく形成でき、ひいては
微細かつ高精度のマスクを量産的に製造できる等
顕著な効果を有する。
第１図は従来法におけるプリベーク後にブラン
クマスク上のレジスト膜を自然放冷した時の温度
分布を示す図、第２図は従来法で自然冷却したレ
ジスト膜の中心部と周辺部の感度を示す特性図、
第３図Ａはプリベーク、冷却時のブランクマスク
の状態を示す平面図、同図Ｂは同図ＡのＢ−Ｂ線
に沿う断面図、第４図は本発明の実施例における
自然放冷時のブランクマスク、枠状部材の温度分
布を示す図、第５図は本発明方法に用いる枠状部
材の他の形態を示す斜視図である。 １１……ブランクマスク、１２，１２′……枠
状部材、１３……凹部。
クマスク上のレジスト膜を自然放冷した時の温度
分布を示す図、第２図は従来法で自然冷却したレ
ジスト膜の中心部と周辺部の感度を示す特性図、
第３図Ａはプリベーク、冷却時のブランクマスク
の状態を示す平面図、同図Ｂは同図ＡのＢ−Ｂ線
に沿う断面図、第４図は本発明の実施例における
自然放冷時のブランクマスク、枠状部材の温度分
布を示す図、第５図は本発明方法に用いる枠状部
材の他の形態を示す斜視図である。 １１……ブランクマスク、１２，１２′……枠
状部材、１３……凹部。
Claims (1)
- １ ブランクマスク上にレジストを塗布し、ベー
クした後冷却し、更に所定波長域の電磁波或いは
所定エネルギーの粒子線の照射（以下、露光と称
す）、現像処理を施してレジストパターンを形成
する方法において、前記レジスト塗布がなされた
ブランクマスクを、該マスクと同一もしくはほぼ
同一の熱伝導率を有する材料からなる枠状部材に
互に面一に嵌合させた状態でベークした後、その
まま平置きにして冷却せしめることを特徴とする
レジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152645A JPS6043655A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152645A JPS6043655A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043655A JPS6043655A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH0572579B2 true JPH0572579B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=15544934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152645A Granted JPS6043655A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043655A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3368200B2 (ja) | 1998-02-26 | 2003-01-20 | シャープ株式会社 | フォトマスク作成方法および熱処理装置 |
| JP5172092B2 (ja) * | 2005-12-16 | 2013-03-27 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863134A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Hitachi Ltd | レジスト硬化方法及びその装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552677Y2 (ja) * | 1977-11-15 | 1980-12-06 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152645A patent/JPS6043655A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5863134A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Hitachi Ltd | レジスト硬化方法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6043655A (ja) | 1985-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0257334B2 (ja) | ||
| KR100324440B1 (ko) | 치수 정밀도가 높은 포토마스크를 형성할 수 있는 포토마스크형성 방법 및 열처리장치 | |
| JPH0572579B2 (ja) | ||
| JPS6021522A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH0653106A (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
| JPS63200531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4946764A (en) | Method of forming resist pattern and resist processing apparatus used in this method | |
| JPS6189632A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS62144161A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH01236627A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS61147528A (ja) | レジスト処理装置 | |
| JPH045258B2 (ja) | ||
| KR910006041B1 (ko) | 포토레지스트의 측벽 프로파일 개선방법 | |
| JPH02101468A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2617923B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS61147527A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPH0480531B2 (ja) | ||
| JPH0464171B2 (ja) | ||
| JPS612326A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP2000091217A (ja) | レジストパターン形成方法及びリソグラフィシステム | |
| JPS60157225A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS6042829A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS5999436A (ja) | マスク製造方法 | |
| JPS6145823B2 (ja) | ||
| JPH05175114A (ja) | 半導体装置の製造方法 |