JPS60226125A - レジスト膜の形成方法 - Google Patents
レジスト膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS60226125A JPS60226125A JP8436384A JP8436384A JPS60226125A JP S60226125 A JPS60226125 A JP S60226125A JP 8436384 A JP8436384 A JP 8436384A JP 8436384 A JP8436384 A JP 8436384A JP S60226125 A JPS60226125 A JP S60226125A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- spinner
- coating
- solvent
- resist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置製造プロセスのホトレジスト塗布
工程において、放射状に発生するレジスト膜′厚の微小
変化、いわゆるストリエーションを防止する方法に関す
るものである。
工程において、放射状に発生するレジスト膜′厚の微小
変化、いわゆるストリエーションを防止する方法に関す
るものである。
従来例の構成とその問題点
半導体装置製造プロセスのホトレジスト塗布は、通常、
スピンナーを用い回転塗布によシ行われている。
スピンナーを用い回転塗布によシ行われている。
従来、ホトレジスト塗布を行うスピンナ一部分は、カッ
プ及び上部キャップ部が閉鎖システムで排気ダクトによ
り常時排気されており、その排気速度の微妙な変化によ
り、塗布後のレジスト膜面にストリエーションが発生し
やすく、素子寸法の微細化に伴ない、このストリエーシ
ョンによるレジスト膜厚に起因した素子寸法の微小バラ
ツキが素子特性バラツキの原因となり問題である。
プ及び上部キャップ部が閉鎖システムで排気ダクトによ
り常時排気されており、その排気速度の微妙な変化によ
り、塗布後のレジスト膜面にストリエーションが発生し
やすく、素子寸法の微細化に伴ない、このストリエーシ
ョンによるレジスト膜厚に起因した素子寸法の微小バラ
ツキが素子特性バラツキの原因となり問題である。
発明の目的
本発明は、上記の問題点の解決を図ったものであり、ホ
トレジストの塗布時に発生するレジスト膜面のストリエ
ーションを低減するレジスト膜の形成寸法を提供するも
のである。
トレジストの塗布時に発生するレジスト膜面のストリエ
ーションを低減するレジスト膜の形成寸法を提供するも
のである。
発明の構成
本発明は、要約するに、ホトレジストの塗布を同ホトレ
ジスト塗布液中に含有される溶剤の飽和雰囲気で行うも
ので、このことにより、同ホトレジスト中の溶剤の蒸発
に伴ない発生するストリエーションを低減することが可
能である。
ジスト塗布液中に含有される溶剤の飽和雰囲気で行うも
ので、このことにより、同ホトレジスト中の溶剤の蒸発
に伴ない発生するストリエーションを低減することが可
能である。
実施例の説明
本発明の詳細を実施例をもって説明する。
使用するホトレジストは、従来からポジ型のホトレジス
トとして良く用いられているフェノールノボラック系の
樹脂をベースレジンにし、溶解抑制剤(感光基)にキノ
ンジアジド系を用い、その溶剤としてエチレンセロソル
ブアセテートを用いたものである。
トとして良く用いられているフェノールノボラック系の
樹脂をベースレジンにし、溶解抑制剤(感光基)にキノ
ンジアジド系を用い、その溶剤としてエチレンセロソル
ブアセテートを用いたものである。
上記レジストを塗布するスピンナ一部の概略断面図を第
1図に示す。従来の物と同様、゛レジスト排液を受ける
カップ部1とレジストノズル2が取りつけられた上部キ
ャップ部3を有し、加えて、上部キャップ部3にエチレ
ンセロソルブアセテートの飽和蒸気を供給するノズル4
が取り付けられ、塗布時(スピンナー回転時)は、常に
スピンナ一部が溶剤の飽和雰囲気に保たれるようにして
いる。
1図に示す。従来の物と同様、゛レジスト排液を受ける
カップ部1とレジストノズル2が取りつけられた上部キ
ャップ部3を有し、加えて、上部キャップ部3にエチレ
ンセロソルブアセテートの飽和蒸気を供給するノズル4
が取り付けられ、塗布時(スピンナー回転時)は、常に
スピンナ一部が溶剤の飽和雰囲気に保たれるようにして
いる。
なお、第1図中、6は排気管、6は半導体基板、7はス
ピンナ回転部である。第2図に、従来法でレジスト塗布
した場合のレジストのストリエーションによる膜厚変化
と、本発明を用いた場合のストリエーションによる膜厚
変化とを比較した特性図を示す。第2図からもわかるよ
うに、本発明によると、レジストのストリエーションに
よる膜厚変化が従来に比較し、非常に小さく抑えられ、
たとえば2μかzのレジスト膜厚において、3分の1以
下となり、後工程のホトリソグラフィーエ稈で形成され
るレジストハターン精度の向上が可能になる。
ピンナ回転部である。第2図に、従来法でレジスト塗布
した場合のレジストのストリエーションによる膜厚変化
と、本発明を用いた場合のストリエーションによる膜厚
変化とを比較した特性図を示す。第2図からもわかるよ
うに、本発明によると、レジストのストリエーションに
よる膜厚変化が従来に比較し、非常に小さく抑えられ、
たとえば2μかzのレジスト膜厚において、3分の1以
下となり、後工程のホトリソグラフィーエ稈で形成され
るレジストハターン精度の向上が可能になる。
発明の効果
本発明によると、ホトレジスト塗布膜面のストリエーシ
ョンを低減することができ、パターンの微細化が進み、
高集積類LSIの製造方法として、特に好適であり、工
業的価値が高い。
ョンを低減することができ、パターンの微細化が進み、
高集積類LSIの製造方法として、特に好適であり、工
業的価値が高い。
第1図は本発明で用いたレジストスピンナ一部の概略図
、第2図は本発明によるレジストのストリエーションに
よる膜厚変化と従来法を比較した特性図である。 1 ・・・スピンナーカップ、2・・・・・・レジスト
ノズル、3・・・・・上部キャップ、4・・・ 溶剤の
飽和蒸気供給ノズル、5・・・・・・排気管、6・・・
・・半導体基板、7・・・・・スピンナー回転部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 ス レ しリス)謂4 (prn〕
、第2図は本発明によるレジストのストリエーションに
よる膜厚変化と従来法を比較した特性図である。 1 ・・・スピンナーカップ、2・・・・・・レジスト
ノズル、3・・・・・上部キャップ、4・・・ 溶剤の
飽和蒸気供給ノズル、5・・・・・・排気管、6・・・
・・半導体基板、7・・・・・スピンナー回転部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 ス レ しリス)謂4 (prn〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) ホトレジスト塗布工程を、同ホトレジスト塗布
液中に含有される溶剤の飽和雰囲気中で行うことを特徴
とするレジスト膜の形成方法。 G;りホトレジストが、ポジ型であることを特徴とする
特許請求の範囲第1項に記載のレジスト膜の形成方法。 (3)ホトレジストが、フェノールノボラック系の樹脂
をベースレジンにし、溶解抑制剤として、キノンジアジ
ド系を用いたものであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載のレジスト膜の形成方法。 (4)ホトレジストの溶剤が、エチレンセロンルプアセ
テートであることを特徴とする特許請求の範囲第1項に
記載のレジスト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8436384A JPS60226125A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | レジスト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8436384A JPS60226125A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | レジスト膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60226125A true JPS60226125A (ja) | 1985-11-11 |
Family
ID=13828436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8436384A Pending JPS60226125A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | レジスト膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60226125A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4794021A (en) * | 1986-11-13 | 1988-12-27 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of providing a planarized polymer coating on a substrate wafer |
US5095848A (en) * | 1989-05-02 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating apparatus using a tilting chuck |
US5264246A (en) * | 1989-05-02 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating method |
US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
JP2009545444A (ja) * | 2006-08-28 | 2009-12-24 | トランジションズ オプティカル, インコーポレイテッド | 光学制御器を有するスピンコーター |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8436384A patent/JPS60226125A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4794021A (en) * | 1986-11-13 | 1988-12-27 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of providing a planarized polymer coating on a substrate wafer |
US5095848A (en) * | 1989-05-02 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating apparatus using a tilting chuck |
US5264246A (en) * | 1989-05-02 | 1993-11-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating method |
US5670210A (en) * | 1994-10-27 | 1997-09-23 | Silicon Valley Group, Inc. | Method of uniformly coating a substrate |
US6977098B2 (en) | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
JP2009545444A (ja) * | 2006-08-28 | 2009-12-24 | トランジションズ オプティカル, インコーポレイテッド | 光学制御器を有するスピンコーター |
JP2014087792A (ja) * | 2006-08-28 | 2014-05-15 | Transitions Optical Inc | 光学制御器を有するスピンコーター |
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