JPS6043655A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS6043655A JPS6043655A JP58152645A JP15264583A JPS6043655A JP S6043655 A JPS6043655 A JP S6043655A JP 58152645 A JP58152645 A JP 58152645A JP 15264583 A JP15264583 A JP 15264583A JP S6043655 A JPS6043655 A JP S6043655A
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- resist
- same
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- resist pattern
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレジストパターンの形成方法に関し、詳しくは
ブランクマスク上に塗布したし゛シスト）漠のベーク後
の冷却工程を改良したレジストパターンの形成方法に係
る。
ブランクマスク上に塗布したし゛シスト）漠のベーク後
の冷却工程を改良したレジストパターンの形成方法に係
る。
従来、ブランクマスク上にレジストパターンを形成する
には、次のような方法が採用されている。まず、ブラン
クマスク上にレジストヲ回転塗涌法や浸漬法により塗布
する。つづいて、ブランクマスク上のレジスト膜を所定
の温度（ｒ ｂ ）でオーブン或いは熱板等の加熱手段
で加熱する、いわゆるベークを行なう。所定時間ベーク
岐、ブランクマスクを常温、常圧中で２０〜３０分同；
ｐｉｊ １１３ｉ自然放冷して室温程度捷で冷却する。
には、次のような方法が採用されている。まず、ブラン
クマスク上にレジストヲ回転塗涌法や浸漬法により塗布
する。つづいて、ブランクマスク上のレジスト膜を所定
の温度（ｒ ｂ ）でオーブン或いは熱板等の加熱手段
で加熱する、いわゆるベークを行なう。所定時間ベーク
岐、ブランクマスクを常温、常圧中で２０〜３０分同；
ｐｉｊ １１３ｉ自然放冷して室温程度捷で冷却する。
次いで冷却後の基板上のレジスト膜にそのレジストに応
じた所定の露光量で−Ｆ光を行々い、（に所定の１ｊＬ
像、リンス処理を力（１してレジストパターン全形成す
る。
じた所定の露光量で−Ｆ光を行々い、（に所定の１ｊＬ
像、リンス処理を力（１してレジストパターン全形成す
る。
しかしながら、従来の方法では自然放冷後のブランクマ
スク上のレジストパターンで感度差が生シ、筒楯度（面
内の均−団の高い）のレジストパターンの形成が困Ｂ￥
であった。
スク上のレジストパターンで感度差が生シ、筒楯度（面
内の均−団の高い）のレジストパターンの形成が困Ｂ￥
であった。
〔発明の目的」
本発明は面内での寸法均一性の高い、高＋ｆｉｖ度のレ
ジストパターンを再現性よく形成し得る方法を提供しよ
うとするものである。
ジストパターンを再現性よく形成し得る方法を提供しよ
うとするものである。
本発明者らは従来方法によるブランクマスク上のレジス
トパターンの抑内不均−化について鋭意研究した請求、
プリベーク後、レジスト膜が被循されたブランクマスク
を平研きにして自然放冷すると、第１図に示す如くブラ
ンクマスクＩの温度はプリベーク時の初助温１ｉ Ｔ
ｏから時間経過に伴なってＴｌ１２１Ｔ３・・・と冷却
される温度分布となり、ブランクマスターの中心部の冷
え方が周辺部に比べて遅く、中心部と周辺部とでは自然
放冷後において温戸“１−差が生じることに起因するこ
とを見い出した。事実、自然放冷により冷却したブラン
クマスク上のレジスト；爵の中心部と周辺部のＩｐｋ
Ｗを調べたところ、第２図に示す如く中心部では曲線へ
の感度！１４゛性を示し、周辺部では曲特りの凪１３：
特性を示し、中心部は周辺に比−゛て感度か低く、自然
放冷後のレジスト臆面内の温度差が感度差に相関するこ
とがわかった。このようにブランクマスクにおいてその
上のレジスト膜の中心部と周辺部とで温度差が生じるの
は、その形状が矩形で、冷却速度の早いコーナ部を有す
るためと考えられ、ウェハのように円形に近いものでは
平置きして自然放冷しても中心部と周辺部との間で顕著
な温度差は生じない。
トパターンの抑内不均−化について鋭意研究した請求、
プリベーク後、レジスト膜が被循されたブランクマスク
を平研きにして自然放冷すると、第１図に示す如くブラ
ンクマスクＩの温度はプリベーク時の初助温１ｉ Ｔ
ｏから時間経過に伴なってＴｌ１２１Ｔ３・・・と冷却
される温度分布となり、ブランクマスターの中心部の冷
え方が周辺部に比べて遅く、中心部と周辺部とでは自然
放冷後において温戸“１−差が生じることに起因するこ
とを見い出した。事実、自然放冷により冷却したブラン
クマスク上のレジスト；爵の中心部と周辺部のＩｐｋ
Ｗを調べたところ、第２図に示す如く中心部では曲線へ
の感度！１４゛性を示し、周辺部では曲特りの凪１３：
特性を示し、中心部は周辺に比−゛て感度か低く、自然
放冷後のレジスト臆面内の温度差が感度差に相関するこ
とがわかった。このようにブランクマスクにおいてその
上のレジスト膜の中心部と周辺部とで温度差が生じるの
は、その形状が矩形で、冷却速度の早いコーナ部を有す
るためと考えられ、ウェハのように円形に近いものでは
平置きして自然放冷しても中心部と周辺部との間で顕著
な温度差は生じない。
そこで、本発明者らはブランクマスクの面内での感度差
が自然放冷時での中心部と周辺部との温度差により起こ
ることを踏えて、レジスト１ρの塗布がなされたブラン
クマスクラ、杉マスクと同一もしくはほぼ同一の熱伝導
率金有する材料からなる枠状部拐に互に百−となるよう
に嵌合させた状態、つまりあたかもブランクマスクの周
囲全枠状部材により水平方向に拡張させるような状態で
ベークした後、そのまま平ｉ＾′きにして冷却したとこ
ろ、ブランクマスク上のレジスト膜が均−Ｈ度に冷却さ
れ、レジストパターンの感ＩＷが一様となり、その後の
露光、現ｆ家処理により高粘度のレジストパターンを形
成し得る方法を（ｔ、い出した。
が自然放冷時での中心部と周辺部との温度差により起こ
ることを踏えて、レジスト１ρの塗布がなされたブラン
クマスクラ、杉マスクと同一もしくはほぼ同一の熱伝導
率金有する材料からなる枠状部拐に互に百−となるよう
に嵌合させた状態、つまりあたかもブランクマスクの周
囲全枠状部材により水平方向に拡張させるような状態で
ベークした後、そのまま平ｉ＾′きにして冷却したとこ
ろ、ブランクマスク上のレジスト膜が均−Ｈ度に冷却さ
れ、レジストパターンの感ＩＷが一様となり、その後の
露光、現ｆ家処理により高粘度のレジストパターンを形
成し得る方法を（ｔ、い出した。
即ち、本発明はブランクマスク上にレジストを幌布し、
ベークした後冷却し、更にＭ’Ａ光、現１盈処理をｈｉ
ｔｉ してレジストパターンを形成する方法において、
前記レジスト塗布がなされたブランクマスクを、β４マ
スクと同一もしくはほぼ同一の熱体４率を有する材料か
らなる枠状部材に互に而−となるように嵌合させた状態
でベークした後、そのまま平置きにして冷却せしめるこ
とｋ ４’Ｇ ｇとするものである。
ベークした後冷却し、更にＭ’Ａ光、現１盈処理をｈｉ
ｔｉ してレジストパターンを形成する方法において、
前記レジスト塗布がなされたブランクマスクを、β４マ
スクと同一もしくはほぼ同一の熱体４率を有する材料か
らなる枠状部材に互に而−となるように嵌合させた状態
でベークした後、そのまま平置きにして冷却せしめるこ
とｋ ４’Ｇ ｇとするものである。
上記レジストとしては、例えばフォトレジスト、遠紫外
レジスト、電子純レジスト、Ｘ？３＋！感応レジスト、
高加・・ｇ Ｘ 、ｉ３ｉ！ ｊ（ｉ％応レジスト、イ
オンビーム感応レジスト臆面内けることができる。
レジスト、電子純レジスト、Ｘ？３＋！感応レジスト、
高加・・ｇ Ｘ 、ｉ３ｉ！ ｊ（ｉ％応レジスト、イ
オンビーム感応レジスト臆面内けることができる。
上記ブランクマスクのレジストＩＫ’Ｃの冷却手段とし
ては、自然放冷、或いは低ｆＡ〆囲気中での冷却等を挙
げることができる。
ては、自然放冷、或いは低ｆＡ〆囲気中での冷却等を挙
げることができる。
上記枠状部材はブランクマスクのプリベース冷却時にお
いて、醍述の如く該マスクをあだかも水平方向に拡張さ
せる役目をする。このたぬ、同枠状部材はブランクマス
クの熱伝導率と同一かもしくはほぼ同一の拐科から形成
することが必璧である。枠状部材の熱漬２．１率がブラ
ンクマスクのそれと大巾に異なると、プリベータ後の冷
却時において枠状部材とこれに嵌合させたブランクマス
クとの境をで温度差が生じ、ブランクマスクの周囲をあ
たかも水平方向に拡張させる作用を介挿できなくカる。
いて、醍述の如く該マスクをあだかも水平方向に拡張さ
せる役目をする。このたぬ、同枠状部材はブランクマス
クの熱伝導率と同一かもしくはほぼ同一の拐科から形成
することが必璧である。枠状部材の熱漬２．１率がブラ
ンクマスクのそれと大巾に異なると、プリベータ後の冷
却時において枠状部材とこれに嵌合させたブランクマス
クとの境をで温度差が生じ、ブランクマスクの周囲をあ
たかも水平方向に拡張させる作用を介挿できなくカる。
具体的にはブランクマスクの基板として熱伝導率０．６
５ ｋｃａｌ／ｍ −ｈ−ｄｅｇのソーダガラスを用い
た坊ｊ合、枠状部材として熱伝導率に１が０．６２＜ｋ
、 ＜０．６８の材料から形成することが望捷しい。ま
た、ブランクマスクの糸枚として熱伝導率１．１６ ｋ
ｃａｌ／ｍ−ｈ−ｄｅｇの石英ガラスを用いた賜金、棒
状）≦１１材として！、八低伝導率２が１．１２＜ｋ２
＜”、２０の材料から形庁することが望ましい。
５ ｋｃａｌ／ｍ −ｈ−ｄｅｇのソーダガラスを用い
た坊ｊ合、枠状部材として熱伝導率に１が０．６２＜ｋ
、 ＜０．６８の材料から形成することが望捷しい。ま
た、ブランクマスクの糸枚として熱伝導率１．１６ ｋ
ｃａｌ／ｍ−ｈ−ｄｅｇの石英ガラスを用いた賜金、棒
状）≦１１材として！、八低伝導率２が１．１２＜ｋ２
＜”、２０の材料から形庁することが望ましい。
〔実施１ｆｌｌ ）
次に、不発明の実施列ケ図面全％照して；祝明する。
まず、寸法４インチ角で熱伝導率が１．１６ｋｃａｌ
／ ｍ −ｈ−ｄｅｇ の石英ガラス板片面にＣｒ 薄
膜を蒸着したブランクマスク？用意し、このブランクマ
スクのＣｒ薄族上にＴｇ＝１００’ＣのＥＢレジスト（
ポリメチルメタクリレート）ヲ回車ｄ＠布して厚さ１．
０μｍのレジスト１換を被榎した。
／ ｍ −ｈ−ｄｅｇ の石英ガラス板片面にＣｒ 薄
膜を蒸着したブランクマスク？用意し、このブランクマ
スクのＣｒ薄族上にＴｇ＝１００’ＣのＥＢレジスト（
ポリメチルメタクリレート）ヲ回車ｄ＠布して厚さ１．
０μｍのレジスト１換を被榎した。
つづいて、紀３図（八） 、 （Ｂ）に示す如＜ Ｆ＋
ｆｆ Ｈｅブランクマスク１５ｆ枠状Ｍ１（材１２の凹
部１３に該マスク１１のレジストＩｌａと部材１２表面
とが互に面一となるように嵌合させた。なお、枠状部材
１２は前記石英ガラス板と同−熱）杉張率の石英ガラス
からなり、その四部１３はブランクマスクＩ７の外径よ
り 太き目の寸法で、深さが同マスク１１の厚さより少
し深い角形をなし、かつ該凹部ＳＩ３と外線との長さΔ
ｅが２インチとなっている。
ｆｆ Ｈｅブランクマスク１５ｆ枠状Ｍ１（材１２の凹
部１３に該マスク１１のレジストＩｌａと部材１２表面
とが互に面一となるように嵌合させた。なお、枠状部材
１２は前記石英ガラス板と同−熱）杉張率の石英ガラス
からなり、その四部１３はブランクマスクＩ７の外径よ
り 太き目の寸法で、深さが同マスク１１の厚さより少
し深い角形をなし、かつ該凹部ＳＩ３と外線との長さΔ
ｅが２インチとなっている。
次いで、ブランクマスクｌｌｆ枠状部材１２と共に１８
０℃の泥Ｉｆで６０分間プリベークした後、そのま１平
ｐ″、Ｉ、きにして室ｊＥｌ中で自然放冷した。この時
、ブランクマスク１１が嵌合された枠状部材１２は第４
図に示す如くプリベーク時の初期温ＩｆＴｏから時間経
過に伴なってＴＩ。
０℃の泥Ｉｆで６０分間プリベークした後、そのま１平
ｐ″、Ｉ、きにして室ｊＥｌ中で自然放冷した。この時
、ブランクマスク１１が嵌合された枠状部材１２は第４
図に示す如くプリベーク時の初期温ＩｆＴｏから時間経
過に伴なってＴＩ。
Ｔ、、Ｔ、・・・と冷却され、枠状部材Ｉ２の周辺で齢
廂勾配をもつ温度分布となる。その結果、ブランクマス
クＩ・ｌの面内はその外周領域の枠状部材１２の存在に
より均一に冷却された。
廂勾配をもつ温度分布となる。その結果、ブランクマス
クＩ・ｌの面内はその外周領域の枠状部材１２の存在に
より均一に冷却された。
次いで、枠状部材からブランクマスクを取り出し、該マ
スクのレジスト膜に加速′電圧２０ｋｅｖ の電子ビー
ムを４．４μＣｌ０ｍ”の露光量で露光した後、２５℃
のＭＩＢＫの現イＪ７液で１３分間処理し、更に２５℃
の工ＡＡのリンス液で３０秒間処理してレジストパター
ンｋ 形成した。
スクのレジスト膜に加速′電圧２０ｋｅｖ の電子ビー
ムを４．４μＣｌ０ｍ”の露光量で露光した後、２５℃
のＭＩＢＫの現イＪ７液で１３分間処理し、更に２５℃
の工ＡＡのリンス液で３０秒間処理してレジストパター
ンｋ 形成した。
しかして、形成されたレジストパターンはブランクマス
クの面内での寸法均一性の高イ、高精度のものであった
。これは、プリベーク、冷却工程において、第４１シ１
に示す如くブランクマスク１１を均一温度に冷却され、
ブランクマスク上のレジスト膜の面内感度を均一化でき
るためである。
クの面内での寸法均一性の高イ、高精度のものであった
。これは、プリベーク、冷却工程において、第４１シ１
に示す如くブランクマスク１１を均一温度に冷却され、
ブランクマスク上のレジスト膜の面内感度を均一化でき
るためである。
なお、上記実施列では角形の四部を有する枠状部材を用
いたが、これに限定されない。例えば、第５図に示す如
くブランクマスクと略同）Ｖさで、同マスクの外径と同
形の角状貫１屯穴を有する枠状部材１２′ヲ用いてもよ
い。
いたが、これに限定されない。例えば、第５図に示す如
くブランクマスクと略同）Ｖさで、同マスクの外径と同
形の角状貫１屯穴を有する枠状部材１２′ヲ用いてもよ
い。
上記実２１Ｉ！１例では四部の外踪の長さΔｌがブラン
クマスクの１／２ （２インチ）の枠状部拐を用いたが
、杉長さが四に長いものを用いても勿論よい。こうした
枠状部材を用いればブランクマスクの面内均−冷却をよ
り一層図ることができる。
クマスクの１／２ （２インチ）の枠状部拐を用いたが
、杉長さが四に長いものを用いても勿論よい。こうした
枠状部材を用いればブランクマスクの面内均−冷却をよ
り一層図ることができる。
以上詳述した如く、本発明によれば面内での寸法均一性
の高い、筒精匣のレジストパターンをブランクマスク上
に再現性よく形成でき、ひいては微；１＋ｌかつ高精度
のマスクを駄産的にソｆ８造できる等麺著万効果を有す
る。
の高い、筒精匣のレジストパターンをブランクマスク上
に再現性よく形成でき、ひいては微；１＋ｌかつ高精度
のマスクを駄産的にソｆ８造できる等麺著万効果を有す
る。
第１図は従来法におけるプリベーク後にブラックマスク
上のレジスト験ヲ自然放冷した時の温度分布を示す図、
第２図は従来法で自然冷却したレジスト膜の中心部と周
辺部の感度を示す特性図、第３図（Ａ）はプリベーク、
冷却時のブランクマスクの状態を示す平面図、同図ＣＢ
）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面１ｇ１、第４図は
本発明の実施例における自然放冷時のブランクマスク、
枠状部材の温口〔分布を示す図、第５図は本発明方法に
用いる枠状部材の他のｌし態を示す斜徘図である。 １１・・・ブランクマスク、１２．１２’・・・枠状部
材、１３・・・凹部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 露克量 第３図 （Ａ） 第４図
上のレジスト験ヲ自然放冷した時の温度分布を示す図、
第２図は従来法で自然冷却したレジスト膜の中心部と周
辺部の感度を示す特性図、第３図（Ａ）はプリベーク、
冷却時のブランクマスクの状態を示す平面図、同図ＣＢ
）は同図（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面１ｇ１、第４図は
本発明の実施例における自然放冷時のブランクマスク、
枠状部材の温口〔分布を示す図、第５図は本発明方法に
用いる枠状部材の他のｌし態を示す斜徘図である。 １１・・・ブランクマスク、１２．１２’・・・枠状部
材、１３・・・凹部。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 露克量 第３図 （Ａ） 第４図
Claims (1)
- ブランクマスク上にレジストを塗布し、ベークした後冷
却し、更に所定波長域の電磁波或いは所定エイ・ルギー
の粒子線の照射（以下、ｒｉ光と称す）、現像処理を施
してレジストパターンを形成する方法において、前記レ
ジスト塗布がなされたブランクマスクラ、該マスクと同
一もしくはほぼ同一の熱伝導率を有する相料からなる枠
状部材に互に面一に嵌合させた状態でべ一りした後、そ
のまま平置きにして冷却せしめることを特徴とするレジ
ストパターンの形成方九
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152645A JPS6043655A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58152645A JPS6043655A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6043655A true JPS6043655A (ja) | 1985-03-08 |
| JPH0572579B2 JPH0572579B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=15544934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58152645A Granted JPS6043655A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6043655A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228540B1 (en) | 1998-02-26 | 2001-05-08 | Sharpe Kabushiki Kaisha | Method of forming a photomask of high dimensional accuracy utilizing heat treatment equipment |
| JP2007164047A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Advanced Color Tec Kk | フォトマスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483368U (ja) * | 1977-11-15 | 1979-06-13 | ||
| JPS5863134A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Hitachi Ltd | レジスト硬化方法及びその装置 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152645A patent/JPS6043655A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5483368U (ja) * | 1977-11-15 | 1979-06-13 | ||
| JPS5863134A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Hitachi Ltd | レジスト硬化方法及びその装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6228540B1 (en) | 1998-02-26 | 2001-05-08 | Sharpe Kabushiki Kaisha | Method of forming a photomask of high dimensional accuracy utilizing heat treatment equipment |
| JP2007164047A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Advanced Color Tec Kk | フォトマスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572579B2 (ja) | 1993-10-12 |
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