FR2876383A1 - Composition de revetement anti-reflechissant superieur et procede de formation de motif de dispositif semiconducteur l'utilisant - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne une composition de revêtement anti-réfléchissant supérieur qui comprend un polymère pour revêtement anti-réfléchissant supérieur, un photogénérateur d'acide représenté par la formule 1 ci-dessous :où n est entre 7 et 25, et un solvant organique, et un procédé pour former un motif de dispositif semiconducteur l'utilisant.
Description
_O-II4CF2 -CF3 0 (1)
COMPOSITION DE REVETEMENT ANTI-REFLECHISSANT SUPERIEUR ET PROCEDE DE FORMATION DE MOTIF DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR L'UTILISANT
ARRIERE-PLAN
Domaine technique La présente invention concerne une composition de revêtement antiréfléchissant utilisée en photolithographie, qui est un procédé pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs, et un procédé pour former un motif d'un dispositif semiconducteur utilisant la composition de revêtement anti-réfléchissant. Plus spécifiquement, la présente invention concerne une composition de revêtement anti- réfléchissant supérieur utilisable en lithographie à immersion pour la fabrication de dispositifs semiconducteurs dans le domaine des dimensions inférieures à 50 nm, et un procédé pour former un motif d'un dispositif semiconducteur utilisant la composition de revêtement anti-réfléchissant supérieur.
Description de l'état de la technique
La photolithographie est un procédé pour le transfert à une plaquette d'un motif de circuit semiconducteur formé sur un photomasque, et c'est l'un des procédés les plus importants dans la détermination de la finesse et de la densité d'intégration de circuits dans la fabrication de dispositifs semiconducteurs.
Au cours des armées récentes, comme la densité d'intégration des dispositifs semiconducteurs a augmenté, on a développé de nouvelles techniques qui sont adaptées au traitement fin nécessaire dans la fabrication des dispositifs semiconducteurs. Il existe un besoin croissant de techniques de traitement fin dans les procédés de photolithographie. Comme les largeurs de lignes des circuits deviennent de plus en plus fines, l'utilisation de sources lumineuses de courte longueur d'onde pour l'illumination et d'objectifs à grande ouverture numérique est nécessaire. Les lasers à excimères EUV, F2, ArF et KrF, cités dans l'ordre de la préférence décroissante, sont des exemples non limitatifs de telles sources lumineuses de courte longueur d'onde.
Un certain nombre d'études sur le développement de dispositifs dans le domaine des dimensions inférieures à 50 nm ont été réalisées. L'attention s'est portée récemment sur le développement d'appareillages et de matériaux de traitement appropriés associés avec l'utilisation de F2 et EUV comme sources lumineuses d'exposition. Plusieurs problèmes se posent du fait de l'utilisation des lasers à EUV et à F2 comme sources lumineuses. Les solutions techniques pour l'utilisation de F2 sont relativement satisfaisantes. Cependant, CaF2 de haute qualité est difficile à produire à l'échelle industrielle en une courte durée. En outre, du fait que les pellicules molles sont susceptibles d'être déformées lors d'une exposition à la lumière à 157 nm, la durée de vie de la source lumineuse est courte; les pellicules dures entraînent des coûts de production considérables, et sont difficiles à produire à l'échelle commerciale du fait de la nature de réfraction de la lumière. Les lasers à EUV ont leurs propres inconvénients. Des sources lumineuses, un appareillage d'exposition et des masques appropriés sont nécessaires pour l'utilisation des lasers à EUV, ce qui rend leur application incommode. Ainsi, la formation de motifs de photorésist de haute précision plus fins au moyen d'un photorésist, ou résine photosensible, adapté à l'utilisation d'un laser à excimère ArF est importante.
La lithographie sèche est un système d'exposition dans lequel de l'air est introduit entre un objectif d'exposition et une plaquette. Contrairement à la lithographie sèche, la lithographie à immersion, qui correspond à une technique de changement d'échelle de l'ouverture numérique (ON), est un système d'exposition dans lequel de l'eau est introduite entre un objectif d'exposition et une plaquette.
Comme l'eau (indice de réfraction (n) = 1,4) est utilisée comme milieu pour une source lumineuse dans la lithographie à immersion, l'ouverture numérique est 1,4 fois plus grande que dans la lithographie sèche qui utilise l'air (indice de réfraction (n) = 1,0). Ainsi, la lithographie à immersion est avantageuse du fait de sa haute résolution.
Un problème rencontré avec la fabrication d'un dispositif semiconducteur dans le domaine des dimensions inférieures à 50 nm est qu'une altération de la dimension critique (DC) d'un motif de photorésist a lieu inévitablement pendant le procédé pour la formation de ce motif ultrafin. Ces altérations proviennent d'ondes stationnaires, de changement local des dimensions du fait de la réflexion (reflective notching) et de la lumière diffractée et réfléchie par une couche sous-jacente du fait des propriétés optiques de la couche sous-jacente sur un photorésist situé au dessus et du fait des variations de l'épaisseur du photorésist. Pour empêcher la lumière d'être réfléchie par la couche sous-jacente, un revêtement antiréfléchissant est introduit entre le photorésist et la couche sousjacente. Le revêtement anti-réfléchissant est composé d'une substance qui absorbe la lumière dans la plage des longueurs d'onde utilisées par la source lumineuse d'exposition. Les traitements antérieurs plaçaient ce revêtement anti-réfléchissant en position inférieure, entre la couche sous-jacente et le photorésist. Avec l'augmentation récente de la finesse des motifs de photorésist, un revêtement antiréfléchissant supérieur (RARS) a aussi été développé pour empêcher une rupture du motif de photorésist par la lumière réfléchie et la lumière diffractée. Spécifiquement, comme la miniaturisation remarquable des dispositifs semiconducteurs rend les motifs de photorésist extrêmement fins, l'utilisation d'un revêtement anti-réfléchissant inférieur seulement ne peut pas empêcher totalement une rupture des motifs par la réflexion diffuse. Ainsi, un revêtement anti-réfléchissant supérieur a été introduit pour empêcher la rupture des motifs.
Cependant, comme les revêtements anti-réfléchissants supérieurs conventionnels destinés à être utilisés en lithographie sèche sont solubles dans l'eau, ils ne peuvent pas être appliqués à la lithographie à immersion. En d'autres termes, du fait que l'eau est utilisée comme milieu pour une source lumineuse en lithographie à immersion, elle dissout aisément les revêtements anti- réfléchissants supérieurs conventionnels. Ainsi, il existe un besoin de développer un revêtement anti-réfléchissant supérieur destiné à être utilisé en lithographie à immersion qui soit compatible avec la lithographie à immersion. Ce nouveau revêtement antiréfléchissant supérieur doit satisfaire les conditions suivantes. Le revêtement anti- réfléchissant supérieur doit être transparent pour une source lumineuse et avoir un indice de réfraction entre 1,5 et 1,65, selon le type de film photosensible (c'est à dire de photorésist) sous-jacent devant être utilisé. Quand la composition de revêtement anti-réfléchissant supérieur est appliquée en revêtement sur un film photosensible sous-jacent, elle ne doit pas dissoudre le film photosensible. Le revêtement anti- réfléchissant supérieur ne doit pas être soluble dans l'eau lors de l'exposition à la lumière, mais il doit être soluble dans une solution de développement. Enfin, le revêtement anti-réfléchissant supérieur doit permettre la formation d'un motif vertical pour la création du photorésist.
Les conditions strictes mentionnées ci-dessus rendent difficile le développement d'un revêtement anti-réfléchissant supérieur approprié destiné à être utilisé en lithographie à immersion. L'une des sources de cette difficulté provient de l'inaptitude des revêtements antiréfléchissants supérieurs conventionnels à permettre la formation souhaitée d'un motif de photorésist. Ainsi, il existe un besoin marqué de développer un revêtement anti-réfléchissant supérieur destiné à être utilisé en lithographie à immersion qui soit insoluble dans l'eau et qui permette la formation d'un motif vertical lors de la formation d'un motif de semiconducteur.
Claims (17)
1. Composition de revêtement anti-réfléchissant supérieur caractérisée en ce qu'elle comprend: un polymère pour revêtement anti-réfléchissant supérieur; un photogénérateur d'acide représenté par la formule 1 cidessous: où n est entre 7 et 25; et un solvant organique.
2. Composition selon la revendication 1 caractérisée en ce que le photogénérateur d'acide de formule 1 est le perfluorooctanesulfonate de 15 triphénylsulfonium.
3. Composition selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 caractérisée en ce qu'elle comprend environ 0,05 % en poids à environ 5 % en poids de photogénérateur d'acide, sur la base du poids du polymère pour revêtement anti-réfléchissant supérieur.
4. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce que le polymère pour revêtement anti-réfléchissant supérieur est choisi dans le groupe consistant en: le poly(acrylate de tbutyle-acide acrylique-méthacrylate de 3-hydroxypropyle) de formule 2 cidessous: (1) -0 OH=0 (2) où a, b et c représentent la fraction molaire de chaque monomère et sont dans la plage entre environ 0,05 et environ 0,9, et la somme de a, b et c est égale à 1; le poly(acrylate de t-butyleacide acrylique-N-isopropylacrylamide) de formule 3 ci-dessous: =0 6H =0 NH (3) où a, b et c sont définis comme dans la formule 2; et le poly(acrylate de t-butyle-acide acrylique-méthacrylate de 2-hydroxyéthyle) de formule 4 ci-dessous: =0 OH (4) où a, b et c sont définis comme dans la formule 2.
5. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce que le solvant organique est un alcool primaire.
6. Composition selon la revendication 5 caractérisée en ce que l'alcool primaire est le n-butanol.
7. Composition selon la revendication 6 caractérisée en ce qu'elle est préparée par dissolution du polymère pour revêtement anti-réfléchissant supérieur dans environ 1000 % en poids à environ 10000 % en poids de nbutanol, sur la base de la masse du polymère.
8. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce qu'elle comprend en outre un inhibiteur de diffusion d'acide.
9. Composition selon la revendication 8 caractérisée en ce que l'inhibiteur de diffusion d'acide est la L-proline.
10. Composition selon la revendication 9 caractérisée en ce qu'elle comprend environ 1 % en poids à environ 20 % en poids de L-proline, sur la base du poids du polymère pour revêtement anti-réfléchissant supérieur.
11. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce qu'elle a un indice de réfraction entre environ 1,5 et environ 1,65.
12. Composition selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisée en ce qu'elle est utilisée pour fabriquer un dispositif semiconducteur.
13. Procédé pour former un motif de dispositif semiconducteur caractérisé en ce qu'il comprend: (a) l'application d'un photorésist à un substrat semiconducteur sur lequel une structure sous-jacente est formée; (b) l'application de la composition de revêtement anti-réfléchissant supérieur selon l'une quelconque des revendications précédentes sur le photorésist pour former un revêtement anti-réfléchissant supérieur; (c) l'exposition du photorésist à la lumière, puis (d) le développement du photorésist pour former un motif de photorésist.
14. Procédé selon la revendication 13 caractérisé en ce qu'il comprend en outre une cuisson du substrat avant et/ou après l'exposition.
15. Procédé selon la revendication 14 caractérisé en ce que la cuisson est réalisée dans la plage d'environ 70 C à environ 200 C.
16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 15 caractérisé en ce que l'eau est utilisée comme milieu pour la source lumineuse lors de l'exposition.
17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 16 caractérisé en ce que le développement est réalisé avec une solution à 0,01 à environ 5 % (p/p) d'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH) dans l'eau comme solution de développement.
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