JPH0266551A - フォトレジスト塗布装置 - Google Patents
フォトレジスト塗布装置Info
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- JPH0266551A JPH0266551A JP21931288A JP21931288A JPH0266551A JP H0266551 A JPH0266551 A JP H0266551A JP 21931288 A JP21931288 A JP 21931288A JP 21931288 A JP21931288 A JP 21931288A JP H0266551 A JPH0266551 A JP H0266551A
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- photoresist
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- semiconductor substrate
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトレジスト塗布装置に関し、特に半導体基
板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布装
置に関する。
板上にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布装
置に関する。
従来、この種のフォトレジスト塗布装置は、第４図に示
すように、上面に処理される半導体基板４を吸着固定し
て回転する回転チャ・ツク１と、半導体基板４の上方か
らフォトレジストを滴下する滴下ノズル２と、回転チャ
・ツク１の外周を囲って設けられたカップ３とを備えて
構成されていた。
すように、上面に処理される半導体基板４を吸着固定し
て回転する回転チャ・ツク１と、半導体基板４の上方か
らフォトレジストを滴下する滴下ノズル２と、回転チャ
・ツク１の外周を囲って設けられたカップ３とを備えて
構成されていた。
又、第４図のフォトレジスト塗布装置を用いた半導体装
置の製造装置は、基板前処理装置とフォトレジスト塗布
装置と乾燥装置とから構成されていたく例えば、半導体
製造装置実用便覧、２３６頁、サイエンスフォーラム社
、昭和５９年参照）。
置の製造装置は、基板前処理装置とフォトレジスト塗布
装置と乾燥装置とから構成されていたく例えば、半導体
製造装置実用便覧、２３６頁、サイエンスフォーラム社
、昭和５９年参照）。
上述した従来のフォトレジスト塗布装置は、フォトレジ
スト塗布前に半導体基板表面における酸化膜やシリコン
表面層の脱水を目的として、ホットプレートによる加熱
やヘキサメチルジシラザンによる脱水処理機構が設けら
れ、フォトレジストの密着性を向上させるものが一般的
である。
スト塗布前に半導体基板表面における酸化膜やシリコン
表面層の脱水を目的として、ホットプレートによる加熱
やヘキサメチルジシラザンによる脱水処理機構が設けら
れ、フォトレジストの密着性を向上させるものが一般的
である。
特に、下地基板と密着性の悪いポジ形のフォトレジスト
を塗布する場合には、ヘキサメチルジシラザンの蒸気処
理が一般的であるが、この場合半導体基板表面に付着す
るヘキサメチルジシラザンの量を制御することが困難で
あり、付着量が多すぎた場合にはフォトレジストと基板
の密着性を妨げたり、露光時の発泡現象の原因になると
いう欠点がある。
を塗布する場合には、ヘキサメチルジシラザンの蒸気処
理が一般的であるが、この場合半導体基板表面に付着す
るヘキサメチルジシラザンの量を制御することが困難で
あり、付着量が多すぎた場合にはフォトレジストと基板
の密着性を妨げたり、露光時の発泡現象の原因になると
いう欠点がある。
本発明のフォトレジスト塗布装置は、上面に半導体基板
を固定して回転する回転チャックと、前記半導体基板上
にフォトレジストを滴下する滴下ノズルとを備えるフォ
トレジスト塗布装置において、前記フォトレジストの滴
下直前に前記半導体基板上に紫外光を直接照射する紫外
光照射部を有している。
を固定して回転する回転チャックと、前記半導体基板上
にフォトレジストを滴下する滴下ノズルとを備えるフォ
トレジスト塗布装置において、前記フォトレジストの滴
下直前に前記半導体基板上に紫外光を直接照射する紫外
光照射部を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。
第１図に示すように、第１の実施例は前述した第４図の
フォトレジスト塗布装置に紫外光照射部５を付加したも
ので、その他の構成は第４図のフォトレジスト塗布装置
と同様である。
フォトレジスト塗布装置に紫外光照射部５を付加したも
ので、その他の構成は第４図のフォトレジスト塗布装置
と同様である。
図示しない前処理部でヘキサメチルジシラザン蒸気処理
をされた半導体基板４は図示しない搬送機構により回転
チャック１上に送られ、回転チャック１に真空吸着され
る。従来は、この段落で滴下ノズル２からフォトレジス
トを所要量滴下していたが、第１の実施例では、紫外光
照射部５から波長１８０〜３００ｎｍの紫外線を半導体
基板４上に照射し、基板表面の改質をはかる。
をされた半導体基板４は図示しない搬送機構により回転
チャック１上に送られ、回転チャック１に真空吸着され
る。従来は、この段落で滴下ノズル２からフォトレジス
トを所要量滴下していたが、第１の実施例では、紫外光
照射部５から波長１８０〜３００ｎｍの紫外線を半導体
基板４上に照射し、基板表面の改質をはかる。
第２図は半導体基板表面の処理方法と半導体基板上の水
滴の接触角との相関を示す特性図である。
滴の接触角との相関を示す特性図である。
第２図において、縦軸は半導体基板上に滴下した水滴が
表面張力によって生じる接触角を測定した結果、横軸は
半導体基板の各種処理方法を示す。第２図に示すように
、紫外光照射により半導体基板上の改質が進み、表面張
力が非常に低下していることがわかる。
表面張力によって生じる接触角を測定した結果、横軸は
半導体基板の各種処理方法を示す。第２図に示すように
、紫外光照射により半導体基板上の改質が進み、表面張
力が非常に低下していることがわかる。
即ち、紫外光照射により酸素分子のオゾン化反応を促進
し、このオゾンはさらに励起酸素原子に分解され、半導
体基板表面の有機物、特に炭素フッカカーボン及び炭化
水素を分解する。
し、このオゾンはさらに励起酸素原子に分解され、半導
体基板表面の有機物、特に炭素フッカカーボン及び炭化
水素を分解する。
第３図は本発明の第２の実施例を用いる半導体装置の製
造装置の斜視図である。
造装置の斜視図である。
第３図に示すように、半導体装置の製造装置は前処理部
としてのへキサメチルジシラザン処理部１１とホットプ
レート式オーブン１２と紫外光処理部１３及びフォトレ
ジスト滴下部１４から成るフォトレジスト塗布装置１５
とを含んで構成される。
としてのへキサメチルジシラザン処理部１１とホットプ
レート式オーブン１２と紫外光処理部１３及びフォトレ
ジスト滴下部１４から成るフォトレジスト塗布装置１５
とを含んで構成される。
紫外光処理部１３には低圧水銀灯１６があり紫外光が外
部にもれないように密閉されている。半導体基板（図示
せず）は基板搬送路１７に乗せられ、ヘキサメチルジシ
ラザン処理部１１からフォトレジスト滴下部１４へと順
次送られ、ヘキサメチルジシラザン処理部１１で蒸気処
理された後、ホットプレート式オーブン１２で加熱され
、更に紫外光処理部１３で１８５ｎｍの波長の紫外光を
照射されて、フォトレジスト滴下部１４でフォトレジス
トを塗布される。
部にもれないように密閉されている。半導体基板（図示
せず）は基板搬送路１７に乗せられ、ヘキサメチルジシ
ラザン処理部１１からフォトレジスト滴下部１４へと順
次送られ、ヘキサメチルジシラザン処理部１１で蒸気処
理された後、ホットプレート式オーブン１２で加熱され
、更に紫外光処理部１３で１８５ｎｍの波長の紫外光を
照射されて、フォトレジスト滴下部１４でフォトレジス
トを塗布される。
第２の実施例では、紫外光処理部１３とフォトレジスト
滴下部１４とが独立しているので、機構が簡単になる利
点がある。
滴下部１４とが独立しているので、機構が簡単になる利
点がある。
以上説明したように本発明は、フォトレジストの回転塗
布直前に波長１８０〜３００ ｎｍの紫外光を照射する
紫外光照射部を設けることにより、半導体基板上にフォ
トレジストを塗布する直前に表面の残留有機分を分解し
、半導体基板表面を改質してフォトレジストの塗布特性
を向上させるとともに露光時の微細加工性を向上させる
効果を有する。
布直前に波長１８０〜３００ ｎｍの紫外光を照射する
紫外光照射部を設けることにより、半導体基板上にフォ
トレジストを塗布する直前に表面の残留有機分を分解し
、半導体基板表面を改質してフォトレジストの塗布特性
を向上させるとともに露光時の微細加工性を向上させる
効果を有する。
第１図は本発明の第１の実施例の断面、図、第２図は半
導体基板表面の処理方法と半導体基板上の水滴の接触角
との相関を示す特性図、第３図は本発明の第２の実施例
を用いる半導体装置の製造装置の斜視図、第４図は従来
のフォトレジスト塗布装置の一例の断面図である。 １・・・回転チャック、２・・・滴下ノズル、３・・・
カップ、４・・・半導体基板、５・・・紫外光照射部、
１１・・・ヘキサメチルジシラザン処理部、１２・・・
ホットプレート式オーブン、１３・・・紫外光処理部、
１４・・・フォトレジスト滴下部、１５・・・フォトレ
ジスト塗布装置、１６・・・低圧水銀灯、１７・・・基
板搬送路。 代理人 弁理士 内 原 晋 ／目牢Ｚ今→（ソフ 磐 ■ ｈ掃ｒ 千
導体基板表面の処理方法と半導体基板上の水滴の接触角
との相関を示す特性図、第３図は本発明の第２の実施例
を用いる半導体装置の製造装置の斜視図、第４図は従来
のフォトレジスト塗布装置の一例の断面図である。 １・・・回転チャック、２・・・滴下ノズル、３・・・
カップ、４・・・半導体基板、５・・・紫外光照射部、
１１・・・ヘキサメチルジシラザン処理部、１２・・・
ホットプレート式オーブン、１３・・・紫外光処理部、
１４・・・フォトレジスト滴下部、１５・・・フォトレ
ジスト塗布装置、１６・・・低圧水銀灯、１７・・・基
板搬送路。 代理人 弁理士 内 原 晋 ／目牢Ｚ今→（ソフ 磐 ■ ｈ掃ｒ 千
Claims (1)
- 上面に半導体基板を固定して回転する回転チャックと、
前記半導体基板上にフォトレジストを滴下する滴下ノズ
ルとを備えるフォトレジスト塗布装置において、前記フ
ォトレジストの滴下直前に前記半導体基板上に紫外光を
直接照射する紫外光照射部を有することを特徴とするフ
ォトレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931288A JP2751235B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フォトレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21931288A JP2751235B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フォトレジスト塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266551A true JPH0266551A (ja) | 1990-03-06 |
| JP2751235B2 JP2751235B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=16733513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21931288A Expired - Lifetime JP2751235B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | フォトレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2751235B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09312257A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Fujitsu Ltd | 微細加工方法及び装置 |
| JP2011066113A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2015211066A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、記憶媒体 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP21931288A patent/JP2751235B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09312257A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Fujitsu Ltd | 微細加工方法及び装置 |
| JP2011066113A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2015211066A (ja) * | 2014-04-24 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置、記憶媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2751235B2 (ja) | 1998-05-18 |
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