JPS6368834A - ポジ型フオトレジスト組成物の厚膜形成方法 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物の厚膜形成方法Info
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- JPS6368834A JPS6368834A JP21331886A JP21331886A JPS6368834A JP S6368834 A JPS6368834 A JP S6368834A JP 21331886 A JP21331886 A JP 21331886A JP 21331886 A JP21331886 A JP 21331886A JP S6368834 A JPS6368834 A JP S6368834A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、ポジ型フォトレジスト組成物の均一性良好な
厚膜の形成方法に関するものである。
厚膜の形成方法に関するものである。
さらに詳しくは、ウェハープロセスの回転塗布機を用い
るポジ型フォトレジスト組成物の厚膜形成方法に関する
ものである。
るポジ型フォトレジスト組成物の厚膜形成方法に関する
ものである。
〈従来技術及びその問題点〉
従来、ウェハープロセスにおいて、ポジ型フォトレジス
ト組成物で厚膜を得るために、高粘度のレジスト液を用
い回転塗布機を低速回転することで塗布する方法が試み
られてきたが、一層塗布のこの方法では塗布表面の均一
な厚膜を得ることは実用的な面から不充分であった。従
って、ソルダーレジストやメツキレシストなどのように
、特に２０μｍ以上の厚膜が必要な場合には、印刷法や
ドライフィルム法が採用されてきた。
ト組成物で厚膜を得るために、高粘度のレジスト液を用
い回転塗布機を低速回転することで塗布する方法が試み
られてきたが、一層塗布のこの方法では塗布表面の均一
な厚膜を得ることは実用的な面から不充分であった。従
って、ソルダーレジストやメツキレシストなどのように
、特に２０μｍ以上の厚膜が必要な場合には、印刷法や
ドライフィルム法が採用されてきた。
しかしながら、微細加工技術が進み、厚膜でも微細なパ
ターンが要求される今日、ポジ型フォトレジスト組成物
の回転塗布によるメッキパターン用の均一な厚膜レジス
トが要求されるようになってきた。
ターンが要求される今日、ポジ型フォトレジスト組成物
の回転塗布によるメッキパターン用の均一な厚膜レジス
トが要求されるようになってきた。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明者らは、このような状況に鑑み鋭意検討した結果
、従来より高速回転とすることで重ね塗布を行ない、そ
の重ね塗りの間に予備加熱工程を入れることにより、二
層、三層あるいはそれ以上の重ね塗りが均一に行なえ、
その結果例えばレジストの膜厚は２０μｍ以上に塗布す
ることができ、かつ、ポジ型フォトレジストとしてパタ
ーンを形成した時にウェハー面内にわたり良好なパター
ンが得られることを見い出した。さらに驚くべきことに
、重ね塗布した境界層も均一な連続層となり、パターン
断面も滑らかに形成されることを見出した。
、従来より高速回転とすることで重ね塗布を行ない、そ
の重ね塗りの間に予備加熱工程を入れることにより、二
層、三層あるいはそれ以上の重ね塗りが均一に行なえ、
その結果例えばレジストの膜厚は２０μｍ以上に塗布す
ることができ、かつ、ポジ型フォトレジストとしてパタ
ーンを形成した時にウェハー面内にわたり良好なパター
ンが得られることを見い出した。さらに驚くべきことに
、重ね塗布した境界層も均一な連続層となり、パターン
断面も滑らかに形成されることを見出した。
すなわち、本発明はポジ型フォトレジスト組成物の厚膜
形成方法において、回転塗布機を用いて高速回転下にレ
ジスト液を重ね塗布するに際し、塗布と塗布の間に予備
加熱の工程を入れ、該予備加熱温度を８５℃から１１０
℃の範囲で行なうことを特徴とするポジ型フォトレジス
ト組成物の厚膜形成方法である。本発明は特に、厚膜の
厚さが１５μｍから５０μｍであるポジ形フォトレジス
ト組成物の厚膜形成方法により効果的である。
形成方法において、回転塗布機を用いて高速回転下にレ
ジスト液を重ね塗布するに際し、塗布と塗布の間に予備
加熱の工程を入れ、該予備加熱温度を８５℃から１１０
℃の範囲で行なうことを特徴とするポジ型フォトレジス
ト組成物の厚膜形成方法である。本発明は特に、厚膜の
厚さが１５μｍから５０μｍであるポジ形フォトレジス
ト組成物の厚膜形成方法により効果的である。
更に本発明者らは、重ね塗布した後の膜厚が２０μｍを
越えるものについて、最上層の予備加熱をコンベクショ
ンオーブンで行なうことにより、更に優れたポジ型フォ
トレジスト組成物の厚膜が容易に得られることを見出し
た。
越えるものについて、最上層の予備加熱をコンベクショ
ンオーブンで行なうことにより、更に優れたポジ型フォ
トレジスト組成物の厚膜が容易に得られることを見出し
た。
すなわち、予備加熱後の膜厚が２０μｍを越える厚膜に
ついては、ホットプレートに吸着して予備加熱したもの
は下方により焼き締められるため最上部の強度が不足し
、露光時、感光成分分解により発生する気泡によってパ
ターンに多くの欠損が発生し易い。これに対して予備加
熱をコンベクションオーブンで行なったものは上部の強
度が充分となりパターンの欠損を完全に防ぐことが出来
ることを見出した。
ついては、ホットプレートに吸着して予備加熱したもの
は下方により焼き締められるため最上部の強度が不足し
、露光時、感光成分分解により発生する気泡によってパ
ターンに多くの欠損が発生し易い。これに対して予備加
熱をコンベクションオーブンで行なったものは上部の強
度が充分となりパターンの欠損を完全に防ぐことが出来
ることを見出した。
一方、本発明において、予備加熱の温度がパターン形成
上重要であることを見出した。すなわち、８５℃より低
温度では現像後の露光部全面に著しい残渣が認められ、
１１０℃より高温度では感光成分の熱分解が著しいこと
が判った。
上重要であることを見出した。すなわち、８５℃より低
温度では現像後の露光部全面に著しい残渣が認められ、
１１０℃より高温度では感光成分の熱分解が著しいこと
が判った。
本発明に用いるポジ型フォトレジスト組成物としては、
フェノール又はクレゾール等とアルデヒド類とから製造
されるノボラック樹脂等のアルカリ可溶性樹脂と、少な
くとも１個の。−キノンジアシド化合物を含む感光成分
とをアルカリ可溶性樹脂１４重量部当たり１〜１０重量
部加え、ケトン系、エステル系、セロソルブ系の有機溶
剤の単独もしくは２種以上で固形分を３０〜６０重量％
の間に混合溶解したものが挙げられる。
フェノール又はクレゾール等とアルデヒド類とから製造
されるノボラック樹脂等のアルカリ可溶性樹脂と、少な
くとも１個の。−キノンジアシド化合物を含む感光成分
とをアルカリ可溶性樹脂１４重量部当たり１〜１０重量
部加え、ケトン系、エステル系、セロソルブ系の有機溶
剤の単独もしくは２種以上で固形分を３０〜６０重量％
の間に混合溶解したものが挙げられる。
本発明に用いられる回転塗布機としては、ミカサ株式会
社製のミカサスピナーＩＨ−０２型等がある。
社製のミカサスピナーＩＨ−０２型等がある。
従来のポジ型フォトレジスト組成物で、例えば２０μｍ
以上の厚膜を得るには、５００〜１０００ ｃ ｐの高
粘度レジスト液を用いた場合でも、１０００〜１５００
ｒｐｍ以下の低速回転数で塗布する必要があった。しか
し、ウェハー周辺が突起状となる現象（以下クラウンと
称する）が無視できないレベルで発生する等、表面の均
一な厚膜を得ることが困難であった。これに対し本発明
では２０００〜５０００ｒｐｍ の高速回転数で重ね塗
布を行っても、上記クラウンの発生は実用的に問題とな
らないレベルであり、表面の均一性は良好である。
以上の厚膜を得るには、５００〜１０００ ｃ ｐの高
粘度レジスト液を用いた場合でも、１０００〜１５００
ｒｐｍ以下の低速回転数で塗布する必要があった。しか
し、ウェハー周辺が突起状となる現象（以下クラウンと
称する）が無視できないレベルで発生する等、表面の均
一な厚膜を得ることが困難であった。これに対し本発明
では２０００〜５０００ｒｐｍ の高速回転数で重ね塗
布を行っても、上記クラウンの発生は実用的に問題とな
らないレベルであり、表面の均一性は良好である。
本発明における予備加熱温度は８５℃から１１０ｔ：の
範囲、特に好ましくは、９０〜ｉｏ’ｏ ｔの温度範囲
で行なわれる。
範囲、特に好ましくは、９０〜ｉｏ’ｏ ｔの温度範囲
で行なわれる。
〈発明の効果〉
本発明では２０００〜５０００ｒｐｍの高速回転数で重
ね塗布することで面内がほぼ均一である塗膜が得られる
ようになり、その重ね塗りの間に予備加熱工程を入れる
ことにより、二層、三層あるいはそれ以上の重ね塗りが
均一に行なえる。その結果、例えばレジストの膜厚は２
０μｍ以上に塗布することができ、且つポジ型フォトレ
ジストとしてパターンを形成した時にウェハー面内にわ
たり、重ね塗布した境界層が均一な連続層である滑らか
な断面を示す良好なパターンが得られる。
ね塗布することで面内がほぼ均一である塗膜が得られる
ようになり、その重ね塗りの間に予備加熱工程を入れる
ことにより、二層、三層あるいはそれ以上の重ね塗りが
均一に行なえる。その結果、例えばレジストの膜厚は２
０μｍ以上に塗布することができ、且つポジ型フォトレ
ジストとしてパターンを形成した時にウェハー面内にわ
たり、重ね塗布した境界層が均一な連続層である滑らか
な断面を示す良好なパターンが得られる。
本発明における予備加熱温度は８５〜１１０ ℃の範囲
で良好なパターンの形成が可能であり、また、特に２０
μｍ以上の厚膜のものは、最上層の予備加熱をコンベク
ションオーブンで行うことによって、パターン欠損の発
生を完全に防くことができることは、驚くべきことであ
る。
で良好なパターンの形成が可能であり、また、特に２０
μｍ以上の厚膜のものは、最上層の予備加熱をコンベク
ションオーブンで行うことによって、パターン欠損の発
生を完全に防くことができることは、驚くべきことであ
る。
〈実施例〉
以下実施例及び比較例により、本発明の方法を更に具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
実施例 １
特開昭６０−５７３３９号公報に記載の方法により合成
されるタレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂（分
子量−約１３０ＯＮ４部、１，２−キノンジアジドスル
ホン酸クロリドと２．３．４−）リヒドロキシベンゾフ
ェノンとのエステル化合物３部とを、エチルセロソルブ
アセテートの２５部に混合溶解したのち、１μｍのテフ
ロン製フィルターでろ過し、レジスト液を調整した。こ
のレジスト液の粘度は約４００ＣＰ を示した。
されるタレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂（分
子量−約１３０ＯＮ４部、１，２−キノンジアジドスル
ホン酸クロリドと２．３．４−）リヒドロキシベンゾフ
ェノンとのエステル化合物３部とを、エチルセロソルブ
アセテートの２５部に混合溶解したのち、１μｍのテフ
ロン製フィルターでろ過し、レジスト液を調整した。こ
のレジスト液の粘度は約４００ＣＰ を示した。
上記レジスト液を用い、４インチシリコンウェハーに回
転塗布機（ミカサ製、ＩＨ−Ｄ２型）によって、２５０
Ｏｒｐｍで２０秒間塗布した。５分間自然乾燥したのち
、１００℃のホットプレート（吸着式）で２４０秒間予
備加熱した。クリステツブ（テーラーボブソン製）で測
定した膜厚は６μｍを示した。
転塗布機（ミカサ製、ＩＨ−Ｄ２型）によって、２５０
Ｏｒｐｍで２０秒間塗布した。５分間自然乾燥したのち
、１００℃のホットプレート（吸着式）で２４０秒間予
備加熱した。クリステツブ（テーラーボブソン製）で測
定した膜厚は６μｍを示した。
さらに、前記のウェハーに、同じレジスト液を２５０Ｏ
ｒｐｍ 、２０秒間で重ね塗りした。５分間自然乾燥し
たのち、同条件で予備加熱した。膜厚１５μｍの厚膜レ
ジストを得た。
ｒｐｍ 、２０秒間で重ね塗りした。５分間自然乾燥し
たのち、同条件で予備加熱した。膜厚１５μｍの厚膜レ
ジストを得た。
ついで、ステッパー＜ＧＣＡ製、４８００ Ｄ Ｓ Ｗ
型）を用い、マスクを介して露光したのち、現像液５Ｏ
ＰＤ Ｃ商品名、住人化学工業■製〕によって現像を行
なった。
型）を用い、マスクを介して露光したのち、現像液５Ｏ
ＰＤ Ｃ商品名、住人化学工業■製〕によって現像を行
なった。
現像後は、２０μｍの角抜きパターンが良好に形成され
ていた。さらに、パターン断面のＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）写真では、一層目と二層目との境界線がまったく
認められない均一な厚膜であることが確認された。
ていた。さらに、パターン断面のＳＥＭ（走査型電子顕
微鏡）写真では、一層目と二層目との境界線がまったく
認められない均一な厚膜であることが確認された。
実施例 ２
実施例１のポジ型フォトレジスト組成物を用いて、実施
例１と同様に操作して二層まで塗布したのち予備加熱し
た。
例１と同様に操作して二層まで塗布したのち予備加熱し
た。
さらに、同じレジスト液を２５０Ｏｒｐｍ 、 ２０秒
間重ね塗りし、５分間自然乾燥したのち、コンベクショ
ンオーブンを用いて９０℃で４５分間予備加熱した。
間重ね塗りし、５分間自然乾燥したのち、コンベクショ
ンオーブンを用いて９０℃で４５分間予備加熱した。
この膜厚は２４μｍを示した。
このウェハーを用い、実施例１と同様に操作して露光、
現像した。現像後のレジスト膜は２０μｍの角抜きパタ
ーンが良好に形成され、かつ、パターンの欠損は認めら
れなかった。さらに、パターン断面のＳＥＭ写真では、
各層境界部の断差のない均一な厚膜であることが確認さ
れた。
現像した。現像後のレジスト膜は２０μｍの角抜きパタ
ーンが良好に形成され、かつ、パターンの欠損は認めら
れなかった。さらに、パターン断面のＳＥＭ写真では、
各層境界部の断差のない均一な厚膜であることが確認さ
れた。
実施例 ３
実施例１のエチルセロソルブアセチ−トラ２２部とした
以外は全く同様に調製して粘度約１０００ｃＰのレジス
ト液を得た。ただし、テフロン製フィルターは５μｍと
した。
以外は全く同様に調製して粘度約１０００ｃＰのレジス
ト液を得た。ただし、テフロン製フィルターは５μｍと
した。
このレジスト液を用い、実施例１と同様に操作して一層
目を塗布したのち、５分間自然乾燥してコンベクション
オーブンを用い９０℃で３０分間予備加熱した。膜厚は
１１ ｐｍを示した。
目を塗布したのち、５分間自然乾燥してコンベクション
オーブンを用い９０℃で３０分間予備加熱した。膜厚は
１１ ｐｍを示した。
このウェハーに、同じレジスト液を２５０Ｏｒｐｍ、２
０秒間重ね塗布し、５分間の自然乾燥ののち、コンベク
ションオーブンを用い、９０℃で４５分間予備加熱した
。膜厚は２５μｍを示した。
０秒間重ね塗布し、５分間の自然乾燥ののち、コンベク
ションオーブンを用い、９０℃で４５分間予備加熱した
。膜厚は２５μｍを示した。
このウェハーを用い、実施例１と同様に操作して露光、
現像した。現像後のレジスト膜は２０μｍの角抜きパタ
ーンが良好に形成され、かつ、パターンの欠損は認めら
れなかった。さらに、パターン断面のＳＥＭ写真では、
境界部に断差のない均一な厚膜であることが確認された
。
現像した。現像後のレジスト膜は２０μｍの角抜きパタ
ーンが良好に形成され、かつ、パターンの欠損は認めら
れなかった。さらに、パターン断面のＳＥＭ写真では、
境界部に断差のない均一な厚膜であることが確認された
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ポジ型フォトレジスト組成物の厚膜形成方法におい
て、回転塗布機を用いて高速回転下にレジスト液を重ね
塗布するに際し、塗布と塗布の間に予備加熱の工程を入
れ、該予備加熱温度を８５℃から１１０℃の範囲で行な
うことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物の厚膜
形成方法。 ２、厚膜の厚さが１５μｍから５０μｍである特許請求
の範囲第１項に記載のポジ型フォトレジスト組成物の厚
膜形成方法。 ３、最上層の予備加熱をコンベクションオーブンで行な
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に
記載のポジ型フォトレジスト組成物の厚膜形成方法。 ４、予備加熱温度が９０℃から１００℃の範囲である特
許請求の範囲第１項、第２項又は第３項に記載のポジ型
フォトレジスト組成物の厚膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21331886A JPS6368834A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | ポジ型フオトレジスト組成物の厚膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21331886A JPS6368834A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | ポジ型フオトレジスト組成物の厚膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6368834A true JPS6368834A (ja) | 1988-03-28 |
Family
ID=16637162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21331886A Pending JPS6368834A (ja) | 1986-09-10 | 1986-09-10 | ポジ型フオトレジスト組成物の厚膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6368834A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637089A (en) * | 1990-12-18 | 1997-06-10 | Advanced Cardiovascular Systems, Inc. | Superelastic guiding member |
| JP2007167577A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Itoki Corp | 椅子 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151023A (ja) * | 1982-03-02 | 1983-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層よりなるレジスト層の形成方法 |
| JPS6112029A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | Toshiba Corp | 二層レジスト形成方法 |
| JPS6119128A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Sony Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS6120330A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-29 | Sony Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS6165728A (ja) * | 1984-09-06 | 1986-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 部品装着装置 |
-
1986
- 1986-09-10 JP JP21331886A patent/JPS6368834A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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