JPS6086829A - フオトレジスト塗布装置 - Google Patents
フオトレジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPS6086829A JPS6086829A JP19425983A JP19425983A JPS6086829A JP S6086829 A JPS6086829 A JP S6086829A JP 19425983 A JP19425983 A JP 19425983A JP 19425983 A JP19425983 A JP 19425983A JP S6086829 A JPS6086829 A JP S6086829A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- section
- reaction
- reaction chamber
- solenoid valve
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体素子等の製造装置に係ル、特に、フォ
トレジストの塗布、ベーキング等の工程を自動的に処理
するに好適な、フォトレジスト塗布装置に関する。
トレジストの塗布、ベーキング等の工程を自動的に処理
するに好適な、フォトレジスト塗布装置に関する。
従来の自動フォトレジスト塗布装置は、一般に試料送出
部、脱水ベーク部、フォトレジスト塗布部、低温ベーク
部および試料収納部から構成されていた。脱水ベークの
目的は、フォトレジスト現導時の７オトレジストと試料
の接着を良好となし、現像工程でのパターン流失等の不
良を防止することである。そのためには、たとえＩｄ２
００Ｃ。
部、脱水ベーク部、フォトレジスト塗布部、低温ベーク
部および試料収納部から構成されていた。脱水ベークの
目的は、フォトレジスト現導時の７オトレジストと試料
の接着を良好となし、現像工程でのパターン流失等の不
良を防止することである。そのためには、たとえＩｄ２
００Ｃ。
２０分程直Ｑ石理が必要であｐ１フォトレジスト産布工
程の量産性を著しく低下する欠点があった。
程の量産性を著しく低下する欠点があった。
しかも、ベーキング効果が作業環境の湿度等に依存して
変化するため、工程の再現性に乏しい欠点があった。
変化するため、工程の再現性に乏しい欠点があった。
なお、試料表面と７オトレジストとの接着性を向上する
目的で、ＨＭＤＳ （ヘキサメチルジシラザン）など有
機化合物液体を試料表面に回転塗布する方法が提案され
ている。また、従来装置には試料の洗浄を目的としてフ
ォトレジスト塗布ｓＫ有機液体噴出ノズルを具備したも
のもある。したがって、従来装置を用いて、ＨＭＤＳを
試料表向に滴下、−転車布する事は可能である。しかし
、この方法では、嵌着性改善効果に再現性がなく、さら
に悪い事には、液体乾燥時にシミ等をつくって試料を汚
染する等の欠点がめつ九。
目的で、ＨＭＤＳ （ヘキサメチルジシラザン）など有
機化合物液体を試料表面に回転塗布する方法が提案され
ている。また、従来装置には試料の洗浄を目的としてフ
ォトレジスト塗布ｓＫ有機液体噴出ノズルを具備したも
のもある。したがって、従来装置を用いて、ＨＭＤＳを
試料表向に滴下、−転車布する事は可能である。しかし
、この方法では、嵌着性改善効果に再現性がなく、さら
に悪い事には、液体乾燥時にシミ等をつくって試料を汚
染する等の欠点がめつ九。
本発明の目的は、現像工程におけるフォトレジストと試
料の接着性を改善するために、従来技術の欠点を克服し
、短時間でかつ再現性良い表面処理を実現する機構部を
具備したフォトレジスト塗布装置を提供する事にある。
料の接着性を改善するために、従来技術の欠点を克服し
、短時間でかつ再現性良い表面処理を実現する機構部を
具備したフォトレジスト塗布装置を提供する事にある。
上記目的を達成するために、本発明は、フォトレジスト
塗布機の前に、試料を加熱しかつ、有機化合物蒸気に露
呈することにより表面処理する機構部を“付加するもの
である。
塗布機の前に、試料を加熱しかつ、有機化合物蒸気に露
呈することにより表面処理する機構部を“付加するもの
である。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
本発明による有機化合物蒸気に試料を露呈することので
きる表面処理機構部の断面図ｔ−第１図に示す。試料ウ
ェハは、搬送部１９によって表面処理機構部へ搬送され
、試料台１４に搭載される。
きる表面処理機構部の断面図ｔ−第１図に示す。試料ウ
ェハは、搬送部１９によって表面処理機構部へ搬送され
、試料台１４に搭載される。
次に反応室下部１２、および加熱治具１５を上昇し試料
が加熱治具１５上に転載されるとともに、反応室下部１
２と反応室上部１３とが密着する事により密閉反応室が
形成される。次に電磁弁１１１を開いてボンダ１７を用
いて反応室を排気する。
が加熱治具１５上に転載されるとともに、反応室下部１
２と反応室上部１３とが密着する事により密閉反応室が
形成される。次に電磁弁１１１を開いてボンダ１７を用
いて反応室を排気する。
次に、電磁弁１１１を閉じ、電磁弁１１２．１１３を開
いて、反応室内にバプラ２０内に設置した有機化合物の
蒸気を導入し、試料を表面処理する。
いて、反応室内にバプラ２０内に設置した有機化合物の
蒸気を導入し、試料を表面処理する。
最後に電磁弁１１２を閉じ、電磁弁１１１を開いて反応
室内の残留蒸気を排気して処理を終了し、搬送部１９に
よって試料を塗布機に送出する。なお加熱治具の温度は
７０〜８０Ｃに設定すると良好な結果が得られる。
室内の残留蒸気を排気して処理を終了し、搬送部１９に
よって試料を塗布機に送出する。なお加熱治具の温度は
７０〜８０Ｃに設定すると良好な結果が得られる。
ＨＭＤＳなど有機物蒸気による表面処理を効率良くかつ
、連続的に行うために、本発明では以下のような機構を
有する装置を使用できる。良好な表面処理効果を得るた
めに最も重要な事は、反応室中のＨＭＤＳ蒸気の濃度を
高くする事と、試料を加熱する事である。第２図は、本
発明による表面処理装置の断面の一例を示す図である。
、連続的に行うために、本発明では以下のような機構を
有する装置を使用できる。良好な表面処理効果を得るた
めに最も重要な事は、反応室中のＨＭＤＳ蒸気の濃度を
高くする事と、試料を加熱する事である。第２図は、本
発明による表面処理装置の断面の一例を示す図である。
被処理試料２０鉱、自動搬送機構によりクエ／・支持台
２１上に設置される。次に、反応室下部２３、およびホ
ットグレート２２を上方に移動させ、反応屋上部２５と
０す／グ２４とを密層させる。この時、試料２θはウェ
ハ支持台２１がらホットプレート２２へＳ訂する。すな
わち第３囚にホットプレートとウェハ支持台の上面図を
示したが、ウェハ支持台３１は十字型でウェハ３ｏを支
えておシ、ホットグレート３２が上昇して、ウェハ支持
台がホットグレート内の溝に埋没した時、ホットグレー
ト上に移行する。次に、排気糸２７ｔ−通して真空排気
し、反応室内金減圧する。この時の真空度は０．１ Ｔ
ｏｒｒ程度でよい。次に、三方パルプ２９を開いて蒸気
導入糸３ｏからＨＭＤＳ蒸気を反応室に流し込む。次に
パルプ２９を閉じ、かつ排気を止める事によシ反応迄内
に充分な濃度のＨＭＤ Ｓを導入する。この時蒸気の流
れを均一にするために、じゃま板２８を反応室上部に設
置し、また、反応室の気密性を保つために摺動可能なテ
フロンシール２６を設置している。またウェハは９０〜
１００Ｃに温調δれたホットプレートに接触させる事に
よって加熱され、）（ＭＤＳとウェハとの反応を促進し
ている。
２１上に設置される。次に、反応室下部２３、およびホ
ットグレート２２を上方に移動させ、反応屋上部２５と
０す／グ２４とを密層させる。この時、試料２θはウェ
ハ支持台２１がらホットプレート２２へＳ訂する。すな
わち第３囚にホットプレートとウェハ支持台の上面図を
示したが、ウェハ支持台３１は十字型でウェハ３ｏを支
えておシ、ホットグレート３２が上昇して、ウェハ支持
台がホットグレート内の溝に埋没した時、ホットグレー
ト上に移行する。次に、排気糸２７ｔ−通して真空排気
し、反応室内金減圧する。この時の真空度は０．１ Ｔ
ｏｒｒ程度でよい。次に、三方パルプ２９を開いて蒸気
導入糸３ｏからＨＭＤＳ蒸気を反応室に流し込む。次に
パルプ２９を閉じ、かつ排気を止める事によシ反応迄内
に充分な濃度のＨＭＤ Ｓを導入する。この時蒸気の流
れを均一にするために、じゃま板２８を反応室上部に設
置し、また、反応室の気密性を保つために摺動可能なテ
フロンシール２６を設置している。またウェハは９０〜
１００Ｃに温調δれたホットプレートに接触させる事に
よって加熱され、）（ＭＤＳとウェハとの反応を促進し
ている。
本発明によれば、８４０．等半導体素子表面と７オトレ
ジストとの接着性を再現性良く改善する事ができるので
、リングラフィ工程の歩′ＩＲシ向上に＆めて有用でる
る。なお処理に要する時間も、４０秒程度で充分である
ので、塗布あるいはベーキングに要する時間よシも短く
、極めて量産性にすぐれている。さらに、従来の数体を
塗布する方法に比較して楽品消費量は約１／１００で、
経済性。
ジストとの接着性を再現性良く改善する事ができるので
、リングラフィ工程の歩′ＩＲシ向上に＆めて有用でる
る。なお処理に要する時間も、４０秒程度で充分である
ので、塗布あるいはベーキングに要する時間よシも短く
、極めて量産性にすぐれている。さらに、従来の数体を
塗布する方法に比較して楽品消費量は約１／１００で、
経済性。
安全性にすぐれている。
なお、本文中では、フォトレジストを例に腕曲したが、
本発明の原理から、本発明が他のレジスト、すなわち、
電子線レジスト、Ｘ線レジスト等にも同様に適用できる
事は明白である。
本発明の原理から、本発明が他のレジスト、すなわち、
電子線レジスト、Ｘ線レジスト等にも同様に適用できる
事は明白である。
第１図は、本発明による表面処理部の機構を模式的に示
した断面図、第２図は本発明に用いられる表面処理装置
の断簡の一例を示す図、第３図はホットプレートとウェ
ハ支持台の上面を示す図でらる。 １２・・・反応至上部、１３・・・反応至上部、１４・
・・試料台、１５・・・加熱治具、１６・・・蒸気導入
管、１７゛・・・真空ポンプ、１８・・・排気導入管、
１９・・・ウエノ・搬送機構部、２０・・・バプラ、１
１１〜１１３・・・電第 ／［！１ 第２図 ｎ 第 ３ 図 第１頁の続き ０発 明 者 大 林 秀 仁 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
した断面図、第２図は本発明に用いられる表面処理装置
の断簡の一例を示す図、第３図はホットプレートとウェ
ハ支持台の上面を示す図でらる。 １２・・・反応至上部、１３・・・反応至上部、１４・
・・試料台、１５・・・加熱治具、１６・・・蒸気導入
管、１７゛・・・真空ポンプ、１８・・・排気導入管、
１９・・・ウエノ・搬送機構部、２０・・・バプラ、１
１１〜１１３・・・電第 ／［！１ 第２図 ｎ 第 ３ 図 第１頁の続き ０発 明 者 大 林 秀 仁 国分寺市東恋ケ窪央研
究所内
Claims (1)
- １、薄板状物品を連続処理する装置で、物品送出部、フ
ォトレジスト塗布部、加熱処理部、収納部よシなる自動
フォトレジスト塗布装置において、フォトレジスト塗布
部の前に、該薄膜状物品を加温しながら有機化合物蒸気
に露呈する表面熟理部を設けた事を特徴とするフォトレ
ジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19425983A JPS6086829A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | フオトレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19425983A JPS6086829A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | フオトレジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086829A true JPS6086829A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16321642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19425983A Pending JPS6086829A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | フオトレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086829A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63229829A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 薄板状体の加熱装置 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19425983A patent/JPS6086829A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63229829A (ja) * | 1987-03-19 | 1988-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 薄板状体の加熱装置 |
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