JPS61103151A - 多層誘電体薄膜のパタ−ニング方法 - Google Patents
多層誘電体薄膜のパタ−ニング方法Info
- Publication number
- JPS61103151A JPS61103151A JP22645984A JP22645984A JPS61103151A JP S61103151 A JPS61103151 A JP S61103151A JP 22645984 A JP22645984 A JP 22645984A JP 22645984 A JP22645984 A JP 22645984A JP S61103151 A JPS61103151 A JP S61103151A
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- JP
- Japan
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- pattern
- substrate
- thin film
- dielectric thin
- resist
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ産業上の利用分野〕
本発明は多層誘電体薄膜のパターニング方法に関する。
従来、多轡誘＃ｌｔ体薄膜のパターニング方法としては
、リフトオフ法による手法がよく用いられている。この
手法により多層誘電体Ｒ１１Ｉ２をパタ−ニングすると
きには、真空蒸着法やスパッタリング法によって基板上
に金嘱咽を形成し、得られた金属−をフォトエツチング
法によりパターニングして金属パターンを形成し、次い
で金属パターンを、有する基板上に多１誘電汰薄膜を積
場し、その後金属パターンを選択的に溶解除去する。そ
れにより、金属パターンのパターンとは逆パターンに誘
電体薄膜がパターニングされる。
、リフトオフ法による手法がよく用いられている。この
手法により多層誘電体Ｒ１１Ｉ２をパタ−ニングすると
きには、真空蒸着法やスパッタリング法によって基板上
に金嘱咽を形成し、得られた金属−をフォトエツチング
法によりパターニングして金属パターンを形成し、次い
で金属パターンを、有する基板上に多１誘電汰薄膜を積
場し、その後金属パターンを選択的に溶解除去する。そ
れにより、金属パターンのパターンとは逆パターンに誘
電体薄膜がパターニングされる。
しかしながら、この手法には金属パターンのパターンの
断面形状がテーパー状であることに起因して剥離除去丁
べき部分が剥離できなかった１１、或いはパターニング
された誘電体薄膜のパターンエツジが不規則化するとい
う問題がある。
断面形状がテーパー状であることに起因して剥離除去丁
べき部分が剥離できなかった１１、或いはパターニング
された誘電体薄膜のパターンエツジが不規則化するとい
う問題がある。
即ち、第６図示の如く金属パターン（７）を宵する基板
（１）ｋ、に多１誘電体薄膜（５）を成膜し、リフト（
４）は残しパターンＢ）とブリッジ部（Ｃ）を介して連
続し特に抜はパターン囚が微細なパターンの場合、Ｔ１
の金属パターン（７）が溶解除去された後も剥離されな
い場合がある。又抜はパターン（ＡＩと残しバダーン田
間のブリッジ部ｒＣ）が破壊されて抜はパターン囚が剥
離されるので、パターンエツジが不規則化し、いわゆる
ビリツキが生じや丁い欠点がある。
（１）ｋ、に多１誘電体薄膜（５）を成膜し、リフト（
４）は残しパターンＢ）とブリッジ部（Ｃ）を介して連
続し特に抜はパターン囚が微細なパターンの場合、Ｔ１
の金属パターン（７）が溶解除去された後も剥離されな
い場合がある。又抜はパターン（ＡＩと残しバダーン田
間のブリッジ部ｒＣ）が破壊されて抜はパターン囚が剥
離されるので、パターンエツジが不規則化し、いわゆる
ビリツキが生じや丁い欠点がある。
ｒ発明が解決しようとする問題点〕
そこで本発明が解決しようとする問題点は上記の従来の
問題を解消し、多１誘電体薄膜を微細に精度良くパター
ニングする方法を提供することにある。
問題を解消し、多１誘電体薄膜を微細に精度良くパター
ニングする方法を提供することにある。
本発明者は上記の問題点を解決丁べく研究の結果、基板
上に有機レジストをコートし、所定のマスクを介して露
光し、現像を行なうと共に露光又は現像の前段階におい
て有機レジストを７−トした基板を芳香族溶剤中に浸漬
してパターンの断面形状が逆テーパー形状の有機レジス
トパターンを形成することができること、前記有機レジ
ストパターンを有する基板上に金１１を成膜し、リフト
オフすることによりパターンの断面形状が逆テーパー形
状の金属パターンな得ることかできろこと、及び前記金
属パターンを有する基板上に多１誘電体薄膜を成膜し、
リフトオフすることにより多＠誘を伏薄嗅を微細に精度
良くパターニングすることができることを見いだし、か
かる知見にもとづいて、基板上Ｉ：有磯レジストをコー
トシ、所定のマスクを介して露光し、現像を行なうと共
に露光又は現像の前段階において有機レジストをコート
した基板を芳香族溶剤中に浸漬してパターンの断面形状
カ逆テーパー形状の有鏝レジストパターンを形成する工
程、有醗レジストパターンを有する基板上に金属−を成
膜する工程、前記金属層をリフトオフによりパターニン
グして金属／＜９−ンを形成する工程、金属パターンを
有Ｔる基板とに多重誘電１体薄膜を成膜する工程、及び
前記第”Ｊ ＬＩ Ｎ体薄膜をリフトオフによりパター
ニングする工程よ１１なることを特徴とする多＠誘な体
薄膜のパターニング方法を要旨とする第１の発明を完成
したものである。
上に有機レジストをコートし、所定のマスクを介して露
光し、現像を行なうと共に露光又は現像の前段階におい
て有機レジストを７−トした基板を芳香族溶剤中に浸漬
してパターンの断面形状が逆テーパー形状の有機レジス
トパターンを形成することができること、前記有機レジ
ストパターンを有する基板上に金１１を成膜し、リフト
オフすることによりパターンの断面形状が逆テーパー形
状の金属パターンな得ることかできろこと、及び前記金
属パターンを有する基板上に多１誘電体薄膜を成膜し、
リフトオフすることにより多＠誘を伏薄嗅を微細に精度
良くパターニングすることができることを見いだし、か
かる知見にもとづいて、基板上Ｉ：有磯レジストをコー
トシ、所定のマスクを介して露光し、現像を行なうと共
に露光又は現像の前段階において有機レジストをコート
した基板を芳香族溶剤中に浸漬してパターンの断面形状
カ逆テーパー形状の有鏝レジストパターンを形成する工
程、有醗レジストパターンを有する基板上に金属−を成
膜する工程、前記金属層をリフトオフによりパターニン
グして金属／＜９−ンを形成する工程、金属パターンを
有Ｔる基板とに多重誘電１体薄膜を成膜する工程、及び
前記第”Ｊ ＬＩ Ｎ体薄膜をリフトオフによりパター
ニングする工程よ１１なることを特徴とする多＠誘な体
薄膜のパターニング方法を要旨とする第１の発明を完成
したものである。
更に有機レジストパターンの形成後２００から５２１］
ｎｍの波長領域の遠紫外光を照射することこより、強い
遠紫外）Ｙ、の照射を受けてレジストのグロスリンキン
グがより進行し、加熱による有機レジストパターンの変
形（エツジのだれ）を防止することができ、逆テーパー
の断面形状のパターンの断面形状をより精度良く維持す
ることが可能となることを見いだし、かかる知見にもと
づいて、基板上に有機レジストをコートし、所定のマス
クを介して露光し、現像を行なうと共に露光又は現像の
前段階にて有機レジストをコートした基板を芳香族溶剤
中に浸漬してパターンの断面形状が逆テーパー形状の有
門レジストパターンを得る工程、有機レジストパターン
の作成後、２００から３２０ｎｍの波長領域の遠紫外光
を照射する工程、有機レジストパターンを有する基板上
に金属−を成膜する工程、前記金り＆判をリフトオフに
よりパターニングして金属パターンを得る工程、金属パ
ターンを有する基板上に多重誘電体薄膜な成膜する工程
、及び前記多鳴誘電体薄膜をリフトオフによりパターニ
ングする工程よりなることを特徴とする多脣誘電体薄膜
のパターニング方法である。
ｎｍの波長領域の遠紫外光を照射することこより、強い
遠紫外）Ｙ、の照射を受けてレジストのグロスリンキン
グがより進行し、加熱による有機レジストパターンの変
形（エツジのだれ）を防止することができ、逆テーパー
の断面形状のパターンの断面形状をより精度良く維持す
ることが可能となることを見いだし、かかる知見にもと
づいて、基板上に有機レジストをコートし、所定のマス
クを介して露光し、現像を行なうと共に露光又は現像の
前段階にて有機レジストをコートした基板を芳香族溶剤
中に浸漬してパターンの断面形状が逆テーパー形状の有
門レジストパターンを得る工程、有機レジストパターン
の作成後、２００から３２０ｎｍの波長領域の遠紫外光
を照射する工程、有機レジストパターンを有する基板上
に金属−を成膜する工程、前記金り＆判をリフトオフに
よりパターニングして金属パターンを得る工程、金属パ
ターンを有する基板上に多重誘電体薄膜な成膜する工程
、及び前記多鳴誘電体薄膜をリフトオフによりパターニ
ングする工程よりなることを特徴とする多脣誘電体薄膜
のパターニング方法である。
以下、本発明につき、開面を参照しながら詳細バターニ
ングする過程を示し、又、第１図は得られた製品を示す
。
ングする過程を示し、又、第１図は得られた製品を示す
。
先ず、ガラスなどの基板上に有機レジストをコートし、
所定のマスクを介して露光、現像を順次行なうと共にそ
のレジスト製版工程１：おいて、露光又は現像の前段階
において有機レジスト（ポジタイプフォトレジスト）を
コートした基板をクロルベンゼン、キシレン等の芳香族
溶剤に＋ａする。そのようにしてレジスト製版すること
により第２１図示の如く基板（１）上にパターンの断面
形状が逆テーパー形状の有機レジストパターン（２）を
形成Ｔる。ここにおいて有機レジストとしてポジタイプ
フォトレジストとしては。
所定のマスクを介して露光、現像を順次行なうと共にそ
のレジスト製版工程１：おいて、露光又は現像の前段階
において有機レジスト（ポジタイプフォトレジスト）を
コートした基板をクロルベンゼン、キシレン等の芳香族
溶剤に＋ａする。そのようにしてレジスト製版すること
により第２１図示の如く基板（１）上にパターンの断面
形状が逆テーパー形状の有機レジストパターン（２）を
形成Ｔる。ここにおいて有機レジストとしてポジタイプ
フォトレジストとしては。
ＡＺ−１５５０（シプレー社）ＯＦＰＲ−８００Ｃ東京
応化）に代表されるノボラックｍ脂、キ”：１１
ノンジアジド系のレジストを使用することかで
１ きる。又、浸漬操作の条件は、使用Ｔる
溶剤によっても異なるが、七ノグａルベンゼンの場合、
３０℃、２０分が条件として適当である。クロルベンゼ
ン等の芳香族溶剤への浸漬時間を調節する事により、レ
ジスト−の、逆テーパーのτ合いを調整することができ
る。
応化）に代表されるノボラックｍ脂、キ”：１１
ノンジアジド系のレジストを使用することかで
１ きる。又、浸漬操作の条件は、使用Ｔる
溶剤によっても異なるが、七ノグａルベンゼンの場合、
３０℃、２０分が条件として適当である。クロルベンゼ
ン等の芳香族溶剤への浸漬時間を調節する事により、レ
ジスト−の、逆テーパーのτ合いを調整することができ
る。
次に第３図示の如く有機レジストパターン＋２１をの方
法によりＡ１、Ａｇ％Ｏｖ等の金１１３１をい基板温度
、望ましくは１２０℃以下１；て成膜する事が好ましい
。
法によりＡ１、Ａｇ％Ｏｖ等の金１１３１をい基板温度
、望ましくは１２０℃以下１；て成膜する事が好ましい
。
又、イオンブレーティング法又は低温スバ・′ｌり法を
祷用丁れば、低温にて基板への密青性の良い膜が得られ
る。
祷用丁れば、低温にて基板への密青性の良い膜が得られ
る。
次にレジスト剥離液を用いて処理して有機レジストパタ
ーンｆ２）を除去することにより金１ｆｉ 層＋３１を
リフトオフして第４図示の如く逆テーパー状の断面形状
の金属パターン（４）を得る。
ーンｆ２）を除去することにより金１ｆｉ 層＋３１を
リフトオフして第４図示の如く逆テーパー状の断面形状
の金属パターン（４）を得る。
次いで金属パダー／（４）を有する基板【】）上に第５
図示の如く多１ｓ誘電体薄膜（５）を成膜Ｔる。
図示の如く多１ｓ誘電体薄膜（５）を成膜Ｔる。
次いで会にパターン（４）を該余塵パターンがＡ１よ＄
）なるときはリン酸により、又該金喝パダー酸セリウム
アンモニウムの混合水溶液１；より溶解除去することに
より多重誘電体薄膜をリフトオフして第１図示の如くテ
ーパー状の断面形状の多ｔ−誘電体薄膜パターン（６）
を得る。
）なるときはリン酸により、又該金喝パダー酸セリウム
アンモニウムの混合水溶液１；より溶解除去することに
より多重誘電体薄膜をリフトオフして第１図示の如くテ
ーパー状の断面形状の多ｔ−誘電体薄膜パターン（６）
を得る。
以とは第１の発明の方法Ｃ二ついての説明である。
次に第２の発明の方法についての説明である。
第２の発明の方法は有機レジストパターンの形成後２ｒ
１０〜３２０ｎｍの波長領域の遠紫外光を照射する点が
第１の発明の方法と異なるのみでその他の工程は第１の
発明の方法と同一である。
１０〜３２０ｎｍの波長領域の遠紫外光を照射する点が
第１の発明の方法と異なるのみでその他の工程は第１の
発明の方法と同一である。
而して第１の発明の方法において、有機レジストコート
した基板を芳香族溶剤に浸漬することにより、レジスト
表面−の感度がレジスト鴫内部の感度に比して低下する
ことにより断面が逆テーパー状の有機レジストパターン
が形成される− 次に第１の発明の方法において、−有機レジストパター
ンの逆テーパー状の断面豚伏は逆チー・。
した基板を芳香族溶剤に浸漬することにより、レジスト
表面−の感度がレジスト鴫内部の感度に比して低下する
ことにより断面が逆テーパー状の有機レジストパターン
が形成される− 次に第１の発明の方法において、−有機レジストパター
ンの逆テーパー状の断面豚伏は逆チー・。
−状の断面形状の金属パターンを生成する作用をするも
のである。
のである。
次に第１の発明の方法において金属パターンの逆テーパ
ー状の断面形状は微細なリフトオフベダーニングを精度
良く行なうことを可能ならしめるものであり、又、リフ
トオフベダーニングされたパターンのエツジをなめらか
に形成する作用をするものである。
ー状の断面形状は微細なリフトオフベダーニングを精度
良く行なうことを可能ならしめるものであり、又、リフ
トオフベダーニングされたパターンのエツジをなめらか
に形成する作用をするものである。
次に第２の発明の方法において、有機レジストパターン
に２００〜３２０ｎｍの波長領域の遠紫外光を照射Ｔる
ことによｌ）レジスト中に残留するキノンジアジド成分
が分解せしめられ、又ノボラッグ樹脂中に光による架橋
が生せしめられ。
に２００〜３２０ｎｍの波長領域の遠紫外光を照射Ｔる
ことによｌ）レジスト中に残留するキノンジアジド成分
が分解せしめられ、又ノボラッグ樹脂中に光による架橋
が生せしめられ。
それによってレジス）ＩＩよ１】のガスの発生が防止さ
れ、又、加島等によるレジスト鳴の変形（エツジのダレ
）が防止される。また、有機レジメ）ＩＩの形状を現像
後の形状と目程度に維持でき、高精度のパターニングが
可能となる。
れ、又、加島等によるレジスト鳴の変形（エツジのダレ
）が防止される。また、有機レジメ）ＩＩの形状を現像
後の形状と目程度に維持でき、高精度のパターニングが
可能となる。
一般に有機レジストは現像後、ベーキングをしてレジス
トの密着性及び・１ｌｉＪ ｔ’ＪＬを向上させるが、
ベーキングをするとレジスト昂が流動しレジストの形状
が変形してしまうが、本発明ではこのような問題が生じ
ることがなく、逆テーパーの断面形状が良好に保たれる
。
トの密着性及び・１ｌｉＪ ｔ’ＪＬを向上させるが、
ベーキングをするとレジスト昂が流動しレジストの形状
が変形してしまうが、本発明ではこのような問題が生じ
ることがなく、逆テーパーの断面形状が良好に保たれる
。
［実施例］
実亦例１
ガラス基板上にポジダイブフォトンシスト０ＦＰＲ８０
０，２０ｃｐ （東京応化製）を２００Ｏｒｐｍにてス
ピンコードし、ホットプレート式オープンにで９０℃、
１５分乾燥した。
０，２０ｃｐ （東京応化製）を２００Ｏｒｐｍにてス
ピンコードし、ホットプレート式オープンにで９０℃、
１５分乾燥した。
次にこのフォトレジストをコートしたガラス基板をモノ
クロルベンゼン中１＝３０℃２０分間浸漬処理し、しか
るのちモ、ノグロルベンゼン処理したレジス）１４に原
版をあてがい露光、現像して逆テーパーの断面形状を持
つレジストパターンを形成した。
クロルベンゼン中１＝３０℃２０分間浸漬処理し、しか
るのちモ、ノグロルベンゼン処理したレジス）１４に原
版をあてがい露光、現像して逆テーパーの断面形状を持
つレジストパターンを形成した。
次いでレジストパターンを形成したガラス基板上にアル
ミニウムを１μの厚さに真空ｉｔして°１
アルミニウム鳴を形成した。
ミニウムを１μの厚さに真空ｉｔして°１
アルミニウム鳴を形成した。
次いでレジスト剥離剤（剥離液１０、東京応化−）をｌ
ｒｌいて萌１Ｐ１／ジストパクーンを除去「ろことによ
りアルミニウムーをリフトオフし、急しゅんなエツジ形
状を持つアルミニウムパターンを形成した。
ｒｌいて萌１Ｐ１／ジストパクーンを除去「ろことによ
りアルミニウムーをリフトオフし、急しゅんなエツジ形
状を持つアルミニウムパターンを形成した。
このアルミニウムパターンを形成したガラス八板上にＴ
ｉＯ２＠と ５１０２碕を交互に１０Ｉ哨、真正、蒸１
法によｌｌＦ［形成した。
ｉＯ２＠と ５１０２碕を交互に１０Ｉ哨、真正、蒸１
法によｌｌＦ［形成した。
次いでリン酸を用いてアルミニウムパターンを溶解除去
することにより旧紀多［暢誘電体薄膜をリフトオフし、
多重誘ｉ！住ｍ膜パターンを形成した。
することにより旧紀多［暢誘電体薄膜をリフトオフし、
多重誘ｉ！住ｍ膜パターンを形成した。
実施例２
ガラス基板上にポジタイプフォトレジスト０ＦＰＲ８ｎ
Ｏ１２［１ｃｐ（東京応化特）を２０００ ｒｐｍ に
てスピンコードし、ホットプレート式オーブンにて９０
℃、１５分乾燥した。
Ｏ１２［１ｃｐ（東京応化特）を２０００ ｒｐｍ に
てスピンコードし、ホットプレート式オーブンにて９０
℃、１５分乾燥した。
次にこのフォトレジストをコートしたガラス基ｉをモノ
クロルベンゼン中に３０℃２０分間浸漬処理し、しかる
のちモノケロルベンゼン処理したレジスト１１−原版を
あてがい露光、現像して逆テーパーの断面形状を持つレ
ジストパターンを形成した。
クロルベンゼン中に３０℃２０分間浸漬処理し、しかる
のちモノケロルベンゼン処理したレジスト１１−原版を
あてがい露光、現像して逆テーパーの断面形状を持つレ
ジストパターンを形成した。
次いでレジストパターンに２００〜３２０ ｎｍの遠紫
外光を８００ｍＷ／メの強度にて１分間照射し、レジス
ト層を便化せしめた。
外光を８００ｍＷ／メの強度にて１分間照射し、レジス
ト層を便化せしめた。
次いでレジストパターンを形成したガラス基板とにアル
ミニウムを１μの厚さに真空蒸看してアルミニウム鳴を
形成した。
ミニウムを１μの厚さに真空蒸看してアルミニウム鳴を
形成した。
次いでレジスト剥離剤（剥Ｒ液１０、東京応化製）を用
いて前記レジストパターンを除去することによｌ）アル
ミニウム１をリフトオフし、急しゅんなエツジ形状を持
つアルミニウムパターンを形成した。
いて前記レジストパターンを除去することによｌ）アル
ミニウム１をリフトオフし、急しゅんなエツジ形状を持
つアルミニウムパターンを形成した。
このアルミニウムパターンを形成したガラス基板上にＴ
１０２１Ｆ！ｉと ５１０２層を交互に１０１＠、真空
蒸青法によ１１積り形成した。
１０２１Ｆ！ｉと ５１０２層を交互に１０１＠、真空
蒸青法によ１１積り形成した。
次いでリン酸を用いてアルミニウムパターンを溶解除去
することこより前記多層誘電体薄膜をリフトオフし、多
ｆＭ ｙｉ電休体膜パターンを形成した。
することこより前記多層誘電体薄膜をリフトオフし、多
ｆＭ ｙｉ電休体膜パターンを形成した。
以上、詳記した通り、本発明によれば多層誘電ｔｋ薄暉
を微細にｗｔ度良くバターニングすることができる。
を微細にｗｔ度良くバターニングすることができる。
示す断面図、第６図は従来の多層誘電体薄膜のパダーニ
ング過程を示す断面図である。
ング過程を示す断面図である。
Claims (2)
- （１）基板上に有機レジストをコートし、所定のマスク
を介して露光し、現像を行なうと共に露光又は現像の前
段階において有機レジストをコートした基板を芳香族溶
剤中に浸漬してパターンの断面形状が逆テーパー形状の
有機レジストパターンを形成する工程、有機レジストパ
ターンを有する基板上に金属層を成膜する工程、前記金
属層をリフトオフによりパターニングして金属パターン
を形成する工程、金属パターンを有する基板上に多層誘
電体薄膜を成膜する工程、及び前記多層誘電体薄膜をリ
フトオフによりパターニングする工程よりなることを特
徴とする多層誘電体薄膜のパターニング方法。 - （２）基板上に有機レジストをコートし、所定のマスク
を介して露光し、現像を行なうと共に残光又は現像の前
段階において有機レジストをコートした基板を芳香族溶
剤中に浸漬してパターンの断面形状が逆テーパー形状の
有機レジストパターンを形成する工程、有機レジストパ
ターンの形成後、２００から３２０ｎｍの波長領域の遠
紫外光を照射する工程、有機レジストパターンを有する
基板上に金属層を成膜する工程、前記金属層をリフトオ
フによりパターニングして金属パターンを形成する工程
、金属パターンを有する基板上に多層誘電体薄膜を成膜
する工程、及び前記多層誘電体薄膜をリフトオフにより
パターニングする工程よりなることを特徴とする多層誘
電体薄膜のパターニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22645984A JPS61103151A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | 多層誘電体薄膜のパタ−ニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22645984A JPS61103151A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | 多層誘電体薄膜のパタ−ニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61103151A true JPS61103151A (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=16845424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22645984A Pending JPS61103151A (ja) | 1984-10-27 | 1984-10-27 | 多層誘電体薄膜のパタ−ニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61103151A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138468A (ja) * | 1988-11-16 | 1990-05-28 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成法 |
| WO2007037553A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Zeon Corporation | 金属配線付き基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-10-27 JP JP22645984A patent/JPS61103151A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2007037553A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Zeon Corporation | 金属配線付き基板の製造方法 |
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