JPH01283829A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH01283829A JPH01283829A JP63112839A JP11283988A JPH01283829A JP H01283829 A JPH01283829 A JP H01283829A JP 63112839 A JP63112839 A JP 63112839A JP 11283988 A JP11283988 A JP 11283988A JP H01283829 A JPH01283829 A JP H01283829A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、＊ａ加工技術において、微細なレジストパ
ターンを容易に、高精度に形成する丸めのパターン形成
方法に関するものである。
ターンを容易に、高精度に形成する丸めのパターン形成
方法に関するものである。
〔従来の技術Ｊ
第２図は、従来のパターン形成方法の一例を示した断面
図である。第２図で、α）は基板、（２）ａホトレジス
ト層、（３）は波長３６５ ｎｍの１線、（４） ハＹ
ｙ。
図である。第２図で、α）は基板、（２）ａホトレジス
ト層、（３）は波長３６５ ｎｍの１線、（４） ハＹ
ｙ。
り、（５）はホットプレートによる加熱処理、（２ａ）
と（２ｂ）は波長３６５ ！１ｍの１線（３）Ｋよる第
１Ｎ光で形成される第１ｇ光部と第１未露光部、（２ｃ
）は第１露光後、ホットプレートによる加熱処理（５）
によって形成される変質部、（２ｄ）は波長３６５ Ｄ
ｍのｉ１１＆（３）のレジスト層全面への第２露光によ
って形成される第２１１光部を示している。
と（２ｂ）は波長３６５ ！１ｍの１線（３）Ｋよる第
１Ｎ光で形成される第１ｇ光部と第１未露光部、（２ｃ
）は第１露光後、ホットプレートによる加熱処理（５）
によって形成される変質部、（２ｄ）は波長３６５ Ｄ
ｍのｉ１１＆（３）のレジスト層全面への第２露光によ
って形成される第２１１光部を示している。
次にパターン形成の工程について説明する。
まず、基板ａ）上に波長３６５ ｕｎの１線（３）に感
光するホトレジストをスピン塗布し、ホトレジスト層（
２）を形成する。（第２図Ａ） 次に、マスク（４）を用いて、選択的にホトレジスト層
（２）の一部領、域を波長３６５ ｎｍの１線（３）に
よる第１ｍ光を行って、第１ｇ光部（２ａ）を形成し、
未露光部を第１未露光部（２ｂ）と称する（Ｎ２図Ｂ）
。
光するホトレジストをスピン塗布し、ホトレジスト層（
２）を形成する。（第２図Ａ） 次に、マスク（４）を用いて、選択的にホトレジスト層
（２）の一部領、域を波長３６５ ｎｍの１線（３）に
よる第１ｍ光を行って、第１ｇ光部（２ａ）を形成し、
未露光部を第１未露光部（２ｂ）と称する（Ｎ２図Ｂ）
。
第２図Ｂに示したウェハ全体にアミン系触媒雰囲気下で
ホットプレートによる加熱処理（５）を行って変質部（
２ｃ）を形成する（第２図Ｃ）。
ホットプレートによる加熱処理（５）を行って変質部（
２ｃ）を形成する（第２図Ｃ）。
次いで、所定強度の波長３６５ ｎｍの１線（３）によ
る第２露光を第２図Ｃに示したウェハ全体に行うと第１
未露光部（２ｂ）は露光され、第２露光部（２ｄ）とな
るが、変質部（２Ｃ）は、前記第ＬＩＥ光によシ、すで
に露光されているので、この工程によっては変化しない
（第２図Ｄ）。
る第２露光を第２図Ｃに示したウェハ全体に行うと第１
未露光部（２ｂ）は露光され、第２露光部（２ｄ）とな
るが、変質部（２Ｃ）は、前記第ＬＩＥ光によシ、すで
に露光されているので、この工程によっては変化しない
（第２図Ｄ）。
さらにアμカリ現像液によって、現像を行うと第２露光
部（２ｄ）が、選択的に除去され、変質部（２ｃ）がパ
ターンとして基板α）上に残される。（第２図Ｅ） ここで、従来のパターン形成方法によって形成されたパ
ターンの断面形状は第２図Ｅに示したように逆台形とな
る。第２図と第３図を用いて、従来のパターン形成によ
シ逆台形のパターンが形成される原理を示す〇 第３図において、ＧＡ）は第２図Ｂに示した第１露光工
程におけるホトレジスト層鰺）の露光強度分布を示し、
同様に＠）は、第２図ＤＫ、示した第２Ｎ光工程におけ
る露光強度分布を示している。また、横軸Ｘは、ホトレ
ジスト上の座標を示し、縦軸工は、露光強度分布を示し
ている。
部（２ｄ）が、選択的に除去され、変質部（２ｃ）がパ
ターンとして基板α）上に残される。（第２図Ｅ） ここで、従来のパターン形成方法によって形成されたパ
ターンの断面形状は第２図Ｅに示したように逆台形とな
る。第２図と第３図を用いて、従来のパターン形成によ
シ逆台形のパターンが形成される原理を示す〇 第３図において、ＧＡ）は第２図Ｂに示した第１露光工
程におけるホトレジスト層鰺）の露光強度分布を示し、
同様に＠）は、第２図ＤＫ、示した第２Ｎ光工程におけ
る露光強度分布を示している。また、横軸Ｘは、ホトレ
ジスト上の座標を示し、縦軸工は、露光強度分布を示し
ている。
（Ｃ）は第２図Ｅに示した現像工程におけるパターン形
状の変化を示し、（ｉ） 、Ｑｉ） 、 （１１１）の
順に時間経過にともなうパターン形状の変化を示してお
り、第２露光部（２ｄ）が選択的に溶解除去される過程
を示した断面図である。
状の変化を示し、（ｉ） 、Ｑｉ） 、 （１１１）の
順に時間経過にともなうパターン形状の変化を示してお
り、第２露光部（２ｄ）が選択的に溶解除去される過程
を示した断面図である。
■）（ト））し）はパターン形成工程におけるホトレジ
スト中の感光剤の変化を示した図で、０））はジアゾケ
トン誘導体、＠）はカルボン酸誘導体、ＣＢ’）はイン
デン誘導体を示した図である。
スト中の感光剤の変化を示した図で、０））はジアゾケ
トン誘導体、＠）はカルボン酸誘導体、ＣＢ’）はイン
デン誘導体を示した図である。
第２図Ｂに示した第１露光工程では、マスク（４）を介
して第１ＩＩ光を行うときにホトレジスト（２）中での
露光強度分布は回折現象などの影響で、第３図（Ａ）に
示したような露光強度分布となる。また、ホトレジスト
（２）中の感光剤であるジアゾケトン誘導体（１）は、
分解してカルボン酸誘導体（Ｊ）となシ、分解量は、露
光量が増加に従って増加する。したがって、第１露光を
第３図（Ａ）に示した露光強度で一定時間行うと露光強
度の大きさに従って露光量が大きくなるので、露光強度
の小さな部分では、露光量が不十分で、ホトレジス）
（２）中の感光剤の分解量は小さくなシ、第１露光部（
２ａ）の形状は、第２図Ｂに示し丸ようになる。
して第１ＩＩ光を行うときにホトレジスト（２）中での
露光強度分布は回折現象などの影響で、第３図（Ａ）に
示したような露光強度分布となる。また、ホトレジスト
（２）中の感光剤であるジアゾケトン誘導体（１）は、
分解してカルボン酸誘導体（Ｊ）となシ、分解量は、露
光量が増加に従って増加する。したがって、第１露光を
第３図（Ａ）に示した露光強度で一定時間行うと露光強
度の大きさに従って露光量が大きくなるので、露光強度
の小さな部分では、露光量が不十分で、ホトレジス）
（２）中の感光剤の分解量は小さくなシ、第１露光部（
２ａ）の形状は、第２図Ｂに示し丸ようになる。
次に第２図Ｃに示したホットプレートによる加熱処理工
程では、第１露光部（２ａ）中の力μボン酸誘導体ｇ）
のみが、化学反応し、インデン誘導体（６））となシ変
質部（２Ｃ）を形成する一方、第１未露光部（２ｂ）中
のジマゾケトン誘導体（１）は変化しない。
程では、第１露光部（２ａ）中の力μボン酸誘導体ｇ）
のみが、化学反応し、インデン誘導体（６））となシ変
質部（２Ｃ）を形成する一方、第１未露光部（２ｂ）中
のジマゾケトン誘導体（１）は変化しない。
さらに第２図りに示した第２露光工程では、前記第１１
１光工程で未分解のジマゾケトン誘導体（Ｉ）が分解し
、力！ボン酸誘導体（、Ｔ）となシ第２ｇ光部を形成す
る。なお第２１１光には、第３図ＣＢ）に示した露光強
度で一定時間露光するので、露光量はホトレジスト全面
で一定となっている。したがって、第１未露光部（２ｂ
）が、第２１１光部（２ｄ）となる。
１光工程で未分解のジマゾケトン誘導体（Ｉ）が分解し
、力！ボン酸誘導体（、Ｔ）となシ第２ｇ光部を形成す
る。なお第２１１光には、第３図ＣＢ）に示した露光強
度で一定時間露光するので、露光量はホトレジスト全面
で一定となっている。したがって、第１未露光部（２ｂ
）が、第２１１光部（２ｄ）となる。
次に第２図Ｅに示した現像工程で、力μボン酸誘導体（
Ｊ）は、現像液に易溶性で、インデン誘導体は現像液に
難溶性であシ、力ｐボン酸誘導体（Ｊ）を多く含む第２
露光部（２ｄ）が選択的に除去され、インデン誘導体＠
）を多く含む変質部（２Ｃ）が基板（１）上に残される
。第３図（ｃ）に現像の過程を、時間経過にともなって
示した。現像時に変質部（２Ｃ）と第２露光部（２ｄ）
との溶解速度の差は十分に大きいので、第２露光部（２
ｄ）のみが選択的に除去され（１）、（１１）、（４ｔ
１）の順に第２露光部（２ｄ）が除去され、現像が終了
すると変質部（２Ｃ）が基板（１）上に残され第２図Ｅ
に示した逆台形なパターンが形成される。
Ｊ）は、現像液に易溶性で、インデン誘導体は現像液に
難溶性であシ、力ｐボン酸誘導体（Ｊ）を多く含む第２
露光部（２ｄ）が選択的に除去され、インデン誘導体＠
）を多く含む変質部（２Ｃ）が基板（１）上に残される
。第３図（ｃ）に現像の過程を、時間経過にともなって
示した。現像時に変質部（２Ｃ）と第２露光部（２ｄ）
との溶解速度の差は十分に大きいので、第２露光部（２
ｄ）のみが選択的に除去され（１）、（１１）、（４ｔ
１）の順に第２露光部（２ｄ）が除去され、現像が終了
すると変質部（２Ｃ）が基板（１）上に残され第２図Ｅ
に示した逆台形なパターンが形成される。
〔発明が解決しようとする課題」
従来のパターン形成方法によって得られるパターンの断
面形状は逆台形となっている。レジストパターンはおも
にエツチング用のマスクとして用いられているが、パタ
ーンの断面形状が、逆台形であると、パターンに忠実に
エツチングを行うことができないという問題点があった
。
面形状は逆台形となっている。レジストパターンはおも
にエツチング用のマスクとして用いられているが、パタ
ーンの断面形状が、逆台形であると、パターンに忠実に
エツチングを行うことができないという問題点があった
。
この発明は、１紀のような問題点を解消するためＫなさ
れたもので、レジストパターンをエラをング用のマスク
として用いたときに、レジストパターンに忠実にエツチ
ングを行うことのできる断面形状が矩形なレジストパタ
ーンを形成することを目的とする。
れたもので、レジストパターンをエラをング用のマスク
として用いたときに、レジストパターンに忠実にエツチ
ングを行うことのできる断面形状が矩形なレジストパタ
ーンを形成することを目的とする。
〔課題を解決するための手段Ｊ
この発明に訃けるパターン形成方法は、第１照射の工程
と第２照射の工程において、それぞれ異なるエネルギー
域の光、放射線もしくは粒子線による照射を行うととも
に、第２エネμギー域の光、放射線もしくは粒子線を選
択的に吸収するレジストを用いたものである。
と第２照射の工程において、それぞれ異なるエネルギー
域の光、放射線もしくは粒子線による照射を行うととも
に、第２エネμギー域の光、放射線もしくは粒子線を選
択的に吸収するレジストを用いたものである。
〔作用Ｊ
この発明におけるレジストは、第２エネルギー域の光放
射線もしくは粒子線を吸収するので、第２照射工程にお
いてレジスト中の基板付近の照射量を減少させ、現像工
程で基板付近でのレジストの溶解速度を減少させること
によシ、変質部の一部領域を溶解することＫよシ基板上
に形成されるパターンの断面形状を駆形とする効果を有
する。
射線もしくは粒子線を吸収するので、第２照射工程にお
いてレジスト中の基板付近の照射量を減少させ、現像工
程で基板付近でのレジストの溶解速度を減少させること
によシ、変質部の一部領域を溶解することＫよシ基板上
に形成されるパターンの断面形状を駆形とする効果を有
する。
〔実施例」
以下、この発明の一実施例を図について説男する。なお
従来のものと同−又は相当部分は同一符号を付して説明
を省略する。第１図はこの発明の一実施例によるパター
ン形成方法の一実施例を示した断面図である。第１図で
、（６）は波長４３６ ｎｍのｇ線を吸収する色素を含
むホトレジス） 、 （７）は波長４３ａ ｒＪｍｏ
ｇ線、（６ａ）と（６ｂ）は波長３６５ ｎｍの１線（
３）による第１露光で形成される第１！ｌ光部と第１未
露光部、（６ｃ）はホットプレートによる加熱処理（５
）によって形成される変質部、（６ｄ）は波長４３６
ｐｃの１線（７）のホトレジスト層全面への第２ｊＩ光
によって形成される第２露光部を示している。
従来のものと同−又は相当部分は同一符号を付して説明
を省略する。第１図はこの発明の一実施例によるパター
ン形成方法の一実施例を示した断面図である。第１図で
、（６）は波長４３６ ｎｍのｇ線を吸収する色素を含
むホトレジス） 、 （７）は波長４３ａ ｒＪｍｏ
ｇ線、（６ａ）と（６ｂ）は波長３６５ ｎｍの１線（
３）による第１露光で形成される第１！ｌ光部と第１未
露光部、（６ｃ）はホットプレートによる加熱処理（５
）によって形成される変質部、（６ｄ）は波長４３６
ｐｃの１線（７）のホトレジスト層全面への第２ｊＩ光
によって形成される第２露光部を示している。
次にパターン形成の工程について説男する。
まず、基板（１）上に波長３６５ｎｍＯｉ線（３）及び
波長４３６ ｎｍＱ ｇ線（７）に感光するホトレジス
トに、波長４３Ｓ ｎｍｏ ｇ線を吸収する色素を加え
たホトレジストをスピン塗布し、ホトレジスト層（６）
を形成する。
波長４３６ ｎｍＱ ｇ線（７）に感光するホトレジス
トに、波長４３Ｓ ｎｍｏ ｇ線を吸収する色素を加え
たホトレジストをスピン塗布し、ホトレジスト層（６）
を形成する。
（第１図Ａ）
次に、マスク（４）を用いて、選択的にホトレジスト層
（６）の一部領域を波長３６５ ｎ ｍの１線（３）に
よる第１露光を行って、第１ｇ光部（６＆）を形成し、
未露光部を第１未露光部（６ｂ）と称する。（第１図Ｂ
）第１図ＢＫ示したウェハ全体にアミン系触媒雰囲気下
でホットル−）Ｋよる加熱（５）を行って変質部（６ｃ
）を形成する。（第１図Ｃ）次いで、所定強度の波長４
３６コロのｇ線（７）による第２露光を第１図ＣＫ示し
たウェハ全体に行うと第１未露光部（６ｂ）は露光され
第２ｇ光部（６ｄ）となるが、変質部（６ｃ）は、すで
に前記第１Ｎ光によシすでに露光されているので、この
工程によっては変化しない。（第１図Ｄ） さらにアμカリ現像液によって、現像を行うと第２露光
部（２ｄ）が選択的に除去され、変質部（６ｃ）が、パ
ターンとして基板α）上に残される。（第１図Ｅ） ここで、この発明によるパターン形成方法によって形成
されたパターンの断面形状は、第１図Ｅに示し丸ように
矩形となる。第１図と第３図と第４図を用いて、この発
明の一実施例において、矩形なパターンが形成される原
理を示す。
（６）の一部領域を波長３６５ ｎ ｍの１線（３）に
よる第１露光を行って、第１ｇ光部（６＆）を形成し、
未露光部を第１未露光部（６ｂ）と称する。（第１図Ｂ
）第１図ＢＫ示したウェハ全体にアミン系触媒雰囲気下
でホットル−）Ｋよる加熱（５）を行って変質部（６ｃ
）を形成する。（第１図Ｃ）次いで、所定強度の波長４
３６コロのｇ線（７）による第２露光を第１図ＣＫ示し
たウェハ全体に行うと第１未露光部（６ｂ）は露光され
第２ｇ光部（６ｄ）となるが、変質部（６ｃ）は、すで
に前記第１Ｎ光によシすでに露光されているので、この
工程によっては変化しない。（第１図Ｄ） さらにアμカリ現像液によって、現像を行うと第２露光
部（２ｄ）が選択的に除去され、変質部（６ｃ）が、パ
ターンとして基板α）上に残される。（第１図Ｅ） ここで、この発明によるパターン形成方法によって形成
されたパターンの断面形状は、第１図Ｅに示し丸ように
矩形となる。第１図と第３図と第４図を用いて、この発
明の一実施例において、矩形なパターンが形成される原
理を示す。
第４図は現像工程におけるパターン形状の変化を示しく
ｉ） 、 （ｉｘ） 、Ｑｌｔ）の順に時間経過にとも
なう、パターン形状の変化を示しておシ、第２露光部（
６ｄ）と、変質部（６ｃ）の一部が、除去される過程を
示した断面図である。
ｉ） 、 （ｉｘ） 、Ｑｌｔ）の順に時間経過にとも
なう、パターン形状の変化を示しておシ、第２露光部（
６ｄ）と、変質部（６ｃ）の一部が、除去される過程を
示した断面図である。
第１図Ａｔ１Ｃ示した塗布工程で、波長４３６ ｎｍの
ｇ線（７）を吸収するホトレジストを塗布しているが、
第２図Ｂに示した第１露光工程では、波長３６５ ｎｍ
の１線（３）による露光を行うので、従来の方法による
第１露光工程における原理と同じ原理によシ、第１露光
部（６ａ）の形状は第１図Ｂに示したようになる。
ｇ線（７）を吸収するホトレジストを塗布しているが、
第２図Ｂに示した第１露光工程では、波長３６５ ｎｍ
の１線（３）による露光を行うので、従来の方法による
第１露光工程における原理と同じ原理によシ、第１露光
部（６ａ）の形状は第１図Ｂに示したようになる。
また、第１図Ｃに示したホットプレートによる加熱処理
工程では、波長４３６ ｎｍのｇ線を吸収する色素は、
加熱処理に対して安定で変化しないので、従来の方法に
よるホットプレートによる加熱処理工程における変質部
（２ｃ）形成の原理と同じ原理によシ変質部（６Ｃ）の
形状は第１図Ｃに示したようになる。
工程では、波長４３６ ｎｍのｇ線を吸収する色素は、
加熱処理に対して安定で変化しないので、従来の方法に
よるホットプレートによる加熱処理工程における変質部
（２ｃ）形成の原理と同じ原理によシ変質部（６Ｃ）の
形状は第１図Ｃに示したようになる。
次に第１図りに示した第２露光工程において、第１図Ｃ
に示したホトレジスト層全面に、従来の方法とは異なる
波長４３６０ｍｏｇ線によって第２ｇ光を行うが、ホト
レジスト層は、波長４３６ ｆＩｍのｇ線を吸収する色
素を含むので、第３図０３）に示した露光強度で、所定
時間露光すると、露光量は、ホトレジスト層の表面付近
は露光量が多く、ホトレジスト層と基板（１）の界面付
近では露光量が少なくなる。したがって、第２露光部（
６ｄ）の表面付近ではカルボン酸誘導体＜Ｊ）が多く生
成するが、ホトレジスト層と基板（１）界面付近ではシ
ャシケトン誘導体（エンの分解量が少なくなシ、ジマゾ
ケトン誘導体（工〕が残っている。また変質部（６Ｃ）
はすでに露光されているので変化しない。
に示したホトレジスト層全面に、従来の方法とは異なる
波長４３６０ｍｏｇ線によって第２ｇ光を行うが、ホト
レジスト層は、波長４３６ ｆＩｍのｇ線を吸収する色
素を含むので、第３図０３）に示した露光強度で、所定
時間露光すると、露光量は、ホトレジスト層の表面付近
は露光量が多く、ホトレジスト層と基板（１）の界面付
近では露光量が少なくなる。したがって、第２露光部（
６ｄ）の表面付近ではカルボン酸誘導体＜Ｊ）が多く生
成するが、ホトレジスト層と基板（１）界面付近ではシ
ャシケトン誘導体（エンの分解量が少なくなシ、ジマゾ
ケトン誘導体（工〕が残っている。また変質部（６Ｃ）
はすでに露光されているので変化しない。
次いで、第１図Ｅに示した現像工程では、現像液に対し
てジマゾケトン誘導体α）およびインダン誘導体酸）は
難溶性でカルボン酸誘導体（、Ｔ）は易溶性である。し
たがって、第２露光部（６ｄ）の表面付近は、現像液に
易溶性のカルボン酸誘導体ｇ）が多く溶解速度は大きい
が、基板Ｕ）界面付近では、現像液に＠溶性のジマゾケ
トン誘導体が多く溶解速度が小さくなる。
てジマゾケトン誘導体α）およびインダン誘導体酸）は
難溶性でカルボン酸誘導体（、Ｔ）は易溶性である。し
たがって、第２露光部（６ｄ）の表面付近は、現像液に
易溶性のカルボン酸誘導体ｇ）が多く溶解速度は大きい
が、基板Ｕ）界面付近では、現像液に＠溶性のジマゾケ
トン誘導体が多く溶解速度が小さくなる。
また、変質部（６ｃ）は、現像液に難溶性のインゲン誘
導体億）を多く含むが、徐々に溶解していく。
導体億）を多く含むが、徐々に溶解していく。
第４図に現像過程を時間経過にともなって示した。
現像時において、変質部（６ｃ）と第２′Ｍ光部（６ｄ
）の表面付近の溶解速度の差は、十分に大きいが、変質
部（６ｃ）と第２露光部（６ｄ）の基板α）界面付近の
溶解速度の差は十分に大きくないので変質部（６Ｃ）も
一部除去され・（ｉ） 、（ｉｉ）・（１１１）の順に
第２露光部（６ｄ）と変質部（６ｃ）の一部が除去され
、変質部（６Ｃ）の一部が基板（１）上に残され、第１
図ＥＧＣ示した矩形なパターンが形成される。
）の表面付近の溶解速度の差は、十分に大きいが、変質
部（６ｃ）と第２露光部（６ｄ）の基板α）界面付近の
溶解速度の差は十分に大きくないので変質部（６Ｃ）も
一部除去され・（ｉ） 、（ｉｉ）・（１１１）の順に
第２露光部（６ｄ）と変質部（６ｃ）の一部が除去され
、変質部（６Ｃ）の一部が基板（１）上に残され、第１
図ＥＧＣ示した矩形なパターンが形成される。
なお、上記実施例では、波長４３６ ｎｍのｇ線を吸収
する色素を含むホトレジストを用いて、第２Ｎ光時に波
長４３６ ｎｍのｇＭＡによって、ホトレジスト層全面
に露光するパターン形成方法を示したが、従来のパター
ン形成方法で用いているホトレジストは、遠紫外光領域
に大きな吸収を持っているので、第２Ｎ光時に遠紫外光
、たとえば、波長２５４！ｌＩＩ！ｌｃＤ紫外光を用い
ることで、上記実施例と同様の効果を奏する。
する色素を含むホトレジストを用いて、第２Ｎ光時に波
長４３６ ｎｍのｇＭＡによって、ホトレジスト層全面
に露光するパターン形成方法を示したが、従来のパター
ン形成方法で用いているホトレジストは、遠紫外光領域
に大きな吸収を持っているので、第２Ｎ光時に遠紫外光
、たとえば、波長２５４！ｌＩＩ！ｌｃＤ紫外光を用い
ることで、上記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果Ｊ
以上のようＫ、この発明におけるパターン形成方法は、
第１照射と第２照射の工程で、それぞれ異なる二ネμギ
ー斌の光、放射線もしくは粒子線による照射を行うとと
もに第２二ネμギー域の光、放射線もしくは粒子線を選
択的に吸収するレジストを用いることによシ、レジスト
パターンノ断面形状を矩形とすることができ、このレジ
ストパターンをエンをフグ時のマスクとして用いること
によ）パターンに忠実にエンをングすることができる効
果がある。
第１照射と第２照射の工程で、それぞれ異なる二ネμギ
ー斌の光、放射線もしくは粒子線による照射を行うとと
もに第２二ネμギー域の光、放射線もしくは粒子線を選
択的に吸収するレジストを用いることによシ、レジスト
パターンノ断面形状を矩形とすることができ、このレジ
ストパターンをエンをフグ時のマスクとして用いること
によ）パターンに忠実にエンをングすることができる効
果がある。
第１図（Ａ）〜＠）は、この発明の一実施例によるパタ
ーン形成方法を示す断面図、第２図η）〜（Ｆ、）は、
従来のパターン形成方法を示す断面図、第３図（Ａ）は
第１露光時のホトレジスト層における露光強度分布を示
す図、第３図ＣＢ）は第２露光時におけるホトレジスト
層の露光強度分布を示す図、第３図Ｃ）は、従来のパタ
ーン形成方法での現像工程におけるレジストパターンの
形状変化を（ｉ） 、（ｉｉ） 、 （ｉｉｉ）の順に
時間経過にともなって示した断面図、第３図中）はマジ
ド誘導体の構造式を示す図、第３図（ト））はカルボン
酸誘導体の構造式を示す図、第３図債）はインダン誘導
体の構造式をそれぞれ示した図、第４図は、この発明に
おけるパターン形成方法での現像工程におけるレジスト
パターンの形状変化を（１） 、（ｉｉ） 、（ｉｉｉ
）の順に時間経過にともなって示しだ図である。 図において、（１）は基板、Ｃ２）はホトレジスト、（
２ａ）は第１ｉ１光部、（２ｂ）は第１未露光部、（２
ｃ）は変質部、（２ｄ）はＭ２’ｌＫ光部、（３）は波
長３６５ ｒｙｒｎの１ｍ、（４）ａマスク、（５）は
ホットプレートによる加熱処理、（６）波長４３６ ｎ
ｍｏ ｇ線を吸収する色素を含むホトレジスト、（６ａ
）は第１露光部、（６ｂ）は第１未露光部、（６ｃ）は
変質部、（６ｄ）は第２露光部、（７）娘波長４３６
ｎｍｏ ｇ ＪＡ−ＬＸ）は座標、（Ｉ）は露光強度、
（１）は８秒後のパターン形状、（１１）は５秒後のパ
ターン形状、（ｉｉｉ）は０秒後のパターン形状で、８
秒、５秒、０秒の順で時間が経過することを示す。
ーン形成方法を示す断面図、第２図η）〜（Ｆ、）は、
従来のパターン形成方法を示す断面図、第３図（Ａ）は
第１露光時のホトレジスト層における露光強度分布を示
す図、第３図ＣＢ）は第２露光時におけるホトレジスト
層の露光強度分布を示す図、第３図Ｃ）は、従来のパタ
ーン形成方法での現像工程におけるレジストパターンの
形状変化を（ｉ） 、（ｉｉ） 、 （ｉｉｉ）の順に
時間経過にともなって示した断面図、第３図中）はマジ
ド誘導体の構造式を示す図、第３図（ト））はカルボン
酸誘導体の構造式を示す図、第３図債）はインダン誘導
体の構造式をそれぞれ示した図、第４図は、この発明に
おけるパターン形成方法での現像工程におけるレジスト
パターンの形状変化を（１） 、（ｉｉ） 、（ｉｉｉ
）の順に時間経過にともなって示しだ図である。 図において、（１）は基板、Ｃ２）はホトレジスト、（
２ａ）は第１ｉ１光部、（２ｂ）は第１未露光部、（２
ｃ）は変質部、（２ｄ）はＭ２’ｌＫ光部、（３）は波
長３６５ ｒｙｒｎの１ｍ、（４）ａマスク、（５）は
ホットプレートによる加熱処理、（６）波長４３６ ｎ
ｍｏ ｇ線を吸収する色素を含むホトレジスト、（６ａ
）は第１露光部、（６ｂ）は第１未露光部、（６ｃ）は
変質部、（６ｄ）は第２露光部、（７）娘波長４３６
ｎｍｏ ｇ ＪＡ−ＬＸ）は座標、（Ｉ）は露光強度、
（１）は８秒後のパターン形状、（１１）は５秒後のパ
ターン形状、（ｉｉｉ）は０秒後のパターン形状で、８
秒、５秒、０秒の順で時間が経過することを示す。
Claims (1)
- （１）基板上にレジストを塗布し、レジスト層を形成す
る工程と、選択的に前記レジスト層の一部領域を第１エ
ネルギー域の光、放射線もしくは粒子線によつて第１照
射を行う工程と、前記第１照射後のレジスト層を加熱処
理した後、第２エネルギー域の光、放射線もしくは粒子
線によつて第２照射を行い、次いで現像を行つて、パタ
ーンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジスト
パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112839A JPH07123104B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63112839A JPH07123104B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01283829A true JPH01283829A (ja) | 1989-11-15 |
| JPH07123104B2 JPH07123104B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=14596822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63112839A Expired - Fee Related JPH07123104B2 (ja) | 1988-05-10 | 1988-05-10 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07123104B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5692536A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Pattern formation method |
| JPS62245251A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS6373522A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-05-10 JP JP63112839A patent/JPH07123104B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5692536A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Pattern formation method |
| JPS62245251A (ja) * | 1986-04-18 | 1987-10-26 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS6373522A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-04 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07123104B2 (ja) | 1995-12-25 |
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