JPS59126635A - 微細パタ−ンの形成方法 - Google Patents
微細パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS59126635A JPS59126635A JP207383A JP207383A JPS59126635A JP S59126635 A JPS59126635 A JP S59126635A JP 207383 A JP207383 A JP 207383A JP 207383 A JP207383 A JP 207383A JP S59126635 A JPS59126635 A JP S59126635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- film
- resist
- etching
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229920002189 poly(glycerol 1-O-monomethacrylate) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 241001026509 Kata Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000012173 estrus Effects 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は大規模集積回路（以下ＬＳＩと言う）におけ
る微細パターンの形成方法に関するものである。
る微細パターンの形成方法に関するものである。
ＬＳＩ製造工程において、非常に微細なノ（ターン、例
えば０．５μｍ程度のパターンを形成するためには現在
、電子ビーム露光技術が使用されているが、よく知られ
ているように、この電子ビーム露光においては基板から
の反射電子の影響で隣接するパターン同志が影響をおよ
ほし合って変形する現象。
えば０．５μｍ程度のパターンを形成するためには現在
、電子ビーム露光技術が使用されているが、よく知られ
ているように、この電子ビーム露光においては基板から
の反射電子の影響で隣接するパターン同志が影響をおよ
ほし合って変形する現象。
いわゆる近接効果やレジストの現像工程でのレジストの
変形、下地エツチング時のレジスト膜減シなどの種々の
原因によ、り、０．５μｍ以下のパターンを再現性よく
形成することは困難な欠点があった。
変形、下地エツチング時のレジスト膜減シなどの種々の
原因によ、り、０．５μｍ以下のパターンを再現性よく
形成することは困難な欠点があった。
したがって、この発明の目的は非常な微細パターン、特
に０．５μｍ以下のパターンをも精度よく、しかも再現
性よく形成することができる微細パターンの形成方法を
提供するものである。
に０．５μｍ以下のパターンをも精度よく、しかも再現
性よく形成することができる微細パターンの形成方法を
提供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は基板上に有
機膜を塗布する工程と、この有機膜上に第１の金属膜を
形成する工程と、収束したイオンビームで、この第１の
金属膜を選択的にエツチング除去する工程と、この選択
的にエツチング除去された第１の金属膜をマスクとして
前記有機Ｂをエツチングする工程と、この上に目的の皮
膜を形成する工程と、前記有機膜を溶媒によシ溶解除去
する工程とを備えるものであシ、以下実施例を用いて詳
細に説明する。
機膜を塗布する工程と、この有機膜上に第１の金属膜を
形成する工程と、収束したイオンビームで、この第１の
金属膜を選択的にエツチング除去する工程と、この選択
的にエツチング除去された第１の金属膜をマスクとして
前記有機Ｂをエツチングする工程と、この上に目的の皮
膜を形成する工程と、前記有機膜を溶媒によシ溶解除去
する工程とを備えるものであシ、以下実施例を用いて詳
細に説明する。
第１図（ａ）〜第１図（２）はこの発明に係る微細パタ
ーンの形成方法の一実施例を工程順に示す断面図でアシ
、−例として、シリコン基板上に幅０．２μｍ。
ーンの形成方法の一実施例を工程順に示す断面図でアシ
、−例として、シリコン基板上に幅０．２μｍ。
厚み０．５μｍのアルミパターンを形成する場合につい
て説明する。同図において、（１）はパターンを形成す
べきシリコン基板、（２）はネガ形電子線レジストなど
のレジスト膜、（３）は第１の金属皮膜、（４）はイオ
ンビーム、（５）はアルミニウム（Ａｔ）などの第２の
金属皮膜である。なお、前記ネガ彫型子線しジス） （
ＰＧＭＡ ）にはメチルエチルケトンとエチルアルコー
ルの混合液を溶解液とすることが有効である。
て説明する。同図において、（１）はパターンを形成す
べきシリコン基板、（２）はネガ形電子線レジストなど
のレジスト膜、（３）は第１の金属皮膜、（４）はイオ
ンビーム、（５）はアルミニウム（Ａｔ）などの第２の
金属皮膜である。なお、前記ネガ彫型子線しジス） （
ＰＧＭＡ ）にはメチルエチルケトンとエチルアルコー
ルの混合液を溶解液とすることが有効である。
次に１上記構成による微細パターンの形成方法について
説明する。まず、第１図（ａ）に示すシリコン基板（１
）上に、第２図・（ｂ）に示すようにレジスト（２）を
例えば１μｍの厚さでスピンコードし、８０℃で２０分
間ベーキングして溶媒を乾燥させる。次に、第１図（ｅ
）に示すように、多結晶Ｓｉ膜などの第１の金属皮膜（
３）ヲ例えば０．１μｍ厚さに形成する。次に、第１図
（ｄ）に示すように、１００ＫＶで加速し、０．１ｐｍ
径に収束したＧａイオンと一ム（４）によってパターン
形成部分の第１の金属皮膜（３）をエツチング除去する
。この場合、イオン電流１００ＰＡ程度であれば１０μ
ｍ／ｓｅｅ程度のイオンビーム走査速度で前記第１の金
属皮膜（３）ヲエッチング除去することができる。そし
て、電子に比べ質量が非常に太きいだめ、近接効果はほ
とんど生じないので、イオンビーム径にほぼ等しい程度
の寸法の加圧が可能であされ、シリコン基板（１）まで
到達しないため、イオンビームがデバイス特性に影響を
与えることを防止することができる。次に、第１図（ｅ
）に示すように、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）ま
たは反応性イオンビームエツチング（ＲＩＢＥ）などの
手段によシ、第１の金属皮膜０）をマスクとして、レジ
スト膜（２）のエツチング全行なう。次に、第１図（ｆ
）に示すように、スパッタ蒸着などの手段によシ、第２
の金属皮膜（５） １ｋ例えば０．５μｍの膜厚で形成
する。次に、溶液により、レジス）（２）を溶解除去す
ることにより、第１図（のに示すように、微細パターン
を形成することができる。
説明する。まず、第１図（ａ）に示すシリコン基板（１
）上に、第２図・（ｂ）に示すようにレジスト（２）を
例えば１μｍの厚さでスピンコードし、８０℃で２０分
間ベーキングして溶媒を乾燥させる。次に、第１図（ｅ
）に示すように、多結晶Ｓｉ膜などの第１の金属皮膜（
３）ヲ例えば０．１μｍ厚さに形成する。次に、第１図
（ｄ）に示すように、１００ＫＶで加速し、０．１ｐｍ
径に収束したＧａイオンと一ム（４）によってパターン
形成部分の第１の金属皮膜（３）をエツチング除去する
。この場合、イオン電流１００ＰＡ程度であれば１０μ
ｍ／ｓｅｅ程度のイオンビーム走査速度で前記第１の金
属皮膜（３）ヲエッチング除去することができる。そし
て、電子に比べ質量が非常に太きいだめ、近接効果はほ
とんど生じないので、イオンビーム径にほぼ等しい程度
の寸法の加圧が可能であされ、シリコン基板（１）まで
到達しないため、イオンビームがデバイス特性に影響を
与えることを防止することができる。次に、第１図（ｅ
）に示すように、反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）ま
たは反応性イオンビームエツチング（ＲＩＢＥ）などの
手段によシ、第１の金属皮膜０）をマスクとして、レジ
スト膜（２）のエツチング全行なう。次に、第１図（ｆ
）に示すように、スパッタ蒸着などの手段によシ、第２
の金属皮膜（５） １ｋ例えば０．５μｍの膜厚で形成
する。次に、溶液により、レジス）（２）を溶解除去す
ることにより、第１図（のに示すように、微細パターン
を形成することができる。
なお、上述の実施例では基板としてシリコン基板音用い
たが、ＧａＡＢ、５ｉＯｓ、５ｉｓＮ＊など他の基板を
用いても同様にできることはもちろんである。
たが、ＧａＡＢ、５ｉＯｓ、５ｉｓＮ＊など他の基板を
用いても同様にできることはもちろんである。
また、基板に配線パターン凹凸があっても、レジストの
厚みを十分にとることにより、加工ｍＪヲ平坦にするこ
とができることはもちろんである。また、レジスト材Ｃ
２）としてＰＧＭＡ’に用いたが、他の有機膜を用いて
もよいことはもちろんである。また、第１の金属皮膜（
３）の材質として多結晶Ｓｉを使用したが、ＡＵ、Ａｔ
、ＭＯ，Ｗなど、他の金属または金属膜を使用してもよ
いことはもちろんである。
厚みを十分にとることにより、加工ｍＪヲ平坦にするこ
とができることはもちろんである。また、レジスト材Ｃ
２）としてＰＧＭＡ’に用いたが、他の有機膜を用いて
もよいことはもちろんである。また、第１の金属皮膜（
３）の材質として多結晶Ｓｉを使用したが、ＡＵ、Ａｔ
、ＭＯ，Ｗなど、他の金属または金属膜を使用してもよ
いことはもちろんである。
また、Ｇａイオンビームを用いたが、ｌ（、Ｈｅ ｙ
Ａ ｒ ＩＳｉ 、 Ａｕなと、他のイオンビームを用
いてもよいことはもちろんである。また、第２の金属皮
膜（５）の材質としてＡｔを用いたが、ＡＵｔＭＯｓＷ
ｙｓｉ０２ｓＳｉａＮ４など他の金属皮膜を用いてもよ
いことはもちろんである。また、以上は０．２μｍ幅の
パターンを形成する場合について説明したが、これに限
定セス、イオンビーム径をさらに絞ることによシ、０．
１μｍ幅あるいはそれ以下のパターンの形成も可能であ
ることはもちろんである。
Ａ ｒ ＩＳｉ 、 Ａｕなと、他のイオンビームを用
いてもよいことはもちろんである。また、第２の金属皮
膜（５）の材質としてＡｔを用いたが、ＡＵｔＭＯｓＷ
ｙｓｉ０２ｓＳｉａＮ４など他の金属皮膜を用いてもよ
いことはもちろんである。また、以上は０．２μｍ幅の
パターンを形成する場合について説明したが、これに限
定セス、イオンビーム径をさらに絞ることによシ、０．
１μｍ幅あるいはそれ以下のパターンの形成も可能であ
ることはもちろんである。
以上詳細に説明したように、この発明に係る微細パター
ンの形成方法によれば近接効果が非常に少なく、また現
像工程のように皮膜を溶解除去する工程がパターン加工
寸法に全く影響しないために、非常に微細なパターンを
精度よく、かつ再現性よく形成することができる効果が
ある。
ンの形成方法によれば近接効果が非常に少なく、また現
像工程のように皮膜を溶解除去する工程がパターン加工
寸法に全く影響しないために、非常に微細なパターンを
精度よく、かつ再現性よく形成することができる効果が
ある。
第１図（ａ）〜第１図（ｆ）はこの発明に係る微細パタ
ーンの形成方法の一実施例を工程順に示す断面図である
。 α）・・・・基板、（２）−・・・レジスト、（３）・
・・・第１の金属皮膜、（４）・・Φ・イオンビーム、
（５）・・・・第２の金属皮膜。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 葛 野 信 −第１
図 （０） （ｂ） 手 続 袖 正 ４：（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 １・１．願昭 ５８−２０７３号
２、発明の名称 微細パターンの形成方法 ３、谷口正をすると 事ｆ’ｌとの関係 １−１′許出１９（ｉ人件 所
東ｊ；〔都七代１１１区丸の内二１−１−＋２番３
号名 称 （６０１） （菱電機株式会社代表者 片
１１１１− 八 部 ４ 、 イし ■甲 人 １−１− 所 東京都千代Ｉ１１区）Ｌの内、
目１２Ｉｆ＋：：ろシ）５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第６頁第３行の「金属皮膜」を「材質」と補正す
る。 以 上
ーンの形成方法の一実施例を工程順に示す断面図である
。 α）・・・・基板、（２）−・・・レジスト、（３）・
・・・第１の金属皮膜、（４）・・Φ・イオンビーム、
（５）・・・・第２の金属皮膜。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 葛 野 信 −第１
図 （０） （ｂ） 手 続 袖 正 ４：（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 １・１．願昭 ５８−２０７３号
２、発明の名称 微細パターンの形成方法 ３、谷口正をすると 事ｆ’ｌとの関係 １−１′許出１９（ｉ人件 所
東ｊ；〔都七代１１１区丸の内二１−１−＋２番３
号名 称 （６０１） （菱電機株式会社代表者 片
１１１１− 八 部 ４ 、 イし ■甲 人 １−１− 所 東京都千代Ｉ１１区）Ｌの内、
目１２Ｉｆ＋：：ろシ）５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第６頁第３行の「金属皮膜」を「材質」と補正す
る。 以 上
Claims (1)
- 基板上に有機膜を塗布する工程と、この有機膜上に第１
の金属膜を形成する工程と、収束したイオンビームで、
この第１の金属膜を選択的にエツチング除去する工程と
、この選択的にエツチング除去された第１の金属膜をマ
スクとして前記有機膜をエツチングする工程と、この上
に目的の皮膜を形成する工程と、前記有機膜を溶媒によ
シ溶解除去する工程とを備えたことを・特徴とする微細
ノ（ターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP207383A JPS59126635A (ja) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP207383A JPS59126635A (ja) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59126635A true JPS59126635A (ja) | 1984-07-21 |
Family
ID=11519161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP207383A Pending JPS59126635A (ja) | 1983-01-08 | 1983-01-08 | 微細パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59126635A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607131A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS60167428A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 微細加工方法 |
| JPH07162101A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-06-23 | Philips Electron Nv | 輻射線放出ダイオードの製造方法 |
-
1983
- 1983-01-08 JP JP207383A patent/JPS59126635A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607131A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS60167428A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 微細加工方法 |
| JPH07162101A (ja) * | 1993-10-18 | 1995-06-23 | Philips Electron Nv | 輻射線放出ダイオードの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6355208B2 (ja) | ||
| JPS59126635A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS59132132A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS63133629A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| JPS6386434A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JP2604573B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2001297970A (ja) | 薄膜パターン及びその形成方法 | |
| JPH055165B2 (ja) | ||
| JPS6354726A (ja) | レジスト膜のエツチング方法 | |
| JPS63169028A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0313949A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2966127B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH03269533A (ja) | フォトマスクの製造方法およびそれに使用する基板 | |
| JPH01304457A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6063934A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH10312066A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH04250624A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6118134A (ja) | エツチング加工方法 | |
| JPH03188447A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS63271932A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPH0719061B2 (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH0748468B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH03133126A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH02101469A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS61161739A (ja) | 配線パタ−ンの形成方法 |