JPH01196825A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH01196825A JPH01196825A JP63021242A JP2124288A JPH01196825A JP H01196825 A JPH01196825 A JP H01196825A JP 63021242 A JP63021242 A JP 63021242A JP 2124288 A JP2124288 A JP 2124288A JP H01196825 A JPH01196825 A JP H01196825A
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- photoresist
- light
- resist
- resist pattern
- circuit pattern
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置製造工程のレジストパターン形成
方法に関するものである。
方法に関するものである。
（従来の技術）
従来より、レジストパターン形成は、基板上にホトレジ
ストを塗布し、露光現像を行う方法が一般的である。こ
の方法においては、遮光材として用いるマスク上のクロ
ムパターンのエツジで生じる光の回折現象による未露光
部への光の回り込みとレジスト自体の露光光の吸収現象
により形成されたレジストパターンは台形状となり、必
要とされる解像度が得られないのが実情である。このた
め、従来から用いられている単層レジストプロセスに代
えて、所定の回路パターンをホトレジストに転写露光後
基板を加熱処理しながらホトレジストの主表面に遠紫外
光（３２０１以下）を全面照射し、そののち現像処理を
施し、高コントラストを有するレジストパターンを形成
する新しいレジストパターン形成方法が提案されている
。（参考資料：公開特許公報昭６１−１１６８３８号）
（発明が解決しようとする課題） 上記、新レジストパターン形成方法では、照射時の雰囲
気の種類、圧力に関する指定はない。しかし、常圧空気
雰囲気中で遠紫外光処理を行うと、表面状態が著しく不
安定となり、しわや表皮はがれが発生して良好なパター
ンを得にくい欠点がある。これは、照射光によるレジス
ト中の反応形態が雰囲気に影響されるためである。
ストを塗布し、露光現像を行う方法が一般的である。こ
の方法においては、遮光材として用いるマスク上のクロ
ムパターンのエツジで生じる光の回折現象による未露光
部への光の回り込みとレジスト自体の露光光の吸収現象
により形成されたレジストパターンは台形状となり、必
要とされる解像度が得られないのが実情である。このた
め、従来から用いられている単層レジストプロセスに代
えて、所定の回路パターンをホトレジストに転写露光後
基板を加熱処理しながらホトレジストの主表面に遠紫外
光（３２０１以下）を全面照射し、そののち現像処理を
施し、高コントラストを有するレジストパターンを形成
する新しいレジストパターン形成方法が提案されている
。（参考資料：公開特許公報昭６１−１１６８３８号）
（発明が解決しようとする課題） 上記、新レジストパターン形成方法では、照射時の雰囲
気の種類、圧力に関する指定はない。しかし、常圧空気
雰囲気中で遠紫外光処理を行うと、表面状態が著しく不
安定となり、しわや表皮はがれが発生して良好なパター
ンを得にくい欠点がある。これは、照射光によるレジス
ト中の反応形態が雰囲気に影響されるためである。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、安定かつ再現性
良く、表面状態の良好な高アスペクト比を有するレジス
トパターンを形成する方法を提供することである。
良く、表面状態の良好な高アスペクト比を有するレジス
トパターンを形成する方法を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明のレジストパターン形成方法は、基板上にホトレ
ジストを塗布し、このホトレジスト上に所望の回路パタ
ーンを露光したのち、減圧下において、ホトレジストの
主表面に２００〜４５０ｎｍの波長範囲の一部もしくは
全部を含む光を照射し、そののち現像処理を施すもので
ある。
ジストを塗布し、このホトレジスト上に所望の回路パタ
ーンを露光したのち、減圧下において、ホトレジストの
主表面に２００〜４５０ｎｍの波長範囲の一部もしくは
全部を含む光を照射し、そののち現像処理を施すもので
ある。
（作 用）
露光後の光照射工程において、回路パターン転写時の露
光部および未露光部において、キノンジアミドの光分解
で生じるケテンとノボラック樹脂の架橋が生じる。この
ために、レジストの表面付近の現像速度が低下する。こ
の反応は、雰囲気中の酸素や水分の含有状況で極めて不
安定となりやすい。減圧下で光照射を行うと、このよう
な不安定要素を取り除くことができるため、上記反応が
極めて安定に進行し、良好なレジストパターンが形成さ
れる。
光部および未露光部において、キノンジアミドの光分解
で生じるケテンとノボラック樹脂の架橋が生じる。この
ために、レジストの表面付近の現像速度が低下する。こ
の反応は、雰囲気中の酸素や水分の含有状況で極めて不
安定となりやすい。減圧下で光照射を行うと、このよう
な不安定要素を取り除くことができるため、上記反応が
極めて安定に進行し、良好なレジストパターンが形成さ
れる。
（実施例）
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、紫外光照射によってレジスト中で発生する化
学反応を示すものである。
学反応を示すものである。
まず、シリコン基板上にノボラック樹脂を主成分とする
ポジ型ホトレジストを回転塗布する。本実施例では、Ｏ
Ｆ Ｐ Ｒ−５０００（東京応化工業株式会社１）を１
．５μｍ塗布した。塗布したのち、ホットプレート上１
００℃、９０秒間のいわゆるプリベークを行った。この
のち、所定の回路パターンをステッパー（露光波長４３
６ｎｍ）を用いて前記ホトレジスト上に転写する。この
とき、ホトレジスト中の感光剤が分解し、アルカリ溶液
に可溶となるが、レジスト自体の光吸収によりアルカリ
溶液に対する溶解速度がレジストの深さ方向に勾配を持
つ。次に、 １０−’Ｔｏｒｒ程度に減圧しながら、基
板をホットプレート上で１００℃に加熱保持したままホ
トレジストの主表面に紫外光を全面照射する。このとき
の照射光は２００〜４５０ｎｍの波長範囲のものであり
、照射エネルギーは３００ ｍ Ｊ／ ａｌ程度である
。この紫外光の照射効果は、上記のレジスト内部で生じ
るアルカリ溶液に対する溶解速度の勾配を相殺する方向
に働き、溶解速度のレジストの深さ方向依存性が小さく
なる。紫外光による溶解度低下の主反応は、第１図（ａ
）に示すようなものである。これに対し、たとえば酸素
の存在下では、第１図（ｂ）に示すような反応が同時に
起こり得る。このような複次的な反応の同時進行が発生
すると、レジストの表面状態は不安定となって現像後に
しわが発生したり、あるいは表皮のはがれが起こったり
する。本実施例では減圧下で紫外光照射を行うため。
ポジ型ホトレジストを回転塗布する。本実施例では、Ｏ
Ｆ Ｐ Ｒ−５０００（東京応化工業株式会社１）を１
．５μｍ塗布した。塗布したのち、ホットプレート上１
００℃、９０秒間のいわゆるプリベークを行った。この
のち、所定の回路パターンをステッパー（露光波長４３
６ｎｍ）を用いて前記ホトレジスト上に転写する。この
とき、ホトレジスト中の感光剤が分解し、アルカリ溶液
に可溶となるが、レジスト自体の光吸収によりアルカリ
溶液に対する溶解速度がレジストの深さ方向に勾配を持
つ。次に、 １０−’Ｔｏｒｒ程度に減圧しながら、基
板をホットプレート上で１００℃に加熱保持したままホ
トレジストの主表面に紫外光を全面照射する。このとき
の照射光は２００〜４５０ｎｍの波長範囲のものであり
、照射エネルギーは３００ ｍ Ｊ／ ａｌ程度である
。この紫外光の照射効果は、上記のレジスト内部で生じ
るアルカリ溶液に対する溶解速度の勾配を相殺する方向
に働き、溶解速度のレジストの深さ方向依存性が小さく
なる。紫外光による溶解度低下の主反応は、第１図（ａ
）に示すようなものである。これに対し、たとえば酸素
の存在下では、第１図（ｂ）に示すような反応が同時に
起こり得る。このような複次的な反応の同時進行が発生
すると、レジストの表面状態は不安定となって現像後に
しわが発生したり、あるいは表皮のはがれが起こったり
する。本実施例では減圧下で紫外光照射を行うため。
極めて表面状態の良好な高アスペクト比を持つレジスト
パターンが再現性良く得られる。
パターンが再現性良く得られる。
減圧の範囲としては、 ５０Ｔｏｒｒ以下で同様な効果
が得られる。
が得られる。
（発明の効果）
本発明によれば、非常に簡単に従来のレジストのコント
ラスト向上が図れ、微細レジストパターンが安定かつ再
現性良く形成でき、その実用土の効果は大である。
ラスト向上が図れ、微細レジストパターンが安定かつ再
現性良く形成でき、その実用土の効果は大である。
第１図（ａ）は紫外光照射によるレジスト中の感光基と
ノボラックの反応（主反応）、（ｂ）は酸素雰囲気下で
の副反応を示す。 特許出願人 松下電子工業株式会社
ノボラックの反応（主反応）、（ｂ）は酸素雰囲気下で
の副反応を示す。 特許出願人 松下電子工業株式会社
Claims (1)
- 基板上にホトレジストを塗布し、前記ホトレジスト上
に所望の回路パターンを露光したのち、減圧下において
、前記ホトレジストの主表面に２００〜４５０ｎｍの波
長範囲の一部もしくは全部を含む光を照射し、そののち
現像処理を施すことを特徴とするレジストパターン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63021242A JPH01196825A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63021242A JPH01196825A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196825A true JPH01196825A (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=12049584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63021242A Pending JPH01196825A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196825A (ja) |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63021242A patent/JPH01196825A/ja active Pending
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