JP2002343705A - フォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形成する方法 - Google Patents
フォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形成する方法Info
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- JP2002343705A JP2002343705A JP2001149016A JP2001149016A JP2002343705A JP 2002343705 A JP2002343705 A JP 2002343705A JP 2001149016 A JP2001149016 A JP 2001149016A JP 2001149016 A JP2001149016 A JP 2001149016A JP 2002343705 A JP2002343705 A JP 2002343705A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトリソグラフィ技術により、露光1回だ
けで、大面積絶縁性基板上に形成するレジスト膜の断面
に凹凸形状を再現性よく形成する。 【解決手段】 絶縁性の基板上に電気配線を形成するた
めのフォトリソグラフィ工程において、前記基板１のＡ
ｌ薄膜２を形成した主面全面にフォトレジスト３を均一
に塗布した後、プリベークの際に、前記基板１の主面の
表面温度が部分的に異なる温度になるように加熱し、露
光、現像する。これにより、処理後のレジスト３の断面
は凹凸形状になる。
けで、大面積絶縁性基板上に形成するレジスト膜の断面
に凹凸形状を再現性よく形成する。 【解決手段】 絶縁性の基板上に電気配線を形成するた
めのフォトリソグラフィ工程において、前記基板１のＡ
ｌ薄膜２を形成した主面全面にフォトレジスト３を均一
に塗布した後、プリベークの際に、前記基板１の主面の
表面温度が部分的に異なる温度になるように加熱し、露
光、現像する。これにより、処理後のレジスト３の断面
は凹凸形状になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体分野、特に
フォトリソグラフィ技術を用いて基板上に電気配線等を
形成する際におけるフォトレジスト（単にレジストとも
いう）パターンの形成方法に関する。
フォトリソグラフィ技術を用いて基板上に電気配線等を
形成する際におけるフォトレジスト（単にレジストとも
いう）パターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体分野では、微細加工にフォトリソ
グラフィ技術を用い、安価で大量に同じものを生産する
ようにしている。近年、薄膜トランジスタを使用したア
クティブマトリックス液晶表示デバイスにも同様な技術
を用いて商品化されている。半導体業界も液晶業界も生
産性やコストの面から基板サイズを大きくし、且つ安価
な材料を使用して高品質な製品を生産しようと日夜努力
している。
グラフィ技術を用い、安価で大量に同じものを生産する
ようにしている。近年、薄膜トランジスタを使用したア
クティブマトリックス液晶表示デバイスにも同様な技術
を用いて商品化されている。半導体業界も液晶業界も生
産性やコストの面から基板サイズを大きくし、且つ安価
な材料を使用して高品質な製品を生産しようと日夜努力
している。
【０００３】特に最近、フォトリソグラフィ工程で形成
されるレジストパターンの断面に凹凸形状を形成する、
つまりレジスト膜に膜厚の異なる部分を形成する技術が
盛んに検討されている。この技術が確立するとドライエ
ッチング技術と合せて、配線の断面に凹凸形状を形成す
ることができ、コスト低減及び生産性の向上を図ること
ができる。
されるレジストパターンの断面に凹凸形状を形成する、
つまりレジスト膜に膜厚の異なる部分を形成する技術が
盛んに検討されている。この技術が確立するとドライエ
ッチング技術と合せて、配線の断面に凹凸形状を形成す
ることができ、コスト低減及び生産性の向上を図ること
ができる。
【０００４】フォトリソグラフィ工程で形成されるレジ
ストパターンの断面に凹凸形状を形成する方法として、
従来は、レジストの断面方向に光の照射量差を設け、レ
ジストの光感度の差で現像液に対する反応速度を制御し
て2段形状にしている。この従来のフォトリソグラフィ
工程でレジストパターンの断面に凹凸形状を形成する概
略工程を図４を参照して説明する。
ストパターンの断面に凹凸形状を形成する方法として、
従来は、レジストの断面方向に光の照射量差を設け、レ
ジストの光感度の差で現像液に対する反応速度を制御し
て2段形状にしている。この従来のフォトリソグラフィ
工程でレジストパターンの断面に凹凸形状を形成する概
略工程を図４を参照して説明する。
【０００５】１１は基板で、５５０×６５０mmサイズの
ガラスを使用している。１２はＡｌ薄膜であり、Ａｌを
０．２μｍスパッター方式で形成したものである。１３
はポジ型のレジストで、３％以内の膜厚ばらつきで膜厚
１．５μｍを塗布している。このときのレジスト光感度
は３０ｍＪ／ｃｍ2である。１４はベーク熱を表し、ベ
ーク炉で下から、ヒーターで１００℃、２分間加熱す
る。１５，１６は露光のときに用いる光遮蔽を目的とし
たマスクで、マスク１５とマスク１６とはパターン形状
が違うものを用意する。１７はｇ線を主成分とした光
で、マスク１５を用いて露光する工程とマスク１６を用
いて露光する工程で同じ波長分布のものを使用する。１
８はＴＭＡＨを主成分にした２．３８％の現像液であ
る。
ガラスを使用している。１２はＡｌ薄膜であり、Ａｌを
０．２μｍスパッター方式で形成したものである。１３
はポジ型のレジストで、３％以内の膜厚ばらつきで膜厚
１．５μｍを塗布している。このときのレジスト光感度
は３０ｍＪ／ｃｍ2である。１４はベーク熱を表し、ベ
ーク炉で下から、ヒーターで１００℃、２分間加熱す
る。１５，１６は露光のときに用いる光遮蔽を目的とし
たマスクで、マスク１５とマスク１６とはパターン形状
が違うものを用意する。１７はｇ線を主成分とした光
で、マスク１５を用いて露光する工程とマスク１６を用
いて露光する工程で同じ波長分布のものを使用する。１
８はＴＭＡＨを主成分にした２．３８％の現像液であ
る。
【０００６】この工程は、５工程に分かれていて、
（ａ）の工程をレジスト塗布工程と言い、レジスト１３
を基板１１の一主面に、面内ばらつき３％以内にして、
レジスト膜厚で１．５μｍ塗布する工程である。（ｂ）
の工程はプリベーク工程で、（ａ）工程を終了した基板
１１を１００℃、２分間熱処理する。基板１１の主面に
塗布したレジスト３に均等に熱が伝達される。（ｃ）工
程は1回目の露光工程で、レジスト感度の半分のエネル
ギー量を与える。（ｄ）工程は2回目の露光工程で、1回
目の露光から間隔を開けずにすぐに行う。（ｅ）工程は
現像工程で、（ｃ），（ｄ）工程で露光したものを、
２．３８％ＴＭＡＨの現像液１８で現像する。現像液１
８に基板１１の主面を１００秒間浸積する。この処理後
のレジスト１３の断面は、凹凸形状になる。
（ａ）の工程をレジスト塗布工程と言い、レジスト１３
を基板１１の一主面に、面内ばらつき３％以内にして、
レジスト膜厚で１．５μｍ塗布する工程である。（ｂ）
の工程はプリベーク工程で、（ａ）工程を終了した基板
１１を１００℃、２分間熱処理する。基板１１の主面に
塗布したレジスト３に均等に熱が伝達される。（ｃ）工
程は1回目の露光工程で、レジスト感度の半分のエネル
ギー量を与える。（ｄ）工程は2回目の露光工程で、1回
目の露光から間隔を開けずにすぐに行う。（ｅ）工程は
現像工程で、（ｃ），（ｄ）工程で露光したものを、
２．３８％ＴＭＡＨの現像液１８で現像する。現像液１
８に基板１１の主面を１００秒間浸積する。この処理後
のレジスト１３の断面は、凹凸形状になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の方法は、
レジストの感度を利用して2重露光を行うことにより、
レジストの断面に凹凸形状を設けようとするものである
が、2重露光でできるレジスト膜厚の段差は、０．２μ
ｍ〜０．４μｍまでである。露光機の照射角度による片
ボケや光の干渉が発生すると基板面内のレジスト断面形
状に差が生じる。これらのばらつきがあっても、レジス
ト膜厚差として０．２μｍもあれば、小型の基板では、
ドライエッチング（以下Ｄ／Ｅという）による工法でパ
ターン通りに下地に転写することができる。
レジストの感度を利用して2重露光を行うことにより、
レジストの断面に凹凸形状を設けようとするものである
が、2重露光でできるレジスト膜厚の段差は、０．２μ
ｍ〜０．４μｍまでである。露光機の照射角度による片
ボケや光の干渉が発生すると基板面内のレジスト断面形
状に差が生じる。これらのばらつきがあっても、レジス
ト膜厚差として０．２μｍもあれば、小型の基板では、
ドライエッチング（以下Ｄ／Ｅという）による工法でパ
ターン通りに下地に転写することができる。
【０００８】しかしながら、５５０×６５０ｍｍ以上の
大面積基板におけるＤ／Ｅ工法には、レジスト膜厚に
０．２μｍぐらいの段差では、思い通りのパターン化が
できなくなる。というのも、大面積基板のＤ／Ｅ工法で
はローディング効果があり、基板面内でのエッチングレ
ートに差が生じ、基板中央部と端部では、パターン形状
が変わってくる。
大面積基板におけるＤ／Ｅ工法には、レジスト膜厚に
０．２μｍぐらいの段差では、思い通りのパターン化が
できなくなる。というのも、大面積基板のＤ／Ｅ工法で
はローディング効果があり、基板面内でのエッチングレ
ートに差が生じ、基板中央部と端部では、パターン形状
が変わってくる。
【０００９】そこで、本発明は、５５０×６５０ｍｍ以
上の大面積基板に対して露光する前に、レジストの感度
を制御するものであって、レジストのプリベークの温度
と光感度特性の相関関係を把握することにより、レジス
トの現像膜減り量をコントロールして、フォトレジスト
膜の断面に凹凸形状を形成する方法を提供することを目
的とする。
上の大面積基板に対して露光する前に、レジストの感度
を制御するものであって、レジストのプリベークの温度
と光感度特性の相関関係を把握することにより、レジス
トの現像膜減り量をコントロールして、フォトレジスト
膜の断面に凹凸形状を形成する方法を提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明のフォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形成
する方法は、絶縁性の基板上に電気配線を形成するため
のフォトリソグラフィ工程において、前記基板の金属薄
膜を形成した主面全面にフォトレジストを均一に塗布し
た後、プリベークの際に、前記基板の主面の表面温度が
部分的に異なる温度になるように加熱し、露光、現像す
ることを特徴とするものである。
に、本発明のフォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形成
する方法は、絶縁性の基板上に電気配線を形成するため
のフォトリソグラフィ工程において、前記基板の金属薄
膜を形成した主面全面にフォトレジストを均一に塗布し
た後、プリベークの際に、前記基板の主面の表面温度が
部分的に異なる温度になるように加熱し、露光、現像す
ることを特徴とするものである。
【００１１】この方法は、要するに、レジストのプリベ
ークによる膜減り依存性を利用してレジスト断面に凹凸
形状を形成しようとするものであり、温度による膜減り
量特性を図３に示す。プリベークを行うベーク炉の中に
部分的に温度の異なる場所を設ける。例えば、レジスト
で断面方向に凹凸を形成したい個所に、ベーク表面層近
くに空洞層を設け、周りの場所と温度を均一にしないよ
うにする。
ークによる膜減り依存性を利用してレジスト断面に凹凸
形状を形成しようとするものであり、温度による膜減り
量特性を図３に示す。プリベークを行うベーク炉の中に
部分的に温度の異なる場所を設ける。例えば、レジスト
で断面方向に凹凸を形成したい個所に、ベーク表面層近
くに空洞層を設け、周りの場所と温度を均一にしないよ
うにする。
【００１２】また、絶縁性の透明基板上に透明電極を形
成するためのフォトリソグラフィ工程において、前記基
板の透明導電性薄膜を形成した主面全面にフォトレジス
トを均一に塗布した後、プリベークする工程と、前記基
板の裏面より前記フォトレジストに対し熱線を選択的に
与える工程とを経て、露光、現像することを特徴とする
ものである。
成するためのフォトリソグラフィ工程において、前記基
板の透明導電性薄膜を形成した主面全面にフォトレジス
トを均一に塗布した後、プリベークする工程と、前記基
板の裏面より前記フォトレジストに対し熱線を選択的に
与える工程とを経て、露光、現像することを特徴とする
ものである。
【００１３】上記２つの方法は、塗布したレジストに対
し、プリベークするときに場所を選択して温度制御する
ことにより、1回の露光で2重露光と同じ効果が得られ
る。また、露光における片ボケの要因の面内ばらつきを
省くことができる。
し、プリベークするときに場所を選択して温度制御する
ことにより、1回の露光で2重露光と同じ効果が得られ
る。また、露光における片ボケの要因の面内ばらつきを
省くことができる。
【００１４】このように、基板の決まった場所での温度
変化をさせるだけなので、ベークをメカ的に変化させる
ため、レジストパターンの断面形状の再現性は、従来工
法に比べて向上する。
変化をさせるだけなので、ベークをメカ的に変化させる
ため、レジストパターンの断面形状の再現性は、従来工
法に比べて向上する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。
て、図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】（実施の形態１）図1は、本発明の実施の
形態1におけるフォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形
成する方法を示したものであって、１は基板であり、５
５０×６５０ｍｍサイズのガラスを使用している。２は
Ａｌ薄膜であり、膜厚０．２μｍをスパッター方式で形
成したものである。３はポジ型のレジストであり、主成
分はノボラック系樹脂である。レジスト３は、３％以内
の膜厚ばらつきで膜厚１．５μｍを塗布している。この
ときのレジスト光感度は３０ｍＪ／ｃｍ2である。４は
ベーク熱を表し、ベーク炉の下部ヒーターにより１００
℃、２分間加熱する。ただし、ベーク炉には部分的に空
洞層を設け、温度を変化させている。５は露光のときに
用いるの光遮蔽を目的としたマスクである。７はｇ線を
主成分とした光であり、マスク５を用いて露光するもの
である。８は、ＴＭＡＨを主成分とする２．３８％の現
像液である。
形態1におけるフォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形
成する方法を示したものであって、１は基板であり、５
５０×６５０ｍｍサイズのガラスを使用している。２は
Ａｌ薄膜であり、膜厚０．２μｍをスパッター方式で形
成したものである。３はポジ型のレジストであり、主成
分はノボラック系樹脂である。レジスト３は、３％以内
の膜厚ばらつきで膜厚１．５μｍを塗布している。この
ときのレジスト光感度は３０ｍＪ／ｃｍ2である。４は
ベーク熱を表し、ベーク炉の下部ヒーターにより１００
℃、２分間加熱する。ただし、ベーク炉には部分的に空
洞層を設け、温度を変化させている。５は露光のときに
用いるの光遮蔽を目的としたマスクである。７はｇ線を
主成分とした光であり、マスク５を用いて露光するもの
である。８は、ＴＭＡＨを主成分とする２．３８％の現
像液である。
【００１７】工程は、４工程に分かれていて、（ａ）の
工程はレジスト塗布工程であり、レジスト３を基板１に
面内ばらつき３％以内にして、レジスト膜厚で１．５μ
ｍ塗布する。（ｂ）の工程はプリベーク工程であり、
（ａ）工程を終了した基板１を１００℃，２分間熱処理
する。ベーク炉には部分的に空洞層を設け、温度を変化
させている。空洞層に当たる基板１の主面部には、８０
℃の温度を、塗布したレジストに均等に伝達させる。ま
た、前記部分以外の基板１の主面には、１００℃の温度
を均等に伝達させる。（ｃ）工程は露光工程であり、３
０ｍＪ／ｃｍ2の光の照射量を与える。（ｄ）工程は現
像工程であり、（ｃ）工程で露光したものを、２．３８
％ＴＭＡＨの現像液８で現像する。基板１１の主面は、
現像液８に２３℃で１００秒間浸積される。この処理後
のレジスト３の断面は凹凸形状になる。
工程はレジスト塗布工程であり、レジスト３を基板１に
面内ばらつき３％以内にして、レジスト膜厚で１．５μ
ｍ塗布する。（ｂ）の工程はプリベーク工程であり、
（ａ）工程を終了した基板１を１００℃，２分間熱処理
する。ベーク炉には部分的に空洞層を設け、温度を変化
させている。空洞層に当たる基板１の主面部には、８０
℃の温度を、塗布したレジストに均等に伝達させる。ま
た、前記部分以外の基板１の主面には、１００℃の温度
を均等に伝達させる。（ｃ）工程は露光工程であり、３
０ｍＪ／ｃｍ2の光の照射量を与える。（ｄ）工程は現
像工程であり、（ｃ）工程で露光したものを、２．３８
％ＴＭＡＨの現像液８で現像する。基板１１の主面は、
現像液８に２３℃で１００秒間浸積される。この処理後
のレジスト３の断面は凹凸形状になる。
【００１８】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２におけるフォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形
成する方法を示したものである。（ａ）工程はプリベー
ク工程であり、基板１には、既に下地に０．２μｍ厚の
Ａｌ配線２１があって、その上に０．３μｍ厚の絶縁性
薄膜であるＳｉＮ膜２２が形成されている。その後、透
明導電性薄膜２３を形成し、その上にレジスト３を形成
する。Ａｌ配線２１はゲート電極配線であり、ＳｉＮ膜
２２はプラズマＣＶＤで形成される。透明導電性薄膜２
３は１．３μｍの波長の赤外線を吸収する膜質である。
形態２におけるフォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形
成する方法を示したものである。（ａ）工程はプリベー
ク工程であり、基板１には、既に下地に０．２μｍ厚の
Ａｌ配線２１があって、その上に０．３μｍ厚の絶縁性
薄膜であるＳｉＮ膜２２が形成されている。その後、透
明導電性薄膜２３を形成し、その上にレジスト３を形成
する。Ａｌ配線２１はゲート電極配線であり、ＳｉＮ膜
２２はプラズマＣＶＤで形成される。透明導電性薄膜２
３は１．３μｍの波長の赤外線を吸収する膜質である。
【００１９】ここで、基板全体に対し均一に、８０℃，
２分間の熱処理を行う。実施の形態１ではベーク炉に部
分的な空洞層を設けて温度を変えたが、本実施の形態２
では空洞層は設けていない。
２分間の熱処理を行う。実施の形態１ではベーク炉に部
分的な空洞層を設けて温度を変えたが、本実施の形態２
では空洞層は設けていない。
【００２０】（ｂ）工程は、基板１の裏面から基板全面
に均等に１．３μｍの赤外線を照射する工程である。そ
のときの照射は、ゲート電極配線であるＡｌ配線２１が
下にない透明導電性薄膜２３を１００℃にするだけのエ
ネルギーを照射する。これにより、レジスト３に対して
部分的に異なる温度でプリベークすることができる。
に均等に１．３μｍの赤外線を照射する工程である。そ
のときの照射は、ゲート電極配線であるＡｌ配線２１が
下にない透明導電性薄膜２３を１００℃にするだけのエ
ネルギーを照射する。これにより、レジスト３に対して
部分的に異なる温度でプリベークすることができる。
【００２１】以下、（ｃ）の露光工程、（ｄ）の現像工
程を経て、レジスト３の断面は凹凸形状になる。
程を経て、レジスト３の断面は凹凸形状になる。
【００２２】なお、実施の形態１におけるプリベーク工
程では、レジストを１００℃で加熱しているが、レジス
トの種類とプリベークの処理時間においては、９５℃か
ら１１０℃までの範囲内であれば、同様な効果が得られ
る。また、実施の形態２において、１．３μｍの赤外線
を使用しているが、導電性薄膜１１に吸収端があり、な
おかつ、レジスト３の吸収端でなければ、それ以外の波
長の光でも同様な効果が得られる。
程では、レジストを１００℃で加熱しているが、レジス
トの種類とプリベークの処理時間においては、９５℃か
ら１１０℃までの範囲内であれば、同様な効果が得られ
る。また、実施の形態２において、１．３μｍの赤外線
を使用しているが、導電性薄膜１１に吸収端があり、な
おかつ、レジスト３の吸収端でなければ、それ以外の波
長の光でも同様な効果が得られる。
【００２３】また、実施の形態１，２では、基板サイズ
を５６０×６５０ｍｍで説明しているが、サイズが５６
０×６５０ｍｍ以上のガラス基板になってもフォトリソ
グラフィ工程を使用する工程であれば同様な効果が得ら
れる。
を５６０×６５０ｍｍで説明しているが、サイズが５６
０×６５０ｍｍ以上のガラス基板になってもフォトリソ
グラフィ工程を使用する工程であれば同様な効果が得ら
れる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ベークを機械的に変化させて、レジストパターンの断面
に凹凸形状を形成するので、基板サイズが大きくなって
も、露光における片ボケの要因の面内ばらつきを省くこ
とができる。露光機は高価な割には、タクトが遅く、し
たがって、従来のフォトリソグラフィ工程で露光を2回
行うために、生産性やコストに大きく影響を及ぼしてい
たが、本発明の方法によれば、1回の露光で、従来と同
じ効果が得られるので、コスト低減及び生産性の向上を
図ることができる。
ベークを機械的に変化させて、レジストパターンの断面
に凹凸形状を形成するので、基板サイズが大きくなって
も、露光における片ボケの要因の面内ばらつきを省くこ
とができる。露光機は高価な割には、タクトが遅く、し
たがって、従来のフォトリソグラフィ工程で露光を2回
行うために、生産性やコストに大きく影響を及ぼしてい
たが、本発明の方法によれば、1回の露光で、従来と同
じ効果が得られるので、コスト低減及び生産性の向上を
図ることができる。
【図１】本発明の実施の形態1におけるフォトレジスト
膜の断面に凹凸形状を形成する方法を示す工程図
膜の断面に凹凸形状を形成する方法を示す工程図
【図２】本発明の実施の形態2におけるフォトレジスト
膜の断面に凹凸形状を形成する方法を示す工程図
膜の断面に凹凸形状を形成する方法を示す工程図
【図３】レジストのプリベーク温度におけるレジスト膜
減り依存特性図
減り依存特性図
【図４】従来例におけるフォトレジスト膜の断面に凹凸
形状を形成する方法を示す工程図
形状を形成する方法を示す工程図
１ 基板 ２ Ａｌ薄膜 ３ ポジ型のレジスト ４ ベーク熱 ５ マスク ７ 光 ８ 現像液 ２１ Ａｌ配線 ２２ ＳｉＮ膜 ２３ 透明導電性薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 DA01 DA10 LA30 5F033 MM17 MM26 QQ01 XX33 XX34 5F046 DA29 KA04 KA10 LA18
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性の基板上に電気配線を形成するた
めのフォトリソグラフィ工程において、前記基板の金属
薄膜を形成した主面全面にフォトレジストを均一に塗布
した後、プリベークの際に、前記基板の主面の表面温度
が部分的に異なる温度になるように加熱し、露光、現像
することを特徴とするフォトレジスト膜の断面に凹凸形
状を形成する方法。 - 【請求項２】 基板の主面の表面温度が部分的に異なる
温度になるように加熱する際、前記主面の特定場所の温
度を他の表面温度より１０℃〜２０℃低下させることを
特徴とする請求項１記載のフォトレジスト膜の断面に凹
凸形状を形成する方法。 - 【請求項３】 絶縁性の透明基板上に透明電極を形成す
るためのフォトリソグラフィ工程において、前記基板の
透明導電性薄膜を形成した主面全面にフォトレジストを
均一に塗布した後、プリベークする工程と、前記基板の
裏面より前記フォトレジストに対し熱線を選択的に与え
る工程とを経て、露光、現像することを特徴とするフォ
トレジスト膜の断面に凹凸形状を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001149016A JP2002343705A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | フォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001149016A Pending JP2002343705A (ja) | 2001-05-18 | 2001-05-18 | フォトレジスト膜の断面に凹凸形状を形成する方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002343705A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100608431B1 (ko) | 2004-12-31 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 패턴의 쓰러짐 방지를 위한 패터닝 장치 및 방법 |
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2001
- 2001-05-18 JP JP2001149016A patent/JP2002343705A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100608431B1 (ko) | 2004-12-31 | 2006-08-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 패턴의 쓰러짐 방지를 위한 패터닝 장치 및 방법 |
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