JPS63229829A - 薄板状体の加熱装置 - Google Patents

薄板状体の加熱装置

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JPS63229829A
JPS63229829A JP6529187A JP6529187A JPS63229829A JP S63229829 A JPS63229829 A JP S63229829A JP 6529187 A JP6529187 A JP 6529187A JP 6529187 A JP6529187 A JP 6529187A JP S63229829 A JPS63229829 A JP S63229829A
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hot plate
wafer
plate
thin plate
raised
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JP6529187A
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Tsutomu Koyaizu
小柳津 勉
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Tokyo Electron Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は乾燥装置に関し、特に半導体ウェハに半導体素
子を製造する製造装置における半導体ウェハの脱水手段
をベーキングして処理するのに用いて好適な装置に関す
るものである。
(従来の技術) 半導体素の製造には多くの工程があり、その工程の一般
的なものと列挙すると、まず、スクラバーで半導体ウェ
ハ(以下ウェハという)の洗浄をした後、デハイドオー
ブンにより、その半導体ウェハを乾燥する。
その後、ユニット(乾燥したウェハに疎水処理して、フ
ォトレジストの接着性を向上する目的の処理)でウェハ
に有機化合物溶液、例えばHMDSを疎水処理する。そ
の後、その疎水剤ウェハをクーリングプレートで温度調
節する。その後、コータでフォトレジストを塗布する。
その塗布されたウェハをプリベークで乾燥させた後、再
びクーリングプレートで温度調節する。最約的にポスト
ベークでフォトレジストの焼き締め処理を行う。以上が
一連の半導体ウェハの製造工程である。
上記の工程において、スクライバによるウェハ洗浄後、
そのウェハを脱水させるためにデハイドオーブンを用い
てウェハの水分を脱水する処理をする。この脱水工程に
は熱板を用いてウェハの温度を上昇させて乾燥させる方
法がある。
その装置内で、疎水処理する機能を予えた装置がある。
その内容は特開昭60−86829号公報にフォトレジ
スト塗布装置として記載されている。この装置の概略は
、フォトレジストを塗布する前に薄板状体を加温しなが
ら有機化合物蒸気をふきつけ表面処理するものである。
その公報のものを第4で説明すると、ホットプレートと
称している。熱板(64)が反応室下部(50)に固着
され、その熱板(64)の裏面には熱源(65)が敷設
されている。また、ウェハ支持部(69)のシャフト(
68)を通過させる貫通穴が熱する(64)熱源(65
)の中心に設けられている。一方つエバ(60)がウェ
ハ支持部(69)上に載置された後、この支持部(69
)を降下させて熱板(64)と接触させる際に、その熱
板(64)にウェハ支持部が埋設する如く溝部(66)
を配設した構造である。
このような工程後5反応室上部(50)と反応室下部(
59)とを0リング(62)を介して気密室(61)を
構成し、真空ポンプ(図示せず)で排気して、真空部(
約−200ml1g)内でウェハの処理を施している。
(発明が解決しようとする問題点) ところで、第4図で示すように熱板(64)の中央部に
ウェハ支持部(69)を収容する溝部(66)が熱板(
64)に配設されている。この為熱源(65)から熱板
(64)を通してウェハ(60)に熱が伝導されるもの
にかかわらず、溝部(66)が配設されているためにウ
ェハ(60)全面に加熱されることはなく、不均一な温
度分布が発生し、そのウェハ(60)表面のチップは不
均一な処理を施す問題点があった。
本発明は上記の問題点について鑑みなされたもので、薄
板状体を均一に加熱させることのできる薄板状体乾燥装
置を提供することを目的とするものである。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 上下動可能に設けられた薄板状加熱板と、この薄板状体
加熱板上に薄板状体の全面が対接する如く載置する手段
と、上記薄板状体を載置した状態で気密容鼎を形成した
のち加熱する乾燥装置において上記薄板状体加熱板を上
記薄板状態体外周縁の外側縁りも環状加熱体を設けたこ
とを特徴とする薄板状体乾燥装置。
(作 用) 本発明の乾燥装置では薄板状体、例えばウェハの裏面全
体に加熱される載置台を接触させて裏面から加熱すると
共に、ウェハの側方からも加熱するので均等に加熱でき
る。
(実施例) 以下本発明の装置を半導体素子製造用オーブンに適用し
た一実施例を説明する。
薄板状体例えば、ウェハ■を載置する載置台■の裏面に
は円板状熱原■が敷設されている。
ウェハ支持部に)のシャフト■端部にはウェハ■の周縁
部を受取部材0により支持する如く設けられている。
上記載置台■の熱源■の対向面以外の位置には上記シャ
フト■を上下動可能に気密部材■が設けられている。
さらに、蓄部材■と載置台■の側端縁■)とが気密に接
触する如く気密部材(lO)から設けられている。
上記載置台■を上下駆動するための上下動機構(11)
は載置台■熱源■を上下動する如く熱板昇降部を構成し
ている。
熱板■の上下動は上下!1lfi構(11)の軸(19
)に結合されるシリンダ(20)により駆動される。
上記シャフト■の上端にはウェハ■をウェハ(11)の
周縁部で搬送路(図示なし)から受は取如く受取部材(
0が固着されている。他方、下端には環状の保持板(1
3)から固着され、その保持板(13)に位置決め部材
(14)を基台(15)にバネ部材(16)を介して垂
設し、基板(15)に引き寄せて位置決め部材(14)
を衝止するように停止したウェハ支持部(イ)が構成さ
れている。
即ち、ウェハ■と載置台■とは夫々独立に上下動可能に
構成されている。
以上説明したように、熱板昇降部と、ウェハ支持部に)
と、蓋部材(ハ)とで半導体素子製造用の乾燥装置(1
8)が構成されている。
つぎにその動作について説明する。まづ、搬送路(図示
せず)を搬送されたウェハ■が受取部材0にその周縁部
で載置される。その受取部材0に載置されたウェハ■は
熱板■が上昇するまで基台(15)に衝止した状態で停
止している。
次に上記熱板昇降部(12)の上下動機構(36)のシ
リンダ(20)の回転により熱板■を上昇させる。
その上昇にしたがって、ウェハ(υの裏面に熱板■上の
載置台■を介して密着接触し、さらに上昇することによ
り第2図で示すようにウェハ■は受取部材0から載置台
■により支持する。かつ、受取部材0は熱板■の上昇に
共い、載置台■に吊設しながらバネ部材(16)の圧力
に逆って上昇する。
熱板■の上昇の停止は、蓋部材■の密着部(18)に気
密部材(10)を介して、側縁端■に周接して停止する
9即ち、蓋部材(8)と熱板(9)とにより気密容器(
2I)を形成する。
しかるのち、真空ポンプ(図示せず)で気密容器(21
)内と予め設定した真空度に排気する。
このようにして蓋部材(ハ)と熱板昇降部(12)との
間に気密部(21)を構成し、その気密部(21)と真
空(約−500mにHに)にしウェハ■を裏面から加熱
すると共に側縁端0も加熱されるためウェハ■の側方か
らも加熱させて効率のよいベーキングを行い、脱水させ
ることができる。またこのベーキング中ウェハ(1)を
回転させてもよい。
なお、上記の実施例で、ウェハ支持部の受取部材0の形
状は第3図で示すように熱板に4ケ所の溝部(22)を
設け、その溝部(22)も貫通でなく、受取部材■の幅
より少し大きく堀込んだ形状が適している。
また、上記の実施例でデハイドオーブンによるウェハの
ベーキングによる乾燥を中心に説明したが、疎水処理の
工程を有した乾燥装置にも適している。この乾燥装置は
プリベーク処理でフォトレジストの乾燥時にも使用する
ことができ、がっ。
ボストベーク処理でフォトレジストの焼きしめ時にも使
用できることは言うまでもない。
〔発明の効果〕
以上説明したように5本発明の乾燥装置によれば、薄板
状体の裏面全面に接触させて加熱すると共に側方から加
熱する構成なので、均等に加熱でき、均一な処理が可能
となる。
【図面の簡単な説明】
第1図に本発明の装置の実施例を説明するためのウェハ
を挿入し載浩状態の配置を示す断面図、第2図に第1図
のウェハ乾燥状態の配置を示す断面図、第3図に第1図
の受取部材とウェハとの関係を示す上面図、第4図に従
来の乾燥装置を脱水するための断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 上下動可能に設けられた薄板状体加熱板と、この薄板状
    体加熱板上に薄板状体の全面が対接する如く載置する手
    段と、上記薄板状体を載置した状態で気密容量を形成し
    たのち加熱する乾燥装置において、上記薄板状体加熱板
    を上記薄板状態外周縁の外側縁りも環状加熱体を設けた
    ことを特徴とする薄板状体乾燥装置。
JP62065291A 1987-03-19 1987-03-19 薄板状体の加熱装置 Expired - Fee Related JP2631370B2 (ja)

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