JP2004200329A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ロードロック室14(16)にバッファを兼ねた冷却プレート5を設ける構成としたので、真空処理室2で処理されたウェハWが高温であっても、ウェハWを冷却することができ、例えばロードロック室14(16)を大気解放した後にロードロック室14(16)が高温となることを防止できる。これにより、ウェハWが酸化されたり、搬送機構3に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造において、半導体ウェハ等の基板を真空状態で処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造するための工程は多数の工程からなり、例えば、半導体ウェハ(以下、ウェハという。)上に回路パターンを形成するための主な工程としては、ウェハを洗浄する洗浄工程、金属膜や絶縁膜を形成する成膜工程、フォトレジストで配線パターンを形成するフォトリソグラフィ工程、レジストパターンが形成されたウェハをエッチングするエッチング工程、その他不純物を注入する工程等がある。
【0003】
上記エッチング工程おいて例えばプラズマを用いる場合や、成膜工程において例えばCVD装置により処理を行う場合、ウェハを真空チャンバ内に搬入してこのチャンバ内で処理を行っている。一般的には、この真空チャンバ内の真空状態を保ちながらウェハを真空チャンバに対して搬入出するために、減圧可能なロードロック室を真空チャンバに接続させている。このような真空の処理装置としては、ウェハを複数収容するカセットに対してアクセスして、ロードロック室とそのカセットとの間でウェハを搬送する搬送ユニットがロードロック室に接続されているものがある。
【0004】
ところで、このような構成を有した真空処理装置は、例えばロードロック室内において、真空チャンバが接続された側と搬送チャンバが接続された側の両側に、ウェハを一旦保持するための2つのバッファを設け、この2つのバッファの間にウェハを搬送する搬送機構を配置している装置がある。かかる装置では、当該搬送機構が、一方のバッファに搬入したウェハを真空チャンバに搬送するとともに、真空チャンバで処理されたウェハを取り出して他方のバッファに搬入するようになっている(例えば、特許文献1参照。)。
【0005】
【特許文献1】
特開2001−53131号公報(第4−5項、図1)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような処理装置では、例えばCVD装置で処理されたウェハは高温(例えば400℃)となっているため、そのウェハをロードロック室内に搬入する際、ロードロック室内にある搬送機構に悪影響を及ぼすという問題がある。しかも、ロードロック室からその高温のウェハをカセットに戻しているため、そのウェハの温度をカセットの耐熱温度以下にまで冷却する必要がある。また、その高温のウェハをロードロック室に搬入することでロードロック室内が高温となる。
【0007】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高温のウェハを受け入れることができ、搬送機構やウェハに悪影響を及ぼすことのないロードロック室を有した基板処理装置及びこの基板処理装置における基板処理方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の第1の観点に係る基板処理装置は、真空状態で基板の処理を行う真空処理室と、前記真空処理室で処理された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する待機冷却部と、少なくとも前記真空処理室と前記待機冷却部との間で基板の搬送を行う搬送機構とを有した減圧可能なロードロック室とを具備する。
【0009】
本発明では、ロードロック室に待機冷却部を設ける構成としたので、真空処理室で処理された基板が高温であっても、基板を冷却することができ、ロードロック室内が高温となることを防止できる。これにより、基板が酸化されたり、搬送機構に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。また、このように基板が冷却されているので、例えば低い耐熱温度を持つカセットに戻すことができる。
【0010】
また、例えば前記待機冷却部は、前記搬送機構を介して真空処理室と対向する位置に配置することができる。
【0011】
また、前記待機冷却部は、基板を載置するプレートと、このプレートを冷却する冷却機構とを具備する構成としてもよい。この場合、前記ロードロック室に不活性ガスを供給する手段をさらに具備し、前記不活性ガスは前記プレートとこのプレートに載置された基板との間に向けて流れるように供給されることが好ましい。例えば、このようなプレート表面には、一般にプレートと基板とのギャップを設けるためのプロキシミティピンが突出している。従って、そのギャップに不活性ガスがいち早く流れ込むようにすれば、そのガスの熱伝導作用により効率良く基板を冷却させることができる。
【0012】
本発明の一の形態では、前記ロードロック室は、前記真空処理室で処理される前に基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する待機加熱部をさらに具備する。例えば本発明では、ロードロック室に搬送チャンバを接続することで、この搬送チャンバからロードロック室に搬送されてくる基板を、この待機加熱部で一旦待機させ、真空処理室における処理の予備加熱を行う。これにより、搬送機構による基板の搬送効率と、基板に対する処理の処理効率(真空処理室での処理を前提とした予備加熱を含む処理効率、すなわち真空処理室で処理を考慮した全体的な処理効率)の両者を向上させることができる。
【0013】
本発明の第2の観点に係る基板処理装置は、真空状態で基板の処理を行う真空処理室と、前記真空処理室で処理された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する待機冷却部と、前記真空処理室で処理される前に基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する待機加熱部と、少なくとも前記真空処理室、前記待機冷却部及び前記待機加熱部の間で基板の搬送を行う搬送機構とを有した減圧可能なロードロック室とを具備し、少なくとも前記真空処理室と待機冷却部と待機加熱部とが一直線上に配置されている。
【0014】
本発明では、待機冷却部により基板を冷却することでロードロック室内が高温となることを防止できるとともに、真空処理室と待機冷却部と待機加熱部とが一直線上に配置されているので、装置全体の幅を小さくすることができ、その幅方向で、真空処理室及びロードロック室の増設が容易となる。特にこのような効果は、搬送機構が待機冷却部と待機加熱部との間に配置される構成とすることでより効果的になる。また、基板が冷却されているので、例えば低い耐熱温度を持つカセットに戻すことができる。
【0015】
本発明の一の形態では、前記ロードロック室の減圧が開始されてから所定の時間が経過した後、前記待機加熱部による加熱を開始するように制御する手段をさらに具備する。このように、ある程度ロードロック室を減圧してから待機加熱部による加熱を開始する方が、減圧の開始と同時に加熱を開始する場合に比べ、ロードロック室内にある空気による熱伝導を少なくすることができる。その結果、基板が酸化されたり、搬送機構に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。また、ロードロック室の減圧と同時に、水分が残った状態で待機加熱部により加熱してしまうと悪性のガスが発生するという問題がある。しかし本発明によれば、ロードロック室の減圧により室内の水分を蒸発させることができ、かかる問題を回避することができる。
【0016】
本発明の一の形態では、前記ロードロック室が大気解放される直前に、前記ロードロック室内の圧力を大気圧より高くなるように前記不活性ガスの供給を制御する手段をさらに具備する。これにより、ロードロック室内にパーティクルが流入することを防止できる。
【0017】
本発明に係る基板処理方法は、真空状態で処理を行う真空処理室と、この真空処理室に接続された減圧可能なロードロック室と、このロードロック室に設けられ前記真空処理室で処理された基板をロードロック室に搬入する搬送機構とを有する基板処理装置で基板を処理する基板処理方法であって、(a)前記真空処理室で基板を処理する工程と、(b)前記搬送機構により前記工程(a)で処理された基板をロードロック室に搬入する工程と、(c)前記工程(b)で搬入された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する工程とを具備する。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【0019】
図1は一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、図2はその側面図である。
【0020】
この基板処理装置1は、カセット載置台7と、搬送チャンバ15と、ロードロック室16と、真空処理室2とが図中Y方向に一直線上に配置されて構成されている。
【0021】
カセット載置台7には、例えば25枚のウェハWを多段に配置させて収容する例えばFOUP(Front Opening Unified Pod)等の密閉性を有するカセット8がX方向に例えば2つ並んで載置されている。
【0022】
搬送チャンバ15には、多関節型のウェハ搬送体9と、プリアライメントステージ6とが設けられている。ウェハ搬送体9は、カセット8からウェハWを取り出してロードロック室16に渡し、また、ロードロック室からウェハWを取り出してカセット8に渡すようになっている。このウェハ搬送体9はベース部9aによって水平面内(θ方向)で回転自在になっており、また、図2に示すようにモータ9aによってカセット8の高さ分だけ昇降自在となっている。プリアライメントステージ6は、ウェハの水平面内の方向の位置決めを行う機能を有している。
【0023】
なお、ウェハ搬送体9はアームを1本有するシングル型でもあってもよいし、アームを2本有するデュアル型であってもどちらでもよい。
【0024】
また、搬送チャンバ15においてカセット8が臨む位置には、例えば上下に開閉可能なシャッタ30が設けられており、これによりウェハ搬送体9がカセット8にアクセスできるようになっている。さらに、搬送チャンバ15内には、大気圧下でN2ガスのダウンフローが形成されている。
【0025】
真空処理室2は、図1に示すように例えばX方向に並んで2つ配置されており、真空状態を保つことが可能なチャンバ内において例えばCVD処理を行うようになっている。また、この2つの真空処理室2に対応して2つのロードロック室14、16がX方向に並んで配置されている。ロードロック室14,16は、それらの一端側にゲートバルブ10が設けられており、これらのゲートバルブ10を介して搬送チャンバ15にそれぞれ接続されている。また同様に、ロードロック室14,16は他端側にもそれぞれゲートバルブ12が設けられており、それらのゲートバルブ12を介して真空処理室2にそれぞれ接続されている。
【0026】
図3は、ロードロック室14、16の断面図である。
【0027】
これらロードロック室14、16は同一の構成を有している。これらロードロック室14(16)は筐体31を有しており、室内の中央付近には例えばアームを1本有する多関節型の搬送機構3が設けられている。この搬送機構3は、ベース部3aが回転自在となっており、ロードロック室14(16)と真空処理室2との間でウェハWを搬送するようになっている。
【0028】
搬送機構3の真空処理室2側にはウェハWを一旦待機させるための載置台4が配置されている。この載置台4の上部において筐体31の外側には、ケース25が取り付けられており、このケース内には、載置台4に載置されたウェハWを加熱するためのランプ26が設けられている。この加熱は、真空処理室2で行われるCVD処理の予備加熱である。ランプ26は、例えばタングステンハロゲンランプを用いることができる。この載置台4は、図示しない駆動部により上下移動可能となっており、これにより搬送機構3との間でウェハの受け渡しが可能となっている。なお、この受け渡し機構としては、ウェハを裏面から支持するピンを設け、このピンをベルト駆動やエアシリンダ等によって上下移動させるように構成してもよい。
【0029】
ランプ26の直下位置には、筐体31に形成された開口部37が設けられ、この開口部37には窓部材39が嵌め込まれている。この窓部材39は例えば石英ガラスを用いることができる。
【0030】
搬送機構3の搬送チャンバ15側には、ウェハWを一旦待機させるとともに、ウェハWを冷却する冷却プレート5が配置されている。この冷却プレート5には図示しない冷却水を流通させるパイプが内蔵されており、これにより、ウェハWを冷却するようになっている。また、冷却プレート5の表面には、図示しないプロキシミティピンが突出しており、このピンにウェハWが載置されるようになっている。また、冷却プレート5の下部には、このプレート5に対して例えば上下駆動機構21により出没自在に設けられ、ウェハWを支持する例えば3本の支持ピン20が配置されている。これらの支持ピン20は、冷却プレート5に貫通された穴を通って一体的に上下に移動することにより、例えば、搬送機構3からウェハWを受け取り、受け取ったウェハWをプレート5上に(プロキシミティピン上に)載置するようになっている。
【0031】
ロードロック室14(16)の下部には、N2ガス供給源36から供給管29を介してN2ガスを室内に供給するための供給口34が設けられている。また、ロードロック室14(16)の下部には、例えば室内を減圧するために室内のガスを排出する排出口35が設けられており、例えば真空ポンプ33により減圧するようになっている。N2ガス供給源36や真空ポンプ33は集中制御部40によってN2ガスの供給量やその供給のタイミング、真空ポンプ33による減圧のタイミング等が制御されるようになっている。
【0032】
さらに、ロードロック室14(16)の上部には例えば圧力センサ28が設けられ、集中制御部40はこの圧力センサ28による検出信号を受け取り、この信号に基づいてN2ガス供給源36から供給されるN2ガスの供給量を制御するようになっている。
【0033】
さらに集中制御部40は、ランプ26による加熱温度やその加熱のタイミング等、ゲートバルブ10,12の開閉等のタイミングも統括的に制御するようになっている。
【0034】
次に、以上のように構成された基板処理装置1の動作を説明する。
【0035】
まず、シャッタ30が開き、ウェハ搬送体9がカセット8にアクセスして1枚のウェハWが取り出される。取り出されたウェハWはプリアライメントステージ6に搬入されてプリアライメントされた後、再びウェハ搬送体9により取り出され、例えばロードロック室14に搬入される。この場合、ウェハ搬送体9が載置台4にアクセスしウェハWを載置する。
【0036】
ロードロック室14において、ウェハが載置台4に載置され、この載置台4でウェハWが待機する。その後ゲートバルブ10が閉められ、真空ポンプ23により室内が減圧され始める。この減圧は、例えば真空処理室2内の圧力と同圧(例えば20Pa〜1330Pa(約0.1Torr〜10Torr))となるまで行われる。
【0037】
また、減圧が開始されてから所定の時間が経過した後に、載置台4に載置されたウェハWに対するランプ26による予備加熱が開始される。ここで、所定の時間とは、減圧が開始されてから、例えばロードロック室14内の圧力が20Pa〜1330Paになるまでの間の時間であればいつでもよい。例えば、5秒でもよいし10秒でもよい。
【0038】
このように、ある程度ロードロック室14を減圧してからランプ26による加熱を開始する方が、減圧の開始と同時に加熱を開始する場合に比べ、ロードロック室内にある空気による熱伝導を少なくすることができる。その結果、ウェハが酸化されたり、搬送機構3に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。また、ロードロック室14の減圧と同時に、水分が残った状態で加熱してしまうと悪性のガスが発生するという問題がある。しかし本実施形態によれば、ロードロック室14の減圧により室内の水分を蒸発させることができ、かかる問題を回避することができる。
【0039】
図4は、このような本実施形態におけるロードロック室14内の圧力及び加熱温度の時間変化を示すグラフである。本実施形態では、加熱開始から例えば30秒から40秒程度でウェハが約300℃まで加熱される。
【0040】
この予備加熱が終了すると、搬送機構3によりウェハが取り上げられ、ゲートバルブ12が開きウェハは真空処理室2に搬入される。搬入されたウェハはこの真空処理室でCVD処理が行われる。
【0041】
そして真空処理室2でのCVD処理が終了すると、ゲートバルブ12が開き搬送機構3が真空処理室2にアクセスしてウェハが取り出され、ウェハはロードロック室14に搬入され、冷却プレート5に載置される。
【0042】
冷却プレート5に載置された後、ロードロック室内にN2ガス供給源36よりN2ガスが供給される。そして集中制御部40が、室内の圧力が大気圧よりわずかに大きくなったという圧力センサ28からの信号を受けることにより、ゲートバルブ10を開き、ロードロック室14を大気解放する。これにより、ロードロック室14内にパーティクルが流入することを防止できる。
【0043】
また、N2ガスが供給されることで、プレート5とウェハとの隙間に流れ込んだガスの熱伝導作用によりウェハが冷却される。本実施形態では、例えばCVD処理されることにより400℃であったウェハを80℃まで冷却する。このときのロードロック室14内の圧力とウェハの冷却温度との時間変化のグラフを図5に示す。
【0044】
その後、ウェハはウェハ搬送体9によりロードロック室14内の冷却プレート5から取り出され、カセット8に戻される。
【0045】
以上のような動作を繰り返すことにより、複数のウェハに対し連続的にCVD処理を行う。
【0046】
また、本実施形態では、図1に示すように2つのロードロック室14と16との間のゲートバルブ11を介して両室の間でウェハの受け渡しを行って効率的な処理を行うようにすることも可能である。例えば、両室14及び16がそれぞれ真空状態であるときにゲートバルブ11を開き、ロードロック室14側の載置台4で加熱されていたウェハを、例えばロードロック室16側の搬送機構が取り出してロードロック室16側に接続されている真空処理室に搬入することができる。
【0047】
以上のように本実施形態では、ロードロック室14(16)に冷却プレート5を設ける構成としたので、真空処理室2で処理されたウェハが高温であっても、ウェハを冷却することができ、ロードロック室14(16)が高温となることを防止できる。これにより、ウェハが酸化されたり、搬送機構3に悪影響を与えたりする等の問題を回避することができる。また、また、ウェハが冷却されているので、例えば70℃〜80℃という低い耐熱温度を持つカセットに戻すことができる。
【0048】
また、本実施形態では、搬送チャンバ15からロードロック室に搬送されてくる基板を、この載置台4で一旦待機させ、真空処理室2における処理の予備加熱を行っている。そして、この予備加熱を行っている間に、搬送機構3は既に真空処理室2で処理された基板を取り出し、この基板を冷却プレート5に置き、さらに搬送機構3は予備加熱を終えたウェハを真空処理室2に搬送している。
【0049】
すなわち、載置台4及び冷却プレート5は、搬送機構3による搬送効率を高めるバッファとしての機能をも兼ねており、スループットの向上を図ることができる。さらに、ウェハに対する処理効率(真空処理室2で処理を考慮した全体的な処理効率)の両者を向上させることができる。
【0050】
さらに、載置台4、冷却プレート5、搬送機構3及び真空処理室2を一直線上に配置したので、基板処理装置1のX方向の全体の幅を小さくすることができ、その幅方向で、真空処理室2及びロードロック室の増設が容易となる。
【0051】
図6は、ロードロック室14(16)の変形例を示す断面図である。なお、図5において、図3における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。
【0052】
この実施形態では、N2ガスを供給する供給口34a(図中、左側の供給口)が、その先端を冷却プレート5と支持ピン20に支持されたウェハWとの間に向けて配置されている。これにより、ロードロック室14(16)を大気解放する前段階で、ロードロック室にN2ガスを供給する際に、そのギャップにN2ガスがいち早く流れ込むようにすれば、そのガスの熱伝導作用により効率良くウェハWを冷却させることができる。
【0053】
なお、この実施形態では、支持ピン20でウェハを支持させつつウェハを冷却するようにしたが、もちろん冷却プレート5上に設けられたプロキシミティピンに載置させ、ウェハとプレート5との間のギャップにN2ガスが流入するようにして冷却するようにしてもよい。
【0054】
図7は、他の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。この基板処理装置は、上記実施形態のロードロック室14と16とが一体となって1つの筐体55を有するロードロック室50が設けられている。このロードロック室50の略中央部には、搬送装置45がモータ45aを中心に回転可能に設けられている。この搬送装置45は、2つの冷却プレート5の間でウェハを搬送し、効率的な処理を行う。
【0055】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【0056】
例えば、図1に示す基板処理装置1の搬送チャンバ15のX方向の幅を長くし、さらにロードロック室と真空処理室との組み合わせたユニットを増設して、スループットを向上させるようにしてもよい。
【0057】
また、上記実施形態では、基板として半導体ウェハを例に挙げたが、液晶デバイスに用いられるガラス基板にも本発明は適用可能である。
【0058】
さらに、搬送機構3を間にした、加熱用の載置台4と冷却プレート5との配置を逆にしてもよい。
【0059】
また、上記実施形態では載置台4にウェハを載置させてランプ26で加熱するようにしたが、このような加熱方法に限られず、載置台が電熱線等のヒータを内蔵した加熱プレートであってもよい。
【0060】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ロードロック室に高温のウェハを受け入れることができ、パーティクルの流入を防止して搬送機構やウェハに悪影響を及ぼすことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図2】図1における基板処理装置を示す側面図である。
【図3】ロードロック室の断面図である。
【図4】ロードロック室内の圧力及び加熱温度の時間変化を示すグラフである。
【図5】ロードロック室内の圧力及び冷却温度の時間変化を示すグラフである。
【図6】ロードロック室の変形例を示す断面図である。
【図7】他の実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【符号の説明】
W…ウェハ
1…基板処理装置
2…真空処理室
3…搬送機構
3a…ベース部
4…載置台
5…冷却プレート
5…プレート
7…カセット載置台
14,16…ロードロック室
26…ランプ
36…ガス供給源
40…集中制御部
Claims (15)
- 真空状態で基板の処理を行う真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する待機冷却部と、少なくとも前記真空処理室と前記待機冷却部との間で基板の搬送を行う搬送機構とを有した減圧可能なロードロック室と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記待機冷却部は、前記搬送機構を介して前記真空処理室と対向する位置に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記待機冷却部は、
基板を載置するプレートと、
このプレートを冷却する冷却機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室に不活性ガスを供給する手段をさらに具備し、
前記不活性ガスは前記プレートとこのプレートに載置された基板との間に向けて流れるように供給されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室は、前記真空処理室で処理される前に基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する待機加熱部をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。 - 真空状態で基板の処理を行う真空処理室と、
前記真空処理室で処理された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する待機冷却部と、前記真空処理室で処理される前に基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する待機加熱部と、少なくとも前記真空処理室、前記待機冷却部及び前記待機加熱部の間で基板の搬送を行う搬送機構とを有した減圧可能なロードロック室と
を具備し、
少なくとも前記真空処理室と待機冷却部と待機加熱部とが一直線上に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記搬送機構が前記待機冷却部と待機加熱部との間に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記待機冷却部は、
基板を載置するプレートと、
このプレートを冷却する冷却機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項8に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室に不活性ガスを供給する手段をさらに具備し、
前記不活性ガスは前記プレートとこのプレートに載置された基板との間に向けて流れるように供給されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室の減圧が開始されてから所定の時間が経過した後、前記待機加熱部による加熱を開始するように制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記ロードロック室が大気解放される直前に、前記ロードロック室内の圧力を大気圧より高くなるように前記不活性ガスの供給を制御する手段をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。 - 真空状態で処理を行う真空処理室と、この真空処理室に接続された減圧可能なロードロック室と、このロードロック室に設けられ前記真空処理室で処理された基板をロードロック室に搬入する搬送機構とを有する基板処理装置で基板を処理する基板処理方法であって、
(a)前記真空処理室で基板を処理する工程と、
(b)前記搬送機構により前記工程(a)で処理された基板をロードロック室に搬入する工程と、
(c)前記工程(b)で搬入された基板を一旦待機させるとともに該基板を冷却する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項12に記載の基板処理方法であって、
(d)前記工程(a)の前に、前記ロードロック室で、基板を一旦待機させるとともに該基板を加熱する工程をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項13に記載の基板処理方法であって、
前記工程(d)は前記ロードロック室の減圧が開始されてから所定の時間が経過した後、前記加熱を開始する工程を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項12に記載の基板処理方法であって、
前記工程(c)の途中で、
前記ロードロック室を大気解放する工程と、
前記大気解放する直前に前記ロードロック室内の圧力を大気圧より高くなるように前記不活性ガスを供給する工程と
をさらに具備することを特徴とする基板処理方法。
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