JP2016225625A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を処理する時間を減らすことができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は基板処理装置に関する。本発明の一実施形態による基板処理装置は工程チャンバー及び基板が留まるロードロックチャンバーを含む。ロードロックチャンバーは基板が留まり、工程チャンバーで工程処理された基板に対して熱処理を行い、熱処理が完了された基板を冷却させる。
【選択図】図３

Description

本発明は基板を処理する装置及び方法に関する。

半導体は一般的に膜形成、パターン形成、金属配線形成等のための一連の単位工程が順次的に遂行されることによって製造される。前記単位工程は一般的に工程チャンバーの内部で進行され、半導体製造設備は基板を工程チャンバーの内部に提供するためにロードポート、設備前方端部モジュール、ロードロックチャンバー、及びトランスファーチャンバーを含む。ロードポートは基板が収納されたキャリヤーを支持し、設備前方端部モジュールはロードポートとロードロックチャンバーとの間に基板を移送する移送ロボットを含む。ロードロックチャンバーには基板処理が完了された基板がロードポートへ移送される前又は基板処理に提供される基板が工程チャンバーへ移送される前に待機し、トランスファーチャンバーはロードロックチャンバーと工程チャンバーとの間に基板を移送する。

図１は一般的な基板処理装置を概略的に示す平面図である。図１を参考すれば、基板処理装置１００は基板にガスを供給して基板に対する工程を遂行する工程チャンバー１１０及び基板が留まり、内部圧力が調節されるロードロックチャンバー１２０を含む。一般的に、工程チャンバー１１０が真空チャンバーとして提供されて工程チャンバー１１０で遂行される工程が完了された後、熱処理が要求される工程である場合、ロードロックチャンバー１２０では基板が留まる間に内部の圧力を工程チャンバー１１０内の圧力又は大気圧と類似に調節して工程チャンバー１１０の内外部間の圧力の差を緩衝する役割を果たし、熱処理は１つの工程チャンバー１１０内でガスの供給による工程処理の後に遂行されるか、或いは工程チャンバー１１０の中でガスの供給による工程処理を遂行するチャンバーと熱処理が遂行されるチャンバーとが別個に提供されることができる。

熱処理が１つの工程チャンバー内でガスの供給による工程処理の後に遂行される場合、１つのチャンバーでガスの供給による工程処理及び熱処理が共に遂行され、熱処理が遂行されるチャンバーが別個に提供される場合、ガスの供給による工程処理を遂行するチャンバーの数が減少されるので、基板を処理する時間が長くなることによって、基板の生産性が低下される。

本発明の目的は基板を処理する時間を減らすことができる装置及び方法を提供することにある。

また、本発明は基板の生産性を増大させることができる装置及び方法を提供することにある。

本発明が解決しようとする課題が上述した課題に限定されることではなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。

本発明は基板処理装置を提供する。本発明の一実施形態による基板処理装置は、設備前方端部モジュールと、前記設備前方端部モジュールに隣接する処理モジュールと、を含み、前記設備前方端部モジュールは、基板が収納される容器が置かれるロードポートと、前記容器と前記処理モジュールとの間に基板を搬送するフレームロボットが提供されたフレームと、を有し、前記処理モジュールは、工程チャンバーと、前記フレームと隣接するように配置され、基板が留まるロードロックチャンバーと、
前記工程チャンバーと前記ロードロックチャンバーとの間に基板を移送するメーンロボットが提供された移送チャンバーと、を含み、前記ロードロックチャンバーは、内部に基板を収容する収容空間を有するハウジングと、前記収容空間に収容された基板を加熱する加熱部材と、前記収容空間に収容された基板を冷却する冷却部材と、を含む。

前記加熱部材及び前記冷却部材は、上下に互いに対向するように提供される。

前記加熱部材及び前記冷却部材の間で基板を上下方向に移動させる昇降部材をさらに含む。

前記加熱部材は、前記冷却部材より上部に提供される。

前記冷却部材は、基板が置かれるプレート；及び前記プレートの内部に提供された冷却流路を含む。

前記プレートには外側面から内側に湾入され、上端から下方向に延長された溝が形成され、前記昇降部材は、基板を支持し、前記溝の内部を通るように上下方向に移動する支え片を含む。

前記溝は、前記プレートの周辺に沿って複数個が形成される。

前記ロードロックチャンバーは、前記収容空間のガスを外部へ排気する排気ラインと、前記排気ラインに設置された排気ポンプと、を含む。

前記排気ラインは、前記ハウジングの上面に連結される。

前記加熱部材は、複数個が提供されたランプを含む。

また、本発明は前記基板処理装置を利用して基板を処理する基板処理方法を提供する。本発明の一実施形態による基板処理方法は、前記工程チャンバー内で基板に処理ガスを供給して基板を処理する第１処理段階と、前記ロードロックチャンバー内で前記第１処理が完了された基板を処理する第２処理段階と、を含む。

前記第１処理段階は、基板に処理ガスを供給して前記基板に反応副産物を生成させる工程である。

前記第２処理段階は、前記加熱部材が基板を加熱する熱処理段階を含む。

前記第２処理段階は、前記冷却部材が前記熱処理が完了された基板を冷却する冷却段階をさらに含む。

前記第１処理段階は、乾式洗浄工程、エッチバック（Ｅｔｃｈｂａｃｋ）工程、又はフォトレジスト（ＰＲ：ＰｈｏｔｏＲｅｓｉｓｔ）を除去する工程を含む。

前記昇華処理段階は、前記熱処理段階の前に、基板がメーンロボットによって前記プレートに安着される段階と、前記プレートに安着された基板が前記昇降部材によって前記加熱部材に隣接する位置まで上昇される段階と、をさらに含む。

前記冷却段階の前に、前記加熱部材に隣接する位置に位置された基板が前記昇降部材によって前記プレートに安着されるように下降される段階をさらに含む。

また本発明は内部圧力を常圧と真空圧との間に調節できるロードロックチャンバー及び基板に対して工程処理が遂行される工程チャンバーを含む基板処理装置を利用して基板を処理する基板処理方法を提供する。本発明の一実施形態による基板処理方法は、前記工程チャンバー内で基板に処理ガスを供給して基板に反応副産物を生成させる反応副産物生成段階と、前記ロードロックチャンバー内で基板を加熱して前記反応副産物を昇華させる昇華処理段階と、を含む。

前記昇華処理段階は、前記ロードロックチャンバー内で前記基板を冷却させる冷却段階をさらに含む。

前記反応副産物生成段階は、乾式洗浄工程を含む。

前記反応副産物生成段階は、エッチバック（Ｅｔｃｈｂａｃｋ）工程を含む。

前記処理ガスは、窒素、水素又はフルオロ成分を含み、前記反応副産物は（ＮＨｘＦ）ｙＳｉＦを含み、前記熱処理は、基板を１００℃以上に加熱することを含む。

前記冷却が完了された基板を常圧状態で処理する湿式処理段階をさらに含む。

本発明の一実施形態による装置及び方法は基板を処理する時間を減すことができる。

また、本発明の一実施形態による装置及び方法は基板の生産性を増大させることができる。

一般的な基板処理装置を概略的に示す平面図である。 本発明の実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。 図２のロードロックチャンバーを概略的に示した断面図である。 図３のプレートを概略的に示した斜視図である。 図３の昇降部材の一部及びプレートの一部を示した断面図である。 本発明の基板処理方法を示した順序図である。

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してより詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている。

本実施形態ではクラスタータイプの構造を有する基板処理装置を例として説明する。しかし、本発明の技術的思想はこれに限定されなく、本発明の特徴は多様な構造の装置に適用することができる。

また、本実施形態では基板として半導体チップ製造のためのウエハーを例として説明する。しかし、本発明の基板処理装置によって処理される基板はウエハーに限定されない。例えば、基板はガラス基板等のように板形状を有する多様な種類であってもよい。

図２は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。図２を参照すれば、基板処理装置１は設備前方端部モジュール（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ）１０と処理モジュール２０とを有する。

設備前方端部モジュール１０は処理モジュール２０の前方に装着されて、ウエハーＷが収容された容器１６と処理モジュール２０との間にウエハーＷを移送する。設備前方端部モジュール１０は複数のロードポート（ｌｏａｄｐｏｒｔｓ）１２とフレーム（ｆｒａｍｅ）１４とを有する。フレーム１４はロードポート１２と処理モジュール２０との間に位置される。ウエハーＷを収容する容器１６はオーバーヘッドトランスファー（ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベヤー（ｏｖｅｒｈｅａｄ ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車輌（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｇｕｉｄｅｄ ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）によってロードポート１２上に置かれる。容器１６は前面開放一体式ポッド（ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）のような密閉用容器が使用される。フレーム１４内にはロードポート１２に置かれた容器１６と処理モジュール２０との間にウエハーＷを移送するフレームロボット１８が設置される。フレーム１４内には容器１６のドアを自動に開閉するドアオープナ（図示せず）が設置される。また、フレーム１４には清浄空気がフレーム１４内の上部から下部に流れるように清浄空気をフレーム１４内へ供給するファンフィルタユニット（ｆａｎｆｉｌｔｅｒ ｕｎｉｔ）（図示せず）が提供される。

処理モジュール２０は設備前方端部モジュール１０に隣接するように提供される。処理モジュール２０はロードロックチャンバー（ｌｏａｄｌｏｃｋ ｃｈａｍｂｅｒ）２２、移送チャンバー（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｃｈａｍｂｅｒ）２４、及び工程チャンバー（ｐｒｏｃｅｓｓ ｃｈａｍｂｅｒ）２６を有する。移送チャンバー２４は上部から見る時、大体に多角の形状を有する。移送チャンバー２４の側面にはロードロックチャンバー２２又は工程チャンバー２６が位置される。

図３は図２のロードロックチャンバーを概略的に示した断面図である。図２及び図３を参考すれば、ロードロックチャンバー２２は移送チャンバー２４の側部の中で設備前方端部モジュール１０のフレーム１４と隣接する側部に位置され、工程チャンバー２６は他の側部に位置される。ロードロックチャンバー２２は１つ又は複数個が提供される。一例によれば、ロードロックチャンバー２２は２つが提供される。２つのロードロックチャンバー２２の中で１つには工程進行のために処理モジュール２０に流れ込まれるウエハーＷが一時的に留まり、他の１つには工程が完了されて処理モジュール２０から流出されるウエハーＷが一時的に留まる。これと異なりに、ロードロックチャンバー２２は１つ又は複数個が提供され、各々のロードロックチャンバー２２でウエハーのローディング及びアンローディングが行われる。また、ロードロックチャンバー２２は複数個が上下方向に積層されるように提供されてもよい。

移送チャンバー２４及び工程チャンバー２６の内部は真空に維持され、ロードロックチャンバー２２の内部は真空圧及び大気圧との間に調節されるように提供される。ロードロックチャンバー２２は外部汚染物質が移送チャンバー２４及び工程チャンバー２６へ流れ込まれることを防止する。ロードロックチャンバー２２と移送チャンバー２４との間、そしてロードロックチャンバー２２と設備前方端部モジュール１０との間にはゲートバルブ（図示せず）が設置される。設備前方端部モジュール１０とロードロックチャンバー２２との間にウエハーＷが移動される場合、ロードロックチャンバー２２と移送チャンバー２４との間に提供されるゲートバルブが閉じ、ロードロックチャンバー２２と移送チャンバー２４との間にウエハーＷが移動される場合、ロードロックチャンバー２２と設備前方端部モジュール１０との間に提供されるゲートバルブが閉じる。

また、本発明の一実施形態による基板処理装置１のロードロックチャンバー２２は工程チャンバー２６内で工程処理されたウエハーＷに対する熱処理及び熱処理が完了されたウエハーＷに対する冷却を遂行する。例えば、工程チャンバー２６で基板に生成された反応生成物を熱処理、昇華（Ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏｎ）処理し、ウエハーＷを搬出する前に昇華処理されたウエハーＷを所定の温度に冷却する。

ロードロックチャンバー２２はハウジング２００、加熱部材３００、冷却部材４００、昇降部材５００、排気ライン６００、及び排気ポンプ７００を含む。

ハウジング２００は内部にウエハーＷを収容する収容空間２１０を有する。

加熱部材３００は収容空間２１０に収容されたウエハーＷを加熱する。加熱部材３００はランプで提供される。例えば、加熱部材３００はハロゲン（Ｈａｌｏｇｅｎ）ランプで提供される。ランプは複数個が提供される。

冷却部材４００は収容空間２１０に収容されたウエハーＷを冷却する。例えば、冷却部材４００は加熱部材３００によって熱処理された基板をロードロックチャンバー２２の外部へ搬出するのに適切な設定された温度まで冷却させる。一実施形態によれば、冷却部材４００はプレート４１０及び冷却流路４２０を含む。

図４は図３のプレート４１０を概略的に示した斜視図である。図５は図３の昇降部材５００の一部及びプレート４１０の一部を示した断面図である。図３乃至図５を参考すれば、プレート４１０にはウエハーＷが置かれる。冷却流路４２０はプレート４１０の内部に提供される。冷却流路４２０には冷却水等の冷却流体が流れることによってプレート４１０の温度を低くする。したがって、プレート４１０に置かれるウエハーＷは所定の温度まで冷却される。プレート４１０には溝４１１が形成される。溝４１１は支え片５１０が上下方向に移動できるようにプレート４１０の外側面から内側に湾入され、プレート４１０の上端から下方向に延長されるように形成される。溝４１１はプレート４１０の周辺に沿って複数個が形成される。例えば、溝４１１はプレート４１０の一側に２つが形成され、これと対称されるプレート４１０の他側に２つが形成されている。

加熱部材３００及び冷却部材４００は収容空間２１０内で上下に互いに対向するように提供される。加熱部材３００は冷却部材４００より上部に提供される。

昇降部材５００は加熱部材３００及び冷却部材４００の間でウエハーＷを上下方向に移動させる。一実施形態によれば、昇降部材５００は支え片５１０、支持軸５２０、及び駆動器５３０を含む。

支え片５１０はウエハーＷを支持し、溝４１１の内部を通るように上下方向に移動可能に提供される。支え片５１０は複数個が提供される。例えば、支え片５１０は溝４１１と同一の数が提供される。

支持軸５２０は支え片５１０と駆動器５３０とを連結し、駆動器５３０の駆動力を支え片５１０へ伝達する。

駆動器５３０は支え片５１０を上下方向に移動させる駆動力を発生させる。

排気ライン６００は熱処理等によって発生されたフューム（ＦＵＭＥ）等が含まれた収容空間２１０のガスを外部へ排気する。排気ライン６００はハウジング２００の上面に連結される。したがって、排気ライン６００が加熱部材３００によってウエハーＷが熱処理位置と隣接する位置に連結されることによって、熱処理によって発生されたフューム等が排出されるのに容易である。

排気ポンプ７００は排気ライン６００に設置される。排気ポンプ７００の駆動で収容空間２１０のガスは排気ライン６００を通じて外部へ排気される。排気ポンプ７００が収容空間２１０のガスを排気することによって、ロードロックチャンバー２２内部の圧力を真空圧まで減圧させる。

工程チャンバー２６はウエハーＷに対して所定の工程を遂行する。例えば、工程チャンバー２６はウエハーＷに処理ガスを供給してウエハーＷに反応副産物を生成させる乾式洗浄、エッチバック（ＥＴＣＨＢＡＣＫ）、又はフォトレジスト（ＰＲ：ＰＨＯＴＯＲＥＳＩＳＴ）除去等のような工程を遂行するチャンバーである。工程チャンバー２６はロードロックチャンバー２２の側部に１つ又は複数個が提供される。工程チャンバー２６が複数個提供される場合、各々の工程チャンバー２６はウエハーＷに対して互いに同一の工程を遂行することができる。選択的に工程チャンバー２６が複数個提供される場合、工程チャンバー２６は順次的にウエハーＷに対して一連の工程を遂行することができる。

工程チャンバー２６はハウジング７２と支持部材７４とを有する。ハウジング７２は内部に工程が遂行される空間を提供する。支持部材７４はハウジング７２内に提供され、工程進行の時、ウエハーＷを支持する。支持部材７４は機械的クランピングによってウエハーＷを固定する構造に提供されるか、或いは静電力によってウエハーＷを固定する構造に提供される。ハウジング７２内には２つの支持部材７４が提供される。２つの支持部材７４は互いに側方向に並べに配置される。ハウジング７２の外壁の中で移送チャンバー２４と対向される領域にはウエハーＷが出入する出入口７６が形成される。出入口７６はドア７８によって開閉される。出入口７６は２つのウエハーＷが同時に出入できる幅に提供される。選択的に出入口７６はハウジング７２内の支持部材７４と同一の数が提供され、各々の出入口７６は１つのウエハーＷが出入できる幅に提供される。ハウジング７２に提供される支持部材７４の数はさらに増加されてもよい。これと異なりに、ハウジング７２には１つの支持部材７４が提供されてもよい。

移送チャンバー２４内にはメーンロボット３０が装着される。メーンロボット３０は工程チャンバー２６とロードロックチャンバー２２との間にウエハーＷを移送する。また、工程チャンバー２６が複数個提供される場合、メーンロボット３０は工程チャンバー２６の間にウエハーＷを移送することができる。

次には説明を簡単にするため、上述した基板処理装置を利用して本発明の一実施形態による基板を処理する方法を説明する。図６は本発明の基板処理方法を示した順序図である。図２及び図６を参考すれば、本発明の一実施形態による基板処理方法は第１処理段階及び第２処理段階を含む。

第１処理段階は工程チャンバー２６内でウエハーＷに処理ガスを供給してウエハーＷに反応副産物を生成させる反応副産物生成段階（Ｓ１０）である。例えば、処理ガスは窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、フルオロ（Ｆ）成分又はこれを混合した成分を含むガスであり、反応副産物は（ＮＨｘＦ）ｙＳｉＦを含む材質で提供される。反応副産物生成段階（Ｓ２０）は工程が進行された後、熱処理が要求される乾式洗浄工程、エッチバック（Ｅｔｃｈｂａｃｋ）工程、又はウエハーＷに塗布されたフォトレジスト（ＰＲ：ＰｈｏｔｏＲｅｓｉｓｔ）を除去する工程である。

第２処理段階はロードロックチャンバー２２内で反応副産物生成段階（Ｓ１０）での工程処理が完了されたウエハーＷを加熱して反応副産物を昇華させる昇華処理段階（Ｓ２０）である。

昇華処理段階（Ｓ２０）はウエハーＷがプレート４１０に安着される段階（Ｓ２１）、基板上昇段階（Ｓ２２）、熱処理段階（Ｓ２３）、基板下降段階（Ｓ２４）、及び冷却段階（Ｓ２５）を含む。各段階は順次的に遂行される。

ウエハーＷがプレート４１０に安着される段階（Ｓ２１）では反応副産物生成段階（Ｓ１０）で反応部産物が生成されたウエハーＷがメーンロボット３０によってロードロックチャンバー内へ搬入され、プレート４１０に安着される。

基板上昇段階（Ｓ２２）ではプレート４１０に安着されたウエハーＷが加熱部材３００による熱処理に適合するように昇降部材５００によって加熱部材３００に隣接する位置まで上昇される。

熱処理段階（Ｓ２３）では加熱部材３００がウエハーＷを加熱する。例えば、反応部産物が生成されたウエハーＷを１００℃以上に加熱して、反応副産物を昇華（Ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏｎ）させる。

基板下降段階（Ｓ２４）では加熱部材３００に隣接する位置で加熱部材３００によって熱処理されたウエハーＷが昇降部材５００によってプレート４１０に安着される。

冷却段階（Ｓ２５）では冷却部材４００がプレート４１０に安着されたウエハーＷを冷却させる。したがって、ウエハーＷを外部へ搬出させる前に加熱部材３００によって加熱されたウエハーＷを搬出に適切な温度に調節する。

以後、冷却段階（Ｓ２５）で冷却が完了されたウエハーＷを常圧状態でウエハーＷを処理する湿式処理段階をさらに含む。この場合、冷却段階（Ｓ２５）の後、ウエハーＷはロードロックチャンバー２２から湿式工程が遂行される装置に搬送される。

上述したように本発明の実施形態による基板処理装置及び基板処理方法はガスを利用する工程処理後要求される基板に対する熱処理及び熱処理された基板に対する冷却がロードロックチャンバー内で遂行されるので、工程チャンバー内で遂行される工程時間が減少され、別の熱処理チャンバーが要求されないので、基板を処理する時間を減ることができるため、基板の生産性を増大させることができる。

１ 基板処理装置
Ｗ ウエハー
１０ 設備前方端部モジュール
２０ 処理モジュール
２２ ロードロックチャンバー
２６ 工程チャンバー
２００ ハウジング
３００ 加熱部材
４００ 冷却部材
４１０ プレート
４２０ 冷却流路
５００ 昇降部材
６００ 排気ライン
４００ 排気ポンプ

Claims (28)

1. 設備前方端部モジュールと、
   前記設備前方端部モジュールに隣接する処理モジュールと、を含み、
   前記設備前方端部モジュールは、
   基板が収納される容器が置かれるロードポートと、
   前記容器と前記処理モジュールとの間に基板を搬送するフレームロボットが提供されたフレームと、を有し、
   前記処理モジュールは、
   工程チャンバーと、
   前記フレームと隣接するように配置され、基板が留まるロードロックチャンバーと、
   前記工程チャンバーと前記ロードロックチャンバーとの間に基板を移送するメーンロボットが提供された移送チャンバーと、を含み、
   前記ロードロックチャンバーは、
   内部に基板を収容する収容空間を有するハウジングと、
   前記収容空間に収容された基板を加熱する加熱部材と、
   前記収容空間に収容された基板を冷却する冷却部材と、を含む基板処理装置。
2. 前記加熱部材及び前記冷却部材は、上下に互いに対向するように提供される請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記加熱部材及び前記冷却部材の間で基板を上下方向に移動させる昇降部材をさらに含む請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記加熱部材は、前記冷却部材より上部に提供される請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記冷却部材は、
   基板が置かれるプレートと、
   前記プレートの内部に提供された冷却流路と、を含む請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記プレートには、外側面から内側に湾入され、上端から下方向に延長された溝が形成され、
   前記昇降部材は、基板を支持し、前記溝の内部を通るように上下方向に移動する支え片を含む請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記溝は、前記プレートの周辺に沿って複数個が形成される請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記ロードロックチャンバーは、
   前記収容空間のガスを外部へ排気する排気ラインと、
   前記排気ラインに設置された排気ポンプと、含む請求項１乃至請求項７の中でいずれかに記載の基板処理装置。
9. 前記排気ラインは、前記ハウジングの上面に連結される請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記加熱部材は、ランプを含む請求項１乃至請求項７の中でいずれかに記載の基板処理装置。
11. 前記ランプは、複数個に提供される請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 請求項６の基板処理装置を利用して基板を処理する方法において、
    前記工程チャンバー内で基板に処理ガスを供給して基板を処理する第１処理段階と、
    前記ロードロックチャンバー内で前記第１処理が完了された基板を処理する第２処理段階と、を含む基板処理方法。
13. 前記第１処理段階は、基板に処理ガスを供給して前記基板に反応副産物を生成させる工程である請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記第２処理段階は、前記加熱部材が基板を加熱する熱処理段階を含む請求項１２に記載の基板処理方法。
15. 前記第２処理段階は、前記冷却部材が前記熱処理が完了された基板を冷却する冷却段階をさらに含む請求項１４に記載の基板処理方法。
16. 前記第１処理段階は、乾式洗浄工程を含む請求項１３に記載の基板処理方法。
17. 前記第１処理段階は、エッチバック（Ｅｔｃｈｂａｃｋ）工程を含む請求項１３に記載の基板処理方法。
18. 前記第１処理段階は、フォトレジスト（ＰＲ：ＰｈｏｔｏＲｅｓｉｓｔ）を除去する工程を含む請求項１３に記載の基板処理方法。
19. 前記昇華処理段階は、前記熱処理段階の前に、
    基板が前記メーンロボットによって前記プレートに安着される段階と、
    前記プレートに安着された基板が前記昇降部材によって前記加熱部材に隣接する位置まで上昇される段階と、さらに含む請求項１５に記載の基板処理方法。
20. 前記冷却段階の前に、
    前記加熱部材に隣接する位置に位置された基板が前記昇降部材によって前記プレートに安着されるように下降される段階をさらに含む請求項１９に記載の基板処理方法。
21. 内部圧力を常圧と真空圧との間に調節できるロードロックチャンバー及び基板に対して工程処理が遂行される工程チャンバーを含む基板処理装置を利用して基板を処理し、
    前記工程チャンバー内で基板に処理ガスを供給して基板に反応副産物を生成させる反応副産物生成段階と、
    前記ロードロックチャンバー内で基板を加熱して前記反応副産物を昇華させる昇華処理段階と、を含む基板処理方法。
22. 前記昇華処理段階は、前記ロードロックチャンバー内で前記基板を冷却させる冷却段階をさらに含む請求項２１に記載の基板処理方法。
23. 前記反応副産物生成段階は、乾式洗浄工程を含む請求項２１に記載の基板処理方法。
24. 前記反応副産物生成段階は、エッチバック（Ｅｔｃｈｂａｃｋ）工程を含む請求項２１に記載の基板処理方法。
25. 前記処理ガスは、窒素、水素又はフルオロ成分を含む請求項２１に記載の基板処理方法。
26. 前記反応副産物は、（ＮＨｘＦ）ｙＳｉＦを含む請求項２５に記載の基板処理方法。
27. 前記熱処理は、基板を１００℃以上に加熱することを含む請求項２５に記載の基板処理方法。
28. 前記冷却が完了された基板を常圧状態で処理する湿式処理段階をさらに含む請求項２２に記載の基板処理方法。

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