JPH01238017A - レジスト層の形成方法 - Google Patents
レジスト層の形成方法Info
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- JPH01238017A JPH01238017A JP6362288A JP6362288A JPH01238017A JP H01238017 A JPH01238017 A JP H01238017A JP 6362288 A JP6362288 A JP 6362288A JP 6362288 A JP6362288 A JP 6362288A JP H01238017 A JPH01238017 A JP H01238017A
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- Japan
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- resist
- substrate
- solvent
- resist layer
- baking
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体基板上のレジスト層の形成方法に関し、均一なレ
ジスト層を形成することを目的とし、レジストを回転塗
布した半導体基板表面に、該塗布に用いたレジスト溶剤
を蒸気状態で作用させ、その後ベーキングを行なうよう
に構成する。
ジスト層を形成することを目的とし、レジストを回転塗
布した半導体基板表面に、該塗布に用いたレジスト溶剤
を蒸気状態で作用させ、その後ベーキングを行なうよう
に構成する。
本発明は、半導体基板上のレジスト層の形成方法に関す
る。
る。
半導体基板上に種々の素子を形成するためにフォトリソ
グラフィー処理を行なう際に、必要なパターン転写を行
なうためのレジスト層を形成する。
グラフィー処理を行なう際に、必要なパターン転写を行
なうためのレジスト層を形成する。
一般的なレジスト層の形成方法においては、レジストを
基板上に回転塗布した後ベーキングを行なうことによっ
てレジスト溶剤を揮発させてレジスト層を形成する。
基板上に回転塗布した後ベーキングを行なうことによっ
てレジスト溶剤を揮発させてレジスト層を形成する。
露光および現像によって正確なレジストパターンが形成
されるためには、レジスト層が基板全体にわたってでき
る限り均一な厚さで形成されていることが重要である。
されるためには、レジスト層が基板全体にわたってでき
る限り均一な厚さで形成されていることが重要である。
回転塗布にふいて、レジストは基板表面の中心部に滴下
され、基板の回転の遠心力によって基板周縁部に向かっ
て放射状に拡がり、最終的に基板表面全体を覆う。しか
し、基板上に段差の大きいパターンが形成されている場
合には、滴下されたレジストが段差の影響で均一に拡が
らない。塗布後のレジストは溶剤の揮発が既にある程度
開始して流動性をかなり失っているので、上記のような
不均一な塗布状態は、次に行なうベーキングによって固
化したレジスト層の不均一性となってほぼそのまま残存
することになる。このようにレジスト層が不均一である
と、露光および現像によって得られるレジストパターン
に寸法差や位置のずれが生じ、結 局形成される素子
の寸法精度やアラインメント精度が低下するという問題
があった。
され、基板の回転の遠心力によって基板周縁部に向かっ
て放射状に拡がり、最終的に基板表面全体を覆う。しか
し、基板上に段差の大きいパターンが形成されている場
合には、滴下されたレジストが段差の影響で均一に拡が
らない。塗布後のレジストは溶剤の揮発が既にある程度
開始して流動性をかなり失っているので、上記のような
不均一な塗布状態は、次に行なうベーキングによって固
化したレジスト層の不均一性となってほぼそのまま残存
することになる。このようにレジスト層が不均一である
と、露光および現像によって得られるレジストパターン
に寸法差や位置のずれが生じ、結 局形成される素子
の寸法精度やアラインメント精度が低下するという問題
があった。
本発明は、均一なレジスト層を形成することを目的とす
る。
る。
上記の目的は、本発明にしたがえば、レジストを回転塗
布した半導体基板表面に、該塗布に用いたレジスト溶剤
を蒸気状態で作用させ、その後ベーキングを行なうこと
を特徴とするレジスト層の形成方法によって達成される
。
布した半導体基板表面に、該塗布に用いたレジスト溶剤
を蒸気状態で作用させ、その後ベーキングを行なうこと
を特徴とするレジスト層の形成方法によって達成される
。
一般的に、レジストは、ベーキングによって固化してレ
ジスト層となるレジスト本体としての成分を、個々のレ
ジスト本体に最も適したレジスト溶剤中に溶解させた状
態で市販されており、この状態で回転塗布に用いられる
。市販のレジストおよび適した溶剤の例を第１表に示す
。
ジスト層となるレジスト本体としての成分を、個々のレ
ジスト本体に最も適したレジスト溶剤中に溶解させた状
態で市販されており、この状態で回転塗布に用いられる
。市販のレジストおよび適した溶剤の例を第１表に示す
。
第１表
（メーカー塩を付したものは商品名であり、その他は化
学物質としての一般名称である。）回転塗布は、回転塗
布装置（通称ニスビナ−）の真空チャックに基板を保持
し、基板中心部分にレジストを滴下した後（または滴下
しながら）、３０００〜５５００ｒｐｍ程度で基板を回
転させることによって行なう。
学物質としての一般名称である。）回転塗布は、回転塗
布装置（通称ニスビナ−）の真空チャックに基板を保持
し、基板中心部分にレジストを滴下した後（または滴下
しながら）、３０００〜５５００ｒｐｍ程度で基板を回
転させることによって行なう。
回転塗布したままのレジストは、溶剤の自然揮発によっ
て流動性はほとんど失われているが、まだ生乾きの状態
であり、同化はしていない。この状態のレジストに、塗
布に用いたのと同一のレジスト溶剤を蒸気状態にして作
用させる。その結果、自然揮発による溶剤散逸分が補充
され、塗布状態のレジストが充分な流動性を回復して、
局部的に過剰塗布となった部分からは余分なレジストが
周囲へ流出し、逆に塗布不足の部分には周囲からレジス
トが流入する。このようにして、局部的なレジストの過
不足が解消され、レジストの塗布状態が均一化される。
て流動性はほとんど失われているが、まだ生乾きの状態
であり、同化はしていない。この状態のレジストに、塗
布に用いたのと同一のレジスト溶剤を蒸気状態にして作
用させる。その結果、自然揮発による溶剤散逸分が補充
され、塗布状態のレジストが充分な流動性を回復して、
局部的に過剰塗布となった部分からは余分なレジストが
周囲へ流出し、逆に塗布不足の部分には周囲からレジス
トが流入する。このようにして、局部的なレジストの過
不足が解消され、レジストの塗布状態が均一化される。
その後ベーキングを行なうことによって均一なレジスト
層が形成される。
層が形成される。
レジスト溶剤を蒸気状態で作用させるための条件は、特
に厳密に限定する必要はなく、実操業で許容可能な温度
、時間等の範囲で上記のようにレジストの塗布状態の均
一化が行なわれればよい。
に厳密に限定する必要はなく、実操業で許容可能な温度
、時間等の範囲で上記のようにレジストの塗布状態の均
一化が行なわれればよい。
一般的には、適当な容器に収容した溶剤中に、窒素等の
不活性なガスを吹き込んでバブリングさせることによっ
て、溶剤蒸気を含むガス流を形成し、レジスト塗布した
基板を収容した処理室中にこの溶剤蒸気含有ガスを導入
することが便利である。
不活性なガスを吹き込んでバブリングさせることによっ
て、溶剤蒸気を含むガス流を形成し、レジスト塗布した
基板を収容した処理室中にこの溶剤蒸気含有ガスを導入
することが便利である。
このような態様で上記作用を行なう場合の条件としては
、たとえば温度：常温、バブリング圧：１〜５ ｋｇ
／ ｃｎｆ程度、ガス流量＝１〜５０１／分程度、処理
室容積−０，１〜１１程度、処理時間二３０〜６０秒程
度で充分である。処理室としては、別個に設けてもよい
が、スピナー中で保持した基板を囲むレジストカップを
用いることもできる。
、たとえば温度：常温、バブリング圧：１〜５ ｋｇ
／ ｃｎｆ程度、ガス流量＝１〜５０１／分程度、処理
室容積−０，１〜１１程度、処理時間二３０〜６０秒程
度で充分である。処理室としては、別個に設けてもよい
が、スピナー中で保持した基板を囲むレジストカップを
用いることもできる。
本発明のレジスト層の形成方法においては、自然揮発に
よって失われたレジストの流動性を充分に回復させるこ
とによって、レジス、トの塗布状態が均一化されるので
、ベーキングによって均一なレジスト層を得ることがで
きる。
よって失われたレジストの流動性を充分に回復させるこ
とによって、レジス、トの塗布状態が均一化されるので
、ベーキングによって均一なレジスト層を得ることがで
きる。
各種素子ノゞターンが形成された途中工程の基板につい
て本発明の方法を適用した。ベーキング後前の操作は全
て常温（実測２３℃）で行なった。
て本発明の方法を適用した。ベーキング後前の操作は全
て常温（実測２３℃）で行なった。
基板にレジスト０ＦＰＲ−８００（溶剤ＥＣＡ）を回転
塗布したくスピナー回転速度５０００ｒｐｍ ）。次に
、第１図において、溶剤４ （ＥＣＡ）３１を収容した
容器５中に下部から窒素ガスを圧カニ１，５ｋｇ／ｃｔ
ｌ、流量：１０ｊ！／分で導入してバブリングを起させ
た。容器５の上部から溶剤蒸気を含有した窒素ガスを取
り出し、レジスト塗布した基板１をそのまま保持した状
態でスピナー（図示せず）のレジストカップ２（容積：
Ｏ，：ｌ）中に４０秒間導入した。スピナーから基板を
取り出して、ベーキング炉で１１０℃と、９０秒のベー
キングを行なった。
塗布したくスピナー回転速度５０００ｒｐｍ ）。次に
、第１図において、溶剤４ （ＥＣＡ）３１を収容した
容器５中に下部から窒素ガスを圧カニ１，５ｋｇ／ｃｔ
ｌ、流量：１０ｊ！／分で導入してバブリングを起させ
た。容器５の上部から溶剤蒸気を含有した窒素ガスを取
り出し、レジスト塗布した基板１をそのまま保持した状
態でスピナー（図示せず）のレジストカップ２（容積：
Ｏ，：ｌ）中に４０秒間導入した。スピナーから基板を
取り出して、ベーキング炉で１１０℃と、９０秒のベー
キングを行なった。
ベーキング後の基板の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ
）で観察した。パターン段差部でのレジスト層の過不足
は観察されなかった。
）で観察した。パターン段差部でのレジスト層の過不足
は観察されなかった。
比較のために、実施例と同様の途中工程の基板について
、実施例と同様にレジストを回転塗布し、次に直接実施
例と同様のベーキングを行なった。
、実施例と同様にレジストを回転塗布し、次に直接実施
例と同様のベーキングを行なった。
ベーキング後の基板の断面をＳＥＭで観察した。
パターン段差部でレジスト層が平均的厚さよりも最大約
１５％厚い部分と最大約１５％薄い部分が観察された。
１５％厚い部分と最大約１５％薄い部分が観察された。
本発明のレジスト層の形成方法によれば、レジストの塗
布状態を均一化することによって、ベーキングで均一な
レジスト層を形成することができるため、露光および現
像によって得られるレジストパターンに寸法差や位置の
ずれが生ぜず、最終的に素子の寸法精度およびアライン
メント精度を著しく向上させることができる。
布状態を均一化することによって、ベーキングで均一な
レジスト層を形成することができるため、露光および現
像によって得られるレジストパターンに寸法差や位置の
ずれが生ぜず、最終的に素子の寸法精度およびアライン
メント精度を著しく向上させることができる。
第１図は、本発明に従ってレジスト溶剤を蒸気状態で作
用させる態様の例を示す説明図である。 １・・・基板、 ２・・・レジストカップ
、３・・・真空チャック、 ４・・・レジスト溶剤
、５・・・容器。
用させる態様の例を示す説明図である。 １・・・基板、 ２・・・レジストカップ
、３・・・真空チャック、 ４・・・レジスト溶剤
、５・・・容器。
Claims (1)
- １、レジストを回転塗布した半導体基板表面に、該塗布
に用いたレジスト溶剤を蒸気状態で作用させ、その後ベ
ーキングを行なうことを特徴とするレジスト層の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6362288A JPH01238017A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | レジスト層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6362288A JPH01238017A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | レジスト層の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238017A true JPH01238017A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13234611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6362288A Pending JPH01238017A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | レジスト層の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01238017A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2016107258A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-06-20 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | ラッカーで基板を被覆する方法およびラッカー層を平坦化するための装置 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6362288A patent/JPH01238017A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
| US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
| JP5132781B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2013-01-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US8614500B2 (en) | 2008-11-05 | 2013-12-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming apparatus, film forming method, and semiconductor device |
| JP2016107258A (ja) * | 2014-09-25 | 2016-06-20 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | ラッカーで基板を被覆する方法およびラッカー層を平坦化するための装置 |
| US11247229B2 (en) | 2014-09-25 | 2022-02-15 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Method for coating a substrate with a lacquer and device for planarising a lacquer layer |
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