JPH09127696A - ポジ型レジスト及びレリーフ構造体の製造方法 - Google Patents
ポジ型レジスト及びレリーフ構造体の製造方法Info
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- JPH09127696A JPH09127696A JP7288360A JP28836095A JPH09127696A JP H09127696 A JPH09127696 A JP H09127696A JP 7288360 A JP7288360 A JP 7288360A JP 28836095 A JP28836095 A JP 28836095A JP H09127696 A JPH09127696 A JP H09127696A
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- Japan
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- relief structure
- formula
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- polyhydroxyamide
- resist
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】アルカリ水溶剤で現像可能な耐熱性のレリーフ
構造体を得ることを目的としている。 【解決手段】ポリヒドロキシアミドと光の照射によって
塩基を発生する光塩基発生剤を必須成分とする。 【効果】アルカリ水溶剤で現像可能な耐熱性のレリーフ
構造体を与える。
構造体を得ることを目的としている。 【解決手段】ポリヒドロキシアミドと光の照射によって
塩基を発生する光塩基発生剤を必須成分とする。 【効果】アルカリ水溶剤で現像可能な耐熱性のレリーフ
構造体を与える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁膜やパッシベ
ーション膜の形成材料及び半導体の集積回路や多層プリ
ント板等の電子装置に適用できるポジ型レジストに関す
る。
ーション膜の形成材料及び半導体の集積回路や多層プリ
ント板等の電子装置に適用できるポジ型レジストに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】耐熱性のフォトレジストは絶縁層を製造
するために必要である。レジスト材料または相応するレ
リーフ構造体は、その際使用される高温で分解してはな
らない。更にレリーフ構造体は、ポリマー材料の軟化ま
たは流動化に際して生じ得るような変化をしてはなら
ず、むしろ形状安定性に優れていることが必要とされ
る。特開平5−154805 号公報にはポリアミド酸／光塩基
発生剤を含む耐熱性のポジ型感光性樹脂組成物が開示さ
れている。
するために必要である。レジスト材料または相応するレ
リーフ構造体は、その際使用される高温で分解してはな
らない。更にレリーフ構造体は、ポリマー材料の軟化ま
たは流動化に際して生じ得るような変化をしてはなら
ず、むしろ形状安定性に優れていることが必要とされ
る。特開平5−154805 号公報にはポリアミド酸／光塩基
発生剤を含む耐熱性のポジ型感光性樹脂組成物が開示さ
れている。
【０００３】また特公平6−12449号公報には、ポリオキ
サゾール及びジアゾキノンのオリゴマー及び／またはポ
リマー前駆体を含むポジ型レジストが開示されている。
サゾール及びジアゾキノンのオリゴマー及び／またはポ
リマー前駆体を含むポジ型レジストが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ポジ型レジストは、露光部と未露光部の溶解性の差が小
さく、解像度，アスペクト比に問題を有し、十分なレリ
ーフパターンは得られておらず、形成されたレリーフパ
ターンの機械的性質等についても不十分であった。
ポジ型レジストは、露光部と未露光部の溶解性の差が小
さく、解像度，アスペクト比に問題を有し、十分なレリ
ーフパターンは得られておらず、形成されたレリーフパ
ターンの機械的性質等についても不十分であった。
【０００５】本発明の目的はアルカリ水溶剤で現象でき
る耐熱性が高いポジ型レジストを提供することである。
る耐熱性が高いポジ型レジストを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明のポジ型
レジストは、オリゴマー及び／またはポリマーのポリベ
ンゾオキサゾール前駆体と電磁波の照射により塩基を発
生する光塩基発生剤（Ａ）を含む耐熱性のポジ型レジス
トにおいて、ポリベンゾオキサゾール前駆体が次の一般
式（化１）
レジストは、オリゴマー及び／またはポリマーのポリベ
ンゾオキサゾール前駆体と電磁波の照射により塩基を発
生する光塩基発生剤（Ａ）を含む耐熱性のポジ型レジス
トにおいて、ポリベンゾオキサゾール前駆体が次の一般
式（化１）
【０００７】
【化３】
【０００８】で表される分子量５０００〜1000000 のヒ
ドロキシポリアミド［式中Ｒ1 及びＲ2 は芳香族基及び
／または複素環基であり、ｎは１０から２００００の間
の正の整数である。］である、耐熱性の高いポジ型レジ
ストである。
ドロキシポリアミド［式中Ｒ1 及びＲ2 は芳香族基及び
／または複素環基であり、ｎは１０から２００００の間
の正の整数である。］である、耐熱性の高いポジ型レジ
ストである。
【０００９】また本発明のポジ型レジストは前記（Ａ）
が一般式（化２）で表される化合物
が一般式（化２）で表される化合物
【００１０】
【化４】
【００１１】［式中Ｒ3 は炭素数１以上の有機基，水素
原子，ハロゲン原子のいずれかであり、ｐは０から４の
整数から選ばれる。また、Ｒ4，Ｒ5は炭素数１２以下の
有機基、Ｒ6 は水素または炭素数１０以下の有機基であ
る。］であり、前記ポリヒドロキシアミドに対して光塩
基発生剤を、前記ポリヒドロキシアミドの水酸基に対し
て０.０１〜０.５モル当量含有する。
原子，ハロゲン原子のいずれかであり、ｐは０から４の
整数から選ばれる。また、Ｒ4，Ｒ5は炭素数１２以下の
有機基、Ｒ6 は水素または炭素数１０以下の有機基であ
る。］であり、前記ポリヒドロキシアミドに対して光塩
基発生剤を、前記ポリヒドロキシアミドの水酸基に対し
て０.０１〜０.５モル当量含有する。
【００１２】本発明は、ポリヒドロキシアミドの溶解性
が、塩基の存在によって大きく変化することにより達成
されたものである。ポリヒドロキシアミドの分子量とし
ては、レリーフパターンの機械的特性を考慮した場合１
００００以上であることが望ましい。分子量の上限につ
いては特に制限はないが、溶剤への溶解のしやすさを考
えた場合は1000000 以下であることが望ましい。ポリヒ
ドロキシアミドを本発明に使用した場合は、レリーフ像
を形成した後に加熱しポリベンゾオキサゾールに変換す
ることによって、耐熱性，耐薬品性に優れたレリーフ像
を得ることができる。そのため、ＬＳＩの保護膜，配線
基板の絶縁膜として優れた性能を発揮する。本発明で用
いるポリヒドロキシアミドは、芳香族または複素環式ジ
アミノジヒドロキシ化合物、及び芳香族ジカルボン酸ま
たはジカルボン酸クロリドから成る重縮合生成物であ
る。本発明で用いられるジアミノジヒドロキシ化合物と
ジカルボン酸及びその誘導体としては、欧州特許第2366
2 号記載の化合物等が例として挙げられる。
が、塩基の存在によって大きく変化することにより達成
されたものである。ポリヒドロキシアミドの分子量とし
ては、レリーフパターンの機械的特性を考慮した場合１
００００以上であることが望ましい。分子量の上限につ
いては特に制限はないが、溶剤への溶解のしやすさを考
えた場合は1000000 以下であることが望ましい。ポリヒ
ドロキシアミドを本発明に使用した場合は、レリーフ像
を形成した後に加熱しポリベンゾオキサゾールに変換す
ることによって、耐熱性，耐薬品性に優れたレリーフ像
を得ることができる。そのため、ＬＳＩの保護膜，配線
基板の絶縁膜として優れた性能を発揮する。本発明で用
いるポリヒドロキシアミドは、芳香族または複素環式ジ
アミノジヒドロキシ化合物、及び芳香族ジカルボン酸ま
たはジカルボン酸クロリドから成る重縮合生成物であ
る。本発明で用いられるジアミノジヒドロキシ化合物と
ジカルボン酸及びその誘導体としては、欧州特許第2366
2 号記載の化合物等が例として挙げられる。
【００１３】本発明のポジ型レジストで用いる光塩基発
生剤としては、トシルアミンやカルバメート等の化合物
が挙げられる。具体的化合物としては、シクロヘキシル
パラトルエンスルホニルアミン、［［（３，５−ジメチ
ルベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミ
ン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボ
ニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２，６−ジニ
トロフェニル）−１−メチルメトキシ］カルボニル］シ
クロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２，６−ジニトロフェ
ニル）−１−(２′，６′−ジニトロフェニル)メトキ
シ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２
−ニトロフェニル）−１−（２′−ニトロフェニル）メ
トキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２
−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシ
ルアミン、Ｎ−［［（２−ニトロフェニル）−１−メチ
ルメトキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、
［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペ
リジン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カル
ボニル］ヘキサン１，６−ジアミン等が挙げられる。こ
れらの化学合成方法と構造については、J.Am.Chem.So
c.，（１９９１），１１３，４３０３−４３１３，Fahe
y,J.T. and Frechet,J.M.J.(１９９１)Proc．SPIE,１４
６６，６７，Frechet，J.M.J.，Stanciulesuc,M.，Liza
wa,T.，and Willson,C.G.，（１９８９）Proc.ACS Div.
Polym.Mater.Sci.Eng.，６０，１７０，Graziano,K.
A.，Thompson,S.D.，and Winkle，M.R.（１９９０）Pro
c.SPIE，１４６６，７５．等に記載されている。これら
の化合物はいずれも光照射により分解し塩基を発生す
る。これらのうち一般式（化２）で表される塩基発生剤
は、本発明ポジ型レジスト中で用いた場合、塩基の発生
効率が高く優れた特性を得ることができる。一般式（化
２）のＲ5 で表される置換基はレリ−フパターン形成時
の膜減りの点から、炭素数１０以下の有機基であること
が望ましい。また、本発明で用いる光塩基発生剤は上記
の（化２）に示す構造に拘らず、電磁波の照射によって
水溶性の脂肪族アミンを発生するものであれば用いるこ
とができる。塩形成によってアルカリ水溶性を得るため
には、一般に炭素数１２以下のアミンが望ましい。ヒド
ロキシポリアミドと塩基発生剤の混合比は、前記ポリヒ
ドロキシアミドの水酸基に対して塩基発生剤を０.０１
〜５.０モル当量、好ましくは0.5〜２.０当量である。
生剤としては、トシルアミンやカルバメート等の化合物
が挙げられる。具体的化合物としては、シクロヘキシル
パラトルエンスルホニルアミン、［［（３，５−ジメチ
ルベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミ
ン、［［（２，６−ジニトロベンジル）オキシ］カルボ
ニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２，６−ジニ
トロフェニル）−１−メチルメトキシ］カルボニル］シ
クロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２，６−ジニトロフェ
ニル）−１−(２′，６′−ジニトロフェニル)メトキ
シ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、Ｎ−［［（２
−ニトロフェニル）−１−（２′−ニトロフェニル）メ
トキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、［［（２
−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシ
ルアミン、Ｎ−［［（２−ニトロフェニル）−１−メチ
ルメトキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミン、
［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カルボニル］ピペ
リジン、ビス［［（２−ニトロベンジル）オキシ］カル
ボニル］ヘキサン１，６−ジアミン等が挙げられる。こ
れらの化学合成方法と構造については、J.Am.Chem.So
c.，（１９９１），１１３，４３０３−４３１３，Fahe
y,J.T. and Frechet,J.M.J.(１９９１)Proc．SPIE,１４
６６，６７，Frechet，J.M.J.，Stanciulesuc,M.，Liza
wa,T.，and Willson,C.G.，（１９８９）Proc.ACS Div.
Polym.Mater.Sci.Eng.，６０，１７０，Graziano,K.
A.，Thompson,S.D.，and Winkle，M.R.（１９９０）Pro
c.SPIE，１４６６，７５．等に記載されている。これら
の化合物はいずれも光照射により分解し塩基を発生す
る。これらのうち一般式（化２）で表される塩基発生剤
は、本発明ポジ型レジスト中で用いた場合、塩基の発生
効率が高く優れた特性を得ることができる。一般式（化
２）のＲ5 で表される置換基はレリ−フパターン形成時
の膜減りの点から、炭素数１０以下の有機基であること
が望ましい。また、本発明で用いる光塩基発生剤は上記
の（化２）に示す構造に拘らず、電磁波の照射によって
水溶性の脂肪族アミンを発生するものであれば用いるこ
とができる。塩形成によってアルカリ水溶性を得るため
には、一般に炭素数１２以下のアミンが望ましい。ヒド
ロキシポリアミドと塩基発生剤の混合比は、前記ポリヒ
ドロキシアミドの水酸基に対して塩基発生剤を０.０１
〜５.０モル当量、好ましくは0.5〜２.０当量である。
【００１４】耐熱性レリーフ構造体を製造するため本発
明によるポジ型レジストを層または箔の型で基板上に積
層し、次に該レジスト膜にマスクを介して電磁波または
電子ビームまたはイオン線を照射する。引き続き照射さ
れたレジスト膜を溶解または除去しレリーフ構造体と
し、次いで得られたレリーフ構造体を熱処理する。
明によるポジ型レジストを層または箔の型で基板上に積
層し、次に該レジスト膜にマスクを介して電磁波または
電子ビームまたはイオン線を照射する。引き続き照射さ
れたレジスト膜を溶解または除去しレリーフ構造体と
し、次いで得られたレリーフ構造体を熱処理する。
【００１５】フォトレジストは有利には有機溶剤に溶か
して基板上に積層することができる。この場合溶剤とし
てはＮ−メチルピロリドンを使用するのが好ましい。更
に同様の性質を有する他の有機溶剤、例えばＮ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド，ｍ−クレゾール，ジメチルホルム
アミド並びに上記溶剤の混合物を使用することができ
る。
して基板上に積層することができる。この場合溶剤とし
てはＮ−メチルピロリドンを使用するのが好ましい。更
に同様の性質を有する他の有機溶剤、例えばＮ，Ｎ−ジ
メチルアセトアミド，ｍ−クレゾール，ジメチルホルム
アミド並びに上記溶剤の混合物を使用することができ
る。
【００１６】付着性並びに／または湿潤性を高めるため
に有利な添加剤を加えてもよい。レジスト溶液は、遠心
法で基板上に積層することが好ましい。更に例えば浸
漬，噴霧，ブラシまたはロール掛けのような他の被覆法
を使用することもできる。また付着剤または湿潤剤は溶
液を塗布する前に直接基板上に施しても良い。基板それ
自体はガラス，金属好ましくはアルミニウム，プラスチ
ックまたは半導体材料が良好である。
に有利な添加剤を加えてもよい。レジスト溶液は、遠心
法で基板上に積層することが好ましい。更に例えば浸
漬，噴霧，ブラシまたはロール掛けのような他の被覆法
を使用することもできる。また付着剤または湿潤剤は溶
液を塗布する前に直接基板上に施しても良い。基板それ
自体はガラス，金属好ましくはアルミニウム，プラスチ
ックまたは半導体材料が良好である。
【００１７】レジスト溶液の濃度は０.１μｍ から１０
０μｍの層厚を得ることができるように調整される。ま
た例えば遠心被覆の場合、均一で良好な表面品質を得る
ためには５００〜８０００回転／分で５〜６０秒が適当
である。
０μｍの層厚を得ることができるように調整される。ま
た例えば遠心被覆の場合、均一で良好な表面品質を得る
ためには５００〜８０００回転／分で５〜６０秒が適当
である。
【００１８】溶液を基板上に塗布した後、溶剤を除去す
る、すなわち乾燥する。これは室温またはそれ以上の温
度で行うことができる。従って溶剤は５０〜１２０℃の
温度で除去することが有利である。溶剤を除去する場
合、更に真空中で処理することも可能である。
る、すなわち乾燥する。これは室温またはそれ以上の温
度で行うことができる。従って溶剤は５０〜１２０℃の
温度で除去することが有利である。溶剤を除去する場
合、更に真空中で処理することも可能である。
【００１９】照射された層または箔部分と照射されなか
った部分との可溶性に十分な差異をもたらすため本発明
によるポジ型レジストの場合、光源として水銀高圧灯を
使用する際には、使用したレジスト組成とその層厚との
関連において露光量は２００ｍＪ／cm2 〜５０００ｍＪ
／cm2 で十分である。露光後、層または箔の露光された
部分をアルカリ水溶液の現像液で溶解除去する。
った部分との可溶性に十分な差異をもたらすため本発明
によるポジ型レジストの場合、光源として水銀高圧灯を
使用する際には、使用したレジスト組成とその層厚との
関連において露光量は２００ｍＪ／cm2 〜５０００ｍＪ
／cm2 で十分である。露光後、層または箔の露光された
部分をアルカリ水溶液の現像液で溶解除去する。
【００２０】本発明によるポジ型レジストによって輪郭
の鮮明な画像、すなわちレリーフ構造体が得られ、これ
は熱処理により耐熱性のポリベンゾオキサゾールに変わ
る。この場合一般に２００から５００℃の温度を選択す
る。この熱処理は３００〜４００℃の温度で行うことが
有利である。熱処理時間は例えば加熱炉の場合、一般に
０.５ 〜８時間、好ましくは１〜４時間以内に実施す
る。
の鮮明な画像、すなわちレリーフ構造体が得られ、これ
は熱処理により耐熱性のポリベンゾオキサゾールに変わ
る。この場合一般に２００から５００℃の温度を選択す
る。この熱処理は３００〜４００℃の温度で行うことが
有利である。熱処理時間は例えば加熱炉の場合、一般に
０.５ 〜８時間、好ましくは１〜４時間以内に実施す
る。
【００２１】本発明方法により製造されたレリーフ構造
体は、半導体デバイス上の絶縁層，薄膜回路及び厚膜回
路，多層回路上のハンダ保護層，層回路の構成部分とし
ての絶縁層及び、導電性及び／または半導電性及び／ま
たは絶縁性のベース材料上の微小絶縁層等を製造するた
めに、特にマイクロエレクトロニクス分野または一般に
基板の微細加工に使用できる。更にはエレクトロニクス
分野での絶縁層及び保護層として使用できる。また、こ
のレリーフ構造体は例えば液晶ディスプレイでの配向制
御層として、また例えば蛍光スクリーンにおける表面走
査のために、特にＸ線イメージインテンシファイアとし
て有利に使用することができる。
体は、半導体デバイス上の絶縁層，薄膜回路及び厚膜回
路，多層回路上のハンダ保護層，層回路の構成部分とし
ての絶縁層及び、導電性及び／または半導電性及び／ま
たは絶縁性のベース材料上の微小絶縁層等を製造するた
めに、特にマイクロエレクトロニクス分野または一般に
基板の微細加工に使用できる。更にはエレクトロニクス
分野での絶縁層及び保護層として使用できる。また、こ
のレリーフ構造体は例えば液晶ディスプレイでの配向制
御層として、また例えば蛍光スクリーンにおける表面走
査のために、特にＸ線イメージインテンシファイアとし
て有利に使用することができる。
【００２２】本発明はポリヒドロキシアミドと電磁波の
照射により塩基を発生する光塩基発生剤を混合すること
によって容易に達成される。光照射によって発生した塩
基は、ポリヒドロキシアミドの水酸基と反応し、高分子
の溶解性を変化させる。すなわち塩基と水酸基とが反応
し塩を形成した部分は、アルカリ水溶液に対する溶解性
が向上し、露光部と未露光部との間での現像を可能にす
る。水酸基と生成した塩基あるいは水酸基と塩基発生剤
の結合は弱いため容易に脱離し優れた膜質のレリーフパ
ターンを与える。
照射により塩基を発生する光塩基発生剤を混合すること
によって容易に達成される。光照射によって発生した塩
基は、ポリヒドロキシアミドの水酸基と反応し、高分子
の溶解性を変化させる。すなわち塩基と水酸基とが反応
し塩を形成した部分は、アルカリ水溶液に対する溶解性
が向上し、露光部と未露光部との間での現像を可能にす
る。水酸基と生成した塩基あるいは水酸基と塩基発生剤
の結合は弱いため容易に脱離し優れた膜質のレリーフパ
ターンを与える。
【００２３】本発明のポジ型ポリベンゾオキサゾール前
駆体（ポリヒドロキシアミド）組成物を用いた電子装置
の一例として樹脂封止型半導体装置の製造法の模式図を
図１に示す。すなわち図１（ａ）に示すようにＬＳＩチ
ップ（２）上に５０μｍ角のボンディングパッド（１）
を作成した。続いて（ｂ）に示すようにポリベンゾオキ
サゾールの厚さが１０μｍになるように回転数を調整し
たスピンナを用いて本発明のポジ型の感光性ポリベンゾ
オキサゾール前駆体（４）を塗布した。（ｃ）では８０
℃／１５分の予備乾燥後、フォトマスクを載せて光照射
した。アルカリ水溶液で現像した後、さらに２５０℃で
加熱して未露光部をポリベンゾオキサゾールとし、５０
μｍ角のスルーホールを形成した。（ｄ）はスルーホー
ルを施したボンディングパッド（１）とリードフレーム
（７）をボンディングワイヤ(６)で接続し、全体をエポ
キシ系またはフェノール系の封止材（８）で封止し樹脂
封止型半導体装置を作成した。このポリベンゾオキサゾ
ール膜はＳｉＯ2 ，ＰＳＧ（リンケイ酸ガラス），Ｓｉ
Ｎ2 と密着性に優れ、特にエポキシ系やフェノール系の
封止樹脂との密着性が極めて良好であるため、界面から
の水分の浸入を防止してＬＳＩの回路を形成しているア
ルミニウム等の金属の腐食防止を図ることができ、ＬＳ
Ｉの信頼性向上をもたらす。
駆体（ポリヒドロキシアミド）組成物を用いた電子装置
の一例として樹脂封止型半導体装置の製造法の模式図を
図１に示す。すなわち図１（ａ）に示すようにＬＳＩチ
ップ（２）上に５０μｍ角のボンディングパッド（１）
を作成した。続いて（ｂ）に示すようにポリベンゾオキ
サゾールの厚さが１０μｍになるように回転数を調整し
たスピンナを用いて本発明のポジ型の感光性ポリベンゾ
オキサゾール前駆体（４）を塗布した。（ｃ）では８０
℃／１５分の予備乾燥後、フォトマスクを載せて光照射
した。アルカリ水溶液で現像した後、さらに２５０℃で
加熱して未露光部をポリベンゾオキサゾールとし、５０
μｍ角のスルーホールを形成した。（ｄ）はスルーホー
ルを施したボンディングパッド（１）とリードフレーム
（７）をボンディングワイヤ(６)で接続し、全体をエポ
キシ系またはフェノール系の封止材（８）で封止し樹脂
封止型半導体装置を作成した。このポリベンゾオキサゾ
ール膜はＳｉＯ2 ，ＰＳＧ（リンケイ酸ガラス），Ｓｉ
Ｎ2 と密着性に優れ、特にエポキシ系やフェノール系の
封止樹脂との密着性が極めて良好であるため、界面から
の水分の浸入を防止してＬＳＩの回路を形成しているア
ルミニウム等の金属の腐食防止を図ることができ、ＬＳ
Ｉの信頼性向上をもたらす。
【００２４】
（実施例１）３００ｍｌの三ツ口フラスコを窒素気流下
にして、３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノ
ビフェニル４.３２重量部（０.０２モル）を投入し８０
ｍｌのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに溶解する。これ
をアセトン−ドライアイス浴で完全に凍結した後、塊状
のｔ−ブチルイソフタル酸５.１８重量部（０.０２モ
ル）を加え、氷浴中でメカニカルスターラーで攪拌し溶
解したら室温で４時間攪拌する。反応液を大量の水に注
ぎ、沈殿した白色のポリヒドロキシアミドを瀘別し１２
時間真空乾燥した。
にして、３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノ
ビフェニル４.３２重量部（０.０２モル）を投入し８０
ｍｌのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに溶解する。これ
をアセトン−ドライアイス浴で完全に凍結した後、塊状
のｔ−ブチルイソフタル酸５.１８重量部（０.０２モ
ル）を加え、氷浴中でメカニカルスターラーで攪拌し溶
解したら室温で４時間攪拌する。反応液を大量の水に注
ぎ、沈殿した白色のポリヒドロキシアミドを瀘別し１２
時間真空乾燥した。
【００２５】（実施例２）実施例１で製造したポリマー
３重量部(７.５ミリモル）をＮ−メチルピロリドン１７
重量部に溶解させ、固形分含量１５重量％のポリヒドロ
キシアミド溶液とした。このポリヒドロキシアミド溶液
に、塩基発生剤として［［（２，６−ジニトロベンジ
ル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンをＮ−
［［（２−ニトロフェニル）−１−メチルメトキシ］カ
ルボニル］シクロヘキシルアミン4.38重量部（１５ミリ
モル）を加え感光性樹脂組成物を得、０.２μｍ フィル
タにより瀘過した。この溶液をスピンコート法によって
１０００回転／分で、シリコンウェハ上に塗布し、８０
℃で１５分乾燥した。被覆されたシリコンウェハに遮光
性マスクを介して高圧水銀灯で露光した。このフィルム
をアルカリ現像液で現像したところ、未露光部をほとん
ど侵食することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱で耐熱性に優
れたレリーフパターンを得ることができた。膜厚１０μ
ｍ，３μｍ角のパターンを作成できた。
３重量部(７.５ミリモル）をＮ−メチルピロリドン１７
重量部に溶解させ、固形分含量１５重量％のポリヒドロ
キシアミド溶液とした。このポリヒドロキシアミド溶液
に、塩基発生剤として［［（２，６−ジニトロベンジ
ル）オキシ］カルボニル］シクロヘキシルアミンをＮ−
［［（２−ニトロフェニル）−１−メチルメトキシ］カ
ルボニル］シクロヘキシルアミン4.38重量部（１５ミリ
モル）を加え感光性樹脂組成物を得、０.２μｍ フィル
タにより瀘過した。この溶液をスピンコート法によって
１０００回転／分で、シリコンウェハ上に塗布し、８０
℃で１５分乾燥した。被覆されたシリコンウェハに遮光
性マスクを介して高圧水銀灯で露光した。このフィルム
をアルカリ現像液で現像したところ、未露光部をほとん
ど侵食することなくレリーフパターンを得ることができ
た。更に３００℃で１時間熱処理し、強靱で耐熱性に優
れたレリーフパターンを得ることができた。膜厚１０μ
ｍ，３μｍ角のパターンを作成できた。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、上記のように容易に現像可能
な耐熱性のレリーフ構造体を与え、その工業的価値は大
きい。
な耐熱性のレリーフ構造体を与え、その工業的価値は大
きい。
【図１】本発明はポジ型レジストを用いた半導体装置の
製造方法の模式図。
製造方法の模式図。
１…ボンディングパッド、２…ＬＳＩチップ、３…タ
ブ、４…感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体、５…ポ
リベンゾオキサゾール、６…ボンディングワイヤ、７…
リードフレーム、８…封止材。
ブ、４…感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体、５…ポ
リベンゾオキサゾール、６…ボンディングワイヤ、７…
リードフレーム、８…封止材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡部 義昭 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 前川 康成 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 上野 巧 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】オリゴマー及び／またはポリマーのポリベ
ンゾオキサゾール前駆体と電磁波の照射により塩基を発
生する光塩基発生剤（Ａ）を含むポジ型レジストにおい
て、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体が次の一般式
（化１）で表される分子量5000〜1000000 のポリヒドロ
キシアミド［式中Ｒ1 及 【化１】 びＲ2 は芳香族基及び／または複素環基であり、ｎは１
０〜２００００の間の正の整数である。］であり、前記
光塩基発生剤（Ａ）が一般式（化２）で表される化合物
［式中Ｒ3 は炭素数１以上の１価の 【化２】 有機基，水素原子，ハロゲン原子のいずれかであり、ｐ
は０から４の整数から選ばれる。また、Ｒ4 ，Ｒ5 は炭
素数１２以下の有機基、Ｒ6 は水素または炭素数１０以
下の有機基である。］であることを特徴とするポジ型レ
ジスト。 - 【請求項２】前記光塩基発生剤を、前記ポリヒドロキシ
アミドの水酸基に対して０.０１ 〜５.０ モル当量含有
することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジス
ト。 - 【請求項３】請求項１ないし２のいずれか１つに記載の
ポジ型レジストを層または箔の型で基板上に積層し、次
に該レジスト膜にマスクを介して電磁波または電子ビー
ムまたはイオン線を照射し、次に照射された該レジスト
膜を溶解または除去しレリーフ構造体とし、次に該レリ
ーフ構造体を加熱処理することを特徴とするレリーフ構
造体の製造方法。 - 【請求項４】前記ポジ型レジストの溶液を遠心法により
基板上に積層することを特徴とする請求項３に記載のレ
リーフ構造体の製造方法。 - 【請求項５】ガラス，金属，プラスチックまたは半導体
材料から成る基板を使用することを特徴とする請求項３
ないし４のいずれか１つに記載のレリーフ構造体の製造
方法。 - 【請求項６】前記レリーフ構造体を２００〜５００℃で
熱処理することを特徴とする請求項３に記載のレリーフ
構造体の製造方法。 - 【請求項７】請求項１または２に記載のポリベンゾオキ
サゾールを絶縁層として用いることを特徴とする集積回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7288360A JPH09127696A (ja) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | ポジ型レジスト及びレリーフ構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7288360A JPH09127696A (ja) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | ポジ型レジスト及びレリーフ構造体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09127696A true JPH09127696A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17729200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7288360A Pending JPH09127696A (ja) | 1995-11-07 | 1995-11-07 | ポジ型レジスト及びレリーフ構造体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09127696A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054787A1 (fr) * | 1998-04-15 | 1999-10-28 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Composition de resine photosensible positive |
| US6171756B1 (en) * | 1997-12-24 | 2001-01-09 | Afga-Gevaert, N.V. | Photoactive materials applicable to imaging systems |
| JP2008247747A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 光塩基発生剤、感光性樹脂組成物、物品、及びネガ型パターン形成方法 |
| JP2009282084A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | アルカリ現像可能なネガ型感光性樹脂組成物 |
-
1995
- 1995-11-07 JP JP7288360A patent/JPH09127696A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171756B1 (en) * | 1997-12-24 | 2001-01-09 | Afga-Gevaert, N.V. | Photoactive materials applicable to imaging systems |
| WO1999054787A1 (fr) * | 1998-04-15 | 1999-10-28 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Composition de resine photosensible positive |
| US6376151B1 (en) | 1998-04-15 | 2002-04-23 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Positive resist composition |
| JP2008247747A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 光塩基発生剤、感光性樹脂組成物、物品、及びネガ型パターン形成方法 |
| JP2009282084A (ja) * | 2008-05-20 | 2009-12-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | アルカリ現像可能なネガ型感光性樹脂組成物 |
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