JPS6097351A - レジスト塗布装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体素子等の製造装置に係９、特にホトレ
ジストの塗布、ベーキング等の工程を自動的に処理する
のに好適な、ホトレジスト塗布装置に関する。

〔発明の背景〕

従来の自動レジスト塗布装置は、ホトレジスト塗布の前
処理用としてはベーク炉および洗浄用の有機溶媒噴出ノ
ズルを設置したものである。これらを使用しても、例え
ば試料表面に吸着した蒸着装置の残留油蒸気等の汚れを
完全に除去することはできず、常時ホトレジストとの良
好な接着性を保持する事が困難な欠点があった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、ホトレジスｌ布工程において、試料上
に蒸着された金属表面とレジストのヌレ性および現像工
程におけるホトレジストと試料の接着性を改善するため
に、従来技術の欠点を克服し１短時間でかつ再現性の良
い表面処理を実現する機構部を具備した自動ホトレジス
ト塗布装置を提供する事にある。

〔発明の概要〕

本発明の目的を達成するために、ホトレジスト塗布機の
前に、連続的に試料を酸素の存在する雰囲気で紫外線を
照射し酸化処理する機構と、試料を加温しながら有機化
合物蒸気に露出することにより表面処理する機構を開発
した。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の詳細な説明する。

実施例Ｉ ＧａＡＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔを作成する場合にインプラ打込み
等のプロセスが終ったＧａＡＳ基板上に、Ｗ５８ｉ３を
蒸着した後に、酸素の存在する〆囲気で紫外線を照射し
、酸化処理する。その機構の断面図と試料を加温しなが
ら有機化合物蒸気に露出し、表面処理する機構の断面図
を第１図に示す。試料は物品送出部１１から酸化処理部
１２に搬送される。

低圧水銀灯１により１０分間紫外線が照射され表面の酸
化処理が行なわれる。次に表面処理部１３に試料が搬送
される。

第２図は表面処理部の詳細図である。表面処理部に搬送
された試料は試料台２に投載される。次に反応室下部３
、および加熱治具４上に転載されるとともに、反応室下
部３と反応室上部５とが密着する事によシ密閉反応室が
形成される。次に電磁弁１１１を閉じ、同１１２および
１１３を開いて、バプラ６内に放置した。その後へキサ
メチルジシラザンの蒸気を導入し、試料を表面処理する
。

最後に電磁弁１１２を閉じ、１１１を開いて反応室内の
残留蒸気を排気して処理を終了し、試料を第１図の塗布
機部１４に搬送しホトレジストを塗布する。なお加熱治
具の温度は７０から８０Ｃに設定すると良好な蒋来が得
られる。

ホトレジストと試料との接着性向上の観点から１上記表
面処理によって著しい効果が得られた材料には実施例の
他に以下のようなものがある。単結晶Ｓｉ、ＱａＡ８等
の半導体、Ｔｉ、Ａｔ、Ｗ。

Ｍｏ、Ａｕおよびそれらのケイ素化物等の金属１ｓ　ｉ
　ｏｘ等の絶縁膜等があけられる。これらはすべて、酸
化処理によって試料表面の有機物汚染を除去し、金属試
料の場合には表面に・誦めて薄い酸化ｄノーを形成し、
金属とへキサメチルジシラザンとを効率良く反応させる
事によシ接着性向上を達成したものである。なお、有機
化合物としては、上記へキサメチルジシラザンなどヘキ
サアルキルジシラザン、トリメナルクロロシラン等クロ
ロシラン化合物、トリノルオロプロビイルメチルジクロ
ロシランなどハロゲン化アルキル基を含有するクロロシ
クン化会物等が有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による酸化処理部２よび表面処理部を含
む自動ホトレジスト塗布機置の断面図である。第２図は
表面処理部の詳細断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、薄板状物品を連続処理する装置で、物品送出部、ホ
   トレジスト塗布部、加熱処理部、収納部よシなる自動ホ
   トレジスト塗布装置において、ホトレジスト塗布部の前
   に、該薄膜状物品を酸素の存在する雰囲気中で紫外線を
   照射し酸化処理する部分と、該薄膜状ｌ物品を加温しな
   がら有機化合物蒸気に露出する表面処理部を設けた事を
   特徴とするホトレジスト塗布装置。 ２、前記酸化処理部が紫外線ランプ室９表面処理部が密
   閉可能゛な反応室と試料を加熱する機構。 反応室を減圧する機構と反応室に有機化合物蒸気を導入
   する機構および各処理部に試料を自動的に試料台よシ着
   脱できる機構を具備した事を