JPH01265516A - 半導体ウエハ用ホットプレートオーブン - Google Patents
半導体ウエハ用ホットプレートオーブンInfo
- Publication number
- JPH01265516A JPH01265516A JP9391188A JP9391188A JPH01265516A JP H01265516 A JPH01265516 A JP H01265516A JP 9391188 A JP9391188 A JP 9391188A JP 9391188 A JP9391188 A JP 9391188A JP H01265516 A JPH01265516 A JP H01265516A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hot plate
- semiconductor wafer
- chuck
- pin
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 31
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
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- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトレジストが塗布された半導体ウェハを高
温焼き締めする半導体ウェハ用ホットプレートオーブン
に関するものである。
温焼き締めする半導体ウェハ用ホットプレートオーブン
に関するものである。
一般にフォトレジストが塗布された半導体ウニ・・は、
フォトレジスト中の有機溶剤を揮発させるために熱処理
されている。第３図は従来のこの種ホットプレートオー
プンを一部を破断して示す斜視図で、同図において１は
半導体ウェハ、２はこの半導体ウェハ１を搬送するため
の搬送アーム、３は前記半導体ウェハ１を加熱するため
の均熱ホットプレート、４は保温カバーである。すなわ
ち、レジ某ト塗布装置（図示せず）によって表面にフォ
トレジスト（図示せず）が塗布された半導体ウェハ１は
搬送アーム２上に載置され、この搬送アーム２が移動す
ることによって均熱ホットプレート３上に搬送される。
フォトレジスト中の有機溶剤を揮発させるために熱処理
されている。第３図は従来のこの種ホットプレートオー
プンを一部を破断して示す斜視図で、同図において１は
半導体ウェハ、２はこの半導体ウェハ１を搬送するため
の搬送アーム、３は前記半導体ウェハ１を加熱するため
の均熱ホットプレート、４は保温カバーである。すなわ
ち、レジ某ト塗布装置（図示せず）によって表面にフォ
トレジスト（図示せず）が塗布された半導体ウェハ１は
搬送アーム２上に載置され、この搬送アーム２が移動す
ることによって均熱ホットプレート３上に搬送される。
そして、この均熱ホットプレート３の熱によって半導体
ウェハ１が加熱され、高温焼き締めされることになる。
ウェハ１が加熱され、高温焼き締めされることになる。
しかるに、従来のホットプレートオープンはこのように
構成されているため、半導体ウェハにおける搬送アーム
２との接触部分に均熱ホットプレート３の熱が伝わシに
＜＜、この温度差によって焼き締め状態にむらが生じ、
半導体ウエノ・１上におけるレジストの感度が均一にな
シにぐいという問題があった。
構成されているため、半導体ウェハにおける搬送アーム
２との接触部分に均熱ホットプレート３の熱が伝わシに
＜＜、この温度差によって焼き締め状態にむらが生じ、
半導体ウエノ・１上におけるレジストの感度が均一にな
シにぐいという問題があった。
本発明に係る半導体ウェハ用ホットグレートオープンは
、ホットプレートに、搬送アーム上の半導体ウェハを持
ち上げる押しビンを昇降自在に設けると共に、半導体ウ
ェハ支持用チャックを回転自在に設け、とのチャックを
駆動装置に連結したものである。
、ホットプレートに、搬送アーム上の半導体ウェハを持
ち上げる押しビンを昇降自在に設けると共に、半導体ウ
ェハ支持用チャックを回転自在に設け、とのチャックを
駆動装置に連結したものである。
半導体ウェハは回転しながら加熱され、ホットプレート
の熱が均等に伝えられる。
の熱が均等に伝えられる。
以下、その構成等を図に示す実施例によシ詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明に係るホットプレートオープンを一部を
破断して示す斜視図、第２図は本発明に係るホットプレ
ートオープンの要部を拡大して示す側断面図である。こ
れらの図において前記第３図で説明したものと同一もし
くは同等部材については同一符号を付し、ここにおいて
詳細な説明は省略する。これらの図において、１１は半
導体ウェハ１を均熱ホットプレート３上で支持するため
のチャックで、このチャック１１は略円環状に形成され
てお）、均熱ホットプレート３に形成された凹溝１２内
に下部が挿入され、均熱ホットプレート３に対して回転
自在に取付けられている。１３は半導体ウェハ１を前記
チャック１１の回転中心に保持するための爪片で、前記
チャック１１の上面にチャック１１と一体に突設されて
おシ、その上面は搬送アーム２の位置決め精度の厳格性
を緩和するために傾斜面をもって形成されている。１４
は前記チャック１１を回転させるためのモータで、回転
ベルト１５を介してチャック１１に連結されておシ、ブ
ラケット（図示せず）によってチャック１１に対して固
定されている。１６は半導体ウェハ１を持ち上げるだめ
のビンで、このピン１６は均熱ホットプレート３に昇降
自在に取付けられておシ、チャック１１上に載置された
半導体ウェハ１の下面と対向する部位、換言すれば略円
環状に形成されたチャック１１の内方に取付けられてい
る。すなわち、搬送アーム２上に載置され均熱ホットプ
レート３上に搬送された半導体ウェハ１は、前記ピン１
６を上昇させることによシこのビン１６に下から持ち上
げられ、搬送アーム２から離間されることにな）、半導
体ウェハ１の昇降動作を干渉しないように搬送アーム２
を移動させた後、このピン１６を下降させることによっ
て、チャック１１上に載置されることになる。
破断して示す斜視図、第２図は本発明に係るホットプレ
ートオープンの要部を拡大して示す側断面図である。こ
れらの図において前記第３図で説明したものと同一もし
くは同等部材については同一符号を付し、ここにおいて
詳細な説明は省略する。これらの図において、１１は半
導体ウェハ１を均熱ホットプレート３上で支持するため
のチャックで、このチャック１１は略円環状に形成され
てお）、均熱ホットプレート３に形成された凹溝１２内
に下部が挿入され、均熱ホットプレート３に対して回転
自在に取付けられている。１３は半導体ウェハ１を前記
チャック１１の回転中心に保持するための爪片で、前記
チャック１１の上面にチャック１１と一体に突設されて
おシ、その上面は搬送アーム２の位置決め精度の厳格性
を緩和するために傾斜面をもって形成されている。１４
は前記チャック１１を回転させるためのモータで、回転
ベルト１５を介してチャック１１に連結されておシ、ブ
ラケット（図示せず）によってチャック１１に対して固
定されている。１６は半導体ウェハ１を持ち上げるだめ
のビンで、このピン１６は均熱ホットプレート３に昇降
自在に取付けられておシ、チャック１１上に載置された
半導体ウェハ１の下面と対向する部位、換言すれば略円
環状に形成されたチャック１１の内方に取付けられてい
る。すなわち、搬送アーム２上に載置され均熱ホットプ
レート３上に搬送された半導体ウェハ１は、前記ピン１
６を上昇させることによシこのビン１６に下から持ち上
げられ、搬送アーム２から離間されることにな）、半導
体ウェハ１の昇降動作を干渉しないように搬送アーム２
を移動させた後、このピン１６を下降させることによっ
て、チャック１１上に載置されることになる。
このように構成されたホットプレートオープンによって
半導体ウェハ１の焼き締めを行なうには、先ずフォトレ
ジストが塗布され、搬送アーム２によって搬送された半
導体ウェハ１をビン１６によってチャック１１上に載置
させる。次いで、モータ１４を駆動させチャックを回転
させればよい。
半導体ウェハ１の焼き締めを行なうには、先ずフォトレ
ジストが塗布され、搬送アーム２によって搬送された半
導体ウェハ１をビン１６によってチャック１１上に載置
させる。次いで、モータ１４を駆動させチャックを回転
させればよい。
この際、均熱ホットプレート３を予め熱しておくことは
いうまでもない。したがって、半導体ウェハ１は回転し
ながら加熱され、均熱ホットプレート３の熱が均等に伝
えられることになシ、全面にわたシ均等に焼き締めされ
ることになる。
いうまでもない。したがって、半導体ウェハ１は回転し
ながら加熱され、均熱ホットプレート３の熱が均等に伝
えられることになシ、全面にわたシ均等に焼き締めされ
ることになる。
以上説明したように本発明によれば、ホットプレートに
、搬送アーム上の半導体ウェハを持ち上げる押しピンを
昇降自在に設けると共に、半導体ウェハ支持用チャック
を回転自在に設け、このチャックを駆動装置に連結した
ため、半導体ウェハは回転しながら加熱され、ホットプ
レートの熱が均等に伝えられることに々シ、全面にわた
シ均等に焼き締めされることになる。したがって、焼き
締め状態にむらが生じないため、半導体ウェハの全面に
わたシ感度が均一なフォトレジスト膜を得ることができ
る。
、搬送アーム上の半導体ウェハを持ち上げる押しピンを
昇降自在に設けると共に、半導体ウェハ支持用チャック
を回転自在に設け、このチャックを駆動装置に連結した
ため、半導体ウェハは回転しながら加熱され、ホットプ
レートの熱が均等に伝えられることに々シ、全面にわた
シ均等に焼き締めされることになる。したがって、焼き
締め状態にむらが生じないため、半導体ウェハの全面に
わたシ感度が均一なフォトレジスト膜を得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るホットプレートオープンを一部を
破断して示す斜視図、第２図は本発明に係るホットプレ
ートオープンの要部を拡大して示す側断面図、第３図は
従来のホットプレートオープンを一部を破断して示す斜
視図である。 １拳・・・半導体ウェハ、２・・・φ搬送アーム、３・
・―・均熱ホットプレート、１１−・ψ・チャック、１
４＠・働・モータ、１６・命・・ピン。
破断して示す斜視図、第２図は本発明に係るホットプレ
ートオープンの要部を拡大して示す側断面図、第３図は
従来のホットプレートオープンを一部を破断して示す斜
視図である。 １拳・・・半導体ウェハ、２・・・φ搬送アーム、３・
・―・均熱ホットプレート、１１−・ψ・チャック、１
４＠・働・モータ、１６・命・・ピン。
Claims (1)
- フォトレジストが塗布され、搬送アームによつて搬送
された半導体ウェハを、加熱されたホットプレートによ
つて高温焼き締めするホットプレートオープンにおいて
、前記ホットプレートに、前記搬送アーム上の半導体ウ
ェハを持ち上げる押しピンを昇降自在に設けると共に、
半導体ウェハ支持用チャックを回転自在に設け、このチ
ャックを駆動装置に連結したことを特徴とする半導体ウ
ェハ用ホットプレートオープン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9391188A JPH01265516A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体ウエハ用ホットプレートオーブン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9391188A JPH01265516A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体ウエハ用ホットプレートオーブン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01265516A true JPH01265516A (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14095658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9391188A Pending JPH01265516A (ja) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | 半導体ウエハ用ホットプレートオーブン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01265516A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243687A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板温調装置、基板温調方法、基板処理装置及び基板処理方法 |
| US6207357B1 (en) * | 1999-04-23 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming photoresist and apparatus for forming photoresist |
| KR100431658B1 (ko) * | 2001-10-05 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 가열 장치 및 이를 갖는 장치 |
-
1988
- 1988-04-15 JP JP9391188A patent/JPH01265516A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243687A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板温調装置、基板温調方法、基板処理装置及び基板処理方法 |
| US6207357B1 (en) * | 1999-04-23 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming photoresist and apparatus for forming photoresist |
| KR100431658B1 (ko) * | 2001-10-05 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 가열 장치 및 이를 갖는 장치 |
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