JPH01236627A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- JPH01236627A JPH01236627A JP6402588A JP6402588A JPH01236627A JP H01236627 A JPH01236627 A JP H01236627A JP 6402588 A JP6402588 A JP 6402588A JP 6402588 A JP6402588 A JP 6402588A JP H01236627 A JPH01236627 A JP H01236627A
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- photoresist
- resist pattern
- resist
- solvent
- silicon substrate
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- Pending
Links
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 25
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ホトレジストの感光特性および現像特性の向
上を可能にするレジストパターンの形成方法に関する。
上を可能にするレジストパターンの形成方法に関する。
従来の技術
半導体装置の製造にあたシ、レジスト感度の高いホトレ
ジストを使用することが、量産性を向上させる上で重要
な要素になる。ホトレジスト膜を半導体基板上に形成す
るにあたり、従来は半導体基板上にホトレジストを塗布
した後、空気中で加熱処理を施こし、ホトレジスト中の
溶媒を除去する方法が使用されている。この方法に於い
ては、加熱処理の温度を制御し、ホトレジスト膜中の溶
媒残留量を増加させることによって、現像速度を速め、
見かけ上のレジメ）ｇ度を向上させることができる。
ジストを使用することが、量産性を向上させる上で重要
な要素になる。ホトレジスト膜を半導体基板上に形成す
るにあたり、従来は半導体基板上にホトレジストを塗布
した後、空気中で加熱処理を施こし、ホトレジスト中の
溶媒を除去する方法が使用されている。この方法に於い
ては、加熱処理の温度を制御し、ホトレジスト膜中の溶
媒残留量を増加させることによって、現像速度を速め、
見かけ上のレジメ）ｇ度を向上させることができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、ホトレジスト膜中の溶媒残留量を増加さ
せる従来の方法によると、未露光部分の現像速度も速く
なり、現像膜減り量が増加すること、あるいは、レジス
ト膜を形成した後のレジスト感度に大きな経時変化が生
じることなどの問題が派生する。
せる従来の方法によると、未露光部分の現像速度も速く
なり、現像膜減り量が増加すること、あるいは、レジス
ト膜を形成した後のレジスト感度に大きな経時変化が生
じることなどの問題が派生する。
課題を解決するための手段
本発明は、既存のホトレジストの使用の下で上記の問題
点を排除することができるレジストパターンの形成方法
の実現を意図してなされたもので、半導体基板上にホト
レジストを塗布したのち、ホトレジスト中の溶媒と同物
質のガス雰囲気中で加熱処理を施こす方法である。
点を排除することができるレジストパターンの形成方法
の実現を意図してなされたもので、半導体基板上にホト
レジストを塗布したのち、ホトレジスト中の溶媒と同物
質のガス雰囲気中で加熱処理を施こす方法である。
作用
この方法によれば、塗布されたホトレジスト内に含まれ
る溶媒の蒸発を抑えて加熱処理が施こされ、表面近傍の
溶媒は加熱後の冷却過程で消失する。このため、溶媒残
留量が多いものの、表面の現像速度が遅いホトレジスト
膜が形成される。
る溶媒の蒸発を抑えて加熱処理が施こされ、表面近傍の
溶媒は加熱後の冷却過程で消失する。このため、溶媒残
留量が多いものの、表面の現像速度が遅いホトレジスト
膜が形成される。
実施例
本発明のレジストパターンの形成方法について具体例を
示して詳しく説明する。
示して詳しく説明する。
ホトレジストとしてフェノールノボラック系のポジ型ホ
トレジストを準備し、これをシリコン基板上に塗布する
。次いで、ホトレジストを塗布したシリコン基板上に平
板を配置するとともに、両者の間隙を約０．２Ｍ１１１
に設定したのち、１００°Ｃの温度で加熱し、ホトレジ
ストの表面から蒸発した溶媒ガスで間隙を満たす熱処理
を所定の時間にわたり施こすことによって、膜厚が１μ
ｍのホトレジスト膜をシリコン基板上に形成する。次い
で、波長が４３６１１ｒｌのｇ線によるパターン露光と
ノンメタル・アルカリ現像液を用いて２３°Ｃ１４０秒
のパドル現像によりレジストパターンを形成した。
トレジストを準備し、これをシリコン基板上に塗布する
。次いで、ホトレジストを塗布したシリコン基板上に平
板を配置するとともに、両者の間隙を約０．２Ｍ１１１
に設定したのち、１００°Ｃの温度で加熱し、ホトレジ
ストの表面から蒸発した溶媒ガスで間隙を満たす熱処理
を所定の時間にわたり施こすことによって、膜厚が１μ
ｍのホトレジスト膜をシリコン基板上に形成する。次い
で、波長が４３６１１ｒｌのｇ線によるパターン露光と
ノンメタル・アルカリ現像液を用いて２３°Ｃ１４０秒
のパドル現像によりレジストパターンを形成した。
第１図は、本発明の方法とホットプレートを用いて空気
中で５０’Ｃの加熱処理を施こす従来の方法で形成した
レジスト膜の感度曲線を比較して示した図であシ、横軸
はｇ線による露光エネルギー、縦軸は現像後の露光部レ
ジストの残膜率である。
中で５０’Ｃの加熱処理を施こす従来の方法で形成した
レジスト膜の感度曲線を比較して示した図であシ、横軸
はｇ線による露光エネルギー、縦軸は現像後の露光部レ
ジストの残膜率である。
図中人は本発明の方法によ多形成したレジスト膜の感度
曲線、Ｂは従来の方法によ多形成したレジストの感度曲
線であシ、両者を比較すると明らかなように、本発明の
方法によれば、レジストの感度が向上することが確認さ
れた。
曲線、Ｂは従来の方法によ多形成したレジストの感度曲
線であシ、両者を比較すると明らかなように、本発明の
方法によれば、レジストの感度が向上することが確認さ
れた。
一第２図は、レジストの未露光部の現像膜減シ特性を示
す図であυ、横軸は現像時間、縦軸は未露光部レジスト
膜減り率である。図中Ｃは本発明の方法により形成した
レジスト膜の現像膜減シ特性、Ｄは従来の方法で形成し
たレジスト膜の現像膜減υ特性であシ、両者を比較する
と明らかなように、この特性に関しても本発明の方法が
勝っていることが確認された。また、通常実施される６
０秒以下の現像時間の範囲で特に良好な結果が得られる
ことも併せて確認された。
す図であυ、横軸は現像時間、縦軸は未露光部レジスト
膜減り率である。図中Ｃは本発明の方法により形成した
レジスト膜の現像膜減シ特性、Ｄは従来の方法で形成し
たレジスト膜の現像膜減υ特性であシ、両者を比較する
と明らかなように、この特性に関しても本発明の方法が
勝っていることが確認された。また、通常実施される６
０秒以下の現像時間の範囲で特に良好な結果が得られる
ことも併せて確認された。
なお、実施例では、シリコン基板と平板との離間距離を
０．２朋としたが、０．６絹までの離間距離の範囲内で
同様の効果が得られることも確認された。
０．２朋としたが、０．６絹までの離間距離の範囲内で
同様の効果が得られることも確認された。
発明の詳細
な説明したように、本発明のレジストパターンの形成方
法によれば、既存のホトレジストを用いて簡便にレジス
ト感度ならびに未露光部の現像膜減シ特性を改善するこ
とができ、半導体装置の量産化をはかる面で大きな効果
が奏される。
法によれば、既存のホトレジストを用いて簡便にレジス
ト感度ならびに未露光部の現像膜減シ特性を改善するこ
とができ、半導体装置の量産化をはかる面で大きな効果
が奏される。
第１図および第２図は、本発明の方法と従来の方法で形
成したレジスト膜の感度曲線および未露光部の現像膜減
シ特性を示す図である。
成したレジスト膜の感度曲線および未露光部の現像膜減
シ特性を示す図である。
Claims (3)
- （１）半導体基板上に塗布したホトレジストを、同ホト
レジスト中の溶媒と同じ溶剤ガス雰囲気中で加熱処理し
たのち、所定のパターン露光を施し、さらに現像処理を
施こすことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - （２）溶媒ガス雰囲気がホトレジストの表面部から加熱
で蒸発する溶媒ガスで形成されることを特徴とする特許
請求の範囲第１項に記載のレジストパターンの形成方法
。 - （３）溶媒ガス雰囲気が、半導体基板と、この上に０．
５ｍｍ以下の離間距離で対向配置した平板との間隙内に
形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載のレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6402588A JPH01236627A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6402588A JPH01236627A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236627A true JPH01236627A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13246194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6402588A Pending JPH01236627A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01236627A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028853A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| JP2017003737A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP6402588A patent/JPH01236627A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028853A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| JP2017003737A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
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