JP2000269137A - 半導体製造装置及びウェハ取扱方法 - Google Patents
半導体製造装置及びウェハ取扱方法Info
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- JP2000269137A JP2000269137A JP6736599A JP6736599A JP2000269137A JP 2000269137 A JP2000269137 A JP 2000269137A JP 6736599 A JP6736599 A JP 6736599A JP 6736599 A JP6736599 A JP 6736599A JP 2000269137 A JP2000269137 A JP 2000269137A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エピタキシャル成長装置のような処理チャン
バ内で熱処理が行われる半導体製造装置において、ウェ
ハ搬送中におけるウェハの反りを防止する手段を提供す
ること。 【解決手段】 本発明は、処理チャンバ１２と、処理チ
ャンバ内に配置され、上面がウェハＷを支持する支持面
となっているサセプタ等のウェハ支持台１４と、処理チ
ャンバ内を加熱する加熱手段２０Ｕ，２０Ｌと、ウェハ
を搬送するウェハ搬送手段２２，３２と、ウェハ搬送手
段によるウェハの搬送中に、ウェハの反りを防止すべく
ウェハの表面と裏面との間における温度差が小さくなる
よう加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える
半導体製造装置１０を特徴としている。本発明によれ
ば、ウェハがウェハ支持台から離れ搬送されている間、
ウェハの両面の温度差が小さくされるため、熱膨張差に
よるウェハの反りが防止される。
バ内で熱処理が行われる半導体製造装置において、ウェ
ハ搬送中におけるウェハの反りを防止する手段を提供す
ること。 【解決手段】 本発明は、処理チャンバ１２と、処理チ
ャンバ内に配置され、上面がウェハＷを支持する支持面
となっているサセプタ等のウェハ支持台１４と、処理チ
ャンバ内を加熱する加熱手段２０Ｕ，２０Ｌと、ウェハ
を搬送するウェハ搬送手段２２，３２と、ウェハ搬送手
段によるウェハの搬送中に、ウェハの反りを防止すべく
ウェハの表面と裏面との間における温度差が小さくなる
よう加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える
半導体製造装置１０を特徴としている。本発明によれ
ば、ウェハがウェハ支持台から離れ搬送されている間、
ウェハの両面の温度差が小さくされるため、熱膨張差に
よるウェハの反りが防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エピタキシャル成
長装置や高速熱処理装置等の熱処理を要する半導体製造
装置に関する。
長装置や高速熱処理装置等の熱処理を要する半導体製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】エピタキシャル装置には、シリコンウェ
ハを１枚ずつ処理する枚葉式と称されるものがある。こ
の枚葉式エピタキシャル装置においては、通常、ウェハ
を１枚だけ水平に支持するサセプタ（ウェハ支持台）が
処理チャンバ内に設けられている。
ハを１枚ずつ処理する枚葉式と称されるものがある。こ
の枚葉式エピタキシャル装置においては、通常、ウェハ
を１枚だけ水平に支持するサセプタ（ウェハ支持台）が
処理チャンバ内に設けられている。
【０００３】また、サセプタ上にウェハを搬送するため
に、ウェハをサセプタに対して上下動させるためのリフ
ト機構が設けられている。従来一般のリフト機構は、サ
セプタを貫通して延びる複数本のリフトピンを有してお
り、これらのリフトピンの上端にウェハを載せ、リフト
ピンを上下動させることで、ウェハを昇降させることが
できるようになっている。このようなリフト機構によ
り、搬送ロボットのブレードに載せて運ばれてきたウェ
ハをサセプタ上に移載したり、或いはその逆に、ウェハ
をサセプタから搬送ロボットに受け渡したりすることが
可能となる。
に、ウェハをサセプタに対して上下動させるためのリフ
ト機構が設けられている。従来一般のリフト機構は、サ
セプタを貫通して延びる複数本のリフトピンを有してお
り、これらのリフトピンの上端にウェハを載せ、リフト
ピンを上下動させることで、ウェハを昇降させることが
できるようになっている。このようなリフト機構によ
り、搬送ロボットのブレードに載せて運ばれてきたウェ
ハをサセプタ上に移載したり、或いはその逆に、ウェハ
をサセプタから搬送ロボットに受け渡したりすることが
可能となる。
【０００４】また、エピタキシャル成長を行うために
は、サセプタ上で支持されたウェハを高温に加熱する必
要がある。このため、多数のハロゲンランプ（赤外線ラ
ンプ又は遠赤外線ランプ）を処理チャンバのサセプタの
上下に配置している。
は、サセプタ上で支持されたウェハを高温に加熱する必
要がある。このため、多数のハロゲンランプ（赤外線ラ
ンプ又は遠赤外線ランプ）を処理チャンバのサセプタの
上下に配置している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
枚葉式エピタキシャル成長装置においては、ウェハが搬
送中に位置ずれを起こしていることがあった。また、処
理済みのウェハの裏面（下面）に傷が付いていることも
あった。ウェハの裏面の傷は後プロセスで問題となるお
それがある。
枚葉式エピタキシャル成長装置においては、ウェハが搬
送中に位置ずれを起こしていることがあった。また、処
理済みのウェハの裏面（下面）に傷が付いていることも
あった。ウェハの裏面の傷は後プロセスで問題となるお
それがある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、このようなウェ
ハの位置ずれや裏面の傷を防止する手段を提供すること
にある。
ハの位置ずれや裏面の傷を防止する手段を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明者らは、まずウェハの位置ずれや傷の発生原
因について種々検討した。その結果、処理チャンバ内で
のウェハ搬送中にウェハに反りが発生していることを見
出した。ウェハに反りが生ずると、搬送ロボットのブレ
ード上でウェハが動く可能性が高くなる。また、反りの
発生したウェハをリフトピンの上端に移載した場合、時
間が経過するにつれてウェハの反りの度合いが変化し、
ウェハがリフトピンの上端に対して移動し、ウェハの裏
面（下面）に傷が付くことになる。
に、本発明者らは、まずウェハの位置ずれや傷の発生原
因について種々検討した。その結果、処理チャンバ内で
のウェハ搬送中にウェハに反りが発生していることを見
出した。ウェハに反りが生ずると、搬送ロボットのブレ
ード上でウェハが動く可能性が高くなる。また、反りの
発生したウェハをリフトピンの上端に移載した場合、時
間が経過するにつれてウェハの反りの度合いが変化し、
ウェハがリフトピンの上端に対して移動し、ウェハの裏
面（下面）に傷が付くことになる。
【０００８】従来においては、ウェハ搬送中も全てのハ
ロゲンランプを点灯したままとしているため、サセプタ
の上方にウェハを持ち上げた状態とした時、ウェハは上
方のハロゲンランプに接近し、ウェハの表面（上面）の
熱膨張が裏面の熱膨張よりも大きくなり、それがために
反りが生ずると考えられる。
ロゲンランプを点灯したままとしているため、サセプタ
の上方にウェハを持ち上げた状態とした時、ウェハは上
方のハロゲンランプに接近し、ウェハの表面（上面）の
熱膨張が裏面の熱膨張よりも大きくなり、それがために
反りが生ずると考えられる。
【０００９】そこで、請求項１に係る発明は、処理チャ
ンバと、処理チャンバ内に配置され、上面がウェハを支
持する支持面となっているサセプタ等のウェハ支持台
と、処理チャンバ内を加熱する加熱手段と、ウェハを搬
送するウェハ搬送手段と、ウェハ搬送手段によるウェハ
の搬送中に、ウェハの表面と裏面との間における温度差
が小さくなるよう加熱手段による加熱を制御する制御手
段とを備えるエピタキシャル成長装置等の半導体製造装
置を特徴としている。
ンバと、処理チャンバ内に配置され、上面がウェハを支
持する支持面となっているサセプタ等のウェハ支持台
と、処理チャンバ内を加熱する加熱手段と、ウェハを搬
送するウェハ搬送手段と、ウェハ搬送手段によるウェハ
の搬送中に、ウェハの表面と裏面との間における温度差
が小さくなるよう加熱手段による加熱を制御する制御手
段とを備えるエピタキシャル成長装置等の半導体製造装
置を特徴としている。
【００１０】また、請求項４に係る発明は、加熱手段に
より処理チャンバ内を加熱する第１ステップと、加熱さ
れた処理チャンバ内でウェハを搬送する第２ステップ
と、第２ステップのウェハ搬送中に、ウェハの表面と裏
面との間における温度差が小さくなるよう加熱手段によ
る加熱を制御する第３ステップとを備えるウェハ取扱方
法を特徴としている。
より処理チャンバ内を加熱する第１ステップと、加熱さ
れた処理チャンバ内でウェハを搬送する第２ステップ
と、第２ステップのウェハ搬送中に、ウェハの表面と裏
面との間における温度差が小さくなるよう加熱手段によ
る加熱を制御する第３ステップとを備えるウェハ取扱方
法を特徴としている。
【００１１】本発明によれば、ウェハがウェハ支持台か
ら離れ搬送されている間、加熱手段による加熱が制御さ
れ、ウェハの両面の温度差が小さくされるため、熱膨張
差によるウェハの反りが防止される。
ら離れ搬送されている間、加熱手段による加熱が制御さ
れ、ウェハの両面の温度差が小さくされるため、熱膨張
差によるウェハの反りが防止される。
【００１２】なお、請求項２及び請求項５に記載する通
り、加熱手段が、ウェハ支持台の上方に配置された第１
の加熱源と、ウェハ支持台を加熱する第２の加熱源とか
ら構成されている場合、ウェハ搬送中に、第１の加熱源
による加熱を停止又は低減すると共に、第２の加熱源に
よる加熱を維持することが有効である。
り、加熱手段が、ウェハ支持台の上方に配置された第１
の加熱源と、ウェハ支持台を加熱する第２の加熱源とか
ら構成されている場合、ウェハ搬送中に、第１の加熱源
による加熱を停止又は低減すると共に、第２の加熱源に
よる加熱を維持することが有効である。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について詳細に説明する。
適な実施形態について詳細に説明する。
【００１４】図１及び図２は、本発明による半導体製造
装置であるエピタキシャル成長装置を概略的に示してい
る。図示のエピタキシャル成長装置１０はシリコンウェ
ハＷを１枚ずつ処理する枚葉式であり、石英ガラスで構
成された処理チャンバ１２を備え、この処理チャンバ１
２内にウェハＷを支持するためのサセプタ（ウェハ支持
台）１４が配設されている。
装置であるエピタキシャル成長装置を概略的に示してい
る。図示のエピタキシャル成長装置１０はシリコンウェ
ハＷを１枚ずつ処理する枚葉式であり、石英ガラスで構
成された処理チャンバ１２を備え、この処理チャンバ１
２内にウェハＷを支持するためのサセプタ（ウェハ支持
台）１４が配設されている。
【００１５】サセプタ１４は、炭化シリコンで被覆され
たグラファイト材料から成る円盤状のものであり、処理
チャンバ１２の下部に立設された石英ガラス製の支持シ
ャフト１６により、裏面側から三点で水平に支持されて
いる。サセプタ１４の上面には、円形の凹部１８が形成
されている。この凹部１８はウェハＷを収容し支持する
支持領域となる。
たグラファイト材料から成る円盤状のものであり、処理
チャンバ１２の下部に立設された石英ガラス製の支持シ
ャフト１６により、裏面側から三点で水平に支持されて
いる。サセプタ１４の上面には、円形の凹部１８が形成
されている。この凹部１８はウェハＷを収容し支持する
支持領域となる。
【００１６】処理チャンバ１２の上部と下部とにはそれ
ぞれ、処理チャンバ１２の内部を加熱し、ひいてはウェ
ハＷを加熱するための加熱手段として複数のハロゲンラ
ンプ２０Ｕ，２０Ｌが配置されている。これらのハロゲ
ンランプ２０Ｕ，２０Ｌは、サセプタ１４上で支持され
ている状態のウェハＷが反りを生ずることなく所定温度
に加熱されるよう、数量、位置、印加電力等が調整され
ている。
ぞれ、処理チャンバ１２の内部を加熱し、ひいてはウェ
ハＷを加熱するための加熱手段として複数のハロゲンラ
ンプ２０Ｕ，２０Ｌが配置されている。これらのハロゲ
ンランプ２０Ｕ，２０Ｌは、サセプタ１４上で支持され
ている状態のウェハＷが反りを生ずることなく所定温度
に加熱されるよう、数量、位置、印加電力等が調整され
ている。
【００１７】また、このエピタキシャル成長装置１０
は、ウェハ搬送時にサセプタ１４上にウェハＷを降ろし
或いはウェハＷをサセプタ１４から持ち上げるために、
ウェハ搬送手段の一部をなすリフト機構２２が設けられ
ている。リフト機構２２は、サセプタ支持シャフト１６
の主軸を囲むように配置された上下動可能なリフトチュ
ーブ２４と、このリフトチューブ２４を上下動させる駆
動装置（図示しない）と、リフトチューブ２４から放射
状に延びる３本のリフトアーム２６と、各リフトアーム
２６の先端から垂直上方に延設されたリフトピン２８と
から構成されている。各リフトピン２８は、サセプタ１
４の凹部１８の適所に形成された貫通孔３０に挿通可能
となっている。このようなリフト機構２２においては、
駆動装置を制御してリフトチューブ２４及びリフトアー
ム２６を上下させると、リフトピン２８の上端がサセプ
タ１４の上面の下方位置と上方位置との間で上下し、サ
セプタ１４とリフトピン２８の上端との間でウェハＷの
載せ変えを行うことができる。
は、ウェハ搬送時にサセプタ１４上にウェハＷを降ろし
或いはウェハＷをサセプタ１４から持ち上げるために、
ウェハ搬送手段の一部をなすリフト機構２２が設けられ
ている。リフト機構２２は、サセプタ支持シャフト１６
の主軸を囲むように配置された上下動可能なリフトチュ
ーブ２４と、このリフトチューブ２４を上下動させる駆
動装置（図示しない）と、リフトチューブ２４から放射
状に延びる３本のリフトアーム２６と、各リフトアーム
２６の先端から垂直上方に延設されたリフトピン２８と
から構成されている。各リフトピン２８は、サセプタ１
４の凹部１８の適所に形成された貫通孔３０に挿通可能
となっている。このようなリフト機構２２においては、
駆動装置を制御してリフトチューブ２４及びリフトアー
ム２６を上下させると、リフトピン２８の上端がサセプ
タ１４の上面の下方位置と上方位置との間で上下し、サ
セプタ１４とリフトピン２８の上端との間でウェハＷの
載せ変えを行うことができる。
【００１８】処理チャンバ１２の外部には、処理チャン
バ１２に対してウェハＷを搬入及び搬出するための搬送
ロボット（ウェハ搬送手段）が配設されている。この搬
送ロボットは、図２に示すように、ウェハＷを載せて水
平に支持するブレード３２を備えており、ブレード３２
は処理チャンバ１２の側部に設けられたスリットバルブ
（開閉扉）３４を通してサセプタ１４の上方位置に挿入
され得るようになっている。ウェハＷは、ブレード３２
を処理チャンバ１２内に挿入した状態で、リフトピン２
８の上端に受け渡される。
バ１２に対してウェハＷを搬入及び搬出するための搬送
ロボット（ウェハ搬送手段）が配設されている。この搬
送ロボットは、図２に示すように、ウェハＷを載せて水
平に支持するブレード３２を備えており、ブレード３２
は処理チャンバ１２の側部に設けられたスリットバルブ
（開閉扉）３４を通してサセプタ１４の上方位置に挿入
され得るようになっている。ウェハＷは、ブレード３２
を処理チャンバ１２内に挿入した状態で、リフトピン２
８の上端に受け渡される。
【００１９】更に、処理チャンバ１２の側部には処理ガ
スの導入口３６が形成され、これに対向する位置には排
気口３８が形成されている。導入口３６及び排気口３８
はサセプタ１４の上面とほぼ同じ高さ位置にあるため、
導入口３６から導入された処理ガスはサセプタ１４上の
ウェハＷの表面に沿って層流状態で流れる。
スの導入口３６が形成され、これに対向する位置には排
気口３８が形成されている。導入口３６及び排気口３８
はサセプタ１４の上面とほぼ同じ高さ位置にあるため、
導入口３６から導入された処理ガスはサセプタ１４上の
ウェハＷの表面に沿って層流状態で流れる。
【００２０】なお、図において符号４０，４２はパイロ
メータである。パイロメータ４０，４２は、被測定体た
るウェハＷ又はサセプタ１４からの熱放射エネルギを受
けて表面温度の測定を行うものである。
メータである。パイロメータ４０，４２は、被測定体た
るウェハＷ又はサセプタ１４からの熱放射エネルギを受
けて表面温度の測定を行うものである。
【００２１】次に、上記構成において、本発明によるウ
ェハ取扱方法を用いてウェハＷを搬送し、処理チャンバ
１２内でエピタキシャル成長を行う場合について説明す
る。
ェハ取扱方法を用いてウェハＷを搬送し、処理チャンバ
１２内でエピタキシャル成長を行う場合について説明す
る。
【００２２】まず、上部のハロゲンランプ（第１の加熱
源）２０Ｕと下部のハロゲンランプ（第２の加熱源）２
０Ｌの両方を点灯し、処理チャンバ１２の内部、従って
サセプタ１４を所定の温度に加熱する。
源）２０Ｕと下部のハロゲンランプ（第２の加熱源）２
０Ｌの両方を点灯し、処理チャンバ１２の内部、従って
サセプタ１４を所定の温度に加熱する。
【００２３】パイロメータ４０，４２によりサセプタ１
４が所定温度に達したことが検知されたならば、上部の
ハロゲンランプ２０Ｕへの電力供給を停止し、これらの
ハロゲンランプ２０Ｕのみ消灯する。同時に、スリット
バルブ３４を開放すると共に、搬送ロボットの駆動を制
御し、ウェハＷを載置したブレード３２をスリットバル
ブ３４から処理チャンバ１２内に挿入し、ブレード３２
上のウェハＷをサセプタ１４の凹部１８の直上位置に配
置する。ウェハＷが所定位置に配置されたならば、リフ
ト機構２２の駆動装置を制御し、上端がサセプタ１４の
下方に位置していたリフトピン２８を上昇させる。リフ
トピン２８の上端がサセプタ１４の貫通孔３０を通りブ
レード３２よりも高い位置まで上昇すると、ウェハＷは
ブレード３２からリフトピン２８に載り移る。このよう
にしてウェハＷがリフトピン２８により支持されたなら
ば、搬送ロボットのブレード３２を処理チャンバ１２の
外部に移動させ、スリットバルブ３４を閉じ、リフトピ
ン２８を下降させる。リフトピン２８の上端がサセブタ
１４の上面よりも下がると、ウェハＷはサセプタ１４の
凹部１８の底面にて支持されることとなる。
４が所定温度に達したことが検知されたならば、上部の
ハロゲンランプ２０Ｕへの電力供給を停止し、これらの
ハロゲンランプ２０Ｕのみ消灯する。同時に、スリット
バルブ３４を開放すると共に、搬送ロボットの駆動を制
御し、ウェハＷを載置したブレード３２をスリットバル
ブ３４から処理チャンバ１２内に挿入し、ブレード３２
上のウェハＷをサセプタ１４の凹部１８の直上位置に配
置する。ウェハＷが所定位置に配置されたならば、リフ
ト機構２２の駆動装置を制御し、上端がサセプタ１４の
下方に位置していたリフトピン２８を上昇させる。リフ
トピン２８の上端がサセプタ１４の貫通孔３０を通りブ
レード３２よりも高い位置まで上昇すると、ウェハＷは
ブレード３２からリフトピン２８に載り移る。このよう
にしてウェハＷがリフトピン２８により支持されたなら
ば、搬送ロボットのブレード３２を処理チャンバ１２の
外部に移動させ、スリットバルブ３４を閉じ、リフトピ
ン２８を下降させる。リフトピン２８の上端がサセブタ
１４の上面よりも下がると、ウェハＷはサセプタ１４の
凹部１８の底面にて支持されることとなる。
【００２４】かかるウェハ搬送プロセス中、上部のハロ
ゲンランプ２０Ｕは消灯されているため、ウェハＷは、
ブレード３２により支持されている間又はリフトピン２
８により支持されている間（すなわち、サセプタ１４か
ら分離している間）は、ハロゲンランプ２０Ｕに接近し
てもウェハＷの表面と裏面の温度は実質的に等しいもの
となり、ウェハＷが湾曲することはない。
ゲンランプ２０Ｕは消灯されているため、ウェハＷは、
ブレード３２により支持されている間又はリフトピン２
８により支持されている間（すなわち、サセプタ１４か
ら分離している間）は、ハロゲンランプ２０Ｕに接近し
てもウェハＷの表面と裏面の温度は実質的に等しいもの
となり、ウェハＷが湾曲することはない。
【００２５】なお、サセプタ１４からの伝熱によりウェ
ハＷの裏面の温度が表面の温度よりも高くなることが考
えられる。かかる場合には、上部のハロゲンランプ２０
Ｕの一部だけ消灯し、或いは、上部の全ハロゲンランプ
２０Ｕの光量を落とす等の手段を採り、ウェハＷの両面
の温度差を可能な限り小さく、或いは、ゼロにすればよ
い。
ハＷの裏面の温度が表面の温度よりも高くなることが考
えられる。かかる場合には、上部のハロゲンランプ２０
Ｕの一部だけ消灯し、或いは、上部の全ハロゲンランプ
２０Ｕの光量を落とす等の手段を採り、ウェハＷの両面
の温度差を可能な限り小さく、或いは、ゼロにすればよ
い。
【００２６】このように、搬送中のウェハＷに反りが生
じないでの、ブレード３２上でウェハＷは安定して支持
され、位置ずれを生ずることがない。従って、ブレード
３２からリフトピン２８に移載される際も所望の位置関
係を維持する。更に、リフトピン２８上でもウェハＷは
平坦性を維持するので、リフトピン２８上でウェハＷが
移動することはなく、ウェハＷの裏面に擦り傷が付か
ず、パーティクル発生も防止することができる。
じないでの、ブレード３２上でウェハＷは安定して支持
され、位置ずれを生ずることがない。従って、ブレード
３２からリフトピン２８に移載される際も所望の位置関
係を維持する。更に、リフトピン２８上でもウェハＷは
平坦性を維持するので、リフトピン２８上でウェハＷが
移動することはなく、ウェハＷの裏面に擦り傷が付か
ず、パーティクル発生も防止することができる。
【００２７】ウェハＷがサセプタ１４により支持された
ならば、上部のハロゲンランプ２０Ｕを点灯し、ウェハ
Ｗの表面温度を所定温度（約４００℃）に上昇させる。
そして、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）ガスやジク
ロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガス等を処理ガスとして
導入口３６から導入すると、ウェハＷの表面に沿って処
理ガスが層流状態で流れ、ウェハＷ上にシリコンの単結
晶がエピタキシャル成長する。
ならば、上部のハロゲンランプ２０Ｕを点灯し、ウェハ
Ｗの表面温度を所定温度（約４００℃）に上昇させる。
そして、トリクロルシラン（ＳｉＨＣｌ３）ガスやジク
ロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガス等を処理ガスとして
導入口３６から導入すると、ウェハＷの表面に沿って処
理ガスが層流状態で流れ、ウェハＷ上にシリコンの単結
晶がエピタキシャル成長する。
【００２８】エピタキシャル成長プロセスが完了したな
らば、処理ガスの供給を停止し、上記のウェハ搬入プロ
セスとは逆の手順で処理済みのウェハＷを処理チャンバ
１２の外部に搬出する。このウェハ搬出プロセスにおい
ても、ウェハＷの反りを防止するために、上部のハロゲ
ンランプ２０Ｕを消灯し、又は、上部のハロゲンランプ
２０Ｕからの全光量を減じることが望ましい。
らば、処理ガスの供給を停止し、上記のウェハ搬入プロ
セスとは逆の手順で処理済みのウェハＷを処理チャンバ
１２の外部に搬出する。このウェハ搬出プロセスにおい
ても、ウェハＷの反りを防止するために、上部のハロゲ
ンランプ２０Ｕを消灯し、又は、上部のハロゲンランプ
２０Ｕからの全光量を減じることが望ましい。
【００２９】なお、上記のプロセスは、処理ガスの供給
システム、ハロゲンランプ、パイロメータ、リフト機
構、搬送ロボット等に接続されたマイクロコンピュータ
から成るコントローラ（制御手段）によって制御され
る。
システム、ハロゲンランプ、パイロメータ、リフト機
構、搬送ロボット等に接続されたマイクロコンピュータ
から成るコントローラ（制御手段）によって制御され
る。
【００３０】以上、本発明の好適な実施形態について詳
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されな
い。
細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されな
い。
【００３１】例えば、上記実施形態はエピタキシャル成
長装置に関するものであるが、本発明は、熱処理が行わ
れる装置、特に上方からハロゲンランプ等の加熱源によ
りウェハが加熱されるタイプの高速熱処理装置等にも適
用可能である。
長装置に関するものであるが、本発明は、熱処理が行わ
れる装置、特に上方からハロゲンランプ等の加熱源によ
りウェハが加熱されるタイプの高速熱処理装置等にも適
用可能である。
【００３２】また、ウェハ搬送手段は上述したリフト機
構や搬送ロボットとは異なるタイプのものであってもよ
い。
構や搬送ロボットとは異なるタイプのものであってもよ
い。
【００３３】
【実施例】次に、上記方法の実施例について述べる。こ
の実施例では、半導体製造装置としてアプライド・マテ
リアルズ・インコーポレイテッドにより「Ｅｐｉ Ｃｅ
ｎｔｕｒａ」という商標名で製造、販売されているエピ
タキシャル成長装置を使用した。また、１５０ｍｍ径の
ウェハを使用し、処理チャンバに対するウェハの搬入時
及び搬出時（ウェハがブレードに載置されている間）、
並びに、リフトピンによりウェハが支持されている間に
限って、上部のハロゲンランプを消灯した。下部のハロ
ゲンランプは、ウェハの搬入から搬出までの間、常時、
フルパワーで点灯状態とした。
の実施例では、半導体製造装置としてアプライド・マテ
リアルズ・インコーポレイテッドにより「Ｅｐｉ Ｃｅ
ｎｔｕｒａ」という商標名で製造、販売されているエピ
タキシャル成長装置を使用した。また、１５０ｍｍ径の
ウェハを使用し、処理チャンバに対するウェハの搬入時
及び搬出時（ウェハがブレードに載置されている間）、
並びに、リフトピンによりウェハが支持されている間に
限って、上部のハロゲンランプを消灯した。下部のハロ
ゲンランプは、ウェハの搬入から搬出までの間、常時、
フルパワーで点灯状態とした。
【００３４】このような条件で複数枚のウェハに対して
エピタキシャル成長処理を行い、処理後のウェハをパー
ティクル測定器にかけて裏面の傷及びパーティクルを確
認したところ、全てのウェハにおいて傷がなく、また、
パーティクル数も非常に少ないという結果が得られた。
エピタキシャル成長処理を行い、処理後のウェハをパー
ティクル測定器にかけて裏面の傷及びパーティクルを確
認したところ、全てのウェハにおいて傷がなく、また、
パーティクル数も非常に少ないという結果が得られた。
【００３５】また、比較例として上部のハロゲンランプ
も常時フルパワーで点灯した実験も行ったが、この比較
例では、傷が生じていたウェハがあり、また、パーティ
クル数も多いという結果となった。
も常時フルパワーで点灯した実験も行ったが、この比較
例では、傷が生じていたウェハがあり、また、パーティ
クル数も多いという結果となった。
【００３６】この実施例と比較例から、本発明の方法に
優れた傷防止効果及びパーティクル抑制効果があること
が確認された。なお、ウェハの位置ずれについては、実
施例及び比較例の両方とも生じていなかった。
優れた傷防止効果及びパーティクル抑制効果があること
が確認された。なお、ウェハの位置ずれについては、実
施例及び比較例の両方とも生じていなかった。
【００３７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ウ
ェハ支持台上のウェハを加熱する加熱手段を有する半導
体製造装置にウェハを搬入、搬出する際、搬送ロボット
やリフト機構等により支持されているウェハに反りが生
ずるのを防止することができる。
ェハ支持台上のウェハを加熱する加熱手段を有する半導
体製造装置にウェハを搬入、搬出する際、搬送ロボット
やリフト機構等により支持されているウェハに反りが生
ずるのを防止することができる。
【００３８】従って、ウェハの反りに起因する様々な問
題、例えばウェハ搬送の信頼性低下やウェハの傷、パー
ティクル発生等を防止することができる。また、ウェハ
の位置決め精度が向上することから、エピタキシャル成
長等の半導体製造プロセスを安定して行うことができ、
一定品質・高品質の半導体デバイスを作製することが可
能となる。かかる効果は、近年のウェハ大径化に伴って
特に有効となるものである。
題、例えばウェハ搬送の信頼性低下やウェハの傷、パー
ティクル発生等を防止することができる。また、ウェハ
の位置決め精度が向上することから、エピタキシャル成
長等の半導体製造プロセスを安定して行うことができ、
一定品質・高品質の半導体デバイスを作製することが可
能となる。かかる効果は、近年のウェハ大径化に伴って
特に有効となるものである。
【図１】本発明が適用されたエピタキシャル成長装置の
概略図であり、エピタキシャル成長プロセスを実行して
いる際の状態を示す図である。
概略図であり、エピタキシャル成長プロセスを実行して
いる際の状態を示す図である。
【図２】図１のエピタキシャル成長装置において、ウェ
ハ搬送中の状態を示す図である。
ハ搬送中の状態を示す図である。
１０…エピタキシャル成長装置、１２…処理チャンバ、
１４…サセプタ（ウェハ支持台）、２０Ｕ…上部のハロ
ゲンランプ（第１の加熱源，加熱手段）、２０Ｌ…下部
のハロゲンランプ（第２の加熱源，加熱手段）、２２…
リフト機構（ウェハ搬送手段）、３２…ブレード（ウェ
ハ搬送手段）、３６…ガス導入口、３８…排気口。
１４…サセプタ（ウェハ支持台）、２０Ｕ…上部のハロ
ゲンランプ（第１の加熱源，加熱手段）、２０Ｌ…下部
のハロゲンランプ（第２の加熱源，加熱手段）、２２…
リフト機構（ウェハ搬送手段）、３２…ブレード（ウェ
ハ搬送手段）、３６…ガス導入口、３８…排気口。
フロントページの続き (72)発明者 有馬 靖二 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 岩間 一芳 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 HA09 HA33 HA37 MA28 NA05 PA13 5F045 AB02 AC05 AD08 BB11 BB15 DP04 EB02 EK12 EM02 EM09 EM10 EN04 GB05 GB15
Claims (6)
- 【請求項１】 処理チャンバと、 前記処理チャンバ内に配置され、上面がウェハを支持す
る支持面となっているウェハ支持台と、 前記処理チャンバ内を加熱する加熱手段と、 ウェハを搬送するウェハ搬送手段と、 前記ウェハ搬送手段によるウェハの搬送中に、該ウェハ
の反りを防止すべく該ウェハの表面と裏面との間におけ
る温度差が小さくなるよう前記加熱手段による加熱を制
御する制御手段と、を備える半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記加熱手段は、前記ウェハ支持台の上
方に配置された第１の加熱源と、前記ウェハ支持台を加
熱する第２の加熱源とを備え、 前記制御手段は、ウェハ搬送中に、前記第１の加熱源に
よる加熱を停止又は低減すると共に、前記第２の加熱源
による加熱を維持するよう構成されている、請求項１に
記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 エピタキシャル成長プロセスを実行する
ための請求項１又は２に記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 半導体製造装置の処理チャンバ内でウェ
ハを熱処理する場合におけるウェハ取扱方法であって、 加熱手段により前記処理チャンバ内を加熱する第１ステ
ップと、 加熱された前記処理チャンバ内でウェハを搬送する第２
ステップと、 前記第２ステップのウェハ搬送中に、該ウェハの反りを
防止すべく該ウェハの表面と裏面との間における温度差
が小さくなるよう加熱手段による加熱を制御する第３ス
テップとを備えるウェハ取扱方法。 - 【請求項５】 前記加熱手段は、前記ウェハ支持台の上
方に配置された第１の加熱源と、前記ウェハ支持台を加
熱する第２の加熱源とを備え、 前記第３ステップにおける前記加熱手段による加熱の制
御は、前記第１の加熱源による加熱を停止又は低減する
と共に、前記第２の加熱源による加熱を維持することか
ら成る、請求項４に記載のウェハ取扱方法。 - 【請求項６】 前記熱処理はエピタキシャル成長プロセ
スである請求項４又は５に記載のウェハ取扱方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6736599A JP2000269137A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体製造装置及びウェハ取扱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6736599A JP2000269137A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体製造装置及びウェハ取扱方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269137A true JP2000269137A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13342926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6736599A Withdrawn JP2000269137A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 半導体製造装置及びウェハ取扱方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000269137A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6673654B2 (en) | 2001-10-23 | 2004-01-06 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device using heated conveyance member |
| JP2007116094A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-05-10 | Sumco Corp | エピタキシャル成長装置の温度管理方法 |
| JP2009200074A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US8372196B2 (en) | 2008-11-04 | 2013-02-12 | Sumco Techxiv Corporation | Susceptor device, manufacturing apparatus of epitaxial wafer, and manufacturing method of epitaxial wafer |
| US8530801B2 (en) * | 2005-07-06 | 2013-09-10 | Sumco Techxiv Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing semiconductor wafer |
| JP2014229715A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2015002286A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法及びその製造装置 |
| CN114188258A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-03-15 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种改善外延片平坦度的硅片衬底传送装置和方法 |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP6736599A patent/JP2000269137A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6673654B2 (en) | 2001-10-23 | 2004-01-06 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device using heated conveyance member |
| US8530801B2 (en) * | 2005-07-06 | 2013-09-10 | Sumco Techxiv Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing semiconductor wafer |
| JP2007116094A (ja) * | 2005-09-21 | 2007-05-10 | Sumco Corp | エピタキシャル成長装置の温度管理方法 |
| US7833348B2 (en) | 2005-09-21 | 2010-11-16 | Sumco Corporation | Temperature control method of epitaxial growth apparatus |
| JP2009200074A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US9080253B2 (en) | 2008-02-19 | 2015-07-14 | Sumco Corporation | Method for manufacturing epitaxial wafer |
| US8372196B2 (en) | 2008-11-04 | 2013-02-12 | Sumco Techxiv Corporation | Susceptor device, manufacturing apparatus of epitaxial wafer, and manufacturing method of epitaxial wafer |
| JP2014229715A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2015002286A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハの製造方法及びその製造装置 |
| CN114188258A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-03-15 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种改善外延片平坦度的硅片衬底传送装置和方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060606 |