JPH06188184A - レジスト膜の加熱方法およびパターン形成方法 - Google Patents
レジスト膜の加熱方法およびパターン形成方法Info
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- JPH06188184A JPH06188184A JP4340072A JP34007292A JPH06188184A JP H06188184 A JPH06188184 A JP H06188184A JP 4340072 A JP4340072 A JP 4340072A JP 34007292 A JP34007292 A JP 34007292A JP H06188184 A JPH06188184 A JP H06188184A
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- resist
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 紫外線感光レジスト膜において、紫外光によ
る露光，現像後にアンダーカットパターンを形成する。 【構成】 レジスト３２内部に温度分布を生ぜしめるた
めに、加熱されたホットプレート３３にレジスト３２を
接触することのない位置まで接近させ、１秒以下の時間
保持した後、再びホットプレートからの影響を受けない
位置までレジスト３２を離す。加熱時にこの温度分布を
発生させることにより、レジスト３２は、表面から基板
３１方向に向かって徐々に現像速度が速くなる性質を持
つようになる。この結果、露光現像後、パターンとして
アンダーカット形状を形成することが可能となる。
る露光，現像後にアンダーカットパターンを形成する。 【構成】 レジスト３２内部に温度分布を生ぜしめるた
めに、加熱されたホットプレート３３にレジスト３２を
接触することのない位置まで接近させ、１秒以下の時間
保持した後、再びホットプレートからの影響を受けない
位置までレジスト３２を離す。加熱時にこの温度分布を
発生させることにより、レジスト３２は、表面から基板
３１方向に向かって徐々に現像速度が速くなる性質を持
つようになる。この結果、露光現像後、パターンとして
アンダーカット形状を形成することが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト膜の加熱方法
に関し、紫外線感光レジスト膜において、露光現像液の
パターンとして、アンダーカットパターンを形成する方
法に関するものである。
に関し、紫外線感光レジスト膜において、露光現像液の
パターンとして、アンダーカットパターンを形成する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レジスト膜を用いたリフトオフ法による
金属電極の形成方法として、特開平２−２３９６１３号
公報「微細パターンの形成方法」に記載されるような金
属電極の形成方法が知られている。前記公報記載の微細
パターンの形成方法を図５に示す。基板４１表面にレジ
スト膜４２が被着され、この膜には、所望パターンにて
選択露光が施されている。また、基板４１裏面は２０℃
に維持された真空チャック４３に保持されている。さら
に、レジスト膜４２が攪拌および温度調整機能付きの槽
４４に収容された現像液４５の液面に接触すべく配置さ
れる。そして、レジスト膜４２に、その厚み方向に温度
差が付与され、現像後、アンダーカット（オーバーハン
グ）状の開口を形成することができるようになってい
る。
金属電極の形成方法として、特開平２−２３９６１３号
公報「微細パターンの形成方法」に記載されるような金
属電極の形成方法が知られている。前記公報記載の微細
パターンの形成方法を図５に示す。基板４１表面にレジ
スト膜４２が被着され、この膜には、所望パターンにて
選択露光が施されている。また、基板４１裏面は２０℃
に維持された真空チャック４３に保持されている。さら
に、レジスト膜４２が攪拌および温度調整機能付きの槽
４４に収容された現像液４５の液面に接触すべく配置さ
れる。そして、レジスト膜４２に、その厚み方向に温度
差が付与され、現像後、アンダーカット（オーバーハン
グ）状の開口を形成することができるようになってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上述べた従来の方法
は、レジスト膜によってアンダーカット形状を形成する
方法として、レジスト膜表面に接触する現像液とウェハ
を保持している真空チャックとの間に温度差を発生させ
て、現像時にアンダーカット形状を形成する方法である
が、現像中はレジスト膜に接触する現像液が常に恒温状
態に保たれており、さらに、レジスト膜の膜厚が通常数
μｍであること、現像に要する時間が分単位であること
を考慮すると、レジスト膜と現像液の接触面は、現像液
温にほぼ等しくなるため、現実にアンダーカット形状を
形成しようとすれば、極めて短時間での現像処理を必要
とするという欠点を有していた。
は、レジスト膜によってアンダーカット形状を形成する
方法として、レジスト膜表面に接触する現像液とウェハ
を保持している真空チャックとの間に温度差を発生させ
て、現像時にアンダーカット形状を形成する方法である
が、現像中はレジスト膜に接触する現像液が常に恒温状
態に保たれており、さらに、レジスト膜の膜厚が通常数
μｍであること、現像に要する時間が分単位であること
を考慮すると、レジスト膜と現像液の接触面は、現像液
温にほぼ等しくなるため、現実にアンダーカット形状を
形成しようとすれば、極めて短時間での現像処理を必要
とするという欠点を有していた。
【０００４】本発明の目的は、このような従来の欠点を
除去せしめて、ＵＶレジスト膜において、アンダーカッ
ト形状を形成する方法を提供することにある。
除去せしめて、ＵＶレジスト膜において、アンダーカッ
ト形状を形成する方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板上に塗
布形成されたレジスト膜を加熱する際に、レジスト膜上
面に熱源をレジスト膜に接触しないように設置し、レジ
スト膜内部にレジスト膜表面からレジスト膜と基板の界
面方向に向かって温度が低下する温度分布を形成する。
この時、露光現像後に形成される上部開口部および下部
開口寸法をさらに小さくしたい場合は、この加熱処理の
前に、レジスト膜をレジスト膜のガラス転移点温度以下
で通常加熱を行ってもよい。ここでいう通常加熱とは、
レジスト膜内に、意図的には温度分布をつくらない加熱
処理のことである。上記加熱処理の後、所望のパターン
を紫外光によりレジスト膜上に転写し、現像することに
よりレジストパターンを形成する。また、必要に応じ
て、現像した後、遠紫外光でレジスト膜全面を露光する
ことによりレジスト膜の耐熱性を向上させてもよい。
布形成されたレジスト膜を加熱する際に、レジスト膜上
面に熱源をレジスト膜に接触しないように設置し、レジ
スト膜内部にレジスト膜表面からレジスト膜と基板の界
面方向に向かって温度が低下する温度分布を形成する。
この時、露光現像後に形成される上部開口部および下部
開口寸法をさらに小さくしたい場合は、この加熱処理の
前に、レジスト膜をレジスト膜のガラス転移点温度以下
で通常加熱を行ってもよい。ここでいう通常加熱とは、
レジスト膜内に、意図的には温度分布をつくらない加熱
処理のことである。上記加熱処理の後、所望のパターン
を紫外光によりレジスト膜上に転写し、現像することに
よりレジストパターンを形成する。また、必要に応じ
て、現像した後、遠紫外光でレジスト膜全面を露光する
ことによりレジスト膜の耐熱性を向上させてもよい。
【０００６】
【作用】本発明の方法では、レジスト膜加熱時、レジス
ト膜内部に温度分布を形成することにより、現像時にお
けるレジスト膜各点での現像液に対する溶解速度を変化
させる。ノボラック樹脂と感光剤ナフトキノンジアジド
で構成されるノボラック系レジストにおけるこの現象
は、以下の２つの原因によると考えられている。光によ
る感光あるいは１３０℃以上の加熱により、ジアド基は
窒素（Ｎ2 ）を脱離してケテンに変化した後、レジスト
中の残留水分と反応してインデンカルボン酸に変化す
る。このインデンカルボン酸は、ノボラック系のレジス
トの現像液に対する対現像液耐性を低下させる。しかし
ながら、レジスト中における残留水分が少ない場合は、
ケテンは、インデンカルボン酸に変化せず、ノボラック
樹脂と結合、あるいは、ナフトキノンジアジドと反応
し、ノボラック系レジストは現像液に対して離溶化す
る。また、１８０℃以上で加熱した場合、ノボラック樹
脂同士が架橋現象を起こし、すなわち、ノボラック樹脂
の分子量増加に伴う現像液に対する離溶化現象を引き起
こす。従って、１３０℃以上の加熱によるレジスト中の
残留成分の低下あるいは１８０℃以上の加熱によるノボ
ラック樹脂の架橋現象、あるいはこの二現象を同時に発
生させることにより、ノボラック系レジストを現像液に
対して難溶化させることができる。この場合、レジスト
膜表面側が、レジスト基板界面より加熱温度が高く設定
されるので、レジスト膜に対する溶解速度はレジスト基
板界面方向に進むに従って大きくなる。従って、レジス
ト膜における紫外光の吸収がレジスト表面で大きく、レ
ジスト基板界面で小さいことを考慮すれば、この紫外光
の吸収分布を補償する様に、レジスト膜内に温度分布を
形成すれば、所望のパターンを露光後、現像を行うこと
により、基板に対してエッジの垂直なパターンあるいは
アンダーカット形状パターンを実現することができる。
また、温度分布は、レジスト膜厚によって制御可能であ
るため、レジスト膜上面での開口寸法とレジスト基板界
面における開口寸法を制御することが可能である。
ト膜内部に温度分布を形成することにより、現像時にお
けるレジスト膜各点での現像液に対する溶解速度を変化
させる。ノボラック樹脂と感光剤ナフトキノンジアジド
で構成されるノボラック系レジストにおけるこの現象
は、以下の２つの原因によると考えられている。光によ
る感光あるいは１３０℃以上の加熱により、ジアド基は
窒素（Ｎ2 ）を脱離してケテンに変化した後、レジスト
中の残留水分と反応してインデンカルボン酸に変化す
る。このインデンカルボン酸は、ノボラック系のレジス
トの現像液に対する対現像液耐性を低下させる。しかし
ながら、レジスト中における残留水分が少ない場合は、
ケテンは、インデンカルボン酸に変化せず、ノボラック
樹脂と結合、あるいは、ナフトキノンジアジドと反応
し、ノボラック系レジストは現像液に対して離溶化す
る。また、１８０℃以上で加熱した場合、ノボラック樹
脂同士が架橋現象を起こし、すなわち、ノボラック樹脂
の分子量増加に伴う現像液に対する離溶化現象を引き起
こす。従って、１３０℃以上の加熱によるレジスト中の
残留成分の低下あるいは１８０℃以上の加熱によるノボ
ラック樹脂の架橋現象、あるいはこの二現象を同時に発
生させることにより、ノボラック系レジストを現像液に
対して難溶化させることができる。この場合、レジスト
膜表面側が、レジスト基板界面より加熱温度が高く設定
されるので、レジスト膜に対する溶解速度はレジスト基
板界面方向に進むに従って大きくなる。従って、レジス
ト膜における紫外光の吸収がレジスト表面で大きく、レ
ジスト基板界面で小さいことを考慮すれば、この紫外光
の吸収分布を補償する様に、レジスト膜内に温度分布を
形成すれば、所望のパターンを露光後、現像を行うこと
により、基板に対してエッジの垂直なパターンあるいは
アンダーカット形状パターンを実現することができる。
また、温度分布は、レジスト膜厚によって制御可能であ
るため、レジスト膜上面での開口寸法とレジスト基板界
面における開口寸法を制御することが可能である。
【０００７】
【実施例】次に図面を参照して、本発明の実施例につい
て説明する。図１は、現像特性を示す曲線図、図２は、
レジスト膜内部の温度分布を示す図、図３および図４
は、本発明を示す工程別断面図である。
て説明する。図１は、現像特性を示す曲線図、図２は、
レジスト膜内部の温度分布を示す図、図３および図４
は、本発明を示す工程別断面図である。
【０００８】図１は、現像に要する時間のレジスト膜の
ベーク時間および温度依存性を示したものである。使用
したレジスト膜は、２μｍ厚のＡＺ−１３７０ＳＦレジ
スト（ヘキストジャパン社製）である。ベーキング時間
が９０秒，１８０秒，３６０秒の３種のレジストについ
て調べた。この結果によれば、ベーク後の現像に要する
時間は、１０５℃以上のプリベークでは、プリベーク温
度およびその時間が増加するに従って、レジスト膜は現
像されにくくなることが示された。したがって、プリベ
ーク処理をレジスト膜に施す際に、レジスト膜内部に温
度分布を形成すれば、露光後現像により、アンダーカッ
ト形状を実現することが可能となる。
ベーク時間および温度依存性を示したものである。使用
したレジスト膜は、２μｍ厚のＡＺ−１３７０ＳＦレジ
スト（ヘキストジャパン社製）である。ベーキング時間
が９０秒，１８０秒，３６０秒の３種のレジストについ
て調べた。この結果によれば、ベーク後の現像に要する
時間は、１０５℃以上のプリベークでは、プリベーク温
度およびその時間が増加するに従って、レジスト膜は現
像されにくくなることが示された。したがって、プリベ
ーク処理をレジスト膜に施す際に、レジスト膜内部に温
度分布を形成すれば、露光後現像により、アンダーカッ
ト形状を実現することが可能となる。
【０００９】図２は、２μｍ厚のレジスト膜をガリウム
砒素基板（厚さ３５０μｍ）に塗布形成した際に、２μ
ｍ厚のレジスト膜中に温度分布を形成するのに必要なベ
ーキング時間を推定するために、Ｓｃｈｍｉｔの図式解
法という方法によりシミュレートしたものである。２６
０℃のホットプレートが、レジスト膜表面から仮想的に
０．７４μｍ離れており、かつベーク前のウェハ温度が
３０℃であったと仮定すると、１秒のベーキングでウェ
ハ内に約１０℃の温度差を有する温度分布が形成できる
ことが示される。また、０．５秒のベーキングでは、ウ
ェハ内におおよそ１７℃の温度差を有する温度分布が形
成できることが示された。このシミュレーションでは、
レジスト膜の熱伝導率として、０．１６×１０-2Ｗ／ｃ
ｍ・℃、また、ＧａＡｓの熱伝導率として、０．４６Ｗ
／ｃｍ・℃を用いて計算した。
砒素基板（厚さ３５０μｍ）に塗布形成した際に、２μ
ｍ厚のレジスト膜中に温度分布を形成するのに必要なベ
ーキング時間を推定するために、Ｓｃｈｍｉｔの図式解
法という方法によりシミュレートしたものである。２６
０℃のホットプレートが、レジスト膜表面から仮想的に
０．７４μｍ離れており、かつベーク前のウェハ温度が
３０℃であったと仮定すると、１秒のベーキングでウェ
ハ内に約１０℃の温度差を有する温度分布が形成できる
ことが示される。また、０．５秒のベーキングでは、ウ
ェハ内におおよそ１７℃の温度差を有する温度分布が形
成できることが示された。このシミュレーションでは、
レジスト膜の熱伝導率として、０．１６×１０-2Ｗ／ｃ
ｍ・℃、また、ＧａＡｓの熱伝導率として、０．４６Ｗ
／ｃｍ・℃を用いて計算した。
【００１０】したがって、少なくとも１０５℃以上の高
温にレジスト膜表面が加熱された上で温度分布が形成さ
れれば、アンダーカット形状が形成されることになる。
温にレジスト膜表面が加熱された上で温度分布が形成さ
れれば、アンダーカット形状が形成されることになる。
【００１１】以上の知見をもとに、２μｍ程度のレジス
ト膜厚の内部に１０℃以上の温度分布を形成するため、
１秒以下のベークを行うことを前提に、アンダーカット
形状を形成の工程を、図３および図４を参照して説明す
る。
ト膜厚の内部に１０℃以上の温度分布を形成するため、
１秒以下のベークを行うことを前提に、アンダーカット
形状を形成の工程を、図３および図４を参照して説明す
る。
【００１２】まず、図３（ａ）に示すように、基板３１
上にレジスト膜３２（例えば、ヘキストジャパン社製Ａ
Ｚ−１３７０ＳＦ）を所望の厚さ（例えば、２μｍ）に
塗布形成した後、図３（ｂ）に示すように、１０５℃以
上の温度に加温された（例えば、３５０℃）ホットプレ
ート３３に、前記レジスト膜塗布後の基板３１をレジス
ト膜３２表面がホットプレート３３側になるように設置
した後、図３（ｃ）に示すように、前記レジスト膜塗布
後の基板３１をホットプレート３３に３０ｃｍ／秒の平
均速度で接近させ、ホットプレート３３に接触しない位
置（例えばホットプレートレジスト間距離２００μｍ）
に、このレジスト膜塗布後の基板３１を設置し、１秒以
下の時間（たとえば、０．５秒）にこの基板３１を保持
し、次いで、図４（ｄ）に示すように、レジスト膜塗布
基板３１をホットプレート３３から３０ｃｍ／秒の平均
速度で離す。次いで、図４（ｅ）に示すように、所望の
パターンを、ベーク終了後、ウェハ３１上に紫外光３４
により露光した後、図４（ｆ）に示すように、現像を行
うことにより、所望パターンをアンダーカットパターン
形状３５とすることができる。
上にレジスト膜３２（例えば、ヘキストジャパン社製Ａ
Ｚ−１３７０ＳＦ）を所望の厚さ（例えば、２μｍ）に
塗布形成した後、図３（ｂ）に示すように、１０５℃以
上の温度に加温された（例えば、３５０℃）ホットプレ
ート３３に、前記レジスト膜塗布後の基板３１をレジス
ト膜３２表面がホットプレート３３側になるように設置
した後、図３（ｃ）に示すように、前記レジスト膜塗布
後の基板３１をホットプレート３３に３０ｃｍ／秒の平
均速度で接近させ、ホットプレート３３に接触しない位
置（例えばホットプレートレジスト間距離２００μｍ）
に、このレジスト膜塗布後の基板３１を設置し、１秒以
下の時間（たとえば、０．５秒）にこの基板３１を保持
し、次いで、図４（ｄ）に示すように、レジスト膜塗布
基板３１をホットプレート３３から３０ｃｍ／秒の平均
速度で離す。次いで、図４（ｅ）に示すように、所望の
パターンを、ベーク終了後、ウェハ３１上に紫外光３４
により露光した後、図４（ｆ）に示すように、現像を行
うことにより、所望パターンをアンダーカットパターン
形状３５とすることができる。
【００１３】０．５μｍパターンのマスクにより、ホッ
トプレート（３５０℃設定）とレジスト膜の間隔を変え
て露光した際の、１．８μｍ厚さのＡＺ−１３７０ＳＦ
レジストにおけるアンダーカット形状の開口の上部開口
寸法と下部開口寸法を表１にしたものを示す。
トプレート（３５０℃設定）とレジスト膜の間隔を変え
て露光した際の、１．８μｍ厚さのＡＺ−１３７０ＳＦ
レジストにおけるアンダーカット形状の開口の上部開口
寸法と下部開口寸法を表１にしたものを示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】この表における誤差は、距離において±２
５μｍ、開口寸法においては、±０．１２μｍである。
また、ホットプレート温度が２３０℃および２６０℃で
ある場合の開口寸法は、次の表２のようになる。
５μｍ、開口寸法においては、±０．１２μｍである。
また、ホットプレート温度が２３０℃および２６０℃で
ある場合の開口寸法は、次の表２のようになる。
【００１６】
【表２】
【００１７】以上の表２からわかるように、上部開口寸
法と下部開口寸法は、独立には設定できないが、ホット
プレート温度とホットプレート−レジスト間距離を適当
に選ぶことあるいは予め８５℃で通常加熱しておくこと
により、所望の上部開口寸法と下部開口寸法を有するア
ンダーカット形状のパターンを形成することが可能とな
る。
法と下部開口寸法は、独立には設定できないが、ホット
プレート温度とホットプレート−レジスト間距離を適当
に選ぶことあるいは予め８５℃で通常加熱しておくこと
により、所望の上部開口寸法と下部開口寸法を有するア
ンダーカット形状のパターンを形成することが可能とな
る。
【００１８】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明はこれらに限定されるものではなく、本発明の範囲内
で種々の変形，変更が可能である。
明はこれらに限定されるものではなく、本発明の範囲内
で種々の変形，変更が可能である。
【００１９】例えば、必要に応じて、レジスト膜３２内
に温度分布を形成する手続きの前に、コンベクションオ
ーブンやプロキシミティベーク装置により、プリベーク
処理を行うことが可能である。
に温度分布を形成する手続きの前に、コンベクションオ
ーブンやプロキシミティベーク装置により、プリベーク
処理を行うことが可能である。
【００２０】また、同様に、必要に応じて、上記プロセ
スによりレジスト膜パターンを形成した後、遠紫外光の
照射によりレジスト膜パターンのハードニングによる耐
熱性増加を図ることが可能である。
スによりレジスト膜パターンを形成した後、遠紫外光の
照射によりレジスト膜パターンのハードニングによる耐
熱性増加を図ることが可能である。
【００２１】また、上述の実施例ではホットプレートを
静止し、基板を移動したが、基板を静止しておきホット
プレートの方を移動させてもよい。
静止し、基板を移動したが、基板を静止しておきホット
プレートの方を移動させてもよい。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、リフトオフ法における
下地パターンとしてレジスト膜を用い、加熱時にレジス
ト膜の厚さ方向に温度差を付与した後、所望のパターン
を露光して現像するだけで、リフトオフに有利なアンダ
ーカット形状の開口を形成することができる。
下地パターンとしてレジスト膜を用い、加熱時にレジス
ト膜の厚さ方向に温度差を付与した後、所望のパターン
を露光して現像するだけで、リフトオフに有利なアンダ
ーカット形状の開口を形成することができる。
【図１】現像に要する時間のゲート温度およびベーク時
間依存性を示した図である。
間依存性を示した図である。
【図２】Ｓｃｈｍｉｔの図式解法によるレジスト内温度
分布を示した図である。
分布を示した図である。
【図３】本発明による工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図４】本発明による工程を説明するための断面図であ
る。
る。
【図５】従来の製造工程例を示す断面図である。
３１ 基板 ３２ レジスト膜 ３３ ホットプレート ３４ 紫外光 ３５ アンダーカットパターン ４１ 基板 ４２ レジスト膜 ４３ 真空チャック ４４ 攪拌および温度調整機能付きの槽 ４５ 現像液
Claims (8)
- 【請求項１】基板上に塗布形成されたレジスト膜を加熱
する際に、レジスト膜上面に熱源を前記レジスト膜に接
触しないように設置し、前記レジスト膜内部にレジスト
膜表面から前記レジスト膜と前記基板の界面方向に向か
って温度が低下する温度分布を形成することを特徴とす
るレジスト膜の加熱方法。 - 【請求項２】前記熱源と前記レジスト膜とを、接触する
ことのない位置まで接近させ、所定の時間保持した後、
前記レジストが前記熱源から影響を受けない位置まで離
すことを特徴とする請求項１記載のレジスト膜の加熱方
法。 - 【請求項３】前記熱源および前記レジスト膜の一方を静
止し、他方を移動させることを特徴とする請求項２記載
のレジスト膜の加熱方法。 - 【請求項４】前記基板上に塗布形成された前記レジスト
膜を加熱する際に、予め前記レジスト膜をレジスト膜の
ガラス転移点温度以下でベーキングすることを特徴とす
る請求項１，２または３記載のレジスト膜の加熱方法。 - 【請求項５】請求項１，２，３または４記載のレジスト
膜の加熱方法により、前記基板上に塗布形成された前記
レジスト膜に対して、少なくとも、前記レジスト膜内部
にレジスト膜表面からレジスト膜と基板の界面方向に向
かって温度が低下する温度分布を形成した後、所望のパ
ターンを露光により前記レジスト膜上に転写し、現像す
ることによりレジストパターンを形成することを特徴と
するパターン形成方法。 - 【請求項６】前記所望パターンの露光は、紫外光により
行うことを特徴とする請求項５記載のパターン形成方
法。 - 【請求項７】請求項１，２，３または４記載のレジスト
膜の加熱方法により、前記基板上に塗布形成された前記
レジスト膜に対して、少なくとも、前記レジスト膜内部
にレジスト膜表面からレジスト膜と基板の界面方向に向
かって温度が低下する温度分布を形成した後、所望のパ
ターンを第１の露光によりレジスト膜上に転写し、現像
した後、第２の露光により前記レジスト膜全面を露光す
ることによりレジスト膜の耐熱性を向上させることを特
徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項８】前記第１の露光は、紫外光により行い、前
記第２の露光は、遠紫外光により行うことを特徴とする
請求項７記載のパターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4340072A JPH06188184A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | レジスト膜の加熱方法およびパターン形成方法 |
| US08/353,990 US5498769A (en) | 1992-12-21 | 1994-12-06 | Method for thermally treating resist film and forming undercut pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4340072A JPH06188184A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | レジスト膜の加熱方法およびパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188184A true JPH06188184A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=18333456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4340072A Pending JPH06188184A (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | レジスト膜の加熱方法およびパターン形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5498769A (ja) |
| JP (1) | JPH06188184A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7550043B2 (en) | 2002-12-20 | 2009-06-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AUPR451601A0 (en) * | 2001-04-20 | 2001-05-24 | Fawcett, Alan John | Method and apparatus for the hardening of photopolymer plates |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219520A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02239613A (ja) * | 1989-03-13 | 1990-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 微細パターンの形成方法 |
| TW221318B (ja) * | 1990-07-31 | 1994-02-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP2907971B2 (ja) * | 1990-08-14 | 1999-06-21 | 株式会社東芝 | 半導体素子用パターンの形成または試験方法 |
-
1992
- 1992-12-21 JP JP4340072A patent/JPH06188184A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-06 US US08/353,990 patent/US5498769A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219520A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| US7550043B2 (en) | 2002-12-20 | 2009-06-23 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5498769A (en) | 1996-03-12 |
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