WO2007037553A1 - 金属配線付き基板の製造方法 - Google Patents

金属配線付き基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007037553A1
WO2007037553A1 PCT/JP2006/320041 JP2006320041W WO2007037553A1 WO 2007037553 A1 WO2007037553 A1 WO 2007037553A1 JP 2006320041 W JP2006320041 W JP 2006320041W WO 2007037553 A1 WO2007037553 A1 WO 2007037553A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
reverse
substrate
resin
hatano
theta
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/320041
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2007037553A9 (ja
Inventor
Tomohiko Ushijima
Takeo Fujino
Original Assignee
Zeon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeon Corporation filed Critical Zeon Corporation
Priority to CN2006800362612A priority Critical patent/CN101278239B/zh
Priority to JP2007537783A priority patent/JP4978800B2/ja
Publication of WO2007037553A1 publication Critical patent/WO2007037553A1/ja
Publication of WO2007037553A9 publication Critical patent/WO2007037553A9/ja

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G03F7/405Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0272Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/04Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching
    • H05K3/046Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer
    • H05K3/048Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed mechanically, e.g. by punching by selective transfer or selective detachment of a conductive layer using a lift-off resist pattern or a release layer pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0562Details of resist
    • H05K2203/0594Insulating resist or coating with special shaped edges

Definitions

  • the present invention is a liquid crystal display (LCD), organic electrium, non-taste, play, plus plastic, (PDP). About last. More details ⁇ Using a light-resin composition with reverse-there-like Rensto Hatano; C-lift-off method for producing ⁇ ⁇ BHf size ⁇
  • a metal shell is formed on a substrate by a lift-off method, usually a cross-section or a Renst material family that can form a Nosthatano is used.
  • lead-off is formed by lift-off method: (1) A Lentst film is formed on S3 ⁇ 4 using an unsaturated material. (2) A Neka-type Lensthattano (unformed) is formed by hatching the Lenost film. (3) Including cadence lens »Form a brown film by depositing ⁇ on the entire surface. (4) Develop the entire surface by dissolving ⁇ 1 categorized lenost hatano. In the above step (4), the film on the negative type Rensthatano or the film on the opposite side remains in the form of notano.
  • F ig 1 (a) F ig 1 (b) and F ig 1 (c) are explanations showing an example of the process by the lift-off method.
  • the selfish process (2) as shown in Fig. 1 (a), if the cross-sectional non-type Rensthatano 2 is formed on S3 ⁇ 4 1, the next process (3) » Since the film is formed, it is considered as the film on the upper side and the film on the Renost Hatano. Therefore, if Lensthatano is removed in the step (4), not only will it be a month, but also a portion of the tea ceremony S on the continuous substrate will be lost.
  • non-photo-type photolenst has been used as the photorenost that forms the reverse theta-shaped remnant hatano.
  • Examples are (X) exposure to light followed by components that crosslink by reason (Y) alkali-soluble resin and (Z) containing at least one compounding ⁇ !
  • the proposed method is to create a reno of the reverse theta by using a horn type lent of a single norihasanore type, and a method of forming a turno by the lift-off method (for example, using a transparent roughened back surface)
  • a method of forming a reverse theta-like Lensthatano using a tongue even if it is in the form of a material (e.g., by forming a cyclized comb-type non-Lenst film on a patented Lenst film)
  • these methods are not only difficult to form but also difficult to form well-shaped records.
  • Size The present invention makes use of a substrate provided with a reverse theta-like Renst Hatano obtained by operating a general-purpose and inexpensive phone-type photolens under such circumstances. Some of them have been manufactured well.
  • the present inventors applied the composition on the surface to form enormous amounts, and formed a reverse theta-like remnant hatano to repel this ⁇ As a result, the present invention has been found and the present invention has been made based on this finding.
  • step (b) Drying in step (b) jgffi force 5 to 40 OOP a
  • the production of the tree arrangement size warehouse of the present invention has the following steps (a), (b) and X (3) (e).
  • the reverse theta-shaped Lensthatano is an angle ⁇ or 0 ° or ⁇ ⁇ 90, which is generated in Lensthatter in the cross-sectional shape of Lensthatano on the upper side of 3 ⁇ 4t as F i. Renstohatano that can satisfy [[Process (a)]
  • This process is a process of forming enormous amounts by applying ( ⁇ ) alkali-soluble resin (*) quinonoanotohi (C) ⁇ U photopolymer extinction containing U
  • Al-soluble resin is not limited to the current resin that consists of Al-Fe tfe night.
  • the resin include photosensitive resin, such as Noholanoc resin, Renol resin, Atalinole resin, styrene-acrylic acid copolymer, ⁇ , and nitroquinostyrene polymer.
  • Noholanok resin or preferred resin can be placed on the shelf and combined with two or more types ⁇ : Shelf and fiit-noholanoc resin is obtained by condensing a phenolic compound and an ano ⁇ humanized ⁇ . Noholanok type phenol resin.
  • Phenolation used to produce Noholanoc resin is monovalent or bivalent or higher than that of Renorenoinono.
  • One type of phenolic compound may be used quickly, or two or more types may be combined.
  • Phenolication ⁇ J to condense with J may be any of human and aromatic aromatics.
  • One of these ananohuman compounds can be used as a bug or two can be used.
  • noholanoc resin In the production of noholanoc resin, phenolization, ano-humanization, and acid reversal are performed by P.
  • As an acid butterfly we can use oxalic acid nouric acid p-toluenosulfono ⁇ .
  • Condensed ⁇ fe product can be used as a noholanoc resin as it is
  • Alkali-soluble resin can be used by separating and removing low molecular weight 3 ⁇ 4fe part. Seeds of seeds in a single liquid fraction / low molecular weight fraction is removed by centrifugation or is thin.
  • the obtained condensation ⁇ / T ⁇ fe product of ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ resin is good Alcohol of Aichinore Ethanono ⁇ Acetone Methyl ethino lektono Alkylene Crycolic Monoethyl Acetate etc. It dissolves in ether sickle etc. Next, you can get underwater shelves that have been removed from the lower molecular weight ft *.
  • the amount of the Al-soluble soluble noholanoc resin used in the invention according to the present invention is the same amount, usually 2 0 0 to 2 0, 0 0 0, preferably 2, 5 0 0 to 1 2, 0 0 or 3 , 0 0 to 8, 0 0 °.
  • the weight-average molecular weight can be determined or regulated by the Kel-Haromatoclaffey (GPC) method, with the early hour being tetrahedrofurano (TH F) and night.
  • the component (B), quinonoa Specific examples of acid halides include 1,2-naphthoquinonoanoto-5-ite 1 2-naphthoquinonoanoto-4-sulphonyl chlorite 1, noanoto 6-sulfonyl chlorite, and the like.
  • the amount of this (B) component containing quinonone end group ⁇ ) is self (A) component resin, usually 5 to 50 parts by weight, preferably 15 to 4 0, preferably 20 ⁇ 40 parts by mass.
  • This blending amount or the above BIS range is better than reverse nosthatano formation, and the strength and accuracy are more accurate! Resolving Special photo-sensitive shelves that are excellent in haranos, f can be obtained.
  • ⁇ lj of the component (C) in the photopolymer resin used in the present invention is not particularly limited as long as it dissolves the inclusion of the quinonone ant group and the alkylene crycol type i3 ⁇ 43 ⁇ 4IJ ether type ⁇ IJ ester type ⁇ IJ ⁇ i will be able to shelve the IJ Imit Aito.
  • ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ are 1 or 3 or a combination of two or more.
  • the content of the ladle is suitable considering the solid content of the photosensitive resin composition described later.
  • alkylene cricoyl series ij include ethenoglycol monoethylene ethylene cricono! Rickino rete nore no ethylene cricore mono mono ethylene crico monore monoethylenoate nore Ricono Reno Echinolee 1 Tenno's Ethylene Criconole Reno Renore Reno Criconole Monomethenore Ete Nore Pro-Hylene Cricozore Mono-Ethinore Héren Criconole Mononore Renoate / Le Ethylene Cliconore Mono Mechinole Methyl onoate 3-ethylquinoprohynoate ethinole Methyl lactate 7 Acid lactones can be listed.
  • fragrances such as toruenoquinolene 3 ⁇ 4K
  • ketono ⁇ IJ methylethinoreketono 2-heptanonone can be mentioned.
  • N, N-no-methylacetoamito N-me can be listed.
  • Photosensitive resin yarns used in the present invention contain i ⁇ rni of ⁇ 0 as desired, adhesion promoters for improving the adhesion to the materials, and dyes. I will come to let you.
  • Norikon type surface active agent IJ agent It is done.
  • These surface activity ⁇ can be 1 or 2 or more types can be combined and shelves.
  • Noricon-based surfactant [ ⁇ IJ is a surfactant with a Noroxano bond.
  • Specific examples include SH28PA, SH29PA, SH30P, modified corn oil, SF8410, SF8427, SH8400, ST83PA, ST86PA (and above, Toray Tauco, 12Noku, Noriko, 21 KP323, KP324, KP340, KP, 341, and Shinshinetsu, TSF400, TSF401, TSF410, TSF4440, TSF4, 4446 and above.
  • Noriko-None ⁇ S3 ⁇ 4 can be raised.
  • Fluorocarbon-based interfacial activity U is an interfacial activity IJ with fluorocarhonos. Specific examples include Fluorinert [Product Name] FC—430 Same F Above Sumitomo 3EM] Surflon [Product Name] S—141 Same S—1 71 It is possible to raise F472SF, F475, etc.
  • holioquinoethylene or an interface with virginity comes.
  • Specific examples include horioquinoetilenolaurylate chillenoste alinole ter holioquino ethyleneoleino tere hol octino refenyl ether holio quinoethylene nonyl phenyl tequilol nolaurate
  • the amount of shelf of these surface active IJs is 1 mass ppm, preferably 200-2 000 mass ppm for photosensitive raw resin and soot. If this range is used, coating unevenness occurs in the coating film.
  • melamination ⁇ and noranonation ⁇ I or melamination ⁇ As a specific example of J, Cymel (Cyme 1) —300 Tenocinostat lease column] MW-3 OMH MW-30 MS— 1 1 MX- 750 MX- 706 [Sanka Chemicanolene ijf]
  • the amount of shelves is usually from 0 to 18 parts by mass, more preferably from 1 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin. .
  • noranolysis ⁇ include hininotrimetoquinomelano nonorano hininoretris (2-methoxyquinotokin) melano N— (2-aminoaminopropyl quinometoquinomelano N— (2-aminoethyl) -13 trimetoquinomelano 3-aminominopro Hiltrietoquinomelano 3—Grinoletrime Tokinomelano 3—Clinotoquinopro Hill Methylome Toquino Noehokino Black Hekino-no-) FTPROHI / Retrime Tokinonorano Oligoesters Horihito Kinohis Fueninorea / Recanos Horihi Toruaruka ⁇ Horihitorokino Tetrakisfuenyl Alka ⁇ ! Masle.
  • the photosensitive resin used in the present invention is an alkali-soluble resin group-containing compound as described above.
  • Adhesion promoter Dye Sensitivity Low It can be prepared by mixing various varieties / Kongoi I »with cat IJ. There is no limitation for each ingredient / Kongo etc.
  • Ingredients other than the solid content of the resin photosensitive resin composition used in the present invention are not limited or not normally 6 to 30% by mass, preferably 7 to 25% by mass to 20% by mass. By setting the solid content within this range, it is possible to develop the coating ⁇ without using it.
  • the above-mentioned coating method of the above-mentioned photopolymer resin can be applied to these candy, and it may be rubbed.
  • various methods such as the spray method, roll roll cloth / stainless shine coating method, etc. Of these methods, the suhinores trinot coat method is preferred.
  • SHINOTO / KYOTO is a photosensitive resin composition that can be applied without moving the sinoto that is used to move the sinoto.
  • SHINORES SHINOTOT COATING Forming a layer.
  • ⁇ ⁇ Pressure and pressure conditions of the equipment To iiffi force: Specified by the time required to reach normal pressure at room temperature 5-4 OOOPa preferably 10-1 OO or preferably 20-300 Pa Te line is good. If this exceeds itEE power or 5 Pa or 4, OOOPa, there is a reverse-stair-shaped Renst Hatano form.
  • ⁇ 3 ⁇ 4 ⁇ means below 13,000 OPa. Is there no particular limitation on the time required for drying III? »And the amount of resin ⁇ 3 ⁇ 4 The amount of the honobu's exhaust capacity What should I consider? Usually 1 second to 30 minutes, preferably 5 seconds to 10 minutes Second to 5 minutes, particularly preferably 30 seconds to 2 minutes .
  • This process is a process of forming a heart-shaped Rensthatano, which is obtained by subjecting the sensation ⁇ ⁇ ⁇ formed in the disgusting process (b) to Hatano exposure.
  • a habitano having a predetermined shape is formed on the photosensitive layer through active mask light via a normal mask hatano (hatano exposure).
  • development with this potash developer is performed to form the desired Rensthatano.
  • the type of activity used in the present invention is not particularly limited, and examples thereof include a visible ray, an X ray and the like, and a visible ray and an ultraviolet ray are particularly preferred.
  • Akira t ⁇ im Purpose It is possible to set it arbitrarily in consideration of the film etc. There is no particular limitation on the alkaline developer used for development of the award-winning hatano. Word You can get Nosthatano by doing Mg Mg for 2 to 90 minutes.
  • the Renst Hatano obtained in this way has an inverted Tenno-shaped cross section [step (d)]
  • This process is a process of attaching metal to the reverse-there-shaped Renstohr plate obtained by the selfishness (c) process.
  • Deposition of the entire genus is usually accomplished by evaporating the substrate with a reverse Tenno-shaped Lensthatano. As a result, the entire surface of the sickle is laid.
  • these elements can be mentioned as containing gold.
  • This process is a process of removing both the lenticular lantohatano and the deposited film deposited on it by the lift-off operation, and the entire surface is removed by the process (d).
  • an adhesive film when it is formed, it will be formed on the reverse side and on the reverse-theor-like Lenost Hatano as shown in Fi. There, it takes a lift-off operation It is recommended to immerse it in the stripping solution for Renost usually for about 1 to 30 minutes and remove both the Renst grouper adhesion film.
  • the desired board with metal wiring can be obtained as described above.
  • the reverse-theta-shaped rendest sickle that can be obtained by a simple operation with a mold photo lens is used to place a shelf. EHf-sized sickle is produced on the 3 ⁇ 4f side and manufactured well.
  • the present invention is also one of the following: (a) »_ b (A) Alkali is possible Non-noanoto group-containing ⁇ and (C) ⁇ U-photosensitive 14 Step of forming resin, product (b) Step of forming a self-coating film and forming a photosensitive layer
  • the method of manufacturing the balance sickle according to the present invention has the disgust (a) described above, and is easily carried out in accordance with the description of the process relating to those processes.
  • Table 1 shows the result of the hatan shape of the brown film after peeling and peeling as well as the ultimate pressure and treatment time during ffi treatment.
  • the Lentst shape the reverse theta-like Lensthattano is formed.
  • Table 1 shows the evaluation results of the Hatano shape of the metal deposition film after the Renst Hattan. Comparative Example 1
  • the present invention makes it easy to operate with a general-purpose, inexpensive phone-type photo lens.
  • the lift-off method can be used to produce the Sf surface with high productivity.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(a)基板上に、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)溶剤を含むポジ型感光性樹脂組成物を塗布し、塗膜を形成する工程、(b)前記塗膜を減圧乾燥して感光層を形成する工程、(c)前記感光層をパターン露光したのち、現像して逆テーパー状のレジストパターンを形成する工程、(d)前記(c)工程により得られた逆テーパー状のレジストパターンを有する基板に対して金属を蒸着する工程、及び(e)リフトオフ操作により、前記(d)工程で金属蒸着した基板から逆テーパー状のレジストパターンとその上の金属蒸着膜とを共に除去する工程を有する、金属配線付き基板の製造方法。汎用のポジ型フォトレジストにより得られる逆テーパー状のレジストパターンを設けた基板を利用し、前記基板を安価に生産性よく製造できる。

Description

酉 am寸さ籠の製:^法
¾if分野 本発明は 液晶ティスプレイ (LCD) 有機エレクト口ルミ不ノセ テイスプレイ プラスマティスプレイハ不ル (PDP) なとのフラノト ィの ί懷に有用な^ 酉 Ξ»寸き難の製]^/去に関する。 さらに詳しく ^^光性樹脂組成物を用いて逆テーハー状のレンストハターノを有す を用い; Cリフトオフ法により膽己 酉 BHf寸き纖を製造する方/去に関 明
背景謹 リフトオフ法により基板上に金属酉 alを形成する場合 通常 断面か ノストハターノを形成することかてきるレンスト材科か用いられる。 例えは リフトオフ法により導 、ターノを形成する: (1)不カ 物を用いて S¾ にレンスト膜を形成する (2)該レノスト膜をハター 像して ネカ型レンストハターノ (不カ^を形成する (3)不カ型レンス 含む »反全面に^ を蔹着させて茶着膜を形成する (4)»及全体を カ型レノストハターノを ^1溶解させる という" の工程により » ノを形成している。 上記工程(4)ては ネガ型レンストハターノ上にある れ 反上の 着膜かノヽターノ状に残ることになる。
F i g 1(a) F i g 1 (b)及ひ F i g 1(c)は リフトオフ法によ プロセスの 1例を示す説明 0てある。 嫌己工程(2)において F i g 1(a)に示すように S¾ 1上に断面 不カ型レンストハターノ 2か形成されておれは 次の工程(3)て »反全 着膜か形成されるため、 »反上の蔹着膜とレノストハターノ上の蔹着膜と される。 そのため 工程(4 )てレンストハターノを除去すると その上 月莫たけてはなく それに連続している基板上の茶着 S莫も その一部又は れてしまう。
従来 逆テーハ一状のレンストハターノを形成てきるフォトレノストと て不カ型フォトレンストか用いられている。 例 は(X)光線による露光 続く 理によって架橋する成分 (Y)アルカリ可溶 樹脂 及ひ ( Z) 収する化^!を少なくとも一種含有し 力つ アルカリ
Figure imgf000004_0001
徴とするリフトオフ法によるハターノ形成用不カ型感光 »滅物 (例えは 昭)か知られている。
しかしなから 不カ型フォトレンストを用いる方/去は 露光後へーク たり 長い露光時間を要したりして 生産性か低く またフォトレンスト 高価てあるなとの問題を有してレ、る。
一方 これまて逆テーハー状のレンストハターノは 通常のホ^フオ 形成か困難てあると考えられてき ^ そこて レンスト糸诚物や工程を により 逆テーハー状のレンストハターノを形成する方/去カゝ提案されてい 一ノリハーサノレタイプのホン型レンストを用いて 逆テーハー坎のレノス 成し さらにリフトオフ法により 、ターノを形成する方法 (例えは 精 裏面を粗化した透明 を用い それによる光の舌,を利用して ホ 物ても逆テーハー状のレンストハターノを形成する方法 (例えは 特許文 型レンスト膜の上に環化コム系の不カ型レンスト膜を « させることによ 化したリフトオフ法によるハタ一ノ形^去 (例えは特許文献 4参昭)か しかしなから これらの方法は 操作か てある上 良好な形状のレ を形成しにくいなとの欠占を有してレ寸 本発明は このような事隋のもとて 汎用の安価なホン型フォトレンス 操作て得られる逆テーハー状のレンストハターノを設けた基板を利用し より 酉 ¾S†き ¾t反を安価に^ ø よく製造する方法を すること れたものてある。
本発明者らは 藤己目的を誠するために銳啻研究を重ねた結果 ホ 成物を用い 上に塗布して 莫を形成し この■を 喿するこ に逆テーハー状のレンストハターノを形成することかてき その目的を 見出し この知見に基ついて本発明を^するに至った。
すなわち 本発明は
(l) (a)旌上に (A)アルカリ可溶性樹脂 (B)キノノノアノト基含 竊 ijを含むホン型感光 樹脂組成物を塗布し ^!莫を开诚する工程 (b) ¾喿して感光層を形成する工程 (c tfjts^ ^iiをハターノ露光したのち 一ハー状のレンストハターノを形成する工程 ( d)歯己(じ)工程により 一状のレンストハターノを有する に対して全属を蔹着する工程 及 操作により tilt己(d)工程て^ 蔹着した »反から逆テーハー状のレンス の上の 蔹着膜とを共に除去する工程を有する 酉 EHftき »反の製
(2) (b)工程における 乾燥を 到 jgffi力 5〜4 0 OOP aの条件 項に f の製:^法 及ひ
(3) (a)¾fcbに (A)アルカリ可溶性樹脂 (B)キノノノアノト基含有 ί¾刻を含むホン型感光性樹脂組成物を塗布し 塗膜を开诚する工程 (b) して感光層を形成する工程 及ひ(c)前言 光層をハターノ露光した 逆テーハー状のレンストノ、ターンを形成する工程を有する 逆テーハー状 ーノを有する »反の製;^法
を ί ^するものてある。 3 3,は蔹着膜てある 発明を実施するための最良の开態
本発明の^ 配樹寸き蔵の製: ^法は以下に示す(a )工程 ( b ) X ェ¾¾ひ(e )工程を有する。
なお 本明細書において 逆テーハー状のレンストハターノとは F i ように ¾t反上のレンストハターノの断面形状において レンストハター に生する角度 αか 0° く α < 9 0。 を満たし得るレンストハターノをいう [ ( a )工程]
この工程は »肚に (Α)アルカリ可溶性樹脂 (Β)キノノノアノト ひ ( C)絲 Uを含むホ ^^光性樹脂茅滅物を塗布し 莫を形成する工程
Itit己 (A)成分のアル力リ可溶性樹脂は アル力リ tfe 夜等からなる現 樹脂てあれは特に限定されなレヽ。 当該樹脂としては の感光 樹脂, ている樹脂 例えは ノホラノク樹脂 レノール樹脂 アタリノレ樹脂 ホ ール スチレン一アクリル酸共重^ Φ ヒ トロキノスチレン重合体 ホリ ノへノノエート等を挙けることかてきる。 中ても ノホラノク樹脂か好ま 樹脂は 1■を て棚してもよく 2種以上を組み合^:て棚して fiit己ノホラノク樹脂は フエノーノレ化合物とァノ ί ^ヒト化^とを縮合 て得られるノホラノク型のフエノール樹脂てある。
ノホラノク樹脂を製造するために用いられるフエノール化^)は 一価 あっても レノノレノノ一ノ の二価以上の {面フエノ一ノレてあってもよレヽ 一価のフエノーノレ化^?の具体例としては 例えはフエノーノレ ο—ク クレノーノレ m—クレノーノレのクレノール 3 5—キノレノー/レ 2 , 5 2 3—キノレノール 3 4—キノレノーノ^のキノレノーノレ 2—ェチ キノフエノーノレ p—エトキノフエノーノレ m—エトキノフエノーノレ 2 フエノーノレ 2, 5—ノメ トキノフエノーノレ 3 5—ノメ トキノフエノ ノフエノーノレ 2—フエニノレフエノーノレ 3—フエニノレフエノーノレ 4 —ノ^のァリールフエノール o—ィノプロへユルフェノール p—ィ ノール 2—メチノレ一 4一イノプロへ二ノレフエノール 2—ェチル一4 フエノ一ノ のアルケニノレフェノール 等を挙けることかてきる。
面フエノール化^の具体例としては レノルノノール 2—メチル 4—メチノレレノルノノーノレ 5—メチルレノルノノーノレ 2—メ トキノ 4—メ トキノレノルノノール ヒトロキノノ 力テコーノレ 4— t—フ 3—メ トキノカテコール 4 4,ーノヒトロキノヒフエ二ノレ ヒスフエノ ローノレ フロログリ ノノーノレ 等を挙けることかてきる。
これらのフエノール化合物のうち o—クレノール m—クレノーノレ 2 , 5—キノレノーノレ 3 , 5—キノレノール 2 3 , 5—トリメチノレフ レ、。
フエノールイ匕合物は 1種類を早独て使用してもよく 2種以上を組 てもよい。
フエノール化^ Jと縮合させるァノ ヒト化^!は 月旨脑ァノ ヒト ヒト及ひ芳香族ァノ ヒ卜のいすれてあつてもよい。
月旨雌ァノ ヒトの具体例としては ホルムァノ! ^ヒト ハラホルム ォキサン ァセトァグ ヒ ト プロヒォノアノ^ ヒト n—フチノレアノ ルァノ ヒト トリメチノレアセトァノ ヒ ト n—へキノルァノ ヒト クロトノアノ!^ヒト等を挙けることかてきる。
月旨環式アノ^ ^ヒ トの具体例としては ノクロへキサノアノ ヒ ト ノク テヒト フルフラーノレ フリルァクロレイノ等を挙けることかてきる。 ニスァノ ヒ ト p—ァニスァノ ヒ ト テレフタノレアノけヒ ト フエ ヒ ト ct—フエニルプロヒオノァノ ヒト ]3—フエ二ノレプロヒオノアノ
/ ヒト等を挙けることかてきる。
これらのァノ ヒト化合物は 1種類を 虫て棚してもよく 2種 て使用してもよレ、。
ノホラノク樹脂の製造にぉレヽてフエノール化^とァノ ヒト化^ Iと 酸翻蝶の械下' ^ Pの方法て行 はよレ、。 酸 蝶としては 麵 酸 ノユウ酸 p—トルエノスルホノ^を使用することかてきる。 力、 られる縮合 ^fe物はそのままノホラノク樹脂として使用することか アルカリ可溶 樹脂は 低分子 ¾fe分を分別除去して用いることかてき 分を除去する /去としては 例えは異なる翻針生を有する 2種の激某中 液一液分別/ 低分子 分を遠心分離により除去するか法 薄 とかてきる。
例えは 廳己ノホラノク樹脂の 得られた縮合^/ T^fe物を良 一ノレ エタノーノ^のアルコール激某 アセトン メチルェチノレケトノ エチレンクリコールモノェチルエーテルァセテ一ト等のアルキレンクリコ ラヒトロフラノ等のエーテル鎌 等に溶解する。 次いて水中に庄いて より 低分子 ft*分か除去されたノホラノク棚旨を得ることかてきる。 本発明にぉレヽて^ iに使用されるアル力リ可溶性ノホラノク樹脂は そ 量か 通常 2 0 0 0〜2 0 , 0 0 0 好ましくは 2, 5 0 0〜 1 2 , 0 0 くは 3, 0 0 0〜8 , 0 0◦のものてある。 なお 重量平均分子量は 早 ノを椁 とし テトラヒトロフラノ (TH F)を雄夜としてケルハ ロマトクラフィー (G P C)法により/則定することかてきる。
本発明に用いるホノ型感光性樹脂組成物におけ 6 (B)成分のキノノノア 酸ハライトとしては 具体的に 1, 2—ナフトキノノノアノト一 5— イト 1 2—ナフトキノノノアノト一 4—スルホニルクロライト 1, ノアノト一 6—スルホニルクロライト等か好ましいものとして挙けられ また 本発明におレヽて好適に用いられる 酸ハライトと縮合^:可能 ィ匕合物としては 例えは 2 3, 4ートリヒ ト口キノへノノフエノン 2 トロキノへノノフエノン 2 3, 4 4,ーテトラヒ トロキノへノノフエ 4 —テトラヒ トロキノへノノフエノノ 2, 2, 3, 4, 4,一へノタヒト ノノ等のホリヒト口キノへノノフエノン 子酸メチル 没食子酸ェ ロヒノ^の/殳食子酸エステル 2 2—ヒス(4—ヒトロキノフエニル)プ ヒス(2, 4—ノヒ トロキノフエ二ノレ)プロハン等のホリヒ トロキノヒス ノ トリス(4—ヒトロキノフエニル)メタノ 1, 1 1—トリス(4—ヒ チノレフェニノレ)ェタノ 1, 1, 1—トリス(4—ヒ トロキノフエニル)ェタ (4—ヒ トロキノー 3—メチノレフエ二ノレ)一 1— (4ーヒ トロキノフエ二ノレ —ヒ トロキノ一 3—メチノレフエ二ノレ)一 2—ヒ トロキノ一 4—メ トキノ 4 4,一(1— (4— (1— (4—ヒ トロキノフエニル)一 1—メチルェチ リテン)ヒスフエノーノ P のホリヒト口キントリスフエ二ルアルカノ 1 ラキス(4—ヒトロキノフエニル)ェタノ 1 1, 2 2—テトラキス(3 トロキノフエ二ノレ)ェタノ 1, 1 3 3—テトラキス(4—ヒトロキノフ 等のホリヒト口キノテトラキスフエニルァノレカノ α, α α', α,ーテト 口キノフエ二ノレ)ー3—キノレン ひ, α a CK,一テトラキス(4—ヒト —4—キノレン a ct,, α,一テトラキス(3—メチル一4—ヒトロキ —キノレノ等のホリヒ トロキノテトラキスフエ二ノレキノレノ, 2 6—ヒ 口キノへノンノレ)一 ρ—クレノー/レ 2, 6—ヒス(2, 4—ノヒ トロキノ ノル)一 ρ—クレノール 4, 6—ヒス(4—ヒトロキノへノノル)レノル 例 は 酸ハライトと水 を有する化^との^:は 通常 ノォキ ルヒロリ トノ ンメチルァセトァミ ト等の有機 ί¾某中 トリエタノーノレア 力リ又は炭 ¾素アル力リのような^ 合剤の 下て行う。 得ら トスルホノ酸エステルのエステル化车は 好ましくは 5 0モル0/ oU上 よ 0モル%以上てある。 なお エステル化车は 酸ハライトと水 を有 合比により决定される。
この(B)成分のキノノン了ノト基含有化^)の配合量は 己 (A)成 性樹脂 1 0 0質量部当たり 通常 5〜5 0質量部 好ましくは 1 5〜4 0 ましくは 2 0〜4 0質量部てある。 この配合量か上言 BIS囲内てあれは 逆 ノストハターノの形成 かより良好て し力も実 度と歹刻!^ 解像 特 のハラノスに優れるホ^感光性棚旨, f滅物か得られる。
本発明に用いるホ^ M感光 樹脂 物における(C)成分の竊 ljは ア 月旨及ひキノノンアント基含有化^を溶解するものてあれは特に限定され アルキレンクリコール系 i¾¾IJ エーテル系歸 IJ エステル系竊 IJ 昃ィは ノ系 IJ アミト系翻等を棚することかてきる。
これらの ί¾ ^は 1 ,を¥¾1て又は 2種以上を組み合 ¾:て用レヽるこ の含有量は 後述する感光 樹脂組成物の固形分含量を勘案して適 い。
アルキレンクリコ一ル系歸 ijの具体例としては ェチレノグリコールモ ノレ エチレンクリコーノ! ノェチノレエーテノレ ノエチレンクリコーノレモノ ノエチレンクリコ一ノレモノエチノレエーテノレ ノエチレンクリコ一ノレノメチ エチレンクリコーノレノエチノレエ一テノ^のエチレンクリコーノレアノレキノレエ レノクリコーノレモノメチノレエーテノレ プロヒレンクリコーゾレモノエチノレエ ヒレンクリコーノレモノァノレキノレエーテ/レ エチレンクリコーノレモノメチノレ オノ酸メチル 3—エトキノプロヒオノ酸ェチノレ 乳酸メチル 7し酸ェ ラクトン等を挙けることかてきる。
ィは素系 の具体例としては トルエノ キノレン等の芳香 ¾Kィ ことかてきる。
ケトノ系^ ¾IJの具体例としては メチルェチノレケトノ 2—ヘプタノ ノン等を挙けることかてきる。
ァミト系歸 IJの具体例としては N, N—ノメチノレアセトァミ ト N—メ 等を挙けることかてきる。
本発明に用いるホ 感光性樹脂糸滅物には 所望により ^0の各 i^rni、言 滅物と との密着性を向上するための密着促進剤 染 可歸 安; ^^なとを含有させることかてきる。
本発明て棚し得る界面活醜としては ノリコーン系界面活随 IJ フ 剤
Figure imgf000011_0001
られる。 これらの界面活^^は 1 を もよく また 2種以上を組み合^:て棚してもよレ、。
ノリコーン系界面活 [^IJとしては ノロキサノ結合を有する界面活 剤 てきる。 その具体例としては SH28PA SH29PA SH30P ル変 ノリコーンオイル SF8410 同 SF8427 同 SH8400 ST83PA ST86PA [以上 東レ タウコ一二ノク ノリコ一ノ 21 KP323 KP324 KP340 KP 341 [以上 信越ノリ TSF400 TSF401 TSF410 TSF4440 TSF4 4446 [以上 :^:ノリコ一ノネ ±S¾等を挙けることかてきる。
フノ素系界面活随 Uとしては フルォロカーホノ镇を有する界面活随 IJ てきる。 その具体例としては フロリナート [商品名] FC— 430 同 F 上 住友スリーェム社製] サーフロノ [商品名] S— 141 同 S— 1 71 同 F472SF 同 F 475等を挙けることかてきる。
昃ィ 素系界面g†生剤としては ホリオキノエチレンま貞を有する界面 とかてきる。 その具体例としては ホリオキノェチレノラゥリルエーテ チレノステアリノレエ一テル ホリオキノエチレンォレイノレエ一テル ホリ ォクチノレフエニルエーテル ホリオキノエチレンノニルフエニルエーテ クリコールノラウレート ホリエチレノクリコーノレノステアレート等を これらの界面活随 IJの棚量は ホ 感光生樹脂,嫩物に対して 1 質量 ppm 好ましくは 200〜2 000質量 p pmてある。 この範囲 用すると 塗布膜に塗布ムラを発生H f子ましい。
Figure imgf000012_0001
としては 例 は メラミン化^及ひノラノ化^ Iか挙 メラミン化^ Jの具体例としては サイメル(Cyme 1)— 300 テノクイノタストリース欄] MW-3 OMH MW-30 MS— 1 1 MX- 750 MX- 706 [以上 三和ケミカノレネ ijf] 等か挙け ィ匕 の棚量は アルカリ可溶 樹脂 100質量部に対して 通常 好ましくは 0 5〜18質量部 更に好ましくは 1〜15質量部てある。
一方 ノラノ化^ の具体例としては ヒニノレトリメ トキノメラノ ノノラノ ヒニノレトリス(2—メ トキノエトキン)メラノ N— (2—アミ ァミノプロヒルメチルノメ トキノメラノ N— (2—アミノエチル)一3 トリメ トキノメラノ 3—ァミノプロヒルトリエトキノメラノ 3—グリ ノレトリメ トキノメラノ 3—クリノトキノプロヒルメチルノメ トキノノ 一エホキノノクロへキノノレ)ェチ^/トリメ トキノノラノ 3—クロ口プロヒ キノメラノ 3—クロ口プロヒノレトリメ トキノメラノ 3—メタクリロ メ トキノメラノ 3—メノレカフトプロヒ /レトリメ トキノノラノ等か挙け 子酸エステル類 ホリヒ ト口キノヒスフエニノレア/レカノ類 ホリヒ トロ ルアルカ^ ホリヒトロキノテトラキスフエ二ルアルカ^!なとを挙け 中てもホリヒトロキントリスフエ二ルアルカノ類 ホリヒトロキノへノノ か特に好ましレ、。
本発明に用いるホ^感光 樹脂, 物は 上記のアルカリ可溶 樹 ト基含有化合物 更に所望により 界面? 密着促進剤 染 感度 安: 等の^眩リを 猫 IJと混合し 各種の/昆合 分 I»をィ顿して/ によつて調製することかてきる。 各成分の/昆合 等の限定はなレ、。
本発明に用レ、るポ^感光 樹脂目成物の固形分含量 以外の成分 限定されないか 通常 6〜3 0質量% 好ましくは 7〜 2 5質量% 〜2 0質量%に難する。 固形 量をこの範囲内に設定することにより しることなく 塗布 β莫を开成することかてきる。
( a )工程て 用いられる »反としては 特に限定されす ノリコノ縱 I TO赚城纖 クロム赚 及 樹脂雄なとの^ Pの纖か ナ 本発明方法においては i&MR 通常 正方形乃至長方形を有しており 辺の長さか 8 0 0 mm以上 好ましくは 少なくとも^ 22の長さか 1 0 0 る大 反カゝ好適に用いられる。
これらの »肚に 前述のホ^^光性樹脂嫩物を塗布する方法と れている塗布方法のレ、すれてあってもよく 例えはスプレー法 ロールコ 布/去 スヒノレススリ ノトコート法なとの各種の方法を用いることかてき これらの方法の中てスヒノレススリ ノトコート法か好ましい。 スヒノ ト /去は ホ^ M感光性樹脂, 物を供^ るスリノトを移動させること リノトか劍虫することなく該感光性樹脂組成物を塗布するものてある。 スヒノレススリ ノトコート法による塗布にはスヒノレスコーター [ 層を形成する工程てある。
m±m の ^置を用いて行うことかてきる。 Μ Ε 圧力と 装置の圧力条件か到: iiffi力に: るまての時間とにより規定され 通常 室温にて 到達圧力 5〜4 OOOPa 好ましくは 10〜1 OO ましくは 20〜300 P aの条件て行 はよレ、。 この到] itEE力か 5 P a ないし 4, OOOPaを超 ると逆テ一ハー状のレンストハタ一ノか形 かある。 なお 本明細書において ί¾ΙΞ」 とは 13, 00 OP a以下にま ることをいう。 乾燥に要する時間に格別な制限はなく III? »及 樹脂 物の^ ¾リ量 ホノブの排気能力 部分の なとを考 すれはよいか 通常 1秒間〜 30分間 好ましくは 5秒間〜 10分間 秒間〜 5分間 特に好ましくは 30秒間〜 2分間てある。
»£ 喿した麵は 所望によりプリへイクして^ のない感媚と クは 通常 60〜: L 20°Cて 10〜600秒間禾 卩埶すること 該感 の厚さは 通常 0 5〜5 m禾!^ 好ましくは 0 8〜4/zm [(c)X®
この工程は 嫌己(b)工程て形成された感 τ^ϋをハターノ露光したの 一ハー状のレンストハターノを形成する工程てある。
具体的には 該感光層に 通常 マスクハターノを介して活 14光線を に所定形状の纖ハターノを形成する(ハターノ露光)。 次いて この カリ現像液て現像して所望のレンストハターノを形成する。
本発明て用いる活 の種類は特に限定されず 例 は 可視光線 線 X線等を挙けることかてき 特に可視 線 紫外線か好ましい。 昭 t < im目的 膜の 等を勘案して任實に設定することかてきる。 謝象ハターノの現像に用いるアルカリ現像液は 特に限定されない。 言 ォーフノ中ては 2〜90分間禾 Mg¾ロ埶 (ホス卜へーク)をすることによっ ノストハターノを得ることかてきる。
このようにして得られたレンストハターノは 逆テーノヽー状の断面形 [(d)工程]
この工程は 嫌己(c)工程により得られた逆テーハー状のレンストハ 板に対して金属を蔹着する工程てある。
全属の蔹着は 通常 逆テーノヽー状のレンストハターノを有する基板 »向て を蒸着させて行えはよい。 それにより 鎌の全面に顿 る。 茶着舰の としては 例えは 白全(P t) 金 (Au) ハラノ ム(Cr) ノケル (Ni) アルミニウム(A 1) 银 (Ag) タノタル ( テノ (W) 銅(Cu) チタン(T i) イノノウム(I n) 錫(Sn) マク 等の あるいは これらの^ 元素を含 金か挙げられる。 これ それ ¥ ^虫て又は 2種以上を混合して用レ、ることかてきる。
の兹着は 通常 市販の真空茶着装置を用レヽて行 はよい。 蒸着 に限定はないか 例えは 真^は 1X 10—3〜: L X l O^Pa 蒸着; i¾ nmZ秒の範囲て適錢定すれはよい。 蔹着時間は 菡着膜の^? すれはよい。
莲着膜の酵としては 特に限定はないか 通常 5〜1 OOO [(e)ェ禾 M]
この工程は リフトオフ操作により 膽己( d )工程て^蓴着した纖 状のレンストハターノとその上の^ 蓴着膜とを共に除去する工程てあ l己(d)工程により ¾反全面に^蔹着膜を形成すると 例えば F i れるように »反上と逆テーハー状のレノストハターノ上とにそれそ か形成されることになる。 そこて リフトオフ操作により かかるレン レノスト用剥離液中に 通常 1〜3 0分間程度浸漬し レンストハタ 属蔹着膜とを共に除去すれはよい。鎌を浸 Λ "る際は 所望により勝 以上により所望の仝属配線付き基板か得られる。 本発明においては 型フォトレンストにより簡単な操作て得られる逆テーハー状のレンスト 鎌を禾棚するため 酉 EHf寸き鎌を ¾f面に生産 よく製造するこ また 本発明は その一機として (a)» _bに (A)アルカリ可 ノンノアノト基含有化^及ひ ( C)戲 Uを含むホ ^感光 14樹脂, 物 形成する工程 (b)歸己塗膜を して感光層を形成する工程 及 をハターノ露光したのち 現像して逆テーハー状のレンストハターノを する 逆テーハー状のレンストハターノを有する基板の製^法を^ は 本発明の 酉衡き鎌の製造方法にっレ、て説明した嫌己( a )工 有するものてあり それらの工程に係る ΙίίΙ己記載に従って容易に実施す 本発明により得られる逆テーハー状のレンストハターノを有する »反は ,衞寸き の製;^/去等においてリフトオフ用レンストハターノとして 機エレクトロルミ不ノセノス表示装置の隔壁材科なととしても女 ¾ に用 実施例
次に 本発明を実施例により さらに詳細に説明するか 本発明は てなんら限定されるものてはない。
実施例 1
( 1 ) ホ^ 感光性樹脂^ 物の調製
m—クレノール Zp—クレノール混合クレノール (質量混合比 = 5 5 ヒトとをノュゥ酸の &下縮重合させて得られたノホラノク樹脂 (重量 5 0 0) 1 7 7質量部 2 3 4 , 4,一テトラヒトロキノへノノフエノン カラス 上に スリノトコ一ターを用いて tin己(1)て得たレンス 次レ、て ME 喿を 室温( 23 °C)にて 到 ffi力 266Paの条件て 2 引き続き 110°Cて 150秒間 常圧てホノトプレート上て加埶 (プリ 圧 2 1 μηιの感: /ϋ (レンスト を形成した。このレンスト膜の上から イノァノトスへースハターンのマスクを用いて ミラープロノエクノョ PA7000」 [製品名 キヤノンネ ±SSて露光して 難ハターノを ィノの線幅か 10 μ mとなるェ i レキー量とし;^露光後 2 38質量0 / メモ二ゥムヒトロキント水 ^夜て 70秒間現^理し レンストハター 得た。
この ¾¾_bのレンストハターノ断面を走 ¾ ^電子顕微鏡 [日本電子社 00」 ] て観察 (倍率 15 000倍)したところ F i g 2 ( a )て示 一状てあった。
(3) 蒸着膜ハターノの形成
次レ、て 市販の真空茶着装置 (アルハノク機ェ權にて肅己( 2 )て得 に真空度 1 X 1 O^P a 蔹着赫4 nmZ秒て^) ¥200 nmのアルミ 蔹着した。 このアルミニウム膜を茶着した霜反を 40°Cのノメチノレスル 間浸漬し レンストハターノ及ひその上のアルミニウム膜を剥離し^ レヽて 光学顕纖により全属蔹着膜のハターノを観察 (ί鉢 200倍) トハターノか残渣なく剥離され 力 に所望の^蔹着膜のハタ カゝ形成されていること力 «察された。 すなわち 所望の^ 酉衞寸き ¾ 第 1表に ffi 喿処理時の到達圧力及ひ処理時間と共に レンスト 状及ひ剥離後の^ 茶着膜のハターノ形状の 結果を示す。 レンスト 状については 逆テーハー状のレンストハターノか形成されている ハー状のレンストハターノか形成されている^を不良と それそれ Π 寺の到; ffi力を変えた以外は 実施例 1と同様の方法て^ 酉 れそ た。 ¾J^理時の到; ffi力及 理時間 並ひにレンストハターンの 後の金属蔹着膜のハターノ形状の評価結果を第 1表に示す。 比較例 1
„ を実施しなかつたこと W外は ¾例 1と同様の方法て 酉
1
レンストハターンの断面形概ひ剥赚の 蒸着膜のハターノ形状の 衣に不 o 比較例 2
«EE¾^0寺の到: itffi力を変えた以外は 実施例 1と同様の方法て^ 酉 た。
ML理時の到達圧力及ひ処理時間 並ひにレンストハターンの 後の仝属蔹着膜のハターノ形状の評価結果を第 表に示す。 第 1表より
Figure imgf000018_0001
1〜 レンストハターノか逆テーハー状となり 良好な^ 蒸着 ^ /、ターンか そのような «£ ¾^理を行わな力つた比, 1と 2ては順テーハー状の ノか形成され 蒸着膜ハターノか不良となることか分かる。
第 1表 実施例 比
1 2 3 1 到班力(P a ) 2 6 6 1 3 3 3 3 3 赃纖 ·¾ 赃鎌処理
処理時間 (秒) 2 5 4 0 1 5 ― 本発明により 汎用の安価なホン型フォトレンストにより簡早な操作 ハー状のレンストハターノを設けた基板を利用し リフトオフ法により を Sf面に生産 よく製造する力 ϊ去か される。

Claims

請求の範囲
1 (a)鎌上に (A)アルカリ可溶 (4樹脂 (B)キノノノアノト基含 絲 Uを含むホ^感光生樹脂組成物を塗布し 莫を形成する工程
( b ) tin己^!莫を„ して感 を形成する工程
(c) ffitS^光層をハターノ露光したのち 現像して逆テーノ、一状のレ を形成する工程
(d)前記(c)工程により得られた逆テーハー状のレンストハタ'ーノを して仝属を蔹着する工程 及ひ
(e)リフトオフ操作により 謝己(d)工程て^蔹着した »反から逆 ノストハターンとその上の 蔹着膜とを共に除去する工程
を有する 酉 SHf寸き の製^/
2 (b)工程における ffi を 妾 ijffi力 5〜4, OOOPaの条件て
Figure imgf000020_0001
'
3 (a)鎌上に (A)アルカリ可溶性樹脂 (B)キノノノアノト基含 ljを含むホン型感光 樹脂組成物を塗布し 莫を开成する工程
(b) ifit己 を して感^ 1を形成する工程 及ひ
(c) ^光層をハターノ露光したのち 現像して逆テーハー状のレ を形成する工程
を有する 逆テーハー状のレンストハターノを有する基板の製^/
PCT/JP2006/320041 2005-09-30 2006-09-29 金属配線付き基板の製造方法 WO2007037553A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006800362612A CN101278239B (zh) 2005-09-30 2006-09-29 带金属配线的基板的制造方法
JP2007537783A JP4978800B2 (ja) 2005-09-30 2006-09-29 金属配線付き基板の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005288721 2005-09-30
JP2005-288721 2005-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2007037553A1 true WO2007037553A1 (ja) 2007-04-05
WO2007037553A9 WO2007037553A9 (ja) 2007-05-31

Family

ID=37899946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/320041 WO2007037553A1 (ja) 2005-09-30 2006-09-29 金属配線付き基板の製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP4978800B2 (ja)
KR (1) KR20080057325A (ja)
CN (1) CN101278239B (ja)
TW (1) TW200731027A (ja)
WO (1) WO2007037553A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008141481A1 (fr) * 2007-05-24 2008-11-27 Princo Corp. Structure et procédé de fabrication d'un câblage métallique sur une carte multicouches
US7931973B2 (en) 2007-05-25 2011-04-26 Princo Corp. Manufacturing method of metal structure in multi-layer substrate and structure thereof
CN101312620B (zh) * 2007-05-24 2011-06-22 巨擘科技股份有限公司 多层基板金属线路制造方法及其结构
JP2013084924A (ja) * 2011-09-28 2013-05-09 Dainippon Printing Co Ltd パターンの形成方法
WO2014050421A1 (ja) * 2012-09-25 2014-04-03 東レ株式会社 配線パターンの形成方法および配線パターン形成物
US8815333B2 (en) 2007-12-05 2014-08-26 Princo Middle East Fze Manufacturing method of metal structure in multi-layer substrate
JP2017526945A (ja) * 2014-06-18 2017-09-14 ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. 金属誘電体光学フィルター、センサーデバイス、および製造方法
US10197716B2 (en) 2012-12-19 2019-02-05 Viavi Solutions Inc. Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method
US10222523B2 (en) 2012-12-19 2019-03-05 Viavi Solutions Inc. Sensor device including one or more metal-dielectric optical filters
US10378955B2 (en) 2012-12-19 2019-08-13 Viavi Solutions Inc. Spectroscopic assembly and method

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101674208B1 (ko) * 2009-12-29 2016-11-23 엘지디스플레이 주식회사 배선 형성 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법
KR101920766B1 (ko) 2011-08-09 2018-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
DE102013105972B4 (de) * 2012-06-20 2016-11-03 Lg Display Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Dioden-Anzeigevorrichtung
CN103839794B (zh) * 2014-02-25 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 透明导电电极及阵列基板的制备方法
CN104319293A (zh) * 2014-11-10 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 金属氧化物薄膜晶体管、阵列基板及制作方法、显示装置
CN106711017B (zh) * 2015-07-20 2020-08-04 潍坊星泰克微电子材料有限公司 利用光刻胶沉积金属构形的方法
CN107731883A (zh) * 2017-11-17 2018-02-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示器及其制作方法
CN108389784B (zh) * 2018-02-26 2019-04-30 清华大学 图案化的金属层的制备方法
CN108585540A (zh) * 2018-04-17 2018-09-28 信利光电股份有限公司 一种玻璃材料表面图案制作方法、玻璃板及电子装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5456504A (en) * 1977-09-29 1979-05-07 Ibm Method of forming pattern thin film
JPS61103151A (ja) * 1984-10-27 1986-05-21 Dainippon Printing Co Ltd 多層誘電体薄膜のパタ−ニング方法
JPS61221747A (ja) * 1985-03-27 1986-10-02 Mitsubishi Electric Corp 感光性樹脂膜の形成方法
JPH03235322A (ja) * 1990-02-13 1991-10-21 Nec Corp レジストパターン形成方法
JPH06275510A (ja) * 1993-03-23 1994-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
JPH0869111A (ja) * 1994-06-23 1996-03-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JPH1097066A (ja) * 1996-09-19 1998-04-14 Shin Etsu Chem Co Ltd リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2002267833A (ja) * 2001-03-14 2002-09-18 Toray Ind Inc 液晶ディスプレイ用カラーフィルタの製造方法。
JP2003198009A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Sharp Corp 電極の形成方法、液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6119128A (ja) * 1984-07-05 1986-01-28 Sony Corp パタ−ン形成方法
JP2005338831A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置の有機膜フォトレジスト組成物、そのスピンレスコーティング方法、これを用いた有機膜パターン形成方法及びこれにより製造された液晶表示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5456504A (en) * 1977-09-29 1979-05-07 Ibm Method of forming pattern thin film
JPS61103151A (ja) * 1984-10-27 1986-05-21 Dainippon Printing Co Ltd 多層誘電体薄膜のパタ−ニング方法
JPS61221747A (ja) * 1985-03-27 1986-10-02 Mitsubishi Electric Corp 感光性樹脂膜の形成方法
JPH03235322A (ja) * 1990-02-13 1991-10-21 Nec Corp レジストパターン形成方法
JPH06275510A (ja) * 1993-03-23 1994-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 微細パターン形成方法
JPH0869111A (ja) * 1994-06-23 1996-03-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JPH1097066A (ja) * 1996-09-19 1998-04-14 Shin Etsu Chem Co Ltd リフトオフ法用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2002267833A (ja) * 2001-03-14 2002-09-18 Toray Ind Inc 液晶ディスプレイ用カラーフィルタの製造方法。
JP2003198009A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Sharp Corp 電極の形成方法、液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008141481A1 (fr) * 2007-05-24 2008-11-27 Princo Corp. Structure et procédé de fabrication d'un câblage métallique sur une carte multicouches
CN101312620B (zh) * 2007-05-24 2011-06-22 巨擘科技股份有限公司 多层基板金属线路制造方法及其结构
US7931973B2 (en) 2007-05-25 2011-04-26 Princo Corp. Manufacturing method of metal structure in multi-layer substrate and structure thereof
US8815333B2 (en) 2007-12-05 2014-08-26 Princo Middle East Fze Manufacturing method of metal structure in multi-layer substrate
JP2013084924A (ja) * 2011-09-28 2013-05-09 Dainippon Printing Co Ltd パターンの形成方法
WO2014050421A1 (ja) * 2012-09-25 2014-04-03 東レ株式会社 配線パターンの形成方法および配線パターン形成物
US10378955B2 (en) 2012-12-19 2019-08-13 Viavi Solutions Inc. Spectroscopic assembly and method
US10197716B2 (en) 2012-12-19 2019-02-05 Viavi Solutions Inc. Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method
US10222523B2 (en) 2012-12-19 2019-03-05 Viavi Solutions Inc. Sensor device including one or more metal-dielectric optical filters
US10670455B2 (en) 2012-12-19 2020-06-02 Viavi Solutions Inc. Spectroscopic assembly and method
US10928570B2 (en) 2012-12-19 2021-02-23 Viavi Solutions Inc. Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method
US11782199B2 (en) 2012-12-19 2023-10-10 Viavi Solutions Inc. Metal-dielectric optical filter, sensor device, and fabrication method
JP2017526945A (ja) * 2014-06-18 2017-09-14 ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. 金属誘電体光学フィルター、センサーデバイス、および製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200731027A (en) 2007-08-16
CN101278239A (zh) 2008-10-01
WO2007037553A9 (ja) 2007-05-31
CN101278239B (zh) 2011-11-16
JPWO2007037553A1 (ja) 2009-04-16
JP4978800B2 (ja) 2012-07-18
KR20080057325A (ko) 2008-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007037553A1 (ja) 金属配線付き基板の製造方法
US7288362B2 (en) Immersion topcoat materials with improved performance
TWI234042B (en) Photosensitive resin composition and liquid crystal display color filter
TWI351419B (en) Thermally curable middle layer for 193-nm trilayer
EP1951829B1 (en) Water castable - water strippable top coats for 193 nm immersion lithography
US6686120B2 (en) Photoresist composition and method of forming pattern using the same
CN108137313A (zh) 用于嵌段共聚物自组装的组合物和方法
TW200809415A (en) Photosensitive resin laminate
US7358035B2 (en) Topcoat compositions and methods of use thereof
CN106249540A (zh) 图案处理方法
TW200905402A (en) Double-layered film and pattern-forming method using the same, resin composition for forming lower layer of double-layered film, and positive radiation-sensitive resin composition for forming upper layer of double-layered film
TW200947116A (en) Method for producing cured resist using negative photosensitive resin laminate, negative photosensitive resin laminate, and use of negative photosensitive resin laminate
FR2876383A1 (fr) Composition de revetement anti-reflechissant superieur et procede de formation de motif de dispositif semiconducteur l&#39;utilisant
TW200848258A (en) Photopolymerized resin laminate and method for manufacturing board having black matrix pattern
JP2019070151A (ja) コポリマー及び関連する層状物品、ならびに装置形成方法
JP4752754B2 (ja) 2層積層膜およびこれを用いたパターン形成方法
GB2124400A (en) Positive-type photoresist compositions
TW201001081A (en) Film type photodegradable transfer material
TW573231B (en) An anti-reflection coating composition and process for forming a resist pattern using the same
JP4063053B2 (ja) 2層積層膜およびこれを用いたパターン形成方法
TW200937129A (en) Composition for producing antireflection firm, and method for producing a pattern using the same
TW202129416A (zh) 感光性樹脂組合物、使用感光性樹脂組合物之轉印膜
JPS63261255A (ja) 感光性樹脂組成物
TWI803009B (zh) 感光性樹脂積層體
TW200401950A (en) Positive photo resist composition and method of forming resist pattern

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680036261.2

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2007537783

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087010394

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06811368

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1