JPH0494114A - 電子線描画方法 - Google Patents
電子線描画方法Info
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- JPH0494114A JPH0494114A JP21037290A JP21037290A JPH0494114A JP H0494114 A JPH0494114 A JP H0494114A JP 21037290 A JP21037290 A JP 21037290A JP 21037290 A JP21037290 A JP 21037290A JP H0494114 A JPH0494114 A JP H0494114A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路装置の製造工程で用いられる
電子線描画技術に関するものである。
電子線描画技術に関するものである。
半導体ウェハやホトマスクなどの試料に所定の集積回路
パターンを描画する電子線描画装置は、真空排気した処
理室内で試料（ウェハ、ホトマスクなど）に描画処理を
施すた約、処理室に隣接した予備排気室（ロードチャン
バ）を備えている。
パターンを描画する電子線描画装置は、真空排気した処
理室内で試料（ウェハ、ホトマスクなど）に描画処理を
施すた約、処理室に隣接した予備排気室（ロードチャン
バ）を備えている。
処理室および予備排気室のそれぞれには、真空排気系が
接続されており、外部から試料が予備排気室に搬入され
ると、まず予備排気室内が処理室と同じ真空度まで排気
され、続いて処理室と予備排気室とを隔てるゲートバル
ブが開放されて試料が処理室に搬入される。その後、描
画処理の終わった試料がゲートバルブを通じて真空の予
備排気室に搬出されると、今度は予備排気室に窒素など
の不活性ガスがリークされ、予備排気室内が大気圧まで
戻された後に前記処理済の試料が外部に搬出され、続い
て新たな試料が予備排気室に搬入される。なお、上記電
子線描画装置については、工業調査会、昭和６３年１２
月１０日発行の「電子材料別冊 超ＬＳＩ製造・試験装
ｆ」Ｐ８４〜Ｐ８９に記載がある。
接続されており、外部から試料が予備排気室に搬入され
ると、まず予備排気室内が処理室と同じ真空度まで排気
され、続いて処理室と予備排気室とを隔てるゲートバル
ブが開放されて試料が処理室に搬入される。その後、描
画処理の終わった試料がゲートバルブを通じて真空の予
備排気室に搬出されると、今度は予備排気室に窒素など
の不活性ガスがリークされ、予備排気室内が大気圧まで
戻された後に前記処理済の試料が外部に搬出され、続い
て新たな試料が予備排気室に搬入される。なお、上記電
子線描画装置については、工業調査会、昭和６３年１２
月１０日発行の「電子材料別冊 超ＬＳＩ製造・試験装
ｆ」Ｐ８４〜Ｐ８９に記載がある。
前記のように、電子線描画装置においては、試料の交換
時に予備排気室内が外部の大気に曝されるため、大気が
予備排気室内に入り込んでくる。
時に予備排気室内が外部の大気に曝されるため、大気が
予備排気室内に入り込んでくる。
ところが、大気中に含まれる水分子などの極性分子は、
一般に窒素などの非極性分子に比べて予備排気室の内壁
に付着する力が強いため、これらの極性分子が予備排気
室内に入り込むと、予備排気室内を排気するのに長時間
を要し、描画処理のスループットが低下してしまうとい
う問題があった。
一般に窒素などの非極性分子に比べて予備排気室の内壁
に付着する力が強いため、これらの極性分子が予備排気
室内に入り込むと、予備排気室内を排気するのに長時間
を要し、描画処理のスループットが低下してしまうとい
う問題があった。
第３図に示す実線Ａは、試料交換時における予備排気室
の大気曝露時間とその後の排気時間との関係を本発明者
の観測に基づいてプロットしたものであるが、図から明
らかなように、予備排気室内を排気するのに要する時間
は、大気曝露時間にほぼ比例して増加することが判明し
た。
の大気曝露時間とその後の排気時間との関係を本発明者
の観測に基づいてプロットしたものであるが、図から明
らかなように、予備排気室内を排気するのに要する時間
は、大気曝露時間にほぼ比例して増加することが判明し
た。
本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的は、電子線描画処理のスループットを向上
させることのできる技術を提供することにある。
り、その目的は、電子線描画処理のスループットを向上
させることのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規、な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
内部が所定の真空度に排気される処理室と前記処理室に
隣接した予備排気室とを備え、外部から前記予備排気室
に搬入された未処理の試料を前記処理室に搬入する際に
は、前記予備排気室内を前記処理室と同じ真空度まで排
気し、前記処理室から前記予備排気室に搬出された処理
済の試料を外部に搬出する際には、前記予備排気室に不
活性ガスをリークして前記予備排気室内を大気圧に戻す
電子線描画装置を使用して描画処理を行うにあたり、試
料の交換中、すなわち前記処理済の試料を予備排気室か
ら外部に搬出し、続いて未処理の試料を外部から予備排
気室に搬入する間、前記予備排気室に不活性ガスをリー
クし続ける。
隣接した予備排気室とを備え、外部から前記予備排気室
に搬入された未処理の試料を前記処理室に搬入する際に
は、前記予備排気室内を前記処理室と同じ真空度まで排
気し、前記処理室から前記予備排気室に搬出された処理
済の試料を外部に搬出する際には、前記予備排気室に不
活性ガスをリークして前記予備排気室内を大気圧に戻す
電子線描画装置を使用して描画処理を行うにあたり、試
料の交換中、すなわち前記処理済の試料を予備排気室か
ら外部に搬出し、続いて未処理の試料を外部から予備排
気室に搬入する間、前記予備排気室に不活性ガスをリー
クし続ける。
上記した手段によれば、試料の交換中、予備排気室に不
活性ガスをリークし続けることにより、試料交換中にお
ける予備排気室内の気圧は、常に大気圧よりも高くなる
。すなわち試料交換中は、予備排気室内が外部に対して
常に陽圧となり、外部の大気が予備排気室に入り込むこ
とがないので、大気中に含まれる水分子などの極性分子
が予備排気室の内壁に付着することもない。
活性ガスをリークし続けることにより、試料交換中にお
ける予備排気室内の気圧は、常に大気圧よりも高くなる
。すなわち試料交換中は、予備排気室内が外部に対して
常に陽圧となり、外部の大気が予備排気室に入り込むこ
とがないので、大気中に含まれる水分子などの極性分子
が予備排気室の内壁に付着することもない。
本実施例で用いる電子線描画装置の要部を第２図に示す
。
。
この電子線描画装置１は、処理室２と上記処理室２に隣
接した予備排気室３とを備えており、上記処理室２と予
備排気室３とは、開閉可能なゲートバルブ４によって隔
成されている。処理室２右よび予備排気室３のそれぞれ
には、真空ポンプ５゜５が接続され、室内を所望の真空
度まで排気できるようになっている。上記処理室２のほ
ぼ中央には、ステージ６が設置されており、ステージ６
上には、半導体ウェハやホトマスクなどの試料７が位置
決めされるようになっている。ステージ６の上方には、
電子光学系８が配置されてふり、ステージ６を移動させ
ることにより、試料７の描画領域が電子光学系８の直下
に位置決めされ、順次描画処理が行われるようになって
いる。上記処理室２に隣接した予備排気室３には、試料
７を出し入れするための開閉部９が設けられている。ま
た、上記予備排気室３には、不活性ガス供給部１０が接
続されている。
接した予備排気室３とを備えており、上記処理室２と予
備排気室３とは、開閉可能なゲートバルブ４によって隔
成されている。処理室２右よび予備排気室３のそれぞれ
には、真空ポンプ５゜５が接続され、室内を所望の真空
度まで排気できるようになっている。上記処理室２のほ
ぼ中央には、ステージ６が設置されており、ステージ６
上には、半導体ウェハやホトマスクなどの試料７が位置
決めされるようになっている。ステージ６の上方には、
電子光学系８が配置されてふり、ステージ６を移動させ
ることにより、試料７の描画領域が電子光学系８の直下
に位置決めされ、順次描画処理が行われるようになって
いる。上記処理室２に隣接した予備排気室３には、試料
７を出し入れするための開閉部９が設けられている。ま
た、上記予備排気室３には、不活性ガス供給部１０が接
続されている。
上記電子線描画装置１を用いて試料７０表面に所定の集
積回路パターンを描画するには、あらかじめレジスト塗
布装置を用いて試料７の表面に電子線レジストを均−１
二塗布した後、この試料７を開閉部９を通じて装ａｔの
予備排気室３に搬入する。このとき、処理室２の内部は
、あらかじめ所定の真空度に排気しておく。次に、予備
排気室３の真空ポンプ５を作動して予備排気室３内を処
理室２内と同じ真空度まで排気した後、ゲートバルブ４
を開放して試料７を処理室２に搬入し、試料７をステー
ジ６上に位置決めする。続いて、あらかじめ設定された
プログラムに従ってステージ６を移動させながら試料７
に電子線を照射することによって描画処理を行う。
積回路パターンを描画するには、あらかじめレジスト塗
布装置を用いて試料７の表面に電子線レジストを均−１
二塗布した後、この試料７を開閉部９を通じて装ａｔの
予備排気室３に搬入する。このとき、処理室２の内部は
、あらかじめ所定の真空度に排気しておく。次に、予備
排気室３の真空ポンプ５を作動して予備排気室３内を処
理室２内と同じ真空度まで排気した後、ゲートバルブ４
を開放して試料７を処理室２に搬入し、試料７をステー
ジ６上に位置決めする。続いて、あらかじめ設定された
プログラムに従ってステージ６を移動させながら試料７
に電子線を照射することによって描画処理を行う。
次に、描画処理が済んだ上記試料７を装置１の外部に搬
出する方法を第１図と前記第２図とを用いて説明する。
出する方法を第１図と前記第２図とを用いて説明する。
第１１！ｌは、予備排気室３内の圧力状態を示すシーケ
ンス図であり、処理室２内で描画処理が行われている間
、および処理済の試料７がゲートバルブ４を通じて搬入
された直後の予備排気室３は真空になっている。次に、
不活性ガス供給部ＩＯのバルブ１１を開放して予備排気
室３内に窒素などの不活性ガスをリークすることによっ
て予備排気室３内を大気圧にする。そして予備排気室３
内に不活性ガスをリークし続けながら開閉部９を開き、
処理済の試料７を外部に搬出した後、予備排気室３内に
未処理の試料７を搬入する。この試料７交換中、予備排
気室３内には不活性ガス供給部ｌＯから常時不活性ガス
がリークされ、予備排気室３内の気圧は大気圧よりも幾
分高くなっている。すなわち、試料７の交換中の予備排
気室３内は、外部に対して常時陽圧となっており、外部
の大気が入り込むことはないので、大気中に含まれる水
分子などの極性分子が予備排気室３の内壁に付着するこ
とはない。このような方法で試料７を交換した後、開閉
部９を閉じ、再び予備排気室３の真空ポンプ５を作動し
て予備排気室３内を処理室２内と同じ真空度まで排気し
た後、ゲートバルブ４を開放して試料７を処理室２に搬
入し、この試料７に描画処理を施す。
ンス図であり、処理室２内で描画処理が行われている間
、および処理済の試料７がゲートバルブ４を通じて搬入
された直後の予備排気室３は真空になっている。次に、
不活性ガス供給部ＩＯのバルブ１１を開放して予備排気
室３内に窒素などの不活性ガスをリークすることによっ
て予備排気室３内を大気圧にする。そして予備排気室３
内に不活性ガスをリークし続けながら開閉部９を開き、
処理済の試料７を外部に搬出した後、予備排気室３内に
未処理の試料７を搬入する。この試料７交換中、予備排
気室３内には不活性ガス供給部ｌＯから常時不活性ガス
がリークされ、予備排気室３内の気圧は大気圧よりも幾
分高くなっている。すなわち、試料７の交換中の予備排
気室３内は、外部に対して常時陽圧となっており、外部
の大気が入り込むことはないので、大気中に含まれる水
分子などの極性分子が予備排気室３の内壁に付着するこ
とはない。このような方法で試料７を交換した後、開閉
部９を閉じ、再び予備排気室３の真空ポンプ５を作動し
て予備排気室３内を処理室２内と同じ真空度まで排気し
た後、ゲートバルブ４を開放して試料７を処理室２に搬
入し、この試料７に描画処理を施す。
第３図に示す実１１Ｂは、上記の方法で試料７を交換し
た場合における予備排気室３の大気曝露時間とその後の
排気時間との関係を本発明者の観測に基づいてプロット
したものであるが、図から明らかなように、予備排気室
３内を排気するのに要する時間は、大気曝露時間（試料
交換時間）の長短に関係なくほぼ一定であった。
た場合における予備排気室３の大気曝露時間とその後の
排気時間との関係を本発明者の観測に基づいてプロット
したものであるが、図から明らかなように、予備排気室
３内を排気するのに要する時間は、大気曝露時間（試料
交換時間）の長短に関係なくほぼ一定であった。
このように、試料７の交換中、予備排気室３に不活性ガ
スをリークし続ける本実施例によれば、外部の大気が予
備排気室３に入り込むことがないので、大気中に含まれ
る水分子などの極性分子が予備排気室３の内壁に付着す
るのを確実に防止できる。これにより、排気に要する時
間を従来よりも短縮することができるので、電子線描画
処理のスループットを向上させることができる。
スをリークし続ける本実施例によれば、外部の大気が予
備排気室３に入り込むことがないので、大気中に含まれ
る水分子などの極性分子が予備排気室３の内壁に付着す
るのを確実に防止できる。これにより、排気に要する時
間を従来よりも短縮することができるので、電子線描画
処理のスループットを向上させることができる。
また本実施例によれば、試料７の交換中、予備排気室３
に大気中の異物が入り込むのを防止することができるの
で、試料の表面に付着した上記異物に起因する電子線描
画処理の歩留り低下を防止することもできる。
に大気中の異物が入り込むのを防止することができるの
で、試料の表面に付着した上記異物に起因する電子線描
画処理の歩留り低下を防止することもできる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。
内部が所定の真空度に排気される処理室と前記処理室に
隣接した予備排気室とを備え、外部から前記予備排気室
に搬入された未処理の試料を前記処理室に搬入する際に
は、前記予備排気室内を前記処理室と同じ真空度まで排
気し、前記処理室から前記予備排気室に搬出された処理
済の試料を外部に搬出する際には、前記予備排気室に不
活性ガスをリークして前記予備排気室内を大気圧に戻す
電子線描画装置を使用して描画処理を行うにあたり、試
料の交換中に前記予備排気室に不活性ガスをリークし続
けることにより、外部の大気中に含まれる水分子などの
極法分子が予備排気室の内壁に付着するのを防止できる
ので、排気に要する時間を従来よりも短縮することがで
き、電子線描画処理のスループットが向上する。
隣接した予備排気室とを備え、外部から前記予備排気室
に搬入された未処理の試料を前記処理室に搬入する際に
は、前記予備排気室内を前記処理室と同じ真空度まで排
気し、前記処理室から前記予備排気室に搬出された処理
済の試料を外部に搬出する際には、前記予備排気室に不
活性ガスをリークして前記予備排気室内を大気圧に戻す
電子線描画装置を使用して描画処理を行うにあたり、試
料の交換中に前記予備排気室に不活性ガスをリークし続
けることにより、外部の大気中に含まれる水分子などの
極法分子が予備排気室の内壁に付着するのを防止できる
ので、排気に要する時間を従来よりも短縮することがで
き、電子線描画処理のスループットが向上する。
第１図は、本発明の一実施例である電子線描画方法を説
明するためのシーケンス図、 第２図は、この電子線描画方法で用いる電子線描画装置
の要部概略図、 第３図は、試料交換時における予備排気室の大気曝露時
間とその後の排気時間との関係を示すグラフ図である。 １・・・電子線描画装置、２・・・処理室、３・・・予
備排気室、４・・・ゲートバルブ、５・・真空ポンプ、
６・・・ステージ、７・・・試料、８・・・電子光学系
、９・・・開閉部、１０・・・不活性ガス供給部、１１
・・・バルブ。
明するためのシーケンス図、 第２図は、この電子線描画方法で用いる電子線描画装置
の要部概略図、 第３図は、試料交換時における予備排気室の大気曝露時
間とその後の排気時間との関係を示すグラフ図である。 １・・・電子線描画装置、２・・・処理室、３・・・予
備排気室、４・・・ゲートバルブ、５・・真空ポンプ、
６・・・ステージ、７・・・試料、８・・・電子光学系
、９・・・開閉部、１０・・・不活性ガス供給部、１１
・・・バルブ。
Claims (1)
- １、内部が所定の真空度に排気される処理室と前記処理
室に隣接した予備排気室とを備え、外部から前記予備排
気室に搬入された未処理の試料を前記処理室に搬入する
際には、前記予備排気室内を前記処理室と同じ真空度ま
で排気し、前記処理室から前記予備排気室に搬出された
処理済の試料を外部に搬出する際には、前記予備排気室
に不活性ガスをリークして前記予備排気室内を大気圧に
戻す電子線描画装置を用いた電子線描画方法であって、
前記処理済の試料を予備排気室から外部に搬出し、続い
て未処理の試料を外部から予備排気室に搬入する間、前
記予備排気室に不活性ガスをリークし続けることを特徴
とする電子線描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21037290A JPH0494114A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 電子線描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21037290A JPH0494114A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 電子線描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0494114A true JPH0494114A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16588262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21037290A Pending JPH0494114A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 電子線描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0494114A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165327A (ja) * | 2000-07-27 | 2007-06-28 | Ebara Corp | シートビーム式検査装置 |
| JP2008034740A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21037290A patent/JPH0494114A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165327A (ja) * | 2000-07-27 | 2007-06-28 | Ebara Corp | シートビーム式検査装置 |
| JP2008034740A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ロードロック装置、それを備えた基板処理装置および基板処理システム |
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