KR20210050614A - 기판처리장치 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 186
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 117
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 95
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 26
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004904 shortening Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
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- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
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- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
- B25J15/0014—Gripping heads and other end effectors having fork, comb or plate shaped means for engaging the lower surface on a object to be transported
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
- H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/204—Means for introducing and/or outputting objects
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
본 발명은 공정시간을 단축할 수 있는 기판처리장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇을 구비하는 인덱스챔버; 기판을 가열하는 가열수단을 구비하며, 기판을 공정처리하는 공정챔버; 상기 인덱스챔버와 상기 공정챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버; 및 상기 공정챔버와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 반송로봇을 구비하는 반송챔버를 포함하고, 상기 반송로봇에는 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단이 구비된다.
Description
본 발명은 기판을 공정처리하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정시간을 단축할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적인 플라즈마 처리 장치의 공정챔버는 정전척(ESC)에 내장된 직류 전극에 직류 전원을 공급하여 정전척에 기판을 정전 흡착하고, 정전척에 내장된 히터에 히터 전원을 공급하여 기판을 공정에 알맞은 온도로 가열한다. 그리고 공정챔버는 정전척(ESC)에 고주파 바이어스 전력을 공급하여 챔버의 반응공간에 플라즈마를 형성함으로써, 기판 상에 원하는 박막을 형성하거나, 기판 상에 형성된 박막을 제거하여 패터닝한다.
상기 과정에서 정전척에 내장된 히터를 이용하여 설정온도로 기판을 가열하는 데에는 적지 않은 시간이 소요된다. 최근 반도체 제조 공정시간 단축 및 생산량 증대를 위한 기판처리장치의 개선이 이루어지고 있는 바, 공정시간 단축을 위한 개선이 필요하다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 공정시간을 단축할 수 있는 기판처리장치를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명에 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇을 구비하는 인덱스챔버; 기판을 가열하는 가열수단을 구비하며, 기판을 공정처리하는 공정챔버; 상기 인덱스챔버와 상기 공정챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버; 및 상기 공정챔버와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 반송로봇을 구비하는 반송챔버를 포함하고, 상기 반송로봇에는 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단이 구비된다.
또한 실시예에 있어서, 상기 반송로봇은, 기판을 지지하며, 내부에 히터가 구비되는 핸드; 및 상기 핸드를 구동하는 로봇몸체를 포함하고, 상기 핸드는 상기 히터를 이용하여 공정처리 전 상태의 기판을 접촉가열 방식으로 사전 가열한다.
또한 실시예에 있어서, 상기 반송로봇은, 기판을 지지하며, 기판에 광을 조사하는 가열램프를 구비하는 핸드; 및 상기 핸드를 구동하는 로봇몸체를 포함하고, 상기 핸드는, 상기 가열램프를 이용하여 공정처리 전 상태의 기판을 비접촉 가열 방식으로 사전 가열한다.
또한 실시예에 있어서, 상기 반송로봇은, 기판을 지지하며, 내부에 히터를 구비하고, 상부에 가열램프를 구비하는 핸드; 및 상기 핸드를 구동하는 로봇몸체를 포함하고, 상기 핸드는, 공정처리전 상태의 기판이 안착되면, 상기 램프를 턴온한 후 상기 히터를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열한다.
본 발명에 다른 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇을 구비하는 인덱스챔버; 기판을 가열하는 가열수단을 구비하며, 기판을 공정처리하는 공정챔버; 상기 인덱스챔버와 상기 공정챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버; 및 상기 공정챔버와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 반송로봇을 구비하는 반송챔버를 포함하고, 상기 로드락 챔버에는 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단이 구비된다.
또한 실시예에 있어서, 상기 로드락 챔버는, 외부와 격리되는 하우징; 및 상기 하우징 내에 구비되며, 기판을 지지하는 지지유닛을 포함하고, 상기 지지유닛의 내부에는 공정처리전 상태의 기판을 접촉 가열 방식으로 사전 가열하기 위한 지지유닛 히터가 구비된다.
또한 실시예에 있어서, 상기 로드락 챔버는, 외부와 격리되는 하우징; 및 상기 하우징 내에 구비되며, 기판을 지지하는 지지유닛을 포함하고, 상기 하우징의 측벽내부 및 상벽내부 중 적어도 하나에는 공정처리 전 상태의 기판을 비접촉 가열 방식으로 사전 가열하기 위한 하우징 히터가 구비된다.
또한 실시예에 있어서, 상기 로드락 챔버는, 외부와 격리되는 하우징; 및 상기 하우징 내에 구비되며, 기판을 지지하는 지지유닛을 포함하고, 상기 하우징의 측벽내부 및 상벽내부 중 적어도 하나에는 공정처리 전 상태의 기판을 비접촉가열 방식으로 사전 가열하기 위한 하우징 히터가 구비되고, 상기 지지유닛의 내부에는 공정처리전 상태의 기판을 접촉가열 방식으로 사전 가열하기 위한 지지유닛 히터가 구비되고, 상기 로드락 챔버는, 공정처리전 상태의 기판이 안착되면, 상기 하우징 히터를 턴온한 후 상기 지지유닛 히터를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열한다.
본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판처리장치는, 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇을 구비하는 인덱스챔버; 기판을 가열하는 가열수단을 구비하며, 기판을 공정처리하는 공정챔버; 상기 인덱스챔버와 상기 공정챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버; 및 상기 공정챔버와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 반송로봇을 구비하는 반송챔버를 포함하고, 상기 로드락 챔버 및 상기 반송로봇 각각에는 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단이 구비된다.
또한 실시예에 있어서, 상기 로드락 챔버는, 내부공간을 진공상태로 형성하는 하우징; 및 상기 하우징 내에 구비되며 기판을 지지하는 지지유닛을 포함하고, 상기 하우징의 측벽내부 및 상벽내부 중 적어도 하나에는 공정처리 전 상태의 기판을 비접촉가열 방식으로 사전 가열하기 위한 하우징 히터가 구비되고, 상기 지지유닛의 내부에는 공정처리전 상태의 기판을 접촉가열 방식으로 사전 가열하기 위한 지지유닛 히터가 구비되고, 상기 로드락 챔버는, 공정처리전 상태의 기판이 안착되면, 상기 하우징 히터를 턴온한 후 상기 지지유닛 히터를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열하고, 상기 반송로봇은, 기판을 지지하며, 내부에 구비되는 발열 가능한 히터와, 상부에 구비되는 가열램프를 포함하는 핸드; 및 상기 핸드를 구동하는 로봇몸체를 포함하고, 상기 핸드는, 공정처리 전 상태의 기판이 안착되면, 상기 가열램프를 턴온한 후 상기 히터를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열한다.
본 발명에 따르면, 로드락 챔버 및 반송로봇 중 적어도 하나에 구비되는 접촉 가열수단 또는 비접촉 가열수단이 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열함으로서, 공정챔버가 기판을 목표온도로 가열하는 데에 필요한 시간을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 반송로봇에 구비되는 사전 가열 수단의 다양한 예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1에 도시된 로드락 챔버에 구비되는 사전 가열 수단의 다양한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 반송로봇에 구비되는 사전 가열 수단의 다양한 예를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1에 도시된 로드락 챔버에 구비되는 사전 가열 수단의 다양한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리 장치에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판처리장치(10)는 인덱스챔버(100), 로드락 챔버(200), 반송챔버(300), 공정챔버(400)를 포함한다.
인덱스챔버(100)는 로드포트(110)와 이송챔버(120)를 포함한다.
로드포트(110)는 복수로 구비될 수 있다. 로드포트(111)에는 복수의 기판을 수용하는 FOUP(Front Opening Unified Pod) 등과 같은 기판수용용기가 안착된다. 기판수용용기는 OHT(Overhead Hoist Transfer)등과 같은 자동화 반송기기 또는 작업자에 의해 로드포트(110)에 로딩되거나 로드포트(110)로부터 언로딩된다.
이송챔버(120)는 이송챔버하우징(121)과 이송로봇(122)를 포함한다.
이송챔버 하우징(121)는 외부와 격리되는 내부공간을 제공한다. 이송로봇(122)은 로드포트부(110)에 안착된 기판수용용기에서 기판을 로딩/ 언로딩한다.
로드락 챔버(200)는 인덱스챔버(100)와 반송챔버(300) 사이에 배치된다. 로드락 챔버(200)는 인덱스챔버(100)와 반송챔버(300) 사이에 기판이 교환되는 버퍼공간을 제공한다. 버퍼공간에는 기판이 일시적으로 머무를 수 있다. 로드락 챔버(200)는 복수로 구비될 수 있다. 로드락 챔버(200)는 외부와 격리되는 로드락 챔버 하우징(210)과 기판을 지지하는 지지 유닛(220)을 포함한다.
로드락 챔버(200)는 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단을 구비할 수 있다. 사전 가열 수단에 대한 상세한 내용은 후술한다.
반송챔버(300)는 로드락 챔버(200)와 공정챔버(400) 간에 기판을 반송한다. 반송챔버(300)는 다각형의 형상으로 제공될 수 있다. 반송챔버(300)는 외부와 격리되는 반송챔버 하우징(310)과 기판 반송을 위한 반송로봇(320)을 구비한다.
반송로봇(320)은 공정챔버(400)와 로드락 챔버(200) 간에 기판을 이송한다. 반송로봇(320)은 기판을 지지하는 핸드(321)와, 핸드(321)를 구동하는 로봇몸체(322)를 포함한다. 반송로봇(320)은 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단을 구비할 수 있다. 사전 가열 수단에 대한 상세한 내용은 후술한다.
공정챔버(400)은 반송챔버(300)의 둘레에 구비된다. 공정챔버(400)는 개구(미도시)가 열리면, 반송챔버(300)의 반송로봇(310)으로부터 기판을 반입받는다.
공정챔버(400)는 기판을 가열하는 가열수단을 구비하며, 기판을 공정처리한다. 처리공정은 식각공정일 수 있다. 공정챔버(400)는 챔버하우징(미도시), 지지 부재(410), 가스 공급부재(미도시), 그리고 플라즈마 발생 유닛(미도시)을 포함할 수 잇다. 지지 부재(410)는 정전척(ESC)을 포함한다. 정전척(ESC)은 기판 가열을 위한 가열수단으로서 정전척 히터를 내부에 포함한다. 정전척 히터는 공정을 수행하기에 적합한 목표온도로 기판을 가열한다.
한편, 기판을 가열하여 기판의 온도를 목표온도까지 올리는 데에 필요한 시간은 전체 공정시간의 많은 부분을 차지한다. 이에 본 발명은, 반송로봇(320) 및 로드락 챔버(200) 중 적어도 하나에 구비되는 사전 가열 수단을 이용하여, 공정처리전 상태의 기판을 사전 가열한다. 따라서 공정챔버 내에서 기판의 온도를 목표온도까지 올리는 시간을 줄여 전체 공정시간을 단축할 수 있다.
처리공정은 식각 공정이 아닌 다양한 기판 처리 공정일 수 있다. 일 예로, 처리 공정은 박리 공정, 애싱 공정, 스트립 공정 또는 증착 공정일 수 있다. 처리챔버(400)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다.
공정챔버(400)가 복수인 경우에는, 공정챔버(400)의 일부 또는 전부는 서로 동일하거나 서로 다른 공정을 수행할 수 있다. 공정챔버(400)의 내부압력은 처리공정을 수행하기 적합한 환경을 제공하기 위하여 미리 설정된 압력으로 유지된다. 예를 들어, 대기압보다 낮은 압력이나 진공상태로 유지될 수 있다. 처리공정이 완료된 뒤, 기판은 반송로봇(320)에 의해 공정챔버(400) 외부로 반출된다.
이하 반송로봇(320) 및 로드락 챔버(200) 중 적어도 하나에 구비되는 사전 가열 수단에 대해 상세히 설명한다.
도 2a 내지 도 2c는 도 1에 도시된 반송로봇에 구비되는 사전 가열 수단의 다양한 예를 설명하기 위한 사시도이다.
반송로봇(320)은 기판을 지지하는 핸드(321)과, 핸드(321)를 구동하여 기판을 이송하는 로봇몸체(322)를 포함한다. 반송로봇(320)의 핸드(321)에는 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 접촉식 또는 비접촉식의 사전 가열 수단이 구비될 수 있다.
도 2a를 참조하면, 핸드(321) 내부에, 공정처리 전 상태의 기판을 접촉 가열 방식으로 사전 가열하기 위한 발열수단인 히터(323)가 구비될 수 있다. 이때 기판과의 접촉면적을 넓히기 위해, 핸드(321) 및 히터(323)의 형상은 기판의 형상에 대응되도록 구비될 수도 있다.
공정처리 전 상태의 기판이 핸드(321)에 안착되면, 히터(323)가 턴온(turn on)되어 발열한다. 발열하는 히터(323)에 의해 핸드(321)에 안착된 기판이 가열된다.
한편, 핸드(321)에 안착된 기판이 공정처리가 완료된 기판이거나 또는 핸드(321)에 기판이 안착되지 않은 때, 히터(323)는 소모전력 감소를 위해 턴오프(turn off)될 수 있다. 또는 이와는 다르게 히터(323)는 항상 턴온 상태로 유지될 수도 있다.
상기와 같이, 핸드(321) 내부에 히터(323)가 구비되는 경우, 접촉 가열 방식을 통해 기판을 신속하게 가열할 수 있다는 장점이 있다.
도 2b를 참조하면, 핸드(321) 상부에 가열 램프 부재(324)가 구비될 수 있다. 가열 램프 부재(324)는 기판에 광을 조사하여 비접촉 가열 방식으로 기판을 사전 가열한다.
공정처리 전 상태의 기판이 핸드(321)에 의해 안착되면, 가열 램프 부재(324)가 턴온(turn on)된다. 턴온된 가열 램프 부재(324)는 기판에 광을 조사하여 기판을 가열한다.
가열 램프 부재(324)를 이용한 비접촉 가열방식은, 히터(323)를 이용한 접촉 가열 방식에 비해 가열 속도는 느리지만, 기판의 파손을 방지할 수 있다는 장점이 있다.
한편, 핸드(321)에 안착된 기판이 공정처리가 완료된 기판이거나 또는 핸드(321)에 기판이 지지되지 않았을 때, 가열 램프 부재(324)는 소모전력 감소를 위해 턴오프(turn off)될 수 있다. 또는 이와는 다르게 기판처리공정 중에도 가열 램프 부재(324)는 턴온 상태가 유지될 수도 있다.
도 2c를 참조하면, 도 2a의 히터(323)와 도 2b의 가열 램프 부재(324)가 핸드(321)에 동시에 구비될 수 있다. 이 경우, 비접촉 가열 방식의 가열 램프 부재(324)와 접촉 가열 방식의 히터(323)는 동시에 턴온되거나 또는 순차적으로 턴온될 수 있다.
가열 램프 부재(324) 및 히터(323)가 순차적으로 턴온되는 경우, 비접촉 가열 방식의 가열 램프 부재(324)가 먼저 턴온되고, 접촉 가열 방식의 히터(323)가 나중에 턴온됨이 바람직하다. 즉, 핸드(321)는, 공정처리전 상태의 기판이 안착되면, 가열 램프 부재(324)를 먼저 턴온한 후 히터(323)를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열한다. 가열 램프 부재(324)가 먼저 턴온됨으로써 기판의 온도가 서서히 상승되어 기판의 열적 스트레스에 의한 파손위험이 감소된다. 그리고 가열 램프 부재(324)가 턴온된 시점으로부터 일정시간 경과 후에 히터(323)가 턴온된다. 턴온된 히터(323) 및 가열 램프 부재(324)에 의해 기판의 가열 속도가 향상된다.
본 발명에 따르면, 반송로봇의 핸드에 구비되는 접촉식 또는 비접촉식 사전 가열 수단에 의해 공정처리전 상태의 기판이 사전 가열되므로, 공정챔버 내에서의 공정시간이 단축되고 생산량이 증대된다.
도 3a 내지 도 3c는 도 1에 도시된 로드락 챔버에 구비되는 사전 가열 수단의 다양한 예를 설명하기 위한 단면도이다.
로드락 챔버(200)는 외부와 단절되는 로드락 챔버 하우징(210)과 기판을 지지하는 지지유닛(220)을 포함한다. 로드락 챔버(200)에는 접촉식 또는 비접촉식 사전 가열 수단이 구비될 수 있다.
도 3a를 참조하면, 지지유닛(220)의 내부에는 공정처리 전 상태의 기판을 접촉 가열방식으로 사전 가열하기 위한 발열수단인 지지유닛 히터(221)가 구비될 수 있다. 예를 들어 지지유닛(220)은 지지유닛 히터(221)를 포함하는 히팅척일 수 있다.
공정처리 전 상태의 기판이 지지유닛(220)에 안착되면, 지지유닛 히터(221)가 턴온되어 발열함으로써, 지지유닛(220)에 안착된 기판이 접촉 가열된다.
한편, 지지유닛(220)에 안착된 기판이 공정처리가 완료된 기판이거나 또는 지지유닛(220)에 기판이 안착되지 않았을 때, 지지유닛 히터(221)는 소모전력 감소를 위해 턴오프(turn off)될 수 있다. 또는 이와는 다르게 지지유닛 히터(221)는 항상 턴온 상태로 유지될 수도 있다.
상기와 같이, 지지유닛(220) 내부에 지지유닛 히터(221)이 구비되는 경우, 접촉 가열 방식을 통해 기판을 신속하게 가열할 수 있다는 장점이 있다.
도 3b를 참조하면, 로드락 챔버 하우징(210)의 측벽내부 및 상벽내부 중 적어도 하나에, 공정처리 전 상태의 기판을 비접촉 가열방식으로 사전 가열하기 위한 발열수단인 하우징 히터(211)가 구비될 수 있다.
공정처리 전 상태의 기판이 지지유닛(220)에 안착되면, 하우징 히터(211)가 턴온된다. 턴온된 하우징 히터(211)에 의해 로드락 챔버(200) 내부가 가열되고, 가열된 로드락 챔버(200) 내부에 위치하는 기판도 가열된다. 하우징 히터(211)를 이용한 비접촉 가열 방식은 지지유닛 히터(221)를 이용한 접촉 가열 방식에 비해 가열 속도는 느리지만, 기판의 파손을 방지할 수 있다는 장점이 있다.
한편, 지지유닛(220)에 안착된 기판이 공정처리가 완료된 기판이거나 또는 지지유닛(220)에 기판이 안착되지 않았을 때, 하우징 히터(211)는 소모전력 감소를 위해 턴오프(turn off)될 수 있다. 또는 이와는 다르게 하우징 히터(211)는 항상 턴온 상태로 유지할 수도 있다.
도 3c를 참조하면, 도 3a의 지지유닛 히터(221)와 도 3b의 하우징 히터(211)가 로드락 챔버(200) 내부에 동시에 구비될 수 있다. 이 경우, 비접촉 가열 방식의 하우징히터(211)와 접촉가열방식의 지지유닛 히터(221)는 동시에 턴온되거나 또는 순차적으로 턴온될 수 있다.
하우징히터(211)와 지지유닛 히터(221)가 순차적으로 턴온되는 경우, 비접촉 가열 방식의 하우징히터(211)가 먼저 턴온되고, 접촉 가열 방식의 지지유닛 히터(221)가 나중에 턴온됨이 바람직하다.
로드락 챔버는, 공정처리전 상태의 기판이 안착되면, 하우징 히터(211)를 먼저 턴온한 후 지지유닛 히터(221)를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열한다. 이에 따라, 하우징히터(211)가 먼저 턴온됨으로써, 기판의 온도가 서서히 상승되어 기판의 열적 스트레스에 의한 파손위험을 감소시킬 수 있다. 그리고 하우징히터(211)가 턴온된 시점으로부터 일정시간 경과 후에 지지유닛 히터(221)가 턴온됨으로써, 지지유닛 히터(221) 및 하우징히터(211)에 의해 기판의 가열 속도가 향상된다.
본 발명에 따르면, 로드락 챔버에 구비되는 접촉식 또는 비접촉식 사전 가열 수단에 의해 공정처리전 상태의 기판이 사전 가열되므로, 공정챔버 내에서의 공정시간이 단축되고 생산량이 증대된다.
도 2a 내지 도 3c와 같이, 사전 가열 수단은 로드락 챔버(200)에만 구비될 수도 있고, 반송로봇(320)에만 구비될 수도 있다. 또는 이와는 다르게 로드락 챔버(200) 및 반송로봇(320) 모두에 사전가열수단이 구비될 수 있다. 특히, 도 2c 및 도 3c와 같이, 본 발명의 로드락 챔버(200) 및 상기 반송로봇(320) 각각에 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단이 모두 구비될 수 있다. 로드락 챔버(200) 및 상기 반송로봇(320) 각각에 접촉식 사전 가열 수단및 비접촉식 사전 가열 수단이 모두 구비되는 경우, 로드락 챔버(200) 및 상기 반송로봇(320) 중 어느 하나에 사전 가열 수단이 구비되는 경우보다 기판의 사전가열 정도를 향상시킬 수 있다.
이전의 내용은 본 발명의 바람직한 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 그 기본 범위로부터 벗어나지 아니한 채 고안될 수 있다. 본 발명의 범위는 이하의 청구항에 의해 결정된다
100: 인덱스 챔버
110: 로드포트
120: 이송 챔버 121: 이송 챔버 하우징
122: 이송로봇 200: 로드락 챔버
210: 로드락 챔버 하우징 211: 하우징 히터
220: 지지유닛 221: 지지유닛 히터
300: 반송 챔버 310: 반송 챔버 하우징
320: 반송 로봇 321: 핸드
322: 로봇몸체 323: 히터
324: 가열 램프 부재 400: 공정 챔버
120: 이송 챔버 121: 이송 챔버 하우징
122: 이송로봇 200: 로드락 챔버
210: 로드락 챔버 하우징 211: 하우징 히터
220: 지지유닛 221: 지지유닛 히터
300: 반송 챔버 310: 반송 챔버 하우징
320: 반송 로봇 321: 핸드
322: 로봇몸체 323: 히터
324: 가열 램프 부재 400: 공정 챔버
Claims (10)
- 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇을 구비하는 인덱스챔버;
기판을 가열하는 가열수단을 구비하며, 기판을 공정처리하는 공정챔버;
상기 인덱스챔버와 상기 공정챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버; 및
상기 공정챔버와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 반송로봇을 구비하는 반송챔버를 포함하고,
상기 반송로봇에는 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 반송로봇은,
기판을 지지하며, 내부에 히터가 구비되는 핸드; 및
상기 핸드를 구동하는 로봇몸체를 포함하고,
상기 핸드는 상기 히터를 이용하여 공정처리 전 상태의 기판을 접촉 가열 방식으로 사전 가열하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 반송로봇은,
기판을 지지하며, 기판에 광을 조사하는 가열 램프 부재를 구비하는 핸드; 및
상기 핸드를 구동하는 로봇몸체를 포함하고,
상기 핸드는, 상기 가열 램프 부재를 이용하여 공정처리 전 상태의 기판을 비접촉 가열 방식으로 사전 가열하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제1항에 있어서,
상기 반송로봇은,
기판을 지지하며, 내부에 히터를 구비하고, 상부에 가열 램프 부재를 구비하는 핸드; 및
상기 핸드를 구동하는 로봇몸체를 포함하고,
상기 핸드는, 공정처리전 상태의 기판이 안착되면, 상기 가열 램프 부재를 턴온한 후 상기 히터를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇을 구비하는 인덱스챔버;
기판을 가열하는 가열수단을 구비하며, 기판을 공정처리하는 공정챔버;
상기 인덱스챔버와 상기 공정챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버; 및
상기 공정챔버와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 반송로봇을 구비하는 반송챔버를 포함하고,
상기 로드락 챔버에는 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제5항에 있어서,
상기 로드락 챔버는,
외부와 격리되는 하우징; 및
상기 하우징 내에 구비되며, 기판을 지지하는 지지유닛을 포함하고,
상기 지지유닛의 내부에는 공정처리전 상태의 기판을 접촉 가열 방식으로 사전 가열하기 위한 지지유닛 히터가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제5항에 있어서,
상기 로드락 챔버는,
외부와 격리되는 하우징; 및
상기 하우징 내에 구비되며, 기판을 지지하는 지지유닛을 포함하고,
상기 하우징의 측벽내부 및 상벽내부 중 적어도 하나에는 공정처리 전 상태의 기판을 비접촉 가열 방식으로 사전 가열하기 위한 하우징 히터가 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제5항에 있어서,
상기 로드락 챔버는,
외부와 격리되는 하우징; 및
상기 하우징 내에 구비되며, 기판을 지지하는 지지유닛을 포함하고,
상기 하우징의 측벽내부 및 상벽내부 중 적어도 하나에는 공정처리 전 상태의 기판을 비접촉가열 방식으로 사전 가열하기 위한 하우징 히터가 구비되고,
상기 지지유닛의 내부에는 공정처리전 상태의 기판을 접촉가열 방식으로 사전 가열하기 위한 지지유닛 히터가 구비되고,
상기 로드락 챔버는, 공정처리전 상태의 기판이 안착되면, 상기 하우징 히터를 턴온한 후 상기 지지유닛 히터를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 기판을 로딩/언로딩하는 이송로봇을 구비하는 인덱스챔버;
기판을 가열하는 가열수단을 구비하며, 기판을 공정처리하는 공정챔버;
상기 인덱스챔버와 상기 공정챔버 사이에 배치되는 로드락 챔버; 및
상기 공정챔버와 상기 로드락 챔버 간에 기판을 이송하는 반송로봇을 구비하는 반송챔버를 포함하고,
상기 로드락 챔버 및 상기 반송로봇 각각에는 공정처리 전 상태의 기판을 사전 가열하는 사전 가열 수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. - 제9항에 있어서,
상기 로드락 챔버는, 내부공간을 진공상태로 형성하는 하우징; 및 상기 하우징 내에 구비되며 기판을 지지하는 지지유닛을 포함하고,
상기 하우징의 측벽내부 및 상벽내부 중 적어도 하나에는 공정처리 전 상태의 기판을 비접촉가열 방식으로 사전 가열하기 위한 하우징 히터가 구비되고,
상기 지지유닛의 내부에는 공정처리전 상태의 기판을 접촉가열 방식으로 사전 가열하기 위한 지지유닛 히터가 구비되고,
상기 로드락 챔버는, 공정처리전 상태의 기판이 안착되면, 상기 하우징 히터를 턴온한 후 상기 지지유닛 히터를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열하고,
상기 반송로봇은, 기판을 지지하며, 내부에 구비되는 발열 가능한 히터와, 상부에 구비되는 가열램프를 포함하는 핸드; 및 상기 핸드를 구동하는 로봇몸체를 포함하고,
상기 핸드는, 공정처리 전 상태의 기판이 안착되면, 상기 가열램프를 턴온한 후 상기 히터를 턴온하여 상기 공정처리전 상태의 기판을 순차적으로 사전 가열하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190134418A KR102325772B1 (ko) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 기판처리장치 |
US17/082,634 US11978654B2 (en) | 2019-10-28 | 2020-10-28 | Substrate processing apparatus |
CN202011174824.2A CN112735976A (zh) | 2019-10-28 | 2020-10-28 | 基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190134418A KR102325772B1 (ko) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 기판처리장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210050614A true KR20210050614A (ko) | 2021-05-10 |
KR102325772B1 KR102325772B1 (ko) | 2021-11-12 |
Family
ID=75586358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020190134418A KR102325772B1 (ko) | 2019-10-28 | 2019-10-28 | 기판처리장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11978654B2 (ko) |
KR (1) | KR102325772B1 (ko) |
CN (1) | CN112735976A (ko) |
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2019
- 2019-10-28 KR KR1020190134418A patent/KR102325772B1/ko active IP Right Grant
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2020
- 2020-10-28 CN CN202011174824.2A patent/CN112735976A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN112735976A (zh) | 2021-04-30 |
KR102325772B1 (ko) | 2021-11-12 |
US20210125854A1 (en) | 2021-04-29 |
US11978654B2 (en) | 2024-05-07 |
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