JPS5975629A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5975629A JPS5975629A JP18696382A JP18696382A JPS5975629A JP S5975629 A JPS5975629 A JP S5975629A JP 18696382 A JP18696382 A JP 18696382A JP 18696382 A JP18696382 A JP 18696382A JP S5975629 A JPS5975629 A JP S5975629A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造法に係り、半導体材料の洗浄
処理方法に関する。
処理方法に関する。
従来、半導体材料の洗浄法としては、一般的にウェット
洗浄法が用いられていた。例えば、脱脂洗浄としては、
トリクロやアセトンによる洗浄が用いられ、酸液洗浄と
しては、塩酸、硝酸等の洗浄液に浸漬後、純水洗浄をし
、回転乾燥をするのが通例であった。
洗浄法が用いられていた。例えば、脱脂洗浄としては、
トリクロやアセトンによる洗浄が用いられ、酸液洗浄と
しては、塩酸、硝酸等の洗浄液に浸漬後、純水洗浄をし
、回転乾燥をするのが通例であった。
しかし、上記従来技術では、半導体材料表面に分子レベ
ルで吸着している汚染物質迄際失することは困難であっ
た。
ルで吸着している汚染物質迄際失することは困難であっ
た。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、半導溝ウェー
ハ表面に分子レベルで吸着している汚染物質迄も完全に
洗浄処理し、り１き続き行なわれる半導体ウェーハの熱
処理、膜形成処理、およびエツチング処理等を無欠陥で
行なうことを目的とする。
ハ表面に分子レベルで吸着している汚染物質迄も完全に
洗浄処理し、り１き続き行なわれる半導体ウェーハの熱
処理、膜形成処理、およびエツチング処理等を無欠陥で
行なうことを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、半
導体装置の製造方法において、半導体材料の熱処理、膜
形成処理およびエツチング処理の前処理として、半導体
材ｔ１をオゾン雰囲気に晒す事を特徴とする。
導体装置の製造方法において、半導体材料の熱処理、膜
形成処理およびエツチング処理の前処理として、半導体
材ｔ１をオゾン雰囲気に晒す事を特徴とする。
以下、実施例により、本発明を詳述する。
第１図は本発明を説明するためのオゾン処理装置の一例
を示す模式図である。試料１は反応室２内にベルト、コ
ンベア３により搬入され、反応室内にはオゾン、ガスま
たは酸素ガスがパイプ４により導入され、反応室は、ガ
ス、カーテン５により外部雰囲気と遮断されている。酸
素ガスを供給する場合には反応室は石英の窓が設けられ
、遠紫外線ランプ６により反応室内酸素がオゾン化され
る。
を示す模式図である。試料１は反応室２内にベルト、コ
ンベア３により搬入され、反応室内にはオゾン、ガスま
たは酸素ガスがパイプ４により導入され、反応室は、ガ
ス、カーテン５により外部雰囲気と遮断されている。酸
素ガスを供給する場合には反応室は石英の窓が設けられ
、遠紫外線ランプ６により反応室内酸素がオゾン化され
る。
この様に、半導体または半導体を含む材料をオゾン雰囲
気に晒すことにより、例えば本処理をＳ１ウエーハの熱
酸化前処理に用いると、育成されたＳ１０．膜のピンホ
ール密度が１０μ／ ｃｄがら１μ／ｄ以下、無欠陥に
近いＳ１０．膜の形成が可能となる。本発明を膜欠陥の
無欠陥化に応用するのみならず、エツチング処理や熱処
理の無欠陥化に用いることができる。更に、半導体材料
のみならず、半導体材料を含む装置１例えば半導体チッ
プを実装したリード・フレームを本方法で処理後、封止
あるいはレジン封入することにより、半導体装置の信頼
性を上げることができる。
気に晒すことにより、例えば本処理をＳ１ウエーハの熱
酸化前処理に用いると、育成されたＳ１０．膜のピンホ
ール密度が１０μ／ ｃｄがら１μ／ｄ以下、無欠陥に
近いＳ１０．膜の形成が可能となる。本発明を膜欠陥の
無欠陥化に応用するのみならず、エツチング処理や熱処
理の無欠陥化に用いることができる。更に、半導体材料
のみならず、半導体材料を含む装置１例えば半導体チッ
プを実装したリード・フレームを本方法で処理後、封止
あるいはレジン封入することにより、半導体装置の信頼
性を上げることができる。
第１図は本発明によるオゾン処理法の一方法を示す処理
装置の模式図である。 １・・・・・・試 料 ２・・・・・・反応室 ３甲ｊリベルト、コンベア ４・・・・・・配 管 ５・・・・・・ガス、カーテン ６・・・・・・遠紫外線ランプ 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
装置の模式図である。 １・・・・・・試 料 ２・・・・・・反応室 ３甲ｊリベルト、コンベア ４・・・・・・配 管 ５・・・・・・ガス、カーテン ６・・・・・・遠紫外線ランプ 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 半導体材料の熱酸化処理、拡散処理等の熱処理および化
学蒸着、真空蒸着等の膜形成処理およびエツチング処理
の前処理として、半導体材料をオゾン雰囲気に晒す事を
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18696382A JPS5975629A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18696382A JPS5975629A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5975629A true JPS5975629A (ja) | 1984-04-28 |
Family
ID=16197785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18696382A Pending JPS5975629A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5975629A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153335A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Tohoku Richo Kk | プラスチツクのドライエツチング法 |
| JPS62274727A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置 |
| US5028560A (en) * | 1988-06-21 | 1991-07-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate |
| US5178682A (en) * | 1988-06-21 | 1993-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor |
| US5330935A (en) * | 1990-10-24 | 1994-07-19 | International Business Machines Corporation | Low temperature plasma oxidation process |
| EP0661110A1 (en) * | 1993-11-26 | 1995-07-05 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for oxidation of an article surface |
| WO2022186775A1 (en) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | Agency For Science, Technology And Research | A preparation chamber for cleaning and repair sapphire surface for the epitaxial growth of compound materials |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP18696382A patent/JPS5975629A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6153335A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-17 | Tohoku Richo Kk | プラスチツクのドライエツチング法 |
| JPS62274727A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | 処理装置 |
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| US5412246A (en) * | 1990-10-24 | 1995-05-02 | International Business Machines Corporation | Low temperature plasma oxidation process |
| EP0661110A1 (en) * | 1993-11-26 | 1995-07-05 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Process for oxidation of an article surface |
| WO2022186775A1 (en) * | 2021-03-02 | 2022-09-09 | Agency For Science, Technology And Research | A preparation chamber for cleaning and repair sapphire surface for the epitaxial growth of compound materials |
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