JPH0273259A - レジスト膜の乾燥硬化方法 - Google Patents
レジスト膜の乾燥硬化方法Info
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- JPH0273259A JPH0273259A JP22613588A JP22613588A JPH0273259A JP H0273259 A JPH0273259 A JP H0273259A JP 22613588 A JP22613588 A JP 22613588A JP 22613588 A JP22613588 A JP 22613588A JP H0273259 A JPH0273259 A JP H0273259A
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- JP
- Japan
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- resist film
- resin
- curing
- substrate
- drying
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレジスト膜の乾燥硬化方法に関し、特に段差の
ある基板上でも表面平坦性の得られるレジスト膜の乾燥
硬化方法に関する。
ある基板上でも表面平坦性の得られるレジスト膜の乾燥
硬化方法に関する。
従来、ＰＧＭＡ （ポリグリシジルメタクレート）、Ｐ
ＭＭＡ （ポリメチルメタクレート）、ＧＣＭ等の熱硬
化性レジスト膜を基板上に形成し、乾燥硬化する場合、
熱硬化温度付近の温度のベータ炉に数時間入れることに
より乾燥硬化していた。例えばＰＭＭＡの場合、熱硬化
温度が１２０℃〜１６０℃であるので第３図のような熱
履歴を加えて乾燥硬化していた。
ＭＭＡ （ポリメチルメタクレート）、ＧＣＭ等の熱硬
化性レジスト膜を基板上に形成し、乾燥硬化する場合、
熱硬化温度付近の温度のベータ炉に数時間入れることに
より乾燥硬化していた。例えばＰＭＭＡの場合、熱硬化
温度が１２０℃〜１６０℃であるので第３図のような熱
履歴を加えて乾燥硬化していた。
通常、段差のある基板上にレジスト膜を形成した場合、
表面の平坦性が悪くなり、これは従来の乾燥硬化方法で
は低減することができない。特に、基板上に直接色フィ
ルタを形成するカラー固体撮像素子においては、遮光膜
上にＰＭＭＡ等のレジストで表面を平滑にしようとする
場合、必ず表面に凹凸が生じ、これは色むらの原因とな
る。
表面の平坦性が悪くなり、これは従来の乾燥硬化方法で
は低減することができない。特に、基板上に直接色フィ
ルタを形成するカラー固体撮像素子においては、遮光膜
上にＰＭＭＡ等のレジストで表面を平滑にしようとする
場合、必ず表面に凹凸が生じ、これは色むらの原因とな
る。
本発明のレジスト膜の乾燥硬化方法は、基板上にレジス
ト膜を形成し乾燥硬化する工程において、レジスト膜の
軟化温度で乾燥する第１の工程と、熱硬化温度で乾燥硬
化する第２の工程を有している。
ト膜を形成し乾燥硬化する工程において、レジスト膜の
軟化温度で乾燥する第１の工程と、熱硬化温度で乾燥硬
化する第２の工程を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明のレジスト膜の乾燥硬化方法の一実施例
における熱履歴図である。本実施例では電子線レジスト
であるＰＭＭＡを用いた場合に関する。ＰＭＭＡは熱硬
化性樹脂であり、基板にＰＭＭＡを塗布した後、第１図
に示されるように、まずＰＭＭＡの軟化温度である１０
０℃で１時間熱処理をする。次にＰＭＭＡの熱硬化温度
である１５０℃にベーク炉を上げ、１時間再熱処理をす
る。
における熱履歴図である。本実施例では電子線レジスト
であるＰＭＭＡを用いた場合に関する。ＰＭＭＡは熱硬
化性樹脂であり、基板にＰＭＭＡを塗布した後、第１図
に示されるように、まずＰＭＭＡの軟化温度である１０
０℃で１時間熱処理をする。次にＰＭＭＡの熱硬化温度
である１５０℃にベーク炉を上げ、１時間再熱処理をす
る。
さて、第２図（ａ） 、 （ｂ）にカラー固体撮像素子
の遮光膜上にＰＭＭＡを形成する場合の本発明の一実施
例を用いた例を示す。フォトダイオード４等の形成され
たカラー固体撮像素子用半導体基板１０表面は遮光膜２
が形成している為、ＰＭＭＡ等の熱硬化性樹脂３を塗布
した場合、第２図（ａ）に示されるような平面不均一性
が熱硬化性樹脂３に生じる。この状態で第１図に示され
る１００℃のベータを加えると熱硬化性樹脂３が軟化し
熱流動にょう、表面の平坦性が改善される（第２図（ｂ
））。
の遮光膜上にＰＭＭＡを形成する場合の本発明の一実施
例を用いた例を示す。フォトダイオード４等の形成され
たカラー固体撮像素子用半導体基板１０表面は遮光膜２
が形成している為、ＰＭＭＡ等の熱硬化性樹脂３を塗布
した場合、第２図（ａ）に示されるような平面不均一性
が熱硬化性樹脂３に生じる。この状態で第１図に示され
る１００℃のベータを加えると熱硬化性樹脂３が軟化し
熱流動にょう、表面の平坦性が改善される（第２図（ｂ
））。
以上説明したように、本発明は軟化点近傍の熱処理を初
期に追加しているので、段差のある基板に形成した場合
に発生する表面の凹凸を緩和させ、表面平坦性が改善さ
れる効果がある。
期に追加しているので、段差のある基板に形成した場合
に発生する表面の凹凸を緩和させ、表面平坦性が改善さ
れる効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるレジスト膜の乾燥硬化
方法を示す熱履歴図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発
明の一実施例によるレジスト膜の乾燥硬化方法を適用し
たカラー固体撮像素子の各工程に於ける断面図、第３図
は従来のレジスト膜の乾燥硬化方法の熱履歴図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・遮光膜、３
・・・・・・熱硬化性樹脂、４・・・・・・フォトダイ
オード。 代理人 弁理士 内 原 晋 ／−４４住り叛 ２〜−一速、先機 ３−−一 声外款化セＬ々弓゛月ら ４−−−フォトダイオード θ ／ ？ 熱ゐ理ｆ３ＪＴ間（Δθｌｒ） 第１ 口 第２図
方法を示す熱履歴図、第２図（ａ） 、 （ｂ）は本発
明の一実施例によるレジスト膜の乾燥硬化方法を適用し
たカラー固体撮像素子の各工程に於ける断面図、第３図
は従来のレジスト膜の乾燥硬化方法の熱履歴図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・遮光膜、３
・・・・・・熱硬化性樹脂、４・・・・・・フォトダイ
オード。 代理人 弁理士 内 原 晋 ／−４４住り叛 ２〜−一速、先機 ３−−一 声外款化セＬ々弓゛月ら ４−−−フォトダイオード θ ／ ？ 熱ゐ理ｆ３ＪＴ間（Δθｌｒ） 第１ 口 第２図
Claims (1)
- 基板上にレジスト膜を形成し乾燥硬化する工程において
、前記レジスト膜の軟化温度で乾燥する第１の工程と、
熱硬化温度で乾燥硬化する第２の工程とを含むことを特
徴とするレジスト膜の乾燥硬化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22613588A JPH0273259A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | レジスト膜の乾燥硬化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22613588A JPH0273259A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | レジスト膜の乾燥硬化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273259A true JPH0273259A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16840399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22613588A Pending JPH0273259A (ja) | 1988-09-08 | 1988-09-08 | レジスト膜の乾燥硬化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0273259A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| US6890453B2 (en) | 2001-05-21 | 2005-05-10 | Baerlocher Gmbh | Finely distributed stabilizing composition for polymers containing halogen |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6256965A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光性平版印刷版の処理方法 |
| JPS6256956A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Fujitsu Ltd | 耐熱性絶縁パタ−ンの製造方法 |
-
1988
- 1988-09-08 JP JP22613588A patent/JPH0273259A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6256965A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-12 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光性平版印刷版の処理方法 |
| JPS6256956A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Fujitsu Ltd | 耐熱性絶縁パタ−ンの製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| US6890453B2 (en) | 2001-05-21 | 2005-05-10 | Baerlocher Gmbh | Finely distributed stabilizing composition for polymers containing halogen |
| US7572389B2 (en) | 2001-05-21 | 2009-08-11 | Baerlocher Gmbh | Finely distributed stabilising composition for polymers containing halogen |
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