KR102571741B1 - 기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

어닐 챔버와 같은 열처리 챔버의 개수를 가변할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템을 제공한다. 상기 기판 처리 장치는, 기판을 열처리하는 제1 챔버; 및 열처리 외 다른 방식으로 기판을 처리하는 제2 챔버를 포함하며, 제1 챔버의 개수는 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 제2 챔버의 개수에 따라 가변된다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 {Apparatus for treating substrate and system for treating substrate with the apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 열처리 챔버가 설치되어 있는 기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하는 공정은 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 나눌 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 일반적으로 팹(FAB)으로 정의되는 공간에 설치될 수 있다.
전공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 전공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 노광 공정(Photo-Lithography Process), 웨이퍼 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 웨이퍼 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.
후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 웨이퍼 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 양품과 불량을 선별하는 웨이퍼 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn-In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.
한국공개특허 제10-2016-0045611호 (공개일: 2016.04.27.)
반도체 제조 설비는 기판(예를 들어, 웨이퍼)을 처리하기 위해 공정 챔버(Process Chamber)와 어닐 챔버(Anneal Chamber)를 구비하고 있다. 그런데, 공정 챔버에 비해 어닐 챔버의 사용 빈도가 낮기 때문에, 반도체 제조 설비는 일반적으로 공정 챔버보다 더 적은 개수의 어닐 챔버를 구비하고 있다. 그래서, 다른 공정(예를 들어, 식각 공정, 세정 공정 등)보다 어닐 공정의 공정 시간이 매우 짧음에도 불구하고, 어닐 공정이 필요하게 될 경우 어닐 챔버의 부족에 따른 UPEH(Unit Per Equipment Hour) 저하가 발생할 수 있다.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 어닐 챔버와 같은 열처리 챔버의 개수를 가변할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판을 열처리하는 제1 챔버; 및 열처리 외 다른 방식으로 상기 기판을 처리하는 제2 챔버를 포함하며, 상기 제1 챔버의 개수는 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수에 따라 가변된다.
상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버와 동일 개수 설치되거나, 상기 제2 챔버보다 적은 개수 설치될 수 있다.
상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수는 공정 부산물의 발생 여부에 따라 결정될 수 있다.
상기 공정 부산물의 발생 여부는 공정 온도 및 처리하려는 물질의 종류 중 적어도 하나의 요소에 따라 결정될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판을 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버 중 어느 하나의 챔버로 이동시키는 이송 챔버를 더 포함하며, 상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버가 설치되지 않은 상기 이송 챔버의 측면에 설치될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 이송 챔버의 제1 측면에 설치되며, 상기 기판을 임시 저장하는 버퍼 유닛을 더 포함하며, 상기 제1 챔버는 상기 이송 챔버의 제1 측면 및 상기 제1 측면과 마주하는 상기 이송 챔버의 제2 측면 중 적어도 하나의 측면에 설치될 수 있다.
상기 제1 챔버는 상기 제1 측면에 설치되는 경우, 상기 버퍼 유닛보다 하부에 설치될 수 있다.
상기 제1 챔버는 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면에 설치되는 경우, 상기 제1 측면보다 상기 제2 측면에 더 많은 개수 설치될 수 있다.
상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버와 동일 개수 설치되는 경우, 일대일로 공정 연결될 수 있다.
상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버와 일대일로 공정 연결되는 경우, 상기 제2 챔버와의 거리를 고려하여 일대일로 공정 연결될 수 있다.
상기 제2 챔버는 복수 개 설치되며, 상기 제1 챔버는 유휴 상태 여부에 따라 복수 개의 제2 챔버 중 어느 하나의 제2 챔버와 일시적으로 공정 연결될 수 있다.
상기 제2 챔버는 유휴 상태인 제1 챔버가 복수 개인 경우, 각각의 제1 챔버와의 거리를 고려하여 선택된 어느 하나의 제1 챔버와 공정 연결될 수 있다.
상기 제1 챔버는 어닐 공정을 이용하여 상기 기판을 열처리할 수 있다.
상기 제1 챔버는 장착 및 탈착 가능하게 설치될 수 있다.
상기 제2 챔버는 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하지 않는 경우, 메탈을 소재로 하여 제조된 척을 포함할 수 있다.
상기 제2 챔버는 상기 기판을 식각 처리하거나 세정 처리할 수 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 어닐 공정을 이용하여 기판을 열처리하는 제1 챔버; 및 열처리 외 다른 방식으로 상기 기판을 처리하는 제2 챔버를 포함하며, 상기 제1 챔버의 개수는 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수에 따라 가변되고, 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수는 공정 부산물의 발생 여부에 따라 결정되며, 상기 공정 부산물의 발생 여부는 공정 온도 및 처리하려는 물질의 종류 중 적어도 하나의 요소에 따라 결정된다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 시스템의 일 면은, 기판을 열처리하는 제1 챔버, 및 열처리 외 다른 방식으로 상기 기판을 처리하는 제2 챔버를 포함하는 기판 처리 장치; 및 상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 간 공정 연결 방법을 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 제1 챔버의 개수는 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수에 따라 가변된다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 정면도이다.
도 4는 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 후면도이다.
도 5는 공정 챔버의 설치 위치를 설명하기 위한 예시도이다.
도 6은 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 다양한 공정 연결 방법을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 7은 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 다양한 공정 연결 방법을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 8은 다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 정면도이다.
도 10은 다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 후면도이다.
도 11은 또다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 정면도이다.
도 12는 또다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 후면도이다.
도 13은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구비하는 기판 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 열처리 챔버의 개수를 가변할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 자세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1에 따르면, 기판 처리 장치(100)는 인덱스 모듈(110) 및 공정 처리 모듈(120)을 포함하여 구성될 수 있다.
인덱스 모듈(110) 및 공정 처리 모듈(120)은 일 방향으로 순차적으로 배열될 수 있다. 본 실시예에서는 인덱스 모듈(110) 및 공정 처리 모듈(120)이 배열된 방향을 제1 방향(10)으로 정의하기로 한다. 또한, 위쪽에서 바라볼 때 제1 방향(10)에 수직이 되는 방향을 제2 방향(20)으로 정의하고, 제1 방향(10)과 제2 방향(20)을 포함하는 평면에 수직이 되는 방향을 제3 방향(30)으로 정의한다.
인덱스 모듈(110)은 공정 처리 모듈(120)의 전방에 배치되는 것이다. 이러한 인덱스 모듈(110)은 로드 포트(111) 및 이송 프레임(112)을 포함하여 구성될 수 있다. 인덱스 모듈(110)은 예를 들어, EFEM(Equipment Front End Module)으로 구현될 수 있다.
로드 포트(111)는 기판(예를 들어, 웨이퍼)이 수납되는 컨테이너(130)가 안착되는 것이다. 이러한 로드 포트(111)는 이송 프레임(112)의 전방에 복수 개 제공될 수 있으며, 복수 개의 로드 포트(111)는 제2 방향(20)을 따라 일렬로 배치될 수 있다.
도 1에는 인덱스 모듈(110)에 네 개의 로드 포트(111)가 제공되는 것으로 도시되어 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 로드 포트(111)의 개수는 공정 처리 모듈(120)의 공정 효율, 풋 프린트(Foot-Print) 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.
컨테이너(130)는 복수 개의 기판이 수납되는 것이다. 이러한 컨테이너(130)는 그 내부에 기판의 가장자리를 지지하도록 제공되는 슬롯(Slot; 미도시)을 구비할 수 있다.
슬롯은 제3 방향(30)으로 복수 개 제공될 수 있다. 이때 기판은 제3 방향(30)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되어 컨테이너(130) 내에 위치할 수 있다. 컨테이너(130)는 예를 들어, 전면 개방 일체형 포드(FOUP; Front Opening Unified Pod)으로 구현될 수 있다.
이송 프레임(112)은 로드 포트(111)에 안착되는 컨테이너(130)와 버퍼 유닛(121) 사이에서 기판을 반송하는 것이다. 이러한 이송 프레임(112)은 인덱스 레일(210) 및 인덱스 로봇(220)을 포함하여 구성될 수 있다.
인덱스 레일(210)은 인덱스 로봇(220)이 이동하는 경로를 제공하는 것이다. 이러한 인덱스 레일(210)은 그 길이 방향이 제2 방향(20)과 나란하도록 배치될 수 있다.
인덱스 로봇(220)은 기판을 직접 반송하는 것이다. 이러한 인덱스 로봇(220)은 인덱스 레일(210) 상에 설치될 수 있으며, 인덱스 레일(210) 상에서 제2 방향(20)을 따라 직선 이동할 수 있다.
인덱스 로봇(220)은 제1 베이스(221), 제1 바디(222) 및 인덱스 암(223)을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 제1 베이스(221)는 인덱스 레일(210)을 따라 이동 가능하도록 설치될 수 있다.
제1 바디(222)는 제1 베이스(221)에 결합될 수 있다. 제1 바디(222)는 제1 베이스(221) 상에서 제3 방향(30)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 제1 바디(222)는 제1 베이스(221) 상에서 회전 가능하도록 제공되는 것도 가능하다.
인덱스 암(223)은 제1 바디(222)에 결합되며, 제1 바디(222)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 이러한 인덱스 암(223)은 제1 바디(222) 상에 복수 개 제공되어, 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다.
복수 개의 인덱스 암(223)은 제3 방향(30)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되어 배치될 수 있다. 복수 개의 인덱스 암(223) 중 그 일부는 공정 처리 모듈(120)에서 컨테이너(130)로 기판을 반송할 때 사용되며, 다른 일부는 컨테이너(130)에서 공정 처리 모듈(120)로 기판을 반송할 때 사용될 수 있다. 복수 개의 인덱스 암(223)이 이와 같이 구성되면, 인덱스 로봇(220)이 기판을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판으로부터 발생된 입자가 공정 처리 후의 기판에 부착되는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.
공정 처리 모듈(120)은 버퍼 유닛(121), 이송 챔버(122) 및 공정 챔버(123)를 포함하여 구성될 수 있다.
버퍼 유닛(121)은 이송 프레임(112)과 이송 챔버(122) 사이에서 기판이 반송되기 전에 머무르는 공간을 제공하는 것이다. 버퍼 유닛(121)은 이를 위해 이송 프레임(112)과 이송 챔버(122) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(121)은 예를 들어, 로드락 챔버(Loadlock Chamber)로 구현될 수 있다.
버퍼 유닛(121)은 그 내부에 기판이 안착되는 슬롯(미도시)이 제공될 수 있다. 슬롯은 버퍼 유닛(121) 내에 복수 개 제공될 수 있으며, 복수 개의 슬롯은 상호 간에 제3 방향(30)을 따라 이격되도록 제공될 수 있다. 한편, 버퍼 유닛(121)에서, 이송 프레임(112)과 마주보는 면, 이송 챔버(122)와 마주보는 면 등은 그 각각이 개방될 수 있다.
이송 챔버(122)는 버퍼 유닛(121)과 공정 챔버(123) 사이에서 기판을 반송하는 것이다. 이러한 이송 챔버(122)는 가이드 레일(230) 및 메인 로봇(240)을 포함하여 구성될 수 있다. 한편, 이송 챔버(122)는 서로 다른 두 공정 챔버(123) 사이에서 기판을 반송하는 것도 가능하다.
가이드 레일(230)은 메인 로봇(240)이 이동하는 경로를 제공하는 것이다. 이러한 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제1 방향(10)과 나란하도록 배치될 수 있다.
메인 로봇(240)은 기판을 직접 반송하는 것이다. 이러한 메인 로봇(240)은 가이드 레일(230) 상에 설치될 수 있으며, 가이드 레일(230) 상에서 제1 방향(10)을 따라 직선 이동할 수 있다.
메인 로봇(240)은 제2 베이스(241), 제2 바디(242) 및 메인 암(243)을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 제2 베이스(241)는 가이드 레일(230)을 따라 이동 가능하도록 설치될 수 있다.
제2 바디(242)는 제2 베이스(241)에 결합될 수 있다. 제2 바디(242)는 제2 베이스(241) 상에서 제3 방향(30)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 제2 바디(242)는 제2 베이스(241) 상에서 회전 가능하도록 제공되는 것도 가능하다.
메인 암(243)은 제2 바디(242)에 결합되며, 제2 바디(242)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 이러한 메인 암(243)은 제2 바디(242) 상에 복수 개 제공되어, 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다.
복수 개의 메인 암(243)은 제3 방향(30)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되어 배치될 수 있다. 복수 개의 메인 암(243) 중 그 일부는 버퍼 유닛(121)에서 공정 챔버(123)로 기판을 반송할 때 사용될 수 있으며, 다른 일부는 공정 챔버(123)에서 버퍼 유닛(121)으로 기판을 반송할 때 사용될 수도 있다.
이송 챔버(122)는 그 길이 방향이 제1 방향(10)과 평행하게 배치될 수 있다. 이때, 제2 방향(20)을 따라 이송 챔버(122)의 양측에는 복수 개의 공정 챔버(123)가 각각 배치될 수 있으며, 이송 챔버(122)의 각 측에는 제1 방향(10)을 따라 복수 개의 공정 챔버(123)가 배치될 수도 있다.
복수 개의 공정 챔버(123)는 서로 적층되어 배치될 수 있다. 즉, 복수 개의 공정 챔버(123)는 이송 챔버(122)의 일측에 X × Y의 배열로 배치될 수 있다. 여기서, X는 1 이상의 자연수로서, 제1 방향(10)을 따라 일렬로 제공되는 공정 챔버(123)의 수를 의미하며, Y는 1 이상의 자연수로서, 제3 방향(30)을 따라 일렬로 제공되는 공정 챔버(123)의 수를 의미한다.
예를 들어, 이송 챔버(122)의 일측에 공정 챔버(123)가 네 개 제공되는 경우, 네 개의 공정 챔버(123)는 2 × 2의 배열로 배치될 수 있으며, 이송 챔버(122)의 일측에 공정 챔버(123)가 여섯 개 제공되는 경우, 여섯 개의 공정 챔버(123)는 3 × 2의 배열로 배치될 수 있다.
한편, 공정 챔버(123)의 개수는 증가하거나 감소할 수 있다. 또한, 공정 챔버(123)는 이송 챔버(122)의 일측에만 제공되거나, 이송 챔버(122)의 일측 또는 양측에 단층으로 제공될 수도 있다.
기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(123)와 함께 열처리 챔버(124)도 포함할 수 있다.
도 2는 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 평면도이고, 도 3은 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 정면도이며, 도 4는 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 후면도이다. 이하 설명은 도 2 내지 도 4를 참조한다.
공정 챔버(123)는 기판을 처리하는 제1 공정을 수행하는 제2 챔버(123)이다. 이러한 공정 챔버(123)는 열처리 공정 외 다른 공정을 제1 공정으로 수행할 수 있다. 공정 챔버(123)는 예를 들어, 식각 공정(Etching Process), 세정 공정(Cleaning Process) 등을 제1 공정으로 수행할 수 있다.
공정 챔버(123)는 이송 챔버(122)의 양 측면에 설치될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이 인덱스 모듈(110)과 접하는 이송 챔버(122)의 측면을 제1 측면(310)으로 정의하고, 제1 측면과 마주하는 이송 챔버(122)의 다른 측면을 제2 측면(320)으로 정의하면, 이송 챔버(122)의 또다른 두 측면은 제3 측면(330) 및 제4 측면(340)으로 정의될 수 있다. 공정 챔버(123)는 이와 같은 경우, 이송 챔버(122)의 제3 측면(330) 및 제4 측면(340)에 각각 설치될 수 있다. 도 5는 공정 챔버의 설치 위치를 설명하기 위한 예시도이다.
공정 챔버(123)는 이송 챔버(122)의 양 측면에 복수 개 설치될 수 있다. 공정 챔버(123)는 예를 들어, 이송 챔버(122)의 각 측면에 세 개씩 여섯 개 설치될 수 있다. 이하에서는 공정 챔버(123)가 이송 챔버(122)의 양 측면에 여섯 개 설치되는 경우를 예로 들어 설명할 것이나, 본 실시예에서 공정 챔버(123)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
공정 챔버(123)가 이송 챔버(122)의 양 측면에 복수 개 설치되는 경우, 복수 개의 공정 챔버(123)는 모두 동일한 공정을 수행할 수 있다. 복수 개의 공정 챔버(123)는 예를 들어, 모두 식각 공정을 수행할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 복수 개의 공정 챔버(123)는 모두 서로 다른 공정을 수행하는 것도 가능하다.
한편, 복수 개의 공정 챔버(123) 중 몇몇은 동일한 공정을 수행하고, 다른 몇몇은 다른 공정을 수행할 수도 있다. 예를 들어, 이송 챔버(122)의 일 측면에 설치되는 적어도 하나의 공정 챔버(123)는 식각 공정을 수행하고, 이송 챔버(122)의 타 측면에 설치되는 적어도 하나의 공정 챔버(123)는 세정 공정을 수행할 수 있다.
열처리 챔버(124)는 기판을 열처리하는 제2 공정을 수행하는 제1 챔버이다. 열처리 챔버(124)는 예를 들어, 어닐 공정(Anneal Process)을 제2 공정으로 수행할 수 있다.
열처리 챔버(124)는 이송 챔버(122)의 일 측면 또는 양 측면에 설치될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이 이송 챔버(122)의 각 측면이 정의되는 경우, 열처리 챔버(124)는 이송 챔버(122)의 제1 측면(310) 및 제2 측면(320) 중 적어도 하나의 측면에 설치될 수 있다.
열처리 챔버(124)는 이송 챔버(122)의 일 측면 또는 양 측면에 복수 개 설치될 수 있다. 이 경우, 열처리 챔버(124)는 공정 챔버(123)와 동일 개수 설치될 수 있다.
앞서 설명하였지만, 공정 챔버(123)는 이송 챔버(122)의 제3 측면(330) 및 제4 측면(340)에 여섯 개 설치될 수 있다. 이 경우, 열처리 챔버(124)도 이송 챔버(122)의 제1 측면(310) 및 제2 측면(320)에 여섯 개 설치될 수 있다.
열처리 챔버(124)가 이송 챔버(122)의 제1 측면(310) 및 제2 측면(320)에 여섯 개 설치되는 경우, 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 두 개 설치되고, 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 네 개 설치될 수 있다.
열처리 챔버(124)가 이송 챔버(122)의 제1 측면(310) 및 제2 측면(320)에 복수 개, 특히 공정 챔버(123)와 동일 개수 설치되는 경우, 상기와 같이 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)보다 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 더 많이 설치될 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 열처리 챔버(124)는 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)과 제2 측면(320)에 동일 개수 설치되거나, 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)보다 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 더 많이 설치되는 것도 가능하다.
열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에 L개 구비되는 경우, 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)보다 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 더 많이 설치될 수 있다. 예를 들어, 열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에 두 개 구비되는 경우, 두 개의 열처리 챔버(124)는 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 설치될 수 있다.
열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에 M개(여기서, M>L) 구비되는 경우, 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)과 제2 측면(320)에 동일 개수 설치될 수 있다. 예를 들어, 열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에 네 개 구비되는 경우, 두 개의 열처리 챔버(124)는 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 설치되고, 나머지 두 개의 열처리 챔버(124)는 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 설치될 수 있다.
열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에 N개(여기서, N>M) 구비되는 경우, 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)보다 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 더 많이 설치될 수 있다. 예를 들어, 열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에 여섯 개 구비되는 경우, 두 개의 열처리 챔버(124)는 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 설치되고, 나머지 네 개의 열처리 챔버(124)는 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 설치될 수 있다.
상기에서는 열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에 각각 L개, M개 및 N개 구비되는 경우에 대하여 설명하였는데, 본 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
공정 챔버(123)와 열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에 동일 개수 설치되는 경우, 공정 챔버(123)와 열처리 챔버(124)는 일대일로 공정 연결될 수 있다. 여기서, 공정 연결된다는 것은 해당 공정 챔버(123)에서 처리된 기판이 해당 열처리 챔버(124)에서 열처리된다는 것을 의미한다.
이하에서는 공정 챔버(123)와 열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에 각각 여섯 개 설치되는 경우를 예로 들어 설명한다. 도 6은 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 다양한 공정 연결 방법을 설명하기 위한 제1 예시도이다. 이하 설명은 도 6을 참조한다.
제1 공정 챔버(410), 제2 공정 챔버(420) 및 제3 공정 챔버(430)는 이송 챔버(122)의 제3 측면(330)에 설치될 수 있으며, 제4 공정 챔버(440), 제5 공정 챔버(450) 및 제6 공정 챔버(460)는 이송 챔버(122)의 제4 측면(340)에 설치될 수 있다.
또한, 제1 열처리 챔버(510) 및 제2 열처리 챔버(520)는 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 설치될 수 있으며, 제3 열처리 챔버(530), 제4 열처리 챔버(540), 제5 열처리 챔버(550) 및 제6 열처리 챔버(560)는 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 설치될 수 있다. 제3 열처리 챔버(530) 및 제4 열처리 챔버(540)는 제5 열처리 챔버(550) 및 제6 열처리 챔버(560)보다 상위에 설치될 수 있다.
제1 공정 챔버(410) 내지 제6 공정 챔버(460), 및 제1 열처리 챔버(510) 내지 제6 열처리 챔버(560)가 상기와 같이 배치되는 경우, 열처리 챔버(124)는 공정 챔버(123)까지의 이동 거리를 고려하여 공정 챔버(123)와 일대일로 공정 연결될 수 있다.
예를 들어, 제1 열처리 챔버(510)는 제1 공정 챔버(410)와 공정 연결되고, 제2 열처리 챔버(520)는 제4 공정 챔버(440)와 공정 연결되며, 제3 열처리 챔버(530)는 제2 공정 챔버(420)와 공정 연결되고, 제4 열처리 챔버(540)는 제5 공정 챔버(450)와 공정 연결되며, 제5 열처리 챔버(550)는 제3 공정 챔버(430)와 공정 연결되고, 제6 열처리 챔버(560)는 제6 공정 챔버(460)와 공정 연결될 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 열처리 챔버(510) 내지 제6 열처리 챔버(560)는 랜덤으로(Randomly) 제1 공정 챔버(410) 내지 제6 공정 챔버(460)와 일대일로 공정 연결되는 것도 가능하다.
한편, 제1 열처리 챔버(510) 내지 제6 열처리 챔버(560)는 제1 공정 챔버(410) 내지 제6 공정 챔버(460)와 일대일로 공정 연결되지 않을 수 있다. 즉, 제1 열처리 챔버(510) 내지 제6 열처리 챔버(560)는 제1 공정 챔버(410) 내지 제6 공정 챔버(460) 중 어느 하나의 공정 챔버와 미리 정해진 기준에 따라 계속적으로 공정 연결되지 않고, 상황에 따라 일시적으로 공정 연결될 수 있다. 이하에서는 이에 대해 설명한다.
도 7은 일 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 다양한 공정 연결 방법을 설명하기 위한 제2 예시도이다. 이하 설명은 도 7을 참조한다.
기판이 제1 공정 챔버(410) 내지 제6 공정 챔버(460) 중 어느 하나의 공정 챔버에서 처리되면(S610), 상기의 기판에 대해 열처리 공정이 필요한지 여부를 판단한다(S620).
기판에 대해 열처리 공정이 필요한 것으로 판단되면, 제1 열처리 챔버(510) 내지 제6 열처리 챔버(560) 중에서 유휴(Idle) 상태인 열처리 챔버를 검출한다(S630).
유휴 상태인 열처리 챔버가 검출되면, 유휴 상태인 열처리 챔버의 개수가 한 개인지 여부를 판단한다(S640).
유휴 상태인 열처리 챔버의 개수가 한 개가 아닌 것으로 판단되면(즉, 유휴 상태인 열처리 챔버의 개수가 복수 개인 것으로 판단되면), 기판을 처리했던 공정 챔버와 유휴 상태인 각각의 열처리 챔버 간 거리를 계산한다(S650).
이후, 유휴 상태인 복수 개의 열처리 챔버 중에서 기판을 처리했던 공정 챔버로부터 가장 가까운 거리에 위치한 열처리 챔버를 선택한다(S660). 예를 들어, 기판을 처리했던 공정 챔버가 제1 공정 챔버(410)이고, 유휴 상태인 열처리 챔버가 제2 열처리 챔버(520), 제4 열처리 챔버(540) 및 제5 열처리 챔버(550)인 경우, 제1 공정 챔버(410)로부터 가장 가까운 거리에 위치한 제2 열처리 챔버(520)가 선택될 수 있다.
이후, 이송 챔버(122)를 이용하여 기판을 해당 열처리 챔버로 이동시켜, 해당 열처리 챔버에서 기판이 열처리되도록 한다(S670).
한편, 유휴 상태인 열처리 챔버의 개수가 한 개인 것으로 판단되면, 이송 챔버(122)를 이용하여 유휴 상태인 열처리 챔버로 이동시켜, 해당 열처리 챔버에서 기판이 열처리되도록 한다(S680).
한편, 본 실시예에서는 유휴 상태인 열처리 챔버가 검출되고, 유휴 상태인 열처리 챔버의 개수가 복수 개인 경우, 랜덤으로 어느 하나의 열처리 챔버를 선택하여, 해당 열처리 챔버에서 기판이 열처리되도록 하는 것도 가능하다.
한편, 열처리 챔버(124)는 본 실시예에서 기판 처리 장치(100) 내에서 공정 챔버(123)와 동일 개수 설치되는 것에 한정되지 않는다. 즉, 열처리 챔버(124)는 기판 처리 장치(100) 내에서 공정 챔버(123)보다 더 적은 개수 설치되는 것도 가능하다.
그런데, 앞서 설명하였지만, 열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에서 공정 챔버(123)보다 더 적은 개수 설치되면, 공정 챔버(123)에 의해 처리된 기판이 유휴 상태인 열처리 챔버(124)의 부존재로 바로 열처리되지 못하고 대기할 수 있으며, 이에 따라 UPEH(Unit Per Equipment Hour) 저하 현상이 발생할 수 있다.
따라서 본 실시예에서는 복수 개의 공정 챔버(123) 중 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)의 개수에 따라 기판 처리 장치(100) 내에 설치되는 열처리 챔버(124)의 개수를 가변할 수 있는 것을 특징으로 한다. 이하에서는 이에 대해 설명한다.
열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)의 개수는 열처리 공정(예를 들어, 어닐 공정)이 필요한지 여부에 따라 결정될 수 있다. 기판이 공정 챔버(123) 내에서 처리될 때에는 공정 부산물(예를 들어, 파티클(Particle))이 발생할 수 있으며, 공정 부산물이 발생하지 않을 수도 있다.
기판이 공정 챔버(123) 내에서 처리될 때 공정 부산물이 발생하면, 이 기판에 대해서는 열처리 공정이 필요하다. 반면, 기판이 공정 챔버(123) 내에서 처리될 때 공정 부산물이 발생하지 않으면, 이 기판에 대해서는 열처리 공정이 필요하지 않다. 공정 부산물이 발생하는지 여부는 공정 조건(예를 들어, 공정 온도)이나 타겟 물질의 종류(예를 들어, 산화막(SiO2), 질화막(SiN) 등 식각하려는 대상(Etch Amount)) 등에 따라 결정될 수 있다.
기판 처리 장치(100) 내에 공정 챔버(123)가 예를 들어, 열 개 설치되어 있는 경우, 열처리 챔버(124)는 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)의 개수에 따라 최소 0개에서 최대 열 개까지 설치될 수 있다. 열처리 챔버(124)는 예를 들어, 도 8 내지 도 11에 도시된 바와 같이 여덟 개 설치될 수 있다.
열처리 챔버(124)의 설치 개수는 상기에서 설명한 바와 같이 기판 처리 장치(100) 내에서 가변될 수 있으므로, 장착 및 탈착 가능하게 설치되는 것이 바람직하다. 열처리 챔버(124)가 설치될 수 있는 공간은 공정 챔버(123)의 개수에 대응하여 미리 마련되어 있으며, 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)의 개수에 따라 열처리 챔버(124)의 개수는 조정될 수 있다.
도 8은 다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 평면도이고, 도 9는 다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 정면도이며, 도 10은 다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 후면도이다.
기판 처리 장치(100) 내에 공정 챔버(123)가 도 8에 도시된 바와 같이 열 개 설치되어 있는 경우, 열처리 챔버(124)는 최대 열 개까지 설치될 수 있으므로, 열처리 챔버(124)가 설치될 수 있는 공간(705 내지 750) 역시 열 개까지 마련될 수 있다.
열처리 챔버(124)가 설치될 수 있는 공간(705 내지 750)이 열 개 마련되는 경우, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 네 개 마련되고, 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 여섯 개 마련될 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서는 열처리 챔버(124)가 설치될 수 있는 공간(705 내지 750)이 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 적어도 하나 마련되고, 그 나머지가 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 마련된다면 그것으로 충분하다. 한편, 본 실시예에서는 이송 챔버(122)의 제1 측면(310) 및 제2 측면(320) 중 어느 하나의 측면에 열처리 챔버(124)가 설치될 수 있는 공간(705 내지 750)이 모두 마련되는 것도 가능하다.
이하에서는 열처리 챔버(124)가 설치될 수 있는 공간(705 내지 750)이 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 네 개(705 내지 720) 마련되고 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 여섯 개(725 내지 750) 마련되며, 열처리 챔버(124)가 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)의 개수에 따라 여덟 개 설치되는 경우에 대하여 설명한다.
열처리 챔버(124)는 상기와 같은 경우 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 이송 챔버(122)의 제1 측면(310) 및 제2 측면(320)에 각각 네 개씩 설치될 수 있다. 예를 들어, 제1 열처리 챔버 내지 제4 열처리 챔버가 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 마련된 네 개의 공간(705, 710, 715, 720)에 설치되고, 제5 열처리 챔버 내지 제8 열처리 챔버가 이송 챔버(122)의 제2 측면(310)에 마련된 여섯 개의 공간(725, 730, 735, 740, 745, 750) 중 네 개의 공간(725, 730, 735, 740)에 설치될 수 있다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서는 여덟 개의 열처리 챔버(124)가 미리 마련된 열 개의 공간(705 내지 750) 중에서 자유롭게 선택하여 설치될 수 있다.
예를 들어, 열처리 챔버(124)는 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 두 개 설치되고, 이송 챔버(122)의 제2 측면(320)에 여섯 개 설치되는 것도 가능하다. 이 경우, 제1 열처리 챔버 및 제2 열처리 챔버가 이송 챔버(122)의 제1 측면(310)에 마련된 네 개의 공간(705, 710, 715, 720) 중 두 개의 공간(705, 710)에 설치되고, 제3 열처리 챔버 내지 제8 열처리 챔버가 이송 챔버(122)의 제2 측면(310)에 마련된 여섯 개의 공간(725, 730, 735, 740, 745, 750)에 설치될 수 있다. 도 11은 또다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 정면도이며, 도 12는 또다른 실시 형태에 따른 공정 챔버와 열처리 챔버 간 배치 구조를 설명하기 위한 후면도이다.
열처리 챔버(124)는 앞서 설명한 바와 같이 기판 처리 장치(100) 내에 장착 및 탈착 가능하게 설치될 수 있다. 열처리 챔버(124)는 예를 들어, 책상 서랍과 같은 방식으로 기판 처리 장치(100) 내에 설치될 수 있다. 또는, 열처리 챔버(124)는 거치대와 같은 형태로 마련된 장치 내의 수납 공간 상에 설치되는 것도 가능하다.
한편, 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)의 개수에 따라 열처리 챔버(124)가 기판 처리 장치(100) 내에서 공정 챔버(123)와 동일 개수 설치되거나, 공정 챔버(123)보다 더 적은 개수 설치되는 경우, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한 공정 챔버(123)와 열처리 챔버(124) 간 다양한 공정 연결 방법이 상기의 경우에도 동일하게 적용될 수 있음은 물론이다.
한편, 기판 처리 장치(100) 내에 설치되어 있는 복수 개의 공정 챔버(123) 중에서 열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)가 결정되면, 이에 따라 공정 챔버(123) 내에 설치되는 척(Chuck)의 재질을 결정할 수 있다.
정전 척(ESC; Electro-Static Chuck)의 경우, 기판을 처리하는 도중에 온도 가변이 어려운 문제가 있다. 따라서 본 실시예에서는, 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)의 경우, 그 내부에 세라믹(Ceramic)을 소재로 하여 제조된 척을 설치하고, 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하지 않는 공정 챔버(123)의 경우, 그 내부에 메탈(Metal)을 소재로 하여 제조된 척을 설치할 수 있다.
메탈 척의 경우, 고온에서 저온으로, 또는 저온에서 고온으로, 온도 전환이 빠른 잇점이 있다. 따라서, 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하지 않는 공정 챔버(123)의 경우, 메탈을 소재로 하여 제조된 척을 사용하면, 공정 시간 및 공정 효율을 더욱 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.
메탈을 소재로 하여 제조되는 척의 경우, 예를 들어 스테인레스 스틸(Stainless Steel; SUS)을 소재로 하여 제조될 수 있다.
한편, 열처리 챔버(124)는 기판 처리 장치(100) 내에서 공정 챔버(123)보다 더 많은 개수 설치될 수도 있다.
다음으로, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구비하는 기판 처리 시스템에 대하여 설명한다.
도 13은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구비하는 기판 처리 시스템을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 13에 따르면, 기판 처리 시스템(800)은 기판 처리 장치(100) 및 제어부(810)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판 처리 장치(100)는 도 1 내지 도 12를 참조하여 전술하였으므로, 여기서는 그 자세한 설명을 생략한다.
제어부(810)는 기판 처리 장치(100)를 제어하는 기능을 한다. 제어부(810)는 이를 위해 연산 기능 및 제어 기능을 갖춘 프로세서, 저장 기능을 갖춘 메모리, 통신 기능을 갖춘 통신부 등이 탑재된 장치로 구현될 수 있다. 제어부(810)는 예를 들어, 컴퓨터나 서버 등으로 구현될 수 있다.
제어부(810)는 본 실시예에서 공정 챔버(123)와 열처리 챔버(124) 간 다양한 공정 연결 방법을 제어할 수 있다. 제어부(810)는 예를 들어, 도 7을 참조하여 설명한 방법을 제어할 수 있다.
또한 제어부(810)는 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)의 개수를 결정하는 방법, 기판에 대한 열처리 공정을 필요로 하는 공정 챔버(123)의 개수에 따라 설치되는 열처리 챔버(124)의 배치 구조를 결정하는 방법 등을 제어하는 것도 가능하다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 처리 장치 110: 인덱스 모듈
111: 로드 포트 112: 이송 프레임
120: 공정 처리 모듈 121: 버퍼 유닛
122: 이송 챔버 123: 공정 챔버
124: 열처리 챔버 130: 컨테이너
210: 인덱스 레일 220: 인덱스 로봇
230: 가이드 레일 240: 메인 로봇
310: 이송 챔버의 제1 측면 320: 이송 챔버의 제2 측면
330: 이송 챔버의 제3 측면 340: 이송 챔버의 제4 측면
410: 제1 공정 챔버 420: 제2 공정 챔버
430: 제3 공정 챔버 440: 제4 공정 챔버
450: 제5 공정 챔버 460: 제6 공정 챔버
510: 제1 열처리 챔버 520: 제2 열처리 챔버
530: 제3 열처리 챔버 540: 제4 열처리 챔버
550: 제5 열처리 챔버 560: 제6 열처리 챔버
705 ~ 750: 열처리 챔버의 설치 공간 800: 기판 처리 시스템
810: 제어부

Claims (20)

  1. 기판을 열처리하는 제1 챔버; 및
    열처리 외 다른 방식으로 상기 기판을 처리하는 제2 챔버를 포함하며,
    상기 제1 챔버의 개수는 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수에 따라 가변되고,
    상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수는 공정 부산물의 발생 여부에 따라 결정되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버와 동일 개수 설치되거나, 상기 제2 챔버보다 적은 개수 설치되는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정 부산물의 발생 여부는 공정 온도 및 처리하려는 물질의 종류 중 적어도 하나의 요소에 따라 결정되는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버 중 어느 하나의 챔버로 이동시키는 이송 챔버를 더 포함하며,
    상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버가 설치되지 않은 상기 이송 챔버의 측면에 설치되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 이송 챔버의 제1 측면에 설치되며, 상기 기판을 임시 저장하는 버퍼 유닛을 더 포함하며,
    상기 제1 챔버는 상기 이송 챔버의 제1 측면 및 상기 제1 측면과 마주하는 상기 이송 챔버의 제2 측면 중 적어도 하나의 측면에 설치되는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 챔버는 상기 제1 측면에 설치되는 경우, 상기 버퍼 유닛보다 하부에 설치되는 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 챔버는 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면에 설치되는 경우, 상기 제1 측면보다 상기 제2 측면에 더 많은 개수 설치되는 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버와 동일 개수 설치되는 경우, 일대일로 공정 연결되는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버와 일대일로 공정 연결되는 경우, 상기 제2 챔버와의 거리를 고려하여 일대일로 공정 연결되는 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 챔버는 복수 개 설치되며,
    상기 제1 챔버는 상기 제1 챔버의 유휴 상태 여부에 따라 복수 개의 제2 챔버 중 어느 하나의 제2 챔버와 일시적으로 공정 연결되는 기판 처리 장치.
  12. 기판을 열처리하는 제1 챔버; 및
    열처리 외 다른 방식으로 상기 기판을 처리하는 제2 챔버를 포함하며,
    상기 제1 챔버의 개수는 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수에 따라 가변되고,
    상기 제2 챔버는 유휴 상태인 제1 챔버가 복수 개인 경우, 각각의 제1 챔버와의 거리를 고려하여 선택된 어느 하나의 제1 챔버와 공정 연결되는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 챔버는 어닐 공정을 이용하여 상기 기판을 열처리하는 기판 처리 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 챔버는 장착 및 탈착 가능하게 설치되는 기판 처리 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 챔버는 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하지 않는 경우, 메탈을 소재로 하여 제조된 척을 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 챔버는 상기 기판을 식각 처리하거나 세정 처리하는 기판 처리 장치.
  17. 어닐 공정을 이용하여 기판을 열처리하는 제1 챔버; 및
    열처리 외 다른 방식으로 상기 기판을 처리하는 제2 챔버를 포함하며,
    상기 제1 챔버의 개수는 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수에 따라 가변되고,
    상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수는 공정 부산물의 발생 여부에 따라 결정되며,
    상기 공정 부산물의 발생 여부는 공정 온도 및 처리하려는 물질의 종류 중 적어도 하나의 요소에 따라 결정되는 기판 처리 장치.
  18. 기판을 열처리하는 제1 챔버, 및 열처리 외 다른 방식으로 상기 기판을 처리하는 제2 챔버를 포함하는 기판 처리 장치; 및
    상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버 간 공정 연결 방법을 제어하는 제어부를 포함하며,
    상기 제1 챔버의 개수는 상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수에 따라 가변되고,
    상기 기판에 대한 열처리를 필요로 하는 상기 제2 챔버의 개수는 공정 부산물의 발생 여부에 따라 결정되는 기판 처리 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버와 동일 개수 설치되거나, 상기 제2 챔버보다 적은 개수 설치되는 기판 처리 시스템.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    상기 기판을 상기 제1 챔버 및 상기 제2 챔버 중 어느 하나의 챔버로 이동시키는 이송 챔버를 더 포함하며,
    상기 제1 챔버는 상기 제2 챔버가 설치되지 않은 상기 이송 챔버의 측면에 설치되는 기판 처리 시스템.
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