JPS63133626A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63133626A JPS63133626A JP28241886A JP28241886A JPS63133626A JP S63133626 A JPS63133626 A JP S63133626A JP 28241886 A JP28241886 A JP 28241886A JP 28241886 A JP28241886 A JP 28241886A JP S63133626 A JPS63133626 A JP S63133626A
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- Japan
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- photoresist
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- far ultraviolet
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Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造工程のレジストマスク形成
工程において、レジストの解像度とコントラストの向上
を図り、高アスペクト比を有する微細レジストパターン
を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
工程において、レジストの解像度とコントラストの向上
を図り、高アスペクト比を有する微細レジストパターン
を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
従来の技術
従来より、レジストパターン形成は基板上に単層にホト
レジストを塗布し、露光・現像工程を経るものが一般的
である。この方法においては露光量と未露光部の膜減り
量のレジスト深さ方向への勾配が生じるため解像度が低
（現在のＶＬＳ Ｉプロセスにおいては必要とされる解
像度が得られていないのが実状である。単層レジストに
変る高解像度プロセスとして多層レジスト法やＣＥＬ（
Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｌｉｔｈｏｇｒ
ａｐｈｙ）プロセスが検討されている。しかしこれらの
新プロセスは、工程の複雑さに加え安定性にも乏しく、
量産性の点で問題がある。
レジストを塗布し、露光・現像工程を経るものが一般的
である。この方法においては露光量と未露光部の膜減り
量のレジスト深さ方向への勾配が生じるため解像度が低
（現在のＶＬＳ Ｉプロセスにおいては必要とされる解
像度が得られていないのが実状である。単層レジストに
変る高解像度プロセスとして多層レジスト法やＣＥＬ（
Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｌｉｔｈｏｇｒ
ａｐｈｙ）プロセスが検討されている。しかしこれらの
新プロセスは、工程の複雑さに加え安定性にも乏しく、
量産性の点で問題がある。
発明が解決しようとする問題点
従来からの単層レジスト法では特にレジストの厚さを増
すと急激に解像度が低下するが、本方法では従来法に比
へ解像度が向上し厚いレジストの微細パターンが得られ
る。また、本方法は極めて簡単かつ安定な方法で量産性
に冨むものである。
すと急激に解像度が低下するが、本方法では従来法に比
へ解像度が向上し厚いレジストの微細パターンが得られ
る。また、本方法は極めて簡単かつ安定な方法で量産性
に冨むものである。
問題点を解決するための手段
本発明は、ホトレジスト塗布後に遠紫外光の全面照射を
行うことにより、パターン転写に用いる波長の光に対す
るレジスト感度に、レジスト膜中の深さ方向に勾配を持
たせるものである。全面照射する遠紫外光の波長は、少
なくとも２００ｎｍから３２０ｎｎ＋の一部を含むもの
でなくてはならない。また照射時の基板温度は、８０℃
から１３０℃に保たれている必要がある。
行うことにより、パターン転写に用いる波長の光に対す
るレジスト感度に、レジスト膜中の深さ方向に勾配を持
たせるものである。全面照射する遠紫外光の波長は、少
なくとも２００ｎｍから３２０ｎｎ＋の一部を含むもの
でなくてはならない。また照射時の基板温度は、８０℃
から１３０℃に保たれている必要がある。
作用
ノボラック樹脂系のポジ型ホトレジストの場合、レジス
ト膜中に表面から内部に向って高くなる傾向を有する感
度勾配を設けることによって、露光量のレジスト膜中の
勾配及び現像膜減りの勾配と、感度勾配が相殺して高コ
ントラストを有する側壁の急峻なレジストパターンが得
られる。
ト膜中に表面から内部に向って高くなる傾向を有する感
度勾配を設けることによって、露光量のレジスト膜中の
勾配及び現像膜減りの勾配と、感度勾配が相殺して高コ
ントラストを有する側壁の急峻なレジストパターンが得
られる。
実施例
本発明の詳細を実施例を持って説明する。第１図のよう
に、シリコン基板１上にポジ型ホトレジスト２を厚さＩ
ＩＪＩｌｌに回転塗布した。この後、１００℃で６０秒
のホットプレート３によるベータを行った後、第２図に
示すように、基板１を１００℃に保ったまま２〜５秒間
の遠紫外光照射を行った。
に、シリコン基板１上にポジ型ホトレジスト２を厚さＩ
ＩＪＩｌｌに回転塗布した。この後、１００℃で６０秒
のホットプレート３によるベータを行った後、第２図に
示すように、基板１を１００℃に保ったまま２〜５秒間
の遠紫外光照射を行った。
この時の照度は２４５ｎｍのセンサーを用いて測定して
約１０ｍｗ／ｃｉであった。その後、第３図のように露
光波長が４３６ｎｍレンズ開口数が０．３５のステッパ
ーを用いてレチクルマスクを介して露光を行った。この
時の露光時間は光照射を行わない場合に比べ１〜３割増
とした。次に通常の静止パドル法により、専用現像液に
よる現像を行った。現像後１２０℃、９０秒のボストベ
ークを行うことにより、第４図のようなレジストパター
ンを得た。
約１０ｍｗ／ｃｉであった。その後、第３図のように露
光波長が４３６ｎｍレンズ開口数が０．３５のステッパ
ーを用いてレチクルマスクを介して露光を行った。この
時の露光時間は光照射を行わない場合に比べ１〜３割増
とした。次に通常の静止パドル法により、専用現像液に
よる現像を行った。現像後１２０℃、９０秒のボストベ
ークを行うことにより、第４図のようなレジストパター
ンを得た。
本発明の方法によれば、従来法に比較して、形成された
レジストパターン側壁が急峻になり、コントラストの向
上、および解像力の向上も図れる。
レジストパターン側壁が急峻になり、コントラストの向
上、および解像力の向上も図れる。
以上、本発明による方法の１例を示したが、本発明の重
要なことは、レジスト塗布後に、露光波長より短かい波
長の遠紫外光を全面照射し、レジスト膜中に感度勾配（
レジスト主表面は低く、内部はど高くする）を持たせる
ことで、レジストのコントラスト向上、および解像力の
向上を爾るものである。本実施例では、０ＦＰＲ−５０
００を用いた場合を示したが、ホトレジストはノボラッ
ク系のポジ型ホトレジストであれば、同様の効果が見ら
れるのはいうまでもない。
要なことは、レジスト塗布後に、露光波長より短かい波
長の遠紫外光を全面照射し、レジスト膜中に感度勾配（
レジスト主表面は低く、内部はど高くする）を持たせる
ことで、レジストのコントラスト向上、および解像力の
向上を爾るものである。本実施例では、０ＦＰＲ−５０
００を用いた場合を示したが、ホトレジストはノボラッ
ク系のポジ型ホトレジストであれば、同様の効果が見ら
れるのはいうまでもない。
発明の効果
本発明の方法によれば非常に簡単に従来の単層レジスト
の解像度とコントラスト向上が図れ、微細レジストパタ
ーンが安定して再現性良く形成でき、工業的価値が高い
。
の解像度とコントラスト向上が図れ、微細レジストパタ
ーンが安定して再現性良く形成でき、工業的価値が高い
。
第１図〜第４図は本発明実施例の工程順断面図である。
ｌ・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・ホトレジ
スト、３・・・・・・ホットプレート、４・・・・・・
レチクルマスク。
スト、３・・・・・・ホットプレート、４・・・・・・
レチクルマスク。
Claims (4)
- （１）ホトレジストを半導体基板主面に塗布後、熱処理
を加えながら、遠紫外光を全面照射した後、通常の露光
・現像処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - （２）ホトレジストがノボラック樹脂系のポジ型ホトレ
ジストであることを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項に記載の半導体装置の製造方法。 - （３）照射する遠紫外光が少なくとも２００ｎｍ〜３２
０ｎｍの波長範囲を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項に記載の半導体装置の製造方法。 - （４）遠紫外光の照射時に加える熱処理が８０℃以上１
３０℃以下であることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61282418A JPH0821533B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61282418A JPH0821533B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133626A true JPS63133626A (ja) | 1988-06-06 |
| JPH0821533B2 JPH0821533B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=17652151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61282418A Expired - Lifetime JPH0821533B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821533B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161154A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細ネガレジストパターン形成方法 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61282418A patent/JPH0821533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161154A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細ネガレジストパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821533B2 (ja) | 1996-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |