JPS6373522A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6373522A JPS6373522A JP21745486A JP21745486A JPS6373522A JP S6373522 A JPS6373522 A JP S6373522A JP 21745486 A JP21745486 A JP 21745486A JP 21745486 A JP21745486 A JP 21745486A JP S6373522 A JPS6373522 A JP S6373522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- ultraviolet rays
- far ultraviolet
- development
- contrast
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置製造工程のレジストマスク形成工
程において、レジストのコントラスト向上を図り、高ア
スペクト比を有する微細レジストパターンを形成するこ
とのできる半導体装置の製造方法に関するものである。
程において、レジストのコントラスト向上を図り、高ア
スペクト比を有する微細レジストパターンを形成するこ
とのできる半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術
半導体装置の微細化にともない、従来から用いられてい
る単層レジストプロセスに化ニーコントラストの高いレ
ジストパターンが得られる、多層レジストプｏ−１＝ス
や、ＣＫ Ｌ（Ｃｏｎｔｒａｓｔ ＥｎｈａｎｃｅｄＬ
ｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）プロセスが検討されている。
る単層レジストプロセスに化ニーコントラストの高いレ
ジストパターンが得られる、多層レジストプｏ−１＝ス
や、ＣＫ Ｌ（Ｃｏｎｔｒａｓｔ ＥｎｈａｎｃｅｄＬ
ｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）プロセスが検討されている。
発明が解決しようとする問題点
これらの新プロセスは、工程の複雑化に加え、安定性に
も乏しく、量産化の点で問題がある。
も乏しく、量産化の点で問題がある。
本発明は、上記の問題点の解決を図ったものであり、単
層レジスト法の簡便さを維持して、レジストのコントラ
ストの向上を図り、高アスペクト比を有するレジストパ
ターンを、安定に形成する半導体装置の製造方法を提供
するものである。
層レジスト法の簡便さを維持して、レジストのコントラ
ストの向上を図り、高アスペクト比を有するレジストパ
ターンを、安定に形成する半導体装置の製造方法を提供
するものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明の半導体装置の製造方法は、要約するに、ホトレ
ジストを塗布し、所定のパターンを紫外光を用いて露光
後、ホトレジストの主表面に遠紫外光を全面照射した後
現像処理を施こすものである。
ジストを塗布し、所定のパターンを紫外光を用いて露光
後、ホトレジストの主表面に遠紫外光を全面照射した後
現像処理を施こすものである。
作用
本発明によると、コントラストの高い、高アスペクト比
を有する微細レジストパターンを形成することが可能で
ある。
を有する微細レジストパターンを形成することが可能で
ある。
実施例
本発明の詳細を実施例をもって説明する。
使用したホトレジストは、東京応化製の染料入すポジ型
フォトレジスト０ＦＰＲ−６０００８３である。
フォトレジスト０ＦＰＲ−６０００８３である。
図に本発明で得られた０ＦＰＩ’ｔ−５０００８３の感
度曲線を示す。レジストの塗布膜厚は、コントラストの
向上効果を顕著にする目的で、２．４μｍと厚い場合に
ついて示している。横軸はｇ線（４３６ｎｍ）の照射エ
ネルギーを示し、縦軸に、専用現像液で現像した後の露
光部レジスト残膜率を示す。
度曲線を示す。レジストの塗布膜厚は、コントラストの
向上効果を顕著にする目的で、２．４μｍと厚い場合に
ついて示している。横軸はｇ線（４３６ｎｍ）の照射エ
ネルギーを示し、縦軸に、専用現像液で現像した後の露
光部レジスト残膜率を示す。
現像条件は、２３℃１４０秒のパドル現像を用いた。図
には、従来法（露光後、遠紫外光の全面照射無しで現像
する方法）の場合と、本発明実施例の遠紫外光照射の場
合の結果を併せて示す。
には、従来法（露光後、遠紫外光の全面照射無しで現像
する方法）の場合と、本発明実施例の遠紫外光照射の場
合の結果を併せて示す。
遠紫外光の全面照射は、米国フュージョン社のＤＵＶス
タビライザーを用いた。照射時の照度は、２４５１ｕの
センサーを用いて測定し、約１０ｍＷ／ＣＭであった。
タビライザーを用いた。照射時の照度は、２４５１ｕの
センサーを用いて測定し、約１０ｍＷ／ＣＭであった。
図の感度曲線から求めたレジストのコントラスト値（い
わゆるγ値）は、従来法でγ二０．９であったものが、
遠紫外光を６秒照射することでγ＝１．７ と２倍近く
に向上していることがわかる。図の結果は、遠紫外光照
射時のウェハー温度が１００℃の場合についてのみ示し
たが、この温度は８０℃以上１３０’Ｑ以下で特に効果
が顕著であることが確かめられた。
わゆるγ値）は、従来法でγ二０．９であったものが、
遠紫外光を６秒照射することでγ＝１．７ と２倍近く
に向上していることがわかる。図の結果は、遠紫外光照
射時のウェハー温度が１００℃の場合についてのみ示し
たが、この温度は８０℃以上１３０’Ｑ以下で特に効果
が顕著であることが確かめられた。
以上、本発明によるホトレジストのコントラスト向上の
一例を示したが、本発明の重要なことは、所定のパター
ンを、ホトレジスト上にマスクアライナ−を用いて転写
露光した後、遠紫外光を照射し、現像時の露光部のレジ
スト溶解速度に勾配（溶解速度をレジスト主表面は低く
、内部はど高くする）を持たせることで、レジストのコ
ントラストの向上を図るものである。
一例を示したが、本発明の重要なことは、所定のパター
ンを、ホトレジスト上にマスクアライナ−を用いて転写
露光した後、遠紫外光を照射し、現像時の露光部のレジ
スト溶解速度に勾配（溶解速度をレジスト主表面は低く
、内部はど高くする）を持たせることで、レジストのコ
ントラストの向上を図るものである。
本実施例では、コントラスト向上効果を顕著にするため
、染料入りのレジストを厚く塗布した場合を示したが、
ホトレジストはノボラック系のポジ型フォトレジストで
あれば、同様のコントラスト向上効果が見られるのは言
うまでもない。
、染料入りのレジストを厚く塗布した場合を示したが、
ホトレジストはノボラック系のポジ型フォトレジストで
あれば、同様のコントラスト向上効果が見られるのは言
うまでもない。
発明の効果
本発明の方法によれば、非常に簡便に従来レジストのコ
ントラストの向上が図れ、微細レジストパターンが安定
して再現性良く形成でき、工業的価値が高い。
ントラストの向上が図れ、微細レジストパターンが安定
して再現性良く形成でき、工業的価値が高い。
図は、本発明の方法により得られたレジストのコントラ
スト向上効果を示す特性図である。 １・・・・・・遠紫外光照射無しく従来法）の特性曲線
、２・・・・・・遠紫外光照射４秒の特性曲線、３・・
・・・・遠紫外光照射６秒の特性曲線。
スト向上効果を示す特性図である。 １・・・・・・遠紫外光照射無しく従来法）の特性曲線
、２・・・・・・遠紫外光照射４秒の特性曲線、３・・
・・・・遠紫外光照射６秒の特性曲線。
Claims (4)
- （１）ホトレジスト上に所定のパターンを露光後、同ホ
トレジストの主表面に遠紫外光を全面照射し、現像処理
を施こすことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （２）ホトレジストがノボラック樹脂系のポジ型ホトレ
ジストであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の半導体装置の製造方法。 - （３）照射する遠紫外光が、少なくとも２００ｎｍ〜３
２０ｎｍの波長範囲を含むことを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の半導体装置の製造方法。 - （４）遠紫外光の照射時のウェハー温度を８０℃以上、
１３０℃以下に保持することを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217454A JPH0821532B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61217454A JPH0821532B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373522A true JPS6373522A (ja) | 1988-04-04 |
| JPH0821532B2 JPH0821532B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=16704484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61217454A Expired - Lifetime JPH0821532B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821532B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283829A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| JPH0229656A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02264960A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
| JPH02264961A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
| JPH03255613A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-14 | Matsushita Electron Corp | レジストパターンの形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161154A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細ネガレジストパターン形成方法 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61217454A patent/JPH0821532B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6161154A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 微細ネガレジストパターン形成方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283829A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| JPH0229656A (ja) * | 1988-07-19 | 1990-01-31 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02264960A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
| JPH02264961A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
| JPH03255613A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-14 | Matsushita Electron Corp | レジストパターンの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821532B2 (ja) | 1996-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6373522A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6420101B1 (en) | Method of reducing post-development defects in and around openings formed in photoresist by use of non-patterned exposure | |
| JPS63200531A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0160921B1 (ko) | 레지스트 패턴의 형성방법 | |
| JPH01142721A (ja) | ポジ型感光性パターン形成材料およびパターン形成方法 | |
| JPH03276157A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6132662B2 (ja) | ||
| JPS5979249A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS59141230A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH02238457A (ja) | 厚膜フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPS61116838A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH07201727A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS5834921A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02101468A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS61173245A (ja) | ホトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP2583987B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02264961A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH02171754A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0425114A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS63133626A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63133628A (ja) | ポジ型フオトレジストの処理方法 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| JPH01196825A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH07113771B2 (ja) | 基板上への樹脂パタ−ンの形成方法 | |
| JPH07220991A (ja) | パターン形成方法 |