JPH04294536A - 酸化膜の除去方法 - Google Patents
酸化膜の除去方法Info
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- JPH04294536A JPH04294536A JP8356191A JP8356191A JPH04294536A JP H04294536 A JPH04294536 A JP H04294536A JP 8356191 A JP8356191 A JP 8356191A JP 8356191 A JP8356191 A JP 8356191A JP H04294536 A JPH04294536 A JP H04294536A
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- wafer
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Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩなどに用
いられるシリコン基板上に生成した自然酸化膜の除去方
法に関する。
いられるシリコン基板上に生成した自然酸化膜の除去方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のシリコンウェハ上に存在する自然
酸化膜の除去には、ＡＳＴＭ：Ｆ６１２−８０（１９８
１）に記載のように、非イオン系界面活性剤による脱脂
、スクラバー処理、Ｈ２ Ｏ２ による酸化を行った後
、４９±０．２５％のフッ化水素酸水溶液を満たしたテ
フロンビーカー中に５±０．５分浸漬し、その後純水洗
浄を行い疎水性のチェック、パーティクル検査などを行
うという方法が用いられていた。
酸化膜の除去には、ＡＳＴＭ：Ｆ６１２−８０（１９８
１）に記載のように、非イオン系界面活性剤による脱脂
、スクラバー処理、Ｈ２ Ｏ２ による酸化を行った後
、４９±０．２５％のフッ化水素酸水溶液を満たしたテ
フロンビーカー中に５±０．５分浸漬し、その後純水洗
浄を行い疎水性のチェック、パーティクル検査などを行
うという方法が用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法は、湿式で
洗浄を行っていた為、フッ酸水溶液による洗浄を行った
後乾燥する必要があり、一度酸化膜を除去しても雰囲気
中に含まれる酸素などの影響で再度酸化膜が形成されて
しまうという問題があった。本発明は上記事情に基づい
てなされたものであり、常温・乾燥雰囲気の穏やかな条
件下で自然酸化膜を除去する方法を提供することを目的
とする。
洗浄を行っていた為、フッ酸水溶液による洗浄を行った
後乾燥する必要があり、一度酸化膜を除去しても雰囲気
中に含まれる酸素などの影響で再度酸化膜が形成されて
しまうという問題があった。本発明は上記事情に基づい
てなされたものであり、常温・乾燥雰囲気の穏やかな条
件下で自然酸化膜を除去する方法を提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、シリコン基板上に形成された自然酸化膜
の除去において、被除去面を有するシリコン基板を水素
雰囲気下の反応器内に設置し、遠紫外線を照射すること
を特徴とするものである。
決するために、シリコン基板上に形成された自然酸化膜
の除去において、被除去面を有するシリコン基板を水素
雰囲気下の反応器内に設置し、遠紫外線を照射すること
を特徴とするものである。
【０００５】
【作用】本発明によれば、水素雰囲気で満たした反応器
内に遠紫外線光を照射することにより、水素分子が原子
状に解離し、生成した水素原子が自然酸化膜で覆われた
シリコン基板をエッチングし、自然酸化膜を除去するこ
とが可能である。本発明の方法は遠紫外線光と水素のみ
を必要とし、特に高温下にシリコン基板をさらすことな
く、低温低圧下の穏やかな条件下での乾式自然酸化膜除
去が可能である。
内に遠紫外線光を照射することにより、水素分子が原子
状に解離し、生成した水素原子が自然酸化膜で覆われた
シリコン基板をエッチングし、自然酸化膜を除去するこ
とが可能である。本発明の方法は遠紫外線光と水素のみ
を必要とし、特に高温下にシリコン基板をさらすことな
く、低温低圧下の穏やかな条件下での乾式自然酸化膜除
去が可能である。
【０００６】
【実施例】次に図１を用いて本発明の一実施例について
説明する。図１は本発明の一実施例である酸化膜の除去
方法を説明するための概略装置図である。本実施例の酸
化膜の除去方法は、先ず自然酸化膜の生成したシリコン
ウェハ３を窒素封じのウェハキャリアケース１に収納し
、予備排気室５に設置する。設置後、真空ポンプ１４に
よって予備排気室５内を脱気し、予め脱気してあった反
応室６との仕切り１０を開ける。自動制御アーム７を用
いてウェハキャリアケース１内からウェハキャリア２を
取り出し、ウェハ運搬用アーム８を用いて、ウェハ３を
取り出し反応室６内に設置する。仕切り扉１０を閉じた
後、水素ガスボンベ１２より反応室６内に水素ガスを満
たし、重水素ランプ４にてウェハ３に遠紫外線を照射す
る。所定の時間反応させた後、遠紫外線照射を停止し再
び反応室６内を脱気し、仕切り扉１０を開ける。ウェハ
運搬用アーム８を用いて反応室６内のウェハ３をウェハ
キャリア２内に収納し、次のウェハを反応室６内に運搬
し設置する。以下ウェハキャリア２内のウェハがなくな
るまで同様の操作を繰り返し、最後のウェハを処理した
後、ウェハキャリア２をキャリアケース１内に設置する
。そして、反応室６との仕切り１０を閉じて窒素ガスボ
ンベ１１から予備排気室５内に窒素ガスを供給して予備
排気室５内を窒素ガスで満たし、その後ウェハキャリア
ケース１を閉じ、再び予備排気室５内を脱気してから、
大気を充満させ、開放扉９からキャリアケース１を取り
出す。本実施例では、窒素封じのキャリアケースを効果
的に用いている為、自然酸化膜除去後もウェハを大気に
全くさらすことなく、次の工程に入ることができる。
説明する。図１は本発明の一実施例である酸化膜の除去
方法を説明するための概略装置図である。本実施例の酸
化膜の除去方法は、先ず自然酸化膜の生成したシリコン
ウェハ３を窒素封じのウェハキャリアケース１に収納し
、予備排気室５に設置する。設置後、真空ポンプ１４に
よって予備排気室５内を脱気し、予め脱気してあった反
応室６との仕切り１０を開ける。自動制御アーム７を用
いてウェハキャリアケース１内からウェハキャリア２を
取り出し、ウェハ運搬用アーム８を用いて、ウェハ３を
取り出し反応室６内に設置する。仕切り扉１０を閉じた
後、水素ガスボンベ１２より反応室６内に水素ガスを満
たし、重水素ランプ４にてウェハ３に遠紫外線を照射す
る。所定の時間反応させた後、遠紫外線照射を停止し再
び反応室６内を脱気し、仕切り扉１０を開ける。ウェハ
運搬用アーム８を用いて反応室６内のウェハ３をウェハ
キャリア２内に収納し、次のウェハを反応室６内に運搬
し設置する。以下ウェハキャリア２内のウェハがなくな
るまで同様の操作を繰り返し、最後のウェハを処理した
後、ウェハキャリア２をキャリアケース１内に設置する
。そして、反応室６との仕切り１０を閉じて窒素ガスボ
ンベ１１から予備排気室５内に窒素ガスを供給して予備
排気室５内を窒素ガスで満たし、その後ウェハキャリア
ケース１を閉じ、再び予備排気室５内を脱気してから、
大気を充満させ、開放扉９からキャリアケース１を取り
出す。本実施例では、窒素封じのキャリアケースを効果
的に用いている為、自然酸化膜除去後もウェハを大気に
全くさらすことなく、次の工程に入ることができる。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコン基板上に生成した自然酸化膜を、常温・乾燥雰囲
気の穏やかな条件下で除去することが可能である酸化膜
の除去方法を提供することができる。
リコン基板上に生成した自然酸化膜を、常温・乾燥雰囲
気の穏やかな条件下で除去することが可能である酸化膜
の除去方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例である酸化膜の除去方法を説
明するための概略装置図である。
明するための概略装置図である。
１ 窒素封じ式ウェハキャリアケース２
ウェハキャリア ３ ウェハ ４ 重水素ランプ ５ ウェハ出し入れ用予備排気室６ 反応
室 ７ ウェハキャリア運搬用アーム８ ウェ
ハ運搬用アーム ９ ウェハキャリア出し入れ用扉１０ 反
応室仕切り用開閉扉 １１ 窒素ガスボンベ １２ 水素ガスボンベ １３ エアオペレート式開閉バルブ１４
真空ポンプ
ウェハキャリア ３ ウェハ ４ 重水素ランプ ５ ウェハ出し入れ用予備排気室６ 反応
室 ７ ウェハキャリア運搬用アーム８ ウェ
ハ運搬用アーム ９ ウェハキャリア出し入れ用扉１０ 反
応室仕切り用開閉扉 １１ 窒素ガスボンベ １２ 水素ガスボンベ １３ エアオペレート式開閉バルブ１４
真空ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコン基板上に形成された酸化膜の
除去方法であって、前記シリコン基板を水素雰囲気中に
設置し、該シリコン基板の酸化膜に遠紫外線を照射する
ことを特徴とする酸化膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8356191A JPH04294536A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 酸化膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8356191A JPH04294536A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 酸化膜の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04294536A true JPH04294536A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=13805931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8356191A Withdrawn JPH04294536A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 酸化膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04294536A (ja) |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP8356191A patent/JPH04294536A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |