CN111508864B - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于处理基板的装置，其包括：干燥室，该干燥室对在其上表面上残留有有机溶剂的基板进行干燥工艺；烘焙室，该烘焙室对进行了干燥工艺的基板进行加热；以及传送组件，该传送组件在干燥室和烘焙室之间传送基板。

Description

用于处理基板的装置和方法
技术领域
在本文中描述的发明构思的实施方式涉及用于处理诸如半导体晶片或平板显示面板的基板的装置和方法。
背景技术
为了制造半导体元件或平板显示器，基板处理装置使用各种类型的处理液在诸如半导体晶片或玻璃基板的基板上进行液体处理，然后执行使附着有处理液的基板干燥的干燥工艺。这里，在基板处理装置中通过处理液进行的液体处理包括：用化学品例如清洁溶液或蚀刻剂清洁或蚀刻基板的表面的清洁或蚀刻工艺；以及用冲洗液对进行了清洁工艺或蚀刻工艺的基板的表面进行冲洗的冲洗工艺。
在干燥工艺中使用挥发性有机化学品，例如异丙醇。可以将有机化学品供应至基板的表面以代替冲洗溶液，然后可以干燥基板。然而，由于按比例缩小形成在基板表面上的图案的临界尺寸(CD)，所以即使在执行干燥工艺之后，也不能除去供应至基板表面的有机化学品。因此，附着至基板表面的有机化学品被固化，并且诸如颗粒的杂质可能附着至固化的有机化学品。
发明内容
本发明构思的实施方式提供用于有效处理基板的基板处理装置和方法。
本发明构思的实施方式提供用于有效地去除残留在进行了干燥工艺的基板上的杂质的基板处理装置和方法。
本发明构思的实施方式提供用于提供各种因素以去除残留在进行了干燥工艺的基板上的杂质的基板处理装置和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于前述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员根据以下描述将清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：转位模块；清洁工艺模块，其对基板执行清洁工艺；以及烘焙室，其加热基板。转位模块包括：装载端口，在装载端口上放置其中容纳有基板的载体；以及传送框架，其布置在装载端口与清洁工艺模块之间并且包括转位机械手，该转位机械手在放置在装载端口上的载体和清洁过程模块之间传送基板。清洁工艺模块包括：干燥室，该干燥室对在其上表面上残留有有机溶剂的基板进行干燥工艺；以及传送室，其包括传送机械手，该传送机械手在清洁工艺室中传送基板。烘焙室对进行了干燥工艺的基板加热。
根据实施方式，清洁工艺模块还可以包括液体处理室，该液体处理室通过将有机溶剂供应至基板来对基板进行液体处理。
根据实施方式，干燥室可通过将超临界流体供应至基板来处理基板。
根据实施方式，干燥室可以包括液体供应单元，其将有机溶剂供应至基板。
根据实施方式，烘焙室可包括：壳体，其具有内部空间；和加热构件，其加热基板以热分解附着于基板的杂质。
根据实施方式，烘焙室还可以包括控制加热构件的控制器，并且控制器可以控制加热构件以将基板加热到附着于基板的杂质的热分解温度之上。
根据实施方式，杂质可以包括碳，并且控制器可以控制加热构件以将基板加热到600℃或更高的温度。
根据实施方式，加热构件可以是闪光灯，其将光供应至基板以加热基板。
根据实施方式，所述烘焙室还可包括：气体供应构件，其将惰性气体供应至内部空间中；以及排气管线，其排放惰性气体。
根据实施方式，气体供应构件和排气管线可以位于比位于内部空间中的基板更高的位置。
根据实施方式，气体供应构件可包括附接至壳体的侧壁的多个气体供应构件，并且排气管线可以位于面对气体供应构件的区域中。
根据实施方式，烘焙室可以设置在转位模块上。
根据实施方式，烘焙室可以被设置成能够从转位模块拆卸。
根据实施方式，转位模块和清洁工艺模块可以沿着第一方向布置，并且装载端口可以包括多个装载端口。多个装载端口可以沿着垂直于第一方向的第二方向布置。烘焙室和多个装载端口可以沿第二方向布置成行。
根据实施方式，烘焙室可以设置在清洁工艺模块中。
根据实施方式，烘焙室可以设置在转位模块和干燥室之间。
根据实施方式，转位模块和清洁工艺模块可以沿第一方向布置，并且转位模块、干燥室和烘焙室可以沿第一方向依次布置。
根据实施方式，该装置还可以包括控制该装置的控制器，并且该控制器可以控制传送机械手或转位机械手，使得：在干燥室中干燥被供应至基板的有机溶剂，然后在烘焙室中加热基板以热分解附着于基板的杂质。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：干燥室，该干燥室对在其上表面上残留有有机溶剂的基板进行干燥工艺；烘焙室，该烘焙室对进行了干燥工艺的基板加热；以及传送组件，该传送组件在干燥室和烘焙室之间传送基板。
根据实施方式，该装置还可以包括液体处理室，其通过将有机溶剂供应至基板来对基板进行液体处理。
根据实施方式，干燥室可通过将超临界流体供应至基板来处理基板。
根据实施方式，该装置还可以包括加热构件，其加热基板以热分解附着于基板的杂质。
根据实施方式，烘焙室可包括壳体，其具有内部空间；加热部件，其加热基板以热分解附着于基板的杂质；以及控制器，其控制加热部件。控制器可以控制加热构件以将基板加热至高于附着于基板的杂质的热分解温度。
根据实施方式，杂质可以包括碳，并且控制器可以控制加热构件以将基板加热至600℃或更高的温度。
根据实施方式，所述烘焙室还可以包括：气体供应构件，其将惰性气体供应至内部空间中；以及排气管线，其排放惰性气体。
根据实施方式，气体供应构件和排气管线可以位于比位于内部空间中的基板更高的位置。
根据实施方式，气体供应构件包括附接至壳体的侧壁的多个气体供应构件，并且排气管线位于面对气体供应构件的区域中。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的方法包括：溶剂处理步骤，其将有机溶剂供应至基板上以处理基板；干燥步骤，其干燥基板以去除基板上的有机溶剂；以及烘焙步骤，其加热基板以热分解附着于基板的杂质。干燥步骤和烘焙步骤在不同的室中进行。
根据实施方式，在干燥步骤中，可以将超临界流体供应至基板上以干燥基板。
根据实施方式，可以在包括加热基板的加热构件的烘焙室中执行烘焙步骤，并且烘焙室可以包括多个烘焙室。多个烘焙室可以包括不同的加热构件。在多个烘焙室之中根据基板选择的具有加热构件的烘焙室可被安装在基板处理装置中，在基板处理装置中安装有执行干燥步骤的干燥室，并且在所选择的烘焙室中执行烘焙步骤。
根据实施方式，烘焙室的加热构件可以是选自闪光灯、红外灯、紫外灯、激光器和电热丝中的一个。
附图说明
通过以下参考附图的描述，上述及其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另外指明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记表示相同的部分，并且其中：
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的平面图；
图2是示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理装置的平面图；
图3是示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理装置的平面图；
图4是示出图1的烘焙室的一个实施方式的截面图；
图5图示出在图4的烘焙室中去除附着于基板的杂质的状态；
图6是示出图1的烘焙室的另一实施方式的截面图；
图7是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图；
图8图示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理方法；
图9是示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理装置的平面图；和
图10是示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理装置的平面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明构思的实施方式，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实现本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式来实施，并且不限于本文描述的实施方式。此外，在描述发明构思的实施方式时，当与公知功能或配置有关的详细描述可能不必要地使发明构思的主题模糊时，将省略它们。另外，贯穿附图，执行相似功能和操作的部件具有相同的附图标记。
说明书中的术语“包含”和“包括”是“开放类型”表达，仅表示存在相应的部件，并且除非有相反的具体描述，否则不排除而是可以包括另外的部件。具体地，应该理解的是，当在本文中使用时，术语“包含”、“包括”和“具有”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、部件和/或部分的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、部件、部分和/或其组合的存在或增加。
除非另有指定，否则单数形式的术语可以包括复数形式。此外，在附图中，为了说明清楚，可以夸大部件的形状和尺寸。
在下文中，将参考图1至图9详细描述本发明构思的实施方式。
图1是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理装置的平面图。参考图1，基板处理装置10包括转位模块100和清洁工艺模块200。转位模块100包括装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和清洁工艺模块200依次布置成行。在下文中，装载端口120、传送框架140和清洁工艺模块200的布置方向被称为第一方向12，当俯视时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，并且与包含第一方向12和第二方向14的平面垂直的方向被称为第三方向16。
其中容纳有基板W的载体130被放置在装载端口120上。装载端口120沿第二方向14布置成行。装载端口120的数量可以根据处理效率和清洁工艺模块200的占空状况而增加或减少。每个载体130包括多个狭槽(未示出)，用于在相对于地面的水平位置容纳基板W。正面开口标准箱(FOUP)可以用作载体130。
清洁工艺模块200包括缓存单元200、传送室240、液体处理室260和干燥室280。传送室240被布置成使得其长度方向与第一方向12平行。液体处理室260或干燥室280设置在传送室240的相对侧。液体处理室260或干燥室280相对于传送室240以对称布置位于传送室240的一侧和相反侧。
多个液体处理室260和干燥室280设置在传送室240的一侧。液体处理室260和干燥室280可以沿着传送室240的长度方向依次布置。此外，液体处理室260可以彼此上下堆叠。此外，干燥室280也可以相同的方式彼此上下堆叠。即，液体处理室260和干燥室280可以在传送室240的一侧以A×B阵列布置。这里，“A”表示沿着第一方向12布置成行的液体处理室260和干燥室280的数量，并且“B”表示沿着第三方向16布置成行的液体处理室260或干燥室280的数量。在三个液体处理室260和三个干燥室280设置在传送室240的一侧的情况下，液体处理室260和干燥室280可以2×3的阵列布置。液体处理室260的数量和干燥室280的数量可以增加或减少。可替选地，液体处理室260和干燥室280可以仅设置在传送室240的一侧。在另一种情况下，液体处理室260和干燥室280可以在传送室240的对置侧设置为单层。
在传送框架140和传送室240之间设置缓存单元220。缓存单元220提供用于供基板W在传送室240和传送框架140之间被传送之前停留的空间。缓存单元220包括狭槽(未示出)，基板W被放置在狭槽中。狭槽(未示出)沿第三方向16彼此间隔开。缓存单元220在面向传送框架140的一侧和面向传送室240的相反侧敞开。
传送框架140设置在装载端口120和清洁工艺模块200之间。传送框架140可以在放置在装载端口120上的载体130和清洁工艺模块200之间传送基板W。例如，传送框架140可以在放置在装载端口120上的载体130和缓存单元220之间传送基板W。
在传送框架140中设置转位轨道142和转位机械手144。转位轨道142被布置成使得其长度方向平行于第二方向14。转位机械手144安装在转位轨道142上并且沿第二方向14沿着转位轨道142直线移动。转位机械手144包括基座144a、主体144b和转位臂144c。基座144a被安装为可沿转位轨道142移动。主体144b与基座144a结合。主体144b可沿第三方向16在基座144a上移动。此外，主体144b可在基座144a上旋转。转位臂144c联接至主体144b，并且可相对于主体144b向前和向后移动。转位臂144c可以单独地操作。转位臂144c沿第三方向16彼此上下堆叠且在其间具有间隔间隙。一些转位臂144c可以用于将基板W从清洁工艺模块200传送至载体130，而其他的转位臂144c可以用于将基板W从载体130传送到清洁工艺模块200。因此，可以防止在其中转位机械手144在载体130和清洁工艺模块200之间传送基板W的过程中，从待处理的基板W产生的颗粒附着于处理过的基板W。
传送室240在缓存单元220、液体处理室260和干燥室280之间传送基板W。在传送室240中设置导轨242和传送机械手244。导轨242被布置成使得其长度方向平行于第一方向12。传送机械手244安装在导轨242上，并且沿着第一方向12在导轨242上直线移动。传送机械手244包括基座244a、主体244b和主臂244c。基座244a被安装为可沿导轨242移动。主体244b与基座244a结合。主体244b可沿第三方向16在基座244a上移动。此外，主体244b可在基座244a上旋转。主臂244c联接至主体244b，并且可相对于主体244b向前和向后移动。主臂244c可以单独地操作。主臂244c彼此上下堆叠，并且沿第三方向16在其间具有间隔间隙。
液体处理室260中的每个执行用液体处理基板的工艺。例如，液体处理室260可以执行清洁工艺。例如，液体处理室260可以通过将诸如氢氟酸、硫酸、磷酸等的化学品供应至基板来执行清洁工艺。此外，液体处理室260可以通过诸如去离子水的冲洗溶液供应至基板来执行冲洗工艺。另外，液体处理室260可以通过将诸如异丙醇(以下称为IPA)的有机溶剂供应至基板来对基板进行液体处理。可以依次执行清洁工艺、冲洗工艺和使用有机溶剂的工艺。残留在基板上的冲洗溶液可以用供应至基板的有机溶剂置换。另外，液体处理室260可以通过旋转供应有IPA的基板来对基板执行旋转干燥工艺。
干燥室280中的每个对基板执行干燥工艺。干燥室280可以是维持在高温和高压下的高压室。干燥室280可以通过将超临界流体供应至基板来处理基板。例如，在液体处理室260中进行了液体处理的基板可以被传送到干燥室280中，其中有机溶剂残留在基板上。此后，干燥室280可以通过将超临界流体供应至基板来对基板执行干燥工艺。超临界流体可以是二氧化碳。
尽管已经举例说明了通过使用超临界流体来干燥基板，但是可以通过高速旋转来干燥基板。在旋转基板的同时，可以向基板供应诸如氮气的惰性气体。惰性气体可以以被加热的状态被供应至基板。
尽管已经举例说明了在液体处理室260中将有机溶剂供应至基板，并且将其上残留有有机溶剂的基板传送到干燥室280中，但是本发明构思不限于此。例如，如图3中所示，可以不设置液体处理室260，并且可以在干燥室280中进行液体处理。在这种情况下，干燥室280可以包括用于将有机溶剂供应至基板的液体供应单元。因此，干燥室280的液体供应单元可以将有机溶剂供应至基板，然后可以通过旋转来干燥基板。
烘焙室400可以加热基板。烘焙室400可以通过加热基板来热分解附着至基板的杂质。在烘焙室400中加热的基板可以是进行了液体处理和干燥的基板。
烘焙室400可以设置在转位模块100上。例如，烘焙室400和装载端口120可以沿着第二方向14布置成行。此外，如图2中所示，烘焙室400可以被设置为能够从转位模块100拆卸。
控制器490可以控制基板处理装置10。控制器490可以控制基板处理装置10以执行下面将描述的基板处理方法。例如，控制器490可以控制传送组件，使得供应至基板上的有机溶剂在干燥室280中被干燥，并且使得基板在烘焙室400中被加热以使附着在基板上的杂质热分解。在此，传送组件可以被定义为是指用于传送基板的所有部件。例如，在本文中使用的术语“传送组件”是包括转位机械手144和传送机械手244的概念。
图4是示出图1的烘焙室的一个实施方式的截面图。参考图4，烘焙室400可以包括壳体410、支撑板420、加热构件430、气体供应构件440和排气构件450。
壳体410具有内部空间412，在该内部空间中处理基板W。壳体410具有大致长方体的形状。壳体410在其侧壁中具有入口(未示出)，基板W通过该入口被装载到壳体410中或从壳体410中卸载。入口可以保持敞开。可替选地，可以提供用于打开或关闭入口的门(未示出)。当基板W在烘焙室400中被加热时，门(未示出)可以防止外部空气流被引入到烘焙室400中，或者可以防止热量释放到外部。
支撑板420可以在内部空间412中支撑基板W。可以在支撑板420上设置支撑销422。支撑销422可以支撑基板W。支撑销422可以升高以将基板W装载到支撑板420上或将基板W从支撑板420卸载。
加热构件430可加热基板W。例如，加热构件430可以加热在液体处理室260和/或干燥室280中进行了干燥工艺的基板W。加热构件430可以加热基板W以热分解附着于基板W的杂质P。加热部件430可以是非接触型加热单元。例如，加热构件430可以用闪光灯来实现。闪光灯可以向基板W提供光以加热基板W。由于由闪光灯所提供的光的直线性，基板W的温度可以迅速升高。
尽管已经举例说明了加热构件430是闪光灯，但是加热构件430不限于此。例如，加热构件430可以是红外(IR)灯、紫外(UV)灯或作为非接触型加热单元的激光器。IR灯可以将具有比可见光更长波长的IR光供应至基板W以加热基板W。UV灯可以将比可见光具有更短波长的UV光供应至基板W以加热基板W。激光器可以向基板W施加激光束以加热基板W。
气体供应构件440可以将气体供应至内部空间412中。由气体供应构件440供应至内部空间412中的气体可以是惰性气体。例如，惰性气体可以是氮气。由气体供应构件440供应至内部空间412中的惰性气体可以用作将热分解的杂质P输送至排气构件450的载气。多个气体供应构件440可以附接至壳体410的侧壁。此外，气体供应构件440可以比位于内部空间412中的基板W位于更高的位置。
排气构件450可以将供应至内部空间412中的惰性气体和热分解的杂质P从烘焙室400中排出。排气构件450可以包括排气孔452和排气管线454。排气孔452可以形成在壳体410的侧壁中，并且排气管线454可以连接至排气孔452。排气孔452和排气管线454可以比位于内部空间412中的基板W位于更高的位置。此外，排气构件450可以位于面对上述气体供应构件440的区域中。此外，排气管线454可以与减压构件(未示出)连接，该减压构件减小内部空间412中的压力。减压构件(未示出)可以由泵来实现。然而，减压构件(未示出)不限于此，并且能够减小内部空间412中的压力的众所周知的装置可以用作减压构件(未示出)。
加热构件430与控制器490连接。控制器490可以控制加热构件430所加热的基板W的温度。
图5图示出在图4的烘焙室中去除附着于基板的杂质的状态。参照图5，在液体处理室260和/或干燥室280中进行了干燥工艺的基板W被传送到烘焙室400中。传送到烘焙室400中的基板W被放置在支撑板420上。基板W被放置在支撑板420上后，加热构件430可以将光供应至基板W以加热基板W。因此，热被传递到附着于基板W的杂质P。附着于基板W的杂质P可以经由热量被热分解。控制器490可以允许基板W被加热到附着于基板W的杂质P的热分解温度之上。例如，在杂质P包含碳的情况下，控制器490可以控制加热构件430以将基板W加热到600℃或更高的温度。
当附着于基板W的杂质P被热分解并蒸发时，热分解的杂质P可以通过由气体供应构件440供应的惰性气体被输送到排气孔452。被输送到排气孔452的惰性气体和热分解的杂质P可以通过排气管线454被排出到烘焙室400的外部。
尽管已经举例说明了用于加热基板W的加热构件430是非接触型加热单元，但是加热构件430可以是接触型加热单元。例如，如图6所示，加热构件430可以被实现为位于支撑板420中的加热线。被实现为加热线的加热构件430可以与控制器490连接。被实现为接触型加热单元的加热构件430的功能和作用可以与当加热构件430被实现为非接触型加热单元时的那些加热单元相同或相似，因此将省略关于其的详细描述。
图7是示出根据本发明构思的实施方式的基板处理方法的流程图。参照图7，基板处理方法可以包括溶剂处理步骤S10、干燥步骤S20和烘焙步骤S30。
溶剂处理步骤S10是将有机溶剂供应至基板W上以处理基板W的步骤。例如，溶剂处理步骤S10可以是将有机溶剂供应至残留在基板W上的去离子水并并且用有机溶剂置换残留在基板W上的去离子水的步骤。溶剂处理步骤S10可以在液体处理室260中执行。
干燥步骤S20是干燥基板W以去除基板W上的有机溶剂的步骤。可以在溶剂处理步骤S10之后执行干燥步骤S20。此外，干燥步骤S20可以是通过将超临界流体供应至其上残留有有机溶剂的基板W上来干燥基板W的步骤。可以在干燥室280中执行干燥步骤S20。具体地，在干燥步骤S20中，可以在被供应至液体处理室260中的基板W上的有机溶剂残留在基板W上的状态下将基板W传送到干燥室280中，然后，可以将超临界流体供应至干燥室280中的基板W上以干燥基板W。
烘焙步骤S30是加热基板W以热分解附着于基板W的杂质的步骤。可以在干燥步骤S20之后执行烘焙步骤S30。可以在与其中执行溶剂处理步骤S10和干燥步骤S20的腔室不同的腔室中执行烘焙步骤S30。例如，可以在液体处理室260中执行溶剂处理步骤S10，可以在干燥室280中执行干燥步骤S20，并且可以在烘焙室400中执行烘焙步骤S30。
尽管已经举例说明了在液体处理室260中执行溶剂处理步骤S10并且在干燥室280中执行干燥步骤S20，但是本发明构思不限于此。
例如，溶剂处理步骤S10和干燥步骤S20均可在干燥室280中执行。具体地，干燥室280可具有用于将有机溶剂供应至基板W的液体供应单元。通过将有机溶剂供应至基板W，干燥室280的液体供应单元可以执行溶剂处理步骤S10。此后，可以在干燥室280中执行干燥基板W的干燥步骤S20。
图8图示出根据本发明构思的另一实施方式的基板处理方法。参照图8，可以提供多个烘焙室400。例如，多个烘焙室400a、400b、400c、400d和400e可以具有不同的加热构件430。例如，第一烘焙室400a的加热构件430可以是闪光灯。第二烘焙室400b的加热构件430可以是IR灯。第三烘焙室400c的加热构件430可以是UV灯。第四烘焙室400d的加热构件430可以是激光器。第五烘焙室400e的加热构件430可以是闪光灯。
在基板处理方法中，可以在其中安装有干燥室280的基板处理装置10中安装在多个烘焙室400a、400b、400c、400d和400e之中根据基板选择的具有加热构件430的烘焙室。在基板处理装置10中安装根据基板选择的烘焙室可以根据供应至基板的有机溶剂的类型或要处理的基板的类型而变化。安装在基板处理装置10中的烘焙室400可以执行上述烘焙步骤S30。
现有技术中的装置通过将有机溶剂供应至基板来处理基板，然后执行干燥基板的过程。然而，现有技术中的装置具有的问题在于，由于形成在基板表面上的图案的临界尺寸的缩小，不能适当地去除供应至基板的有机溶剂。有机溶剂在传送基板的过程中固化，并且颗粒附着到固化的有机溶剂上，从而降低了处理基板的效率。然而，根据本发明构思的实施方式，将有机溶剂供应至基板，然后将进行了干燥工艺的基板加热。因此，在执行干燥过程之后附着于基板的杂质被热分解并被去除。
在执行溶剂处理步骤S10的液体处理室260中安装有用于加热基板的加热单元的情况下，可能无法将有机溶剂适当地供应至基板W。例如，当加热有机溶剂后，不太可能以液相形式将有机溶剂供应至基板。此外，在执行干燥步骤S20的干燥室280中安装有用于加热基板的加热单元的情况下，干燥室280的结构复杂。然而，根据本发明构思的实施方式，用于执行溶剂处理步骤S10和干燥步骤S20的室以及用于执行烘焙步骤S30的室彼此不同。因此，能够解决当将加热单元安装在液体处理室260或干燥室280中时发生的上述问题。
在执行溶剂处理步骤S10和干燥步骤S20之后传送基板的过程中，杂质(例如颗粒)很可能附着于基板。然而，根据本发明构思的实施方式，在转位模块100上设置有烘焙室400。在设置在转位模块100上的烘焙室400中，对进行了溶剂处理步骤S10和干燥步骤S20的基板执行烘焙步骤S30。可以将进行了烘焙步骤S30的基板立即传送到基板处理装置10外部，而无需在基板处理装置10中单独传送基板的过程。因此，可以在传送基板从而将其卸载到基板处理装置10外部的过程中，最小化颗粒附着于进行了烘焙步骤S30的基板的风险。
根据本发明构思的实施方式，烘焙室400包括多个烘焙室400a、400b、400c、400d和400e，并且烘焙室400a、400b、400c、400d和400e具有不同的加热构件30。此外，如上所述，烘焙室400a、400b、400c、400d和400e能够从基板处理装置10拆卸。取决于要在基板处理装置10中处理的基板，从多个烘焙室400a、400b、400c、400d和400e之中选择的烘焙室400可以被安装在基板处理装置10中。因此，可以用各种因素执行烘焙步骤S30。
尽管已经举例说明了烘焙室400设置在转位模块100上，但是本发明构思不限于此。例如，烘焙室400可以设置在清洁工艺模块200中。在烘焙室400设置在清洁工艺模块200中的情况下，多个烘焙室400a、400b、400c、400d和400e可以是彼此上下堆叠。
例如，如图9所示，当俯视时，转位模块100和清洁工艺模块200可以沿着第一方向12布置，并且转位模块100、干燥室280和烘焙室400可以沿着第一方向12依次布置。此外，烘焙室400可包括沿第三方向16彼此上下堆叠的多个烘焙室。
此外，如图10所示，当俯视时，烘焙室400可以设置在清洁工艺模块200中并且可以位于转位模块100和干燥室280之间。即使在这种情况下，烘焙室400也可以包括沿第三方向16彼此上下堆叠的多个烘焙室。此外，在图9和图10所示的实施方式中，烘焙室400可以从基板处理装置10拆卸。
根据本发明构思的实施方式，基板处理装置和方法可以有效地处理基板。
此外，基板处理装置和方法可以有效地去除残留在进行了干燥工艺的基板上的杂质。
此外，基板处理装置和方法可以使杂质到进行了清洁工艺和干燥工艺的基板的重新附着最小化。
此外，基板处理装置和方法可以使用各种因素来去除残留在进行了干燥工艺的基板上的杂质，从而有效地执行杂质的去除。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员从该说明书和附图中可以清楚地理解本文未提及的任何其他效果。
以上描述举例说明了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方式，并且本发明构思可以在各种其他组合、改变和环境中使用。即，在不脱离在说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等同范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对发明构思进行变型或修改。书面实施方式描述了用于实现发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以对发明构思的特定应用和目的进行各种改变。因此，本发明构思的详细描述不旨在将本发明构思限制在所公开的实施方式状态下。此外，应解释为所附权利要求包括其他实施方式。
尽管已经参考示例性实施方式描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，以上实施方式不是限制性的，而是说明性的。

Claims (27)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
转位模块；
清洁工艺模块，所述清洁工艺模块被配置为对所述基板执行清洁工艺；和
烘焙室，所述烘焙室被配置为加热所述基板，
其中，所述转位模块包括：
装载端口，在所述装载端口上放置有其中容纳有所述基板的载体；和
传送框架，所述传送框架设置在所述装载端口和所述清洁工艺模块之间，并且包括转位机械手，所述转位机械手被配置为在被放置在所述装载端口上的所述载体和所述清洁工艺模块之间传送所述基板，
其中所述清洁工艺模块包括：
干燥室，所述干燥室被配置为对在其上表面残留有有机溶剂的所述基板进行干燥工艺；和
传送室，所述传送室包括传送机械手，所述传送机械手被配置为在所述清洁工艺室中传送所述基板，并且
其中，所述烘焙室对进行了所述干燥工艺的基板加热，
其中，所述烘焙室设置在所述转位模块上。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述清洁工艺模块还包括：
液体处理室，所述液体处理室被配置为通过将所述有机溶剂供应至所述基板来对所述基板进行液体处理。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述干燥室通过向所述基板供应超临界流体来处理所述基板。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述干燥室包括液体供应单元，所述液体供应单元被配置为将所述有机溶剂供应至所述基板。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述烘焙室包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；和
加热构件，所述加热构件被配置为加热所述基板以热分解附着于所述基板的杂质。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述烘焙室还包括控制器，所述控制器被配置为控制所述加热构件，并且
其中，所述控制器控制所述加热构件以将所述基板加热至高于附着于所述基板的杂质的热分解温度。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述杂质包括碳，并且
其中，所述控制器控制所述加热构件以将所述基板加热至600℃或更高的温度。
8.根据权利要求5所述的装置，其中，所述加热构件是被配置为向所述基板提供光以加热所述基板的闪光灯。
9.根据权利要求5所述的装置，其中，所述烘焙室还包括：
气体供应构件，所述气体供应构件被配置为将惰性气体供应至所述内部空间中；和
排气管线，所述排气管线被配置为排出所述惰性气体。
10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述气体供应构件和所述排气管线位于比位于所述内部空间中的所述基板更高的位置。
11.根据权利要求9所述的装置，其中，所述气体供应构件包括附接至所述壳体的侧壁的多个气体供应构件，并且
其中，所述排气管线位于面对所述气体供应构件的区域中。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述烘焙室被设置为能够从所述转位模块拆卸。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述转位模块和所述清洁工艺模块沿着第一方向布置，
其中，所述第一方向为依次布置所述装载端口、所述传送框架和所述清洁工艺模块的方向，
其中，所述装载端口包括多个装载端口，
其中，所述多个装载端口沿着垂直于所述第一方向的第二方向布置，并且
其中，所述烘焙室和所述多个装载端口沿所述第二方向布置成行。
14.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，还包括：
控制器，所述控制器被配置为控制所述装置，
其中，所述控制器控制所述传送机械手或所述转位机械手，使得在所述干燥室中干燥被供应至所述基板的所述有机溶剂，然后在所述烘焙室中对所述基板进行加热，以热分解附着于所述基板的杂质。
15.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
转位模块；
清洁工艺模块，所述清洁工艺模块被配置为对所述基板执行清洁工艺；和
烘焙室，所述烘焙室被配置为加热所述基板，
其中，所述转位模块包括：
装载端口，在所述装载端口上放置有其中容纳有所述基板的载体；和
传送框架，所述传送框架设置在所述装载端口和所述清洁工艺模块之间，并且包括转位机械手，所述转位机械手被配置为在被放置在所述装载端口上的所述载体和所述清洁工艺模块之间传送所述基板，
其中所述清洁工艺模块包括：
干燥室，所述干燥室被配置为对在其上表面上残留有有机溶剂的所述基板进行干燥工艺；和
传送组件，所述传送组件被配置为在所述干燥室和所述烘焙室之间传送所述基板，
其中，所述烘焙室对进行了所述干燥工艺的所述基板加热，并且
其中，所述烘焙室设置在所述转位模块上。
16.根据权利要求15所述的装置，还包括：
液体处理室，所述液体处理室被配置为通过将所述有机溶剂供应至所述基板来对所述基板进行液体处理。
17.根据权利要求15所述的装置，其中，所述干燥室通过将超临界流体供应至所述基板来处理所述基板。
18.根据权利要求15至17中的任一项所述的装置，还包括：
加热构件，所述加热构件被配置为加热所述基板以热分解附着于所述基板的杂质。
19.根据权利要求15至17中任一项所述的装置，其中，所述烘焙室包括：
壳体，所述壳体具有内部空间；
加热构件，所述加热构件被配置为加热所述基板以热分解附着于所述基板的杂质；和
控制器，所述控制器被配置为控制所述加热构件，并且
其中，所述控制器控制所述加热构件以将所述基板加热至高于附着于所述基板的所述杂质的热分解温度。
20.根据权利要求19所述的装置，其中，所述杂质包括碳，并且
其中，所述控制器控制所述加热构件以将所述基板加热至600℃或更高的温度。
21.根据权利要求19所述的装置，其中，所述烘焙室还包括：
气体供应构件，所述气体供应构件被配置为将惰性气体供应至所述内部空间中；和
排气管线，所述排气管线被配置为排出所述惰性气体。
22.根据权利要求21所述的装置，其中，所述气体供应构件和所述排气管线位于比位于所述内部空间中的所述基板更高的位置。
23.根据权利要求21所述的装置，其中，所述气体供应构件包括附接至所述壳体的侧壁的多个气体供应构件，并且
其中，所述排气管线位于面对所述气体供应构件的区域中。
24.一种使用根据权利要求1所述的装置处理基板的方法，所述方法包括：
溶剂处理步骤，所述溶剂处理步骤将有机溶剂供应至所述基板上以处理所述基板；
干燥步骤，所述干燥步骤将所述基板干燥以去除所述基板上的所述有机溶剂；和
烘焙步骤，所述烘焙步骤加热所述基板以使附着于所述基板的杂质热分解，
其中所述干燥步骤和所述烘焙步骤在不同的室中进行。
25.根据权利要求24所述的方法，其中在所述干燥步骤中，将超临界流体供应至所述基板上以干燥所述基板。
26.根据权利要求24所述的方法，其中在所述烘焙室中执行所述烘焙步骤，所述烘焙室包括被配置为加热所述基板的加热构件，
其中，所述烘焙室包括多个烘焙室，
其中，所述多个烘焙室包括不同的加热构件，并且
其中，在所述多个烘焙室之中根据所述基板选择的具有所述加热构件的所述烘焙室被安装在基板处理装置中，在所述基板处理装置中安装有被配置为执行所述干燥步骤的干燥室，并且在所选择的烘焙室中执行所述烘焙步骤。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述烘焙室的所述加热构件是选自闪光灯、红外灯、紫外灯、激光器和电热丝中的一个。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102571741B1 (ko) * 2020-09-18 2023-08-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR102645023B1 (ko) * 2021-06-25 2024-03-08 주식회사 선반도체 기판 표면상에 존재하는 이온 또는 염 성분의 용해 석출 장치 및 이를 이용한 용해 석출 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211681A (ja) * 1994-01-19 1995-08-11 Hitachi Ltd 洗浄方法および洗浄装置
US6483081B1 (en) * 2000-11-27 2002-11-19 Novellus Systems, Inc. In-line cure furnace and method for using the same
KR20130010826A (ko) * 2011-07-19 2013-01-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 기판의 초임계 건조 방법 및 초임계 건조 장치
CN104064445A (zh) * 2013-03-18 2014-09-24 芝浦机械电子装置股份有限公司 基板处理装置和基板处理方法
CN104681425A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 细美事有限公司 基板处理装置及基板处理方法
CN104919574A (zh) * 2012-11-26 2015-09-16 应用材料公司 用于高深宽比半导体器件结构的具有污染物去除的无黏附干燥工艺
CN107393851A (zh) * 2014-02-27 2017-11-24 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
CN107437513A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 细美事有限公司 传送单元及用于处理基板的装置和方法
KR20180001117A (ko) * 2016-06-27 2018-01-04 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040182416A1 (en) * 2002-07-25 2004-09-23 Allen Susan Davis Method and apparatus for removing minute particle(s) from a surface
WO2004047161A1 (ja) * 2002-11-18 2004-06-03 Tokyo Electron Limited 絶縁膜形成装置
US20060003570A1 (en) * 2003-12-02 2006-01-05 Arulkumar Shanmugasundram Method and apparatus for electroless capping with vapor drying
US7248975B2 (en) * 2005-09-20 2007-07-24 Tech Semiconductor Singapore Pte Ltd Real time monitoring of particulate contamination in a wafer processing chamber
US20090326703A1 (en) * 2007-04-30 2009-12-31 Presley Bryan S Integrated miniature microelectronic device factory
US8182609B1 (en) * 2007-08-09 2012-05-22 Rave, Llc Apparatus and method for direct surface cleaning
KR101109074B1 (ko) * 2009-01-30 2012-02-20 세메스 주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
US9865501B2 (en) * 2013-03-06 2018-01-09 Lam Research Corporation Method and apparatus for remote plasma treatment for reducing metal oxides on a metal seed layer
KR20160026302A (ko) * 2014-08-29 2016-03-09 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치와 기판 처리 방법 및 집적회로 소자 제조 방법
KR101736845B1 (ko) * 2015-06-12 2017-05-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6870944B2 (ja) * 2016-09-26 2021-05-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6740098B2 (ja) * 2016-11-17 2020-08-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR102358561B1 (ko) * 2017-06-08 2022-02-04 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 집적회로 소자 제조 장치
JP6925219B2 (ja) * 2017-09-29 2021-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102573280B1 (ko) * 2018-03-21 2023-09-01 삼성전자주식회사 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211681A (ja) * 1994-01-19 1995-08-11 Hitachi Ltd 洗浄方法および洗浄装置
US6483081B1 (en) * 2000-11-27 2002-11-19 Novellus Systems, Inc. In-line cure furnace and method for using the same
KR20130010826A (ko) * 2011-07-19 2013-01-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 기판의 초임계 건조 방법 및 초임계 건조 장치
CN104919574A (zh) * 2012-11-26 2015-09-16 应用材料公司 用于高深宽比半导体器件结构的具有污染物去除的无黏附干燥工艺
CN104064445A (zh) * 2013-03-18 2014-09-24 芝浦机械电子装置股份有限公司 基板处理装置和基板处理方法
CN104681425A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 细美事有限公司 基板处理装置及基板处理方法
CN107393851A (zh) * 2014-02-27 2017-11-24 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
CN107437513A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 细美事有限公司 传送单元及用于处理基板的装置和方法
KR20180001117A (ko) * 2016-06-27 2018-01-04 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치

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