JP2016225625A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents
基板処理装置及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016225625A JP2016225625A JP2016105631A JP2016105631A JP2016225625A JP 2016225625 A JP2016225625 A JP 2016225625A JP 2016105631 A JP2016105631 A JP 2016105631A JP 2016105631 A JP2016105631 A JP 2016105631A JP 2016225625 A JP2016225625 A JP 2016225625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- substrate processing
- load lock
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Robotics (AREA)
Abstract
【課題】基板を処理する時間を減らすことができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は基板処理装置に関する。本発明の一実施形態による基板処理装置は工程チャンバー及び基板が留まるロードロックチャンバーを含む。ロードロックチャンバーは基板が留まり、工程チャンバーで工程処理された基板に対して熱処理を行い、熱処理が完了された基板を冷却させる。
【選択図】図3
【解決手段】本発明は基板処理装置に関する。本発明の一実施形態による基板処理装置は工程チャンバー及び基板が留まるロードロックチャンバーを含む。ロードロックチャンバーは基板が留まり、工程チャンバーで工程処理された基板に対して熱処理を行い、熱処理が完了された基板を冷却させる。
【選択図】図3
Description
本発明は基板を処理する装置及び方法に関する。
半導体は一般的に膜形成、パターン形成、金属配線形成等のための一連の単位工程が順次的に遂行されることによって製造される。前記単位工程は一般的に工程チャンバーの内部で進行され、半導体製造設備は基板を工程チャンバーの内部に提供するためにロードポート、設備前方端部モジュール、ロードロックチャンバー、及びトランスファーチャンバーを含む。ロードポートは基板が収納されたキャリヤーを支持し、設備前方端部モジュールはロードポートとロードロックチャンバーとの間に基板を移送する移送ロボットを含む。ロードロックチャンバーには基板処理が完了された基板がロードポートへ移送される前又は基板処理に提供される基板が工程チャンバーへ移送される前に待機し、トランスファーチャンバーはロードロックチャンバーと工程チャンバーとの間に基板を移送する。
図1は一般的な基板処理装置を概略的に示す平面図である。図1を参考すれば、基板処理装置100は基板にガスを供給して基板に対する工程を遂行する工程チャンバー110及び基板が留まり、内部圧力が調節されるロードロックチャンバー120を含む。一般的に、工程チャンバー110が真空チャンバーとして提供されて工程チャンバー110で遂行される工程が完了された後、熱処理が要求される工程である場合、ロードロックチャンバー120では基板が留まる間に内部の圧力を工程チャンバー110内の圧力又は大気圧と類似に調節して工程チャンバー110の内外部間の圧力の差を緩衝する役割を果たし、熱処理は1つの工程チャンバー110内でガスの供給による工程処理の後に遂行されるか、或いは工程チャンバー110の中でガスの供給による工程処理を遂行するチャンバーと熱処理が遂行されるチャンバーとが別個に提供されることができる。
熱処理が1つの工程チャンバー内でガスの供給による工程処理の後に遂行される場合、1つのチャンバーでガスの供給による工程処理及び熱処理が共に遂行され、熱処理が遂行されるチャンバーが別個に提供される場合、ガスの供給による工程処理を遂行するチャンバーの数が減少されるので、基板を処理する時間が長くなることによって、基板の生産性が低下される。
本発明の目的は基板を処理する時間を減らすことができる装置及び方法を提供することにある。
また、本発明は基板の生産性を増大させることができる装置及び方法を提供することにある。
本発明が解決しようとする課題が上述した課題に限定されることではなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
本発明は基板処理装置を提供する。本発明の一実施形態による基板処理装置は、設備前方端部モジュールと、前記設備前方端部モジュールに隣接する処理モジュールと、を含み、前記設備前方端部モジュールは、基板が収納される容器が置かれるロードポートと、前記容器と前記処理モジュールとの間に基板を搬送するフレームロボットが提供されたフレームと、を有し、前記処理モジュールは、工程チャンバーと、前記フレームと隣接するように配置され、基板が留まるロードロックチャンバーと、
前記工程チャンバーと前記ロードロックチャンバーとの間に基板を移送するメーンロボットが提供された移送チャンバーと、を含み、前記ロードロックチャンバーは、内部に基板を収容する収容空間を有するハウジングと、前記収容空間に収容された基板を加熱する加熱部材と、前記収容空間に収容された基板を冷却する冷却部材と、を含む。
前記工程チャンバーと前記ロードロックチャンバーとの間に基板を移送するメーンロボットが提供された移送チャンバーと、を含み、前記ロードロックチャンバーは、内部に基板を収容する収容空間を有するハウジングと、前記収容空間に収容された基板を加熱する加熱部材と、前記収容空間に収容された基板を冷却する冷却部材と、を含む。
前記加熱部材及び前記冷却部材は、上下に互いに対向するように提供される。
前記加熱部材及び前記冷却部材の間で基板を上下方向に移動させる昇降部材をさらに含む。
前記加熱部材は、前記冷却部材より上部に提供される。
前記冷却部材は、基板が置かれるプレート;及び前記プレートの内部に提供された冷却流路を含む。
前記プレートには外側面から内側に湾入され、上端から下方向に延長された溝が形成され、前記昇降部材は、基板を支持し、前記溝の内部を通るように上下方向に移動する支え片を含む。
前記溝は、前記プレートの周辺に沿って複数個が形成される。
前記ロードロックチャンバーは、前記収容空間のガスを外部へ排気する排気ラインと、前記排気ラインに設置された排気ポンプと、を含む。
前記排気ラインは、前記ハウジングの上面に連結される。
前記加熱部材は、複数個が提供されたランプを含む。
また、本発明は前記基板処理装置を利用して基板を処理する基板処理方法を提供する。本発明の一実施形態による基板処理方法は、前記工程チャンバー内で基板に処理ガスを供給して基板を処理する第1処理段階と、前記ロードロックチャンバー内で前記第1処理が完了された基板を処理する第2処理段階と、を含む。
前記第1処理段階は、基板に処理ガスを供給して前記基板に反応副産物を生成させる工程である。
前記第2処理段階は、前記加熱部材が基板を加熱する熱処理段階を含む。
前記第2処理段階は、前記冷却部材が前記熱処理が完了された基板を冷却する冷却段階をさらに含む。
前記第1処理段階は、乾式洗浄工程、エッチバック(Etchback)工程、又はフォトレジスト(PR:PhotoResist)を除去する工程を含む。
前記昇華処理段階は、前記熱処理段階の前に、基板がメーンロボットによって前記プレートに安着される段階と、前記プレートに安着された基板が前記昇降部材によって前記加熱部材に隣接する位置まで上昇される段階と、をさらに含む。
前記冷却段階の前に、前記加熱部材に隣接する位置に位置された基板が前記昇降部材によって前記プレートに安着されるように下降される段階をさらに含む。
また本発明は内部圧力を常圧と真空圧との間に調節できるロードロックチャンバー及び基板に対して工程処理が遂行される工程チャンバーを含む基板処理装置を利用して基板を処理する基板処理方法を提供する。本発明の一実施形態による基板処理方法は、前記工程チャンバー内で基板に処理ガスを供給して基板に反応副産物を生成させる反応副産物生成段階と、前記ロードロックチャンバー内で基板を加熱して前記反応副産物を昇華させる昇華処理段階と、を含む。
前記昇華処理段階は、前記ロードロックチャンバー内で前記基板を冷却させる冷却段階をさらに含む。
前記反応副産物生成段階は、乾式洗浄工程を含む。
前記反応副産物生成段階は、エッチバック(Etchback)工程を含む。
前記処理ガスは、窒素、水素又はフルオロ成分を含み、前記反応副産物は(NHxF)ySiFを含み、前記熱処理は、基板を100℃以上に加熱することを含む。
前記冷却が完了された基板を常圧状態で処理する湿式処理段階をさらに含む。
本発明の一実施形態による装置及び方法は基板を処理する時間を減すことができる。
また、本発明の一実施形態による装置及び方法は基板の生産性を増大させることができる。
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してより詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。
本実施形態ではクラスタータイプの構造を有する基板処理装置を例として説明する。しかし、本発明の技術的思想はこれに限定されなく、本発明の特徴は多様な構造の装置に適用することができる。
また、本実施形態では基板として半導体チップ製造のためのウエハーを例として説明する。しかし、本発明の基板処理装置によって処理される基板はウエハーに限定されない。例えば、基板はガラス基板等のように板形状を有する多様な種類であってもよい。
図2は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。図2を参照すれば、基板処理装置1は設備前方端部モジュール(equipment front end module)10と処理モジュール20とを有する。
設備前方端部モジュール10は処理モジュール20の前方に装着されて、ウエハーWが収容された容器16と処理モジュール20との間にウエハーWを移送する。設備前方端部モジュール10は複数のロードポート(loadports)12とフレーム(frame)14とを有する。フレーム14はロードポート12と処理モジュール20との間に位置される。ウエハーWを収容する容器16はオーバーヘッドトランスファー(overhead transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(overhead conveyor)、又は自動案内車輌(automatic guided vehicle)のような移送手段(図示せず)によってロードポート12上に置かれる。容器16は前面開放一体式ポッド(front open unified pod)のような密閉用容器が使用される。フレーム14内にはロードポート12に置かれた容器16と処理モジュール20との間にウエハーWを移送するフレームロボット18が設置される。フレーム14内には容器16のドアを自動に開閉するドアオープナ(図示せず)が設置される。また、フレーム14には清浄空気がフレーム14内の上部から下部に流れるように清浄空気をフレーム14内へ供給するファンフィルタユニット(fanfilter unit)(図示せず)が提供される。
処理モジュール20は設備前方端部モジュール10に隣接するように提供される。処理モジュール20はロードロックチャンバー(loadlock chamber)22、移送チャンバー(transfer chamber)24、及び工程チャンバー(process chamber)26を有する。移送チャンバー24は上部から見る時、大体に多角の形状を有する。移送チャンバー24の側面にはロードロックチャンバー22又は工程チャンバー26が位置される。
図3は図2のロードロックチャンバーを概略的に示した断面図である。図2及び図3を参考すれば、ロードロックチャンバー22は移送チャンバー24の側部の中で設備前方端部モジュール10のフレーム14と隣接する側部に位置され、工程チャンバー26は他の側部に位置される。ロードロックチャンバー22は1つ又は複数個が提供される。一例によれば、ロードロックチャンバー22は2つが提供される。2つのロードロックチャンバー22の中で1つには工程進行のために処理モジュール20に流れ込まれるウエハーWが一時的に留まり、他の1つには工程が完了されて処理モジュール20から流出されるウエハーWが一時的に留まる。これと異なりに、ロードロックチャンバー22は1つ又は複数個が提供され、各々のロードロックチャンバー22でウエハーのローディング及びアンローディングが行われる。また、ロードロックチャンバー22は複数個が上下方向に積層されるように提供されてもよい。
移送チャンバー24及び工程チャンバー26の内部は真空に維持され、ロードロックチャンバー22の内部は真空圧及び大気圧との間に調節されるように提供される。ロードロックチャンバー22は外部汚染物質が移送チャンバー24及び工程チャンバー26へ流れ込まれることを防止する。ロードロックチャンバー22と移送チャンバー24との間、そしてロードロックチャンバー22と設備前方端部モジュール10との間にはゲートバルブ(図示せず)が設置される。設備前方端部モジュール10とロードロックチャンバー22との間にウエハーWが移動される場合、ロードロックチャンバー22と移送チャンバー24との間に提供されるゲートバルブが閉じ、ロードロックチャンバー22と移送チャンバー24との間にウエハーWが移動される場合、ロードロックチャンバー22と設備前方端部モジュール10との間に提供されるゲートバルブが閉じる。
また、本発明の一実施形態による基板処理装置1のロードロックチャンバー22は工程チャンバー26内で工程処理されたウエハーWに対する熱処理及び熱処理が完了されたウエハーWに対する冷却を遂行する。例えば、工程チャンバー26で基板に生成された反応生成物を熱処理、昇華(Sublimation)処理し、ウエハーWを搬出する前に昇華処理されたウエハーWを所定の温度に冷却する。
ロードロックチャンバー22はハウジング200、加熱部材300、冷却部材400、昇降部材500、排気ライン600、及び排気ポンプ700を含む。
ハウジング200は内部にウエハーWを収容する収容空間210を有する。
加熱部材300は収容空間210に収容されたウエハーWを加熱する。加熱部材300はランプで提供される。例えば、加熱部材300はハロゲン(Halogen)ランプで提供される。ランプは複数個が提供される。
冷却部材400は収容空間210に収容されたウエハーWを冷却する。例えば、冷却部材400は加熱部材300によって熱処理された基板をロードロックチャンバー22の外部へ搬出するのに適切な設定された温度まで冷却させる。一実施形態によれば、冷却部材400はプレート410及び冷却流路420を含む。
図4は図3のプレート410を概略的に示した斜視図である。図5は図3の昇降部材500の一部及びプレート410の一部を示した断面図である。図3乃至図5を参考すれば、プレート410にはウエハーWが置かれる。冷却流路420はプレート410の内部に提供される。冷却流路420には冷却水等の冷却流体が流れることによってプレート410の温度を低くする。したがって、プレート410に置かれるウエハーWは所定の温度まで冷却される。プレート410には溝411が形成される。溝411は支え片510が上下方向に移動できるようにプレート410の外側面から内側に湾入され、プレート410の上端から下方向に延長されるように形成される。溝411はプレート410の周辺に沿って複数個が形成される。例えば、溝411はプレート410の一側に2つが形成され、これと対称されるプレート410の他側に2つが形成されている。
加熱部材300及び冷却部材400は収容空間210内で上下に互いに対向するように提供される。加熱部材300は冷却部材400より上部に提供される。
昇降部材500は加熱部材300及び冷却部材400の間でウエハーWを上下方向に移動させる。一実施形態によれば、昇降部材500は支え片510、支持軸520、及び駆動器530を含む。
支え片510はウエハーWを支持し、溝411の内部を通るように上下方向に移動可能に提供される。支え片510は複数個が提供される。例えば、支え片510は溝411と同一の数が提供される。
支持軸520は支え片510と駆動器530とを連結し、駆動器530の駆動力を支え片510へ伝達する。
駆動器530は支え片510を上下方向に移動させる駆動力を発生させる。
排気ライン600は熱処理等によって発生されたフューム(FUME)等が含まれた収容空間210のガスを外部へ排気する。排気ライン600はハウジング200の上面に連結される。したがって、排気ライン600が加熱部材300によってウエハーWが熱処理位置と隣接する位置に連結されることによって、熱処理によって発生されたフューム等が排出されるのに容易である。
排気ポンプ700は排気ライン600に設置される。排気ポンプ700の駆動で収容空間210のガスは排気ライン600を通じて外部へ排気される。排気ポンプ700が収容空間210のガスを排気することによって、ロードロックチャンバー22内部の圧力を真空圧まで減圧させる。
工程チャンバー26はウエハーWに対して所定の工程を遂行する。例えば、工程チャンバー26はウエハーWに処理ガスを供給してウエハーWに反応副産物を生成させる乾式洗浄、エッチバック(ETCHBACK)、又はフォトレジスト(PR:PHOTORESIST)除去等のような工程を遂行するチャンバーである。工程チャンバー26はロードロックチャンバー22の側部に1つ又は複数個が提供される。工程チャンバー26が複数個提供される場合、各々の工程チャンバー26はウエハーWに対して互いに同一の工程を遂行することができる。選択的に工程チャンバー26が複数個提供される場合、工程チャンバー26は順次的にウエハーWに対して一連の工程を遂行することができる。
工程チャンバー26はハウジング72と支持部材74とを有する。ハウジング72は内部に工程が遂行される空間を提供する。支持部材74はハウジング72内に提供され、工程進行の時、ウエハーWを支持する。支持部材74は機械的クランピングによってウエハーWを固定する構造に提供されるか、或いは静電力によってウエハーWを固定する構造に提供される。ハウジング72内には2つの支持部材74が提供される。2つの支持部材74は互いに側方向に並べに配置される。ハウジング72の外壁の中で移送チャンバー24と対向される領域にはウエハーWが出入する出入口76が形成される。出入口76はドア78によって開閉される。出入口76は2つのウエハーWが同時に出入できる幅に提供される。選択的に出入口76はハウジング72内の支持部材74と同一の数が提供され、各々の出入口76は1つのウエハーWが出入できる幅に提供される。ハウジング72に提供される支持部材74の数はさらに増加されてもよい。これと異なりに、ハウジング72には1つの支持部材74が提供されてもよい。
移送チャンバー24内にはメーンロボット30が装着される。メーンロボット30は工程チャンバー26とロードロックチャンバー22との間にウエハーWを移送する。また、工程チャンバー26が複数個提供される場合、メーンロボット30は工程チャンバー26の間にウエハーWを移送することができる。
次には説明を簡単にするため、上述した基板処理装置を利用して本発明の一実施形態による基板を処理する方法を説明する。図6は本発明の基板処理方法を示した順序図である。図2及び図6を参考すれば、本発明の一実施形態による基板処理方法は第1処理段階及び第2処理段階を含む。
第1処理段階は工程チャンバー26内でウエハーWに処理ガスを供給してウエハーWに反応副産物を生成させる反応副産物生成段階(S10)である。例えば、処理ガスは窒素(N2)、水素(H2)、フルオロ(F)成分又はこれを混合した成分を含むガスであり、反応副産物は(NHxF)ySiFを含む材質で提供される。反応副産物生成段階(S20)は工程が進行された後、熱処理が要求される乾式洗浄工程、エッチバック(Etchback)工程、又はウエハーWに塗布されたフォトレジスト(PR:PhotoResist)を除去する工程である。
第2処理段階はロードロックチャンバー22内で反応副産物生成段階(S10)での工程処理が完了されたウエハーWを加熱して反応副産物を昇華させる昇華処理段階(S20)である。
昇華処理段階(S20)はウエハーWがプレート410に安着される段階(S21)、基板上昇段階(S22)、熱処理段階(S23)、基板下降段階(S24)、及び冷却段階(S25)を含む。各段階は順次的に遂行される。
ウエハーWがプレート410に安着される段階(S21)では反応副産物生成段階(S10)で反応部産物が生成されたウエハーWがメーンロボット30によってロードロックチャンバー内へ搬入され、プレート410に安着される。
基板上昇段階(S22)ではプレート410に安着されたウエハーWが加熱部材300による熱処理に適合するように昇降部材500によって加熱部材300に隣接する位置まで上昇される。
熱処理段階(S23)では加熱部材300がウエハーWを加熱する。例えば、反応部産物が生成されたウエハーWを100℃以上に加熱して、反応副産物を昇華(Sublimation)させる。
基板下降段階(S24)では加熱部材300に隣接する位置で加熱部材300によって熱処理されたウエハーWが昇降部材500によってプレート410に安着される。
冷却段階(S25)では冷却部材400がプレート410に安着されたウエハーWを冷却させる。したがって、ウエハーWを外部へ搬出させる前に加熱部材300によって加熱されたウエハーWを搬出に適切な温度に調節する。
以後、冷却段階(S25)で冷却が完了されたウエハーWを常圧状態でウエハーWを処理する湿式処理段階をさらに含む。この場合、冷却段階(S25)の後、ウエハーWはロードロックチャンバー22から湿式工程が遂行される装置に搬送される。
上述したように本発明の実施形態による基板処理装置及び基板処理方法はガスを利用する工程処理後要求される基板に対する熱処理及び熱処理された基板に対する冷却がロードロックチャンバー内で遂行されるので、工程チャンバー内で遂行される工程時間が減少され、別の熱処理チャンバーが要求されないので、基板を処理する時間を減ることができるため、基板の生産性を増大させることができる。
1 基板処理装置
W ウエハー
10 設備前方端部モジュール
20 処理モジュール
22 ロードロックチャンバー
26 工程チャンバー
200 ハウジング
300 加熱部材
400 冷却部材
410 プレート
420 冷却流路
500 昇降部材
600 排気ライン
400 排気ポンプ
W ウエハー
10 設備前方端部モジュール
20 処理モジュール
22 ロードロックチャンバー
26 工程チャンバー
200 ハウジング
300 加熱部材
400 冷却部材
410 プレート
420 冷却流路
500 昇降部材
600 排気ライン
400 排気ポンプ
Claims (28)
- 設備前方端部モジュールと、
前記設備前方端部モジュールに隣接する処理モジュールと、を含み、
前記設備前方端部モジュールは、
基板が収納される容器が置かれるロードポートと、
前記容器と前記処理モジュールとの間に基板を搬送するフレームロボットが提供されたフレームと、を有し、
前記処理モジュールは、
工程チャンバーと、
前記フレームと隣接するように配置され、基板が留まるロードロックチャンバーと、
前記工程チャンバーと前記ロードロックチャンバーとの間に基板を移送するメーンロボットが提供された移送チャンバーと、を含み、
前記ロードロックチャンバーは、
内部に基板を収容する収容空間を有するハウジングと、
前記収容空間に収容された基板を加熱する加熱部材と、
前記収容空間に収容された基板を冷却する冷却部材と、を含む基板処理装置。 - 前記加熱部材及び前記冷却部材は、上下に互いに対向するように提供される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記加熱部材及び前記冷却部材の間で基板を上下方向に移動させる昇降部材をさらに含む請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記加熱部材は、前記冷却部材より上部に提供される請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記冷却部材は、
基板が置かれるプレートと、
前記プレートの内部に提供された冷却流路と、を含む請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記プレートには、外側面から内側に湾入され、上端から下方向に延長された溝が形成され、
前記昇降部材は、基板を支持し、前記溝の内部を通るように上下方向に移動する支え片を含む請求項5に記載の基板処理装置。 - 前記溝は、前記プレートの周辺に沿って複数個が形成される請求項6に記載の基板処理装置。
- 前記ロードロックチャンバーは、
前記収容空間のガスを外部へ排気する排気ラインと、
前記排気ラインに設置された排気ポンプと、含む請求項1乃至請求項7の中でいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記排気ラインは、前記ハウジングの上面に連結される請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記加熱部材は、ランプを含む請求項1乃至請求項7の中でいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記ランプは、複数個に提供される請求項10に記載の基板処理装置。
- 請求項6の基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、
前記工程チャンバー内で基板に処理ガスを供給して基板を処理する第1処理段階と、
前記ロードロックチャンバー内で前記第1処理が完了された基板を処理する第2処理段階と、を含む基板処理方法。 - 前記第1処理段階は、基板に処理ガスを供給して前記基板に反応副産物を生成させる工程である請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記第2処理段階は、前記加熱部材が基板を加熱する熱処理段階を含む請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記第2処理段階は、前記冷却部材が前記熱処理が完了された基板を冷却する冷却段階をさらに含む請求項14に記載の基板処理方法。
- 前記第1処理段階は、乾式洗浄工程を含む請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記第1処理段階は、エッチバック(Etchback)工程を含む請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記第1処理段階は、フォトレジスト(PR:PhotoResist)を除去する工程を含む請求項13に記載の基板処理方法。
- 前記昇華処理段階は、前記熱処理段階の前に、
基板が前記メーンロボットによって前記プレートに安着される段階と、
前記プレートに安着された基板が前記昇降部材によって前記加熱部材に隣接する位置まで上昇される段階と、さらに含む請求項15に記載の基板処理方法。 - 前記冷却段階の前に、
前記加熱部材に隣接する位置に位置された基板が前記昇降部材によって前記プレートに安着されるように下降される段階をさらに含む請求項19に記載の基板処理方法。 - 内部圧力を常圧と真空圧との間に調節できるロードロックチャンバー及び基板に対して工程処理が遂行される工程チャンバーを含む基板処理装置を利用して基板を処理し、
前記工程チャンバー内で基板に処理ガスを供給して基板に反応副産物を生成させる反応副産物生成段階と、
前記ロードロックチャンバー内で基板を加熱して前記反応副産物を昇華させる昇華処理段階と、を含む基板処理方法。 - 前記昇華処理段階は、前記ロードロックチャンバー内で前記基板を冷却させる冷却段階をさらに含む請求項21に記載の基板処理方法。
- 前記反応副産物生成段階は、乾式洗浄工程を含む請求項21に記載の基板処理方法。
- 前記反応副産物生成段階は、エッチバック(Etchback)工程を含む請求項21に記載の基板処理方法。
- 前記処理ガスは、窒素、水素又はフルオロ成分を含む請求項21に記載の基板処理方法。
- 前記反応副産物は、(NHxF)ySiFを含む請求項25に記載の基板処理方法。
- 前記熱処理は、基板を100℃以上に加熱することを含む請求項25に記載の基板処理方法。
- 前記冷却が完了された基板を常圧状態で処理する湿式処理段階をさらに含む請求項22に記載の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020150076187A KR20160141244A (ko) | 2015-05-29 | 2015-05-29 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR10-2015-0076187 | 2015-05-29 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016225625A true JP2016225625A (ja) | 2016-12-28 |
Family
ID=57577142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016105631A Pending JP2016225625A (ja) | 2015-05-29 | 2016-05-26 | 基板処理装置及び方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016225625A (ja) |
KR (1) | KR20160141244A (ja) |
TW (1) | TWI599005B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7109211B2 (ja) | 2018-03-06 | 2022-07-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
KR102541982B1 (ko) * | 2022-04-14 | 2023-06-13 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리시스템 및 기판처리방법 |
KR20240043461A (ko) * | 2022-09-27 | 2024-04-03 | 프리시스 주식회사 | 기판 승하강모듈, 이를 포함하는 기판처리모듈 및 기판처리시스템 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208589A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2005175440A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-06-30 | Applied Materials Inc | 大面積基板処理システムのためのロードロックチャンバ |
JP2008109136A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Applied Materials Inc | 熱プロセスによってエッチングされた基板からハロゲン残渣を除去するための統合された方法 |
JP2015515742A (ja) * | 2012-02-29 | 2015-05-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ロードロック構成内の除害・剥離処理チャンバ |
-
2015
- 2015-05-29 KR KR1020150076187A patent/KR20160141244A/ko active Search and Examination
-
2016
- 2016-05-20 TW TW105115728A patent/TWI599005B/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-05-26 JP JP2016105631A patent/JP2016225625A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000208589A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-07-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2005175440A (ja) * | 2003-10-20 | 2005-06-30 | Applied Materials Inc | 大面積基板処理システムのためのロードロックチャンバ |
JP2008109136A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Applied Materials Inc | 熱プロセスによってエッチングされた基板からハロゲン残渣を除去するための統合された方法 |
JP2015515742A (ja) * | 2012-02-29 | 2015-05-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ロードロック構成内の除害・剥離処理チャンバ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201703209A (zh) | 2017-01-16 |
KR20160141244A (ko) | 2016-12-08 |
TWI599005B (zh) | 2017-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20230162984A1 (en) | Abatement and strip process chamber in a load lock configuration | |
JP4860167B2 (ja) | ロードロック装置,処理システム及び処理方法 | |
JP4048387B2 (ja) | ロードロック機構及び処理装置 | |
US9589819B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2013033965A (ja) | 基板処理装置、基板処理設備、及び基板処理方法 | |
KR101400157B1 (ko) | 기판처리장치, 기판처리설비 및 기판처리방법 | |
JP2016105462A (ja) | 搬送される半導体基板の熱制御のためのバッファステーションおよび半導体基板の搬送方法 | |
KR101935953B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102200759B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2016225625A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
CN111048444B (zh) | 加热板冷却方法和基板处理装置及方法 | |
KR102444876B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWI700764B (zh) | 裝載鎖定裝置中的基板冷卻方法、基板搬運方法及裝載鎖定裝置 | |
KR20190125789A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2005259858A (ja) | 基板処理装置 | |
KR100803562B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101935957B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
KR20210008549A (ko) | 버퍼 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20210008891A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102318392B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2005175068A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102387934B1 (ko) | 가열 플레이트 냉각 방법과 기판 처리 장치 및 방법 | |
US20240222153A1 (en) | Substrate processing apparatus and method of controlling the same | |
JP2011204735A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US20240222156A1 (en) | Substrate treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170117 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170414 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170620 |