JP3249765B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＬＣＤ基板
や半導体ウエハ等の基板に対してレジスト液の塗布およ
びレジスト膜の現像等を行うシステムにおいて、基板に
対して加熱処理、冷却処理または疎水化処理を施す基板
処理装置に関する。
や半導体ウエハ等の基板に対してレジスト液の塗布およ
びレジスト膜の現像等を行うシステムにおいて、基板に
対して加熱処理、冷却処理または疎水化処理を施す基板
処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＬＣＤや半導体デバイスの製造に
おいては、被処理体としての基板にフォトレジストを塗
布し、回路パターンに対応してフォトレジストを露光
し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグ
ラフィー技術により回路が形成される。
おいては、被処理体としての基板にフォトレジストを塗
布し、回路パターンに対応してフォトレジストを露光
し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグ
ラフィー技術により回路が形成される。
【０００３】このようなレジスト塗布・現像工程におい
ては、レジストの安定化のためのプリベーク処理、露光
後のポストエクスポージャーベーク処理、および現像後
のポストベーク処理等の加熱処理およびその後の冷却処
理が行われる。これら加熱処理および冷却処理は、それ
ぞれ加熱プレートおよび冷却プレートを備えた加熱処理
装置および冷却処理装置によってなされる。また、ＨＭ
ＤＳなどによる疎水化処理においても、加熱処理装置と
同様の加熱プレートにより基板が加熱される。
ては、レジストの安定化のためのプリベーク処理、露光
後のポストエクスポージャーベーク処理、および現像後
のポストベーク処理等の加熱処理およびその後の冷却処
理が行われる。これら加熱処理および冷却処理は、それ
ぞれ加熱プレートおよび冷却プレートを備えた加熱処理
装置および冷却処理装置によってなされる。また、ＨＭ
ＤＳなどによる疎水化処理においても、加熱処理装置と
同様の加熱プレートにより基板が加熱される。
【０００４】このような加熱処理装置、冷却処理装置ま
たは疎水化処理は、図６に示すように、基板Ｓを加熱ま
たは冷却するためのプレート１０１と、プレート１０１
に形成された複数の穴１０２に挿入された複数のリフト
ピン１０３と、これら複数のリフトピンを支持する支持
部材１０４とを備えており、図示しない昇降機構により
支持部材４を昇降させ、その昇降動作によりリフトピン
１０３が昇降して、基板Ｓを搬送位置と処理位置との間
で移動させることができるようになっている。
たは疎水化処理は、図６に示すように、基板Ｓを加熱ま
たは冷却するためのプレート１０１と、プレート１０１
に形成された複数の穴１０２に挿入された複数のリフト
ピン１０３と、これら複数のリフトピンを支持する支持
部材１０４とを備えており、図示しない昇降機構により
支持部材４を昇降させ、その昇降動作によりリフトピン
１０３が昇降して、基板Ｓを搬送位置と処理位置との間
で移動させることができるようになっている。
【０００５】しかし、加熱処理装置において、基板Ｓを
加熱するためにプレート１０１の温度を上昇させると、
プレート１０１の熱膨張により穴１０２のピッチがずれ
てしまう。冷却処理装置においても、プレート１０１の
収縮によりやはり穴１０２のピッチがずれてしまう。
加熱するためにプレート１０１の温度を上昇させると、
プレート１０１の熱膨張により穴１０２のピッチがずれ
てしまう。冷却処理装置においても、プレート１０１の
収縮によりやはり穴１０２のピッチがずれてしまう。
【０００６】そこで、従来はこのようなプレート１０１
の熱膨張または熱収縮にともなう穴ピッチのずれに対応
するため、穴１０２の径を大きくして穴１０２とピン１
０３との隙間を大きくしている。すなわち、穴１０２の
ピッチがずれても支障なくリフトピン１０３が昇降でき
る程度の隙間を形成している。しかしながら、このよう
に穴１０２の径を大きくすると、その部分では基板Ｓが
加熱、冷却されないため、基板Ｓ上に温度分布のムラが
発生する。
の熱膨張または熱収縮にともなう穴ピッチのずれに対応
するため、穴１０２の径を大きくして穴１０２とピン１
０３との隙間を大きくしている。すなわち、穴１０２の
ピッチがずれても支障なくリフトピン１０３が昇降でき
る程度の隙間を形成している。しかしながら、このよう
に穴１０２の径を大きくすると、その部分では基板Ｓが
加熱、冷却されないため、基板Ｓ上に温度分布のムラが
発生する。
【０００７】このような問題を解決する技術として特開
平８−３１３８５５号に開示されたものがある。この技
術においては、支持体１０４のリフトピン１０３取付部
分にリフトピン１０３の遊びを設け、この遊びによりピ
ン１０３が穴ピッチのずれに追従して移動することがで
きるようにしている。これにより、穴径を大きくする必
要がないので、基板Ｓの温度分布ムラの発生を防止する
ことができる。
平８−３１３８５５号に開示されたものがある。この技
術においては、支持体１０４のリフトピン１０３取付部
分にリフトピン１０３の遊びを設け、この遊びによりピ
ン１０３が穴ピッチのずれに追従して移動することがで
きるようにしている。これにより、穴径を大きくする必
要がないので、基板Ｓの温度分布ムラの発生を防止する
ことができる。
【０００８】しかしながら、この技術の場合には、穴ピ
ッチのずれにともなうリフトピンの追従性が悪く、ピン
が傾いたりしやすい。また、ピンにある程度の剛性が必
要であるため、ピンをあまり細くすることができず、し
たがって穴径もさほど小さくすることができず、温度を
さらに高精度に均一にするには限界があった。
ッチのずれにともなうリフトピンの追従性が悪く、ピン
が傾いたりしやすい。また、ピンにある程度の剛性が必
要であるため、ピンをあまり細くすることができず、し
たがって穴径もさほど小さくすることができず、温度を
さらに高精度に均一にするには限界があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、プレートによって基板を
加熱または冷却する際に基板に温度分布ムラが発生せ
ず、かつ昇降ピン等の昇降部材の追従性が良好な基板処
理装置を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであって、プレートによって基板を
加熱または冷却する際に基板に温度分布ムラが発生せ
ず、かつ昇降ピン等の昇降部材の追従性が良好な基板処
理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１発明は、基板に対して加熱処理、冷却処理、ま
たは疎水化処理を施す基板処理装置であって、基板の下
方に配置され、基板を非接触状態で加熱または冷却する
ためのプレートと、前記プレートに形成された複数の穴
に昇降可能に設けられ、鍔部を有し、基板を昇降させる
複数の昇降部材と、前記プレートの下面の前記複数の昇
降部材にそれぞれ対応した位置に設けられ、前記昇降部
材の鍔部を係止して前記昇降部材が前記プレートから外
れないようにする複数の係止部と、前記複数の昇降部材
とは分離して設けられ、前記複数の昇降部材を押し上げ
る押し上げ機構とを具備し、 前記昇降部材は、前記押し
上げ機構により押し上げられることによりその先端が前
記プレート上に突出し、前記押し上げ機構を戻すことに
より下降してその鍔部が前記係止部材の係止部に係止さ
れることを特徴とする基板処理装置を提供する。
に、第１発明は、基板に対して加熱処理、冷却処理、ま
たは疎水化処理を施す基板処理装置であって、基板の下
方に配置され、基板を非接触状態で加熱または冷却する
ためのプレートと、前記プレートに形成された複数の穴
に昇降可能に設けられ、鍔部を有し、基板を昇降させる
複数の昇降部材と、前記プレートの下面の前記複数の昇
降部材にそれぞれ対応した位置に設けられ、前記昇降部
材の鍔部を係止して前記昇降部材が前記プレートから外
れないようにする複数の係止部と、前記複数の昇降部材
とは分離して設けられ、前記複数の昇降部材を押し上げ
る押し上げ機構とを具備し、 前記昇降部材は、前記押し
上げ機構により押し上げられることによりその先端が前
記プレート上に突出し、前記押し上げ機構を戻すことに
より下降してその鍔部が前記係止部材の係止部に係止さ
れることを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１１】第２発明は、第１発明において、前記昇降
部材はピン状をなすことを特徴とする基板処理装置を提
供する。第３発明は、第１発明または第２発明におい
て、前記各昇降部材と前記プレートとの間に設けられ、
前記昇降部材が上昇した際に前記昇降部材を下方に付勢
する付勢手段をさらに具備することを特徴とする基板処
理装置を提供する。
部材はピン状をなすことを特徴とする基板処理装置を提
供する。第３発明は、第１発明または第２発明におい
て、前記各昇降部材と前記プレートとの間に設けられ、
前記昇降部材が上昇した際に前記昇降部材を下方に付勢
する付勢手段をさらに具備することを特徴とする基板処
理装置を提供する。
【００１２】第４発明は、基板に対して加熱処理、冷却
処理、または疎水化処理を施す基板処理装置であって、
基板の下方に配置され、基板を加熱または冷却するため
のプレートと、前記プレートに形成された複数の穴に昇
降可能に設けられ、鍔部を有し、基板を昇降する複数の
昇降ピンと、前記プレートの下面の前記複数の昇降ピン
にそれぞれ対応した位置に設けられ、前記昇降ピンの鍔
部を係止して前記昇降ピンが前記プレートから外れない
ようにする複数の係止部と、 前記各昇降ピンと前記プレ
ートとの間に設けられ、前記昇降ピンが上昇された際に
前記昇降ピンを下方に付勢するスプリングと、前記複数
のピンとは分離して設けられ、前記複数の昇降ピンの下
端に当接して押し上げる押し上げ部材と、前記押し上げ
部材を駆動する駆動機構とを具備し、前記昇降ピンは、
前記押し上げ機構により押し上げられることによりその
先端が前記プレート上に突出し、前記押し上げ機構を戻
すことにより前記スプリングの下方への付勢力により下
降してその鍔部が前記係止部材の係止部に係止されるこ
とを特徴とする基板処理装置を提供する。
処理、または疎水化処理を施す基板処理装置であって、
基板の下方に配置され、基板を加熱または冷却するため
のプレートと、前記プレートに形成された複数の穴に昇
降可能に設けられ、鍔部を有し、基板を昇降する複数の
昇降ピンと、前記プレートの下面の前記複数の昇降ピン
にそれぞれ対応した位置に設けられ、前記昇降ピンの鍔
部を係止して前記昇降ピンが前記プレートから外れない
ようにする複数の係止部と、 前記各昇降ピンと前記プレ
ートとの間に設けられ、前記昇降ピンが上昇された際に
前記昇降ピンを下方に付勢するスプリングと、前記複数
のピンとは分離して設けられ、前記複数の昇降ピンの下
端に当接して押し上げる押し上げ部材と、前記押し上げ
部材を駆動する駆動機構とを具備し、前記昇降ピンは、
前記押し上げ機構により押し上げられることによりその
先端が前記プレート上に突出し、前記押し上げ機構を戻
すことにより前記スプリングの下方への付勢力により下
降してその鍔部が前記係止部材の係止部に係止されるこ
とを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１３】第５発明は、第４発明において、前記押し
上げ部材と前記複数の昇降ピンの下端との間にボールが
介在されていることを特徴とする基板処理装置を提供す
る。第６発明は、第４発明において、前記押し上げ部材
と前記複数の昇降ピンの下端との当接部は平面状をなし
ていることを特徴とする基板処理装置を提供する。
上げ部材と前記複数の昇降ピンの下端との間にボールが
介在されていることを特徴とする基板処理装置を提供す
る。第６発明は、第４発明において、前記押し上げ部材
と前記複数の昇降ピンの下端との当接部は平面状をなし
ていることを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１４】第１発明によれば、基板を昇降する複数の
昇降部材が、プレートに形成された穴に昇降可能に設け
られ、かつ鍔部を有しており、この鍔部がプレートの下
面の昇降部材に対応した位置に設けられた係止部に係止
されて昇降部材がプレートから外れないようになってお
り、しかもこれら昇降部材を押し上げる押し上げ機構が
昇降部材とは分離して設けられているので、プレートの
加熱または冷却にともなう穴ずれが生じても昇降部材が
穴に追従して容易に移動可能である。したがって、昇降
部材の周囲の隙間を大きくとる必要がなく、かつ昇降部
材自体が細くても問題がないため、基板の温度分布ムラ
を有効に防止することができる。また、昇降部材がプレ
ートから外れないようになっているため、昇降部材の追
従性は良好である。
昇降部材が、プレートに形成された穴に昇降可能に設け
られ、かつ鍔部を有しており、この鍔部がプレートの下
面の昇降部材に対応した位置に設けられた係止部に係止
されて昇降部材がプレートから外れないようになってお
り、しかもこれら昇降部材を押し上げる押し上げ機構が
昇降部材とは分離して設けられているので、プレートの
加熱または冷却にともなう穴ずれが生じても昇降部材が
穴に追従して容易に移動可能である。したがって、昇降
部材の周囲の隙間を大きくとる必要がなく、かつ昇降部
材自体が細くても問題がないため、基板の温度分布ムラ
を有効に防止することができる。また、昇降部材がプレ
ートから外れないようになっているため、昇降部材の追
従性は良好である。
【００１５】第３発明のように、各昇降部材と前記プレ
ートとの間に設けられ、昇降部材が上昇した際に昇降部
材を下方に付勢する付勢手段を設けることにより、押し
上げ機構の押し上げを解除して下降させる際に、それに
追従して昇降ピンを下降させることができる。
ートとの間に設けられ、昇降部材が上昇した際に昇降部
材を下方に付勢する付勢手段を設けることにより、押し
上げ機構の押し上げを解除して下降させる際に、それに
追従して昇降ピンを下降させることができる。
【００１６】第４発明によれば、基板を昇降する複数の
昇降ピンが、プレートに形成された穴に昇降可能に設け
られ、かつ鍔部を有しており、この鍔部がプレートの下
面の昇降ピンに対応した位置に設けられた係止部に係止
されて昇降ピンがプレートから外れないようになってお
り、しかもこれら昇降ピンの下端に当接して押し上げる
押し上げ部材が昇降ピンとは分離して設けられているの
で、プレートの加熱または冷却にともなう穴ずれが生じ
ても昇降ピンが穴に追従して容易に移動可能である。し
たがって、昇降ピンの周囲の隙間を大きくとる必要がな
く、かつ昇降ピン自体が細くても問題がないため、基板
の温度分布ムラを有効に防止することができる。また、
昇降ピンがプレートから外れないようになっているた
め、昇降ピンの追従性は良好である。さらに、昇降ピン
は、上昇した際に昇降ピンとプレー トとの間に設けられ
たスプリングにより下方に付勢されるので、駆動機構に
より押し上げ部材を下降させた際にそれに追従して昇降
ピンを下降させることができる。
昇降ピンが、プレートに形成された穴に昇降可能に設け
られ、かつ鍔部を有しており、この鍔部がプレートの下
面の昇降ピンに対応した位置に設けられた係止部に係止
されて昇降ピンがプレートから外れないようになってお
り、しかもこれら昇降ピンの下端に当接して押し上げる
押し上げ部材が昇降ピンとは分離して設けられているの
で、プレートの加熱または冷却にともなう穴ずれが生じ
ても昇降ピンが穴に追従して容易に移動可能である。し
たがって、昇降ピンの周囲の隙間を大きくとる必要がな
く、かつ昇降ピン自体が細くても問題がないため、基板
の温度分布ムラを有効に防止することができる。また、
昇降ピンがプレートから外れないようになっているた
め、昇降ピンの追従性は良好である。さらに、昇降ピン
は、上昇した際に昇降ピンとプレー トとの間に設けられ
たスプリングにより下方に付勢されるので、駆動機構に
より押し上げ部材を下降させた際にそれに追従して昇降
ピンを下降させることができる。
【００１７】この場合に、第５発明のように、押し上げ
部材と前記複数の昇降ピンの下端との間にボールが介在
されるようにすることにより、昇降ピンの押し上げ部材
に対する移動が容易となる。さらに、第６発明のよう
に、押し上げ部材と複数の昇降ピンの下端との当接部が
平面状をなすようにすることにより、昇降ピンを押し上
げ部材に対してスライドさせることが可能となり、昇降
ピンの移動が容易となる。
部材と前記複数の昇降ピンの下端との間にボールが介在
されるようにすることにより、昇降ピンの押し上げ部材
に対する移動が容易となる。さらに、第６発明のよう
に、押し上げ部材と複数の昇降ピンの下端との当接部が
平面状をなすようにすることにより、昇降ピンを押し上
げ部材に対してスライドさせることが可能となり、昇降
ピンの移動が容易となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明に係る基板処理装置が適用されるＬＣＤ基板の塗布・
現像処理システムを示す斜視図である。
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明に係る基板処理装置が適用されるＬＣＤ基板の塗布・
現像処理システムを示す斜視図である。
【００１９】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｓを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｓにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間で基板Ｓの搬送を行うための搬送機構３とを備
えている。そして、カセットステーション１においてシ
ステムへのカセットＣの搬入およびシステムからのカセ
ットＣの搬出が行われる。また、搬送機構３はカセット
の配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能
な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカ
セットＣと処理部２との間で基板Ｓの搬送が行われる。
板Ｓを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｓにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間で基板Ｓの搬送を行うための搬送機構３とを備
えている。そして、カセットステーション１においてシ
ステムへのカセットＣの搬入およびシステムからのカセ
ットＣの搬出が行われる。また、搬送機構３はカセット
の配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能
な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカ
セットＣと処理部２との間で基板Ｓの搬送が行われる。
【００２０】処理部２は、前段部分２ａと後段部分２ｂ
とに分かれており、それぞれ中央に通路１５、１６を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部１７が設けら
れている。
とに分かれており、それぞれ中央に通路１５、１６を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部１７が設けら
れている。
【００２１】前段部２ａは、通路１５に沿って移動可能
なメインアーム１８を備えており、通路１５の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット２１、水洗ユニット２２、アド
ヒージョン処理ユニット２３、および冷却ユニット２４
が、他方側には２つのレジスト塗布ユニット２５が配置
されている。一方、後段部２ｂは、通路１６に沿って移
動可能なメインアーム１９を備えており、通路１９の一
方側には複数の加熱処理ユニット２６および冷却ユニッ
ト２７からなる熱系ユニット群２８が、他方側には２つ
の現像処理ユニット２９が配置されている。熱系ユニッ
ト群２８は、ユニットが２段積層されてなる組が通路１
９に沿って３つ並んでおり、上段が加熱処理ユニット２
６であり、下段が冷却ユニット２７である。加熱処理ユ
ニット２６は、レジストの安定化のためのプリベーク、
露光後のポストエクスポージャーベーク、および現像後
のポストベーク処理を行うものである。なお、後段部２
ｂの後端には露光装置（図示せず）との間で基板Ｓの受
け渡しを行うためのインターフェース部３０が設けられ
ている。
なメインアーム１８を備えており、通路１５の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット２１、水洗ユニット２２、アド
ヒージョン処理ユニット２３、および冷却ユニット２４
が、他方側には２つのレジスト塗布ユニット２５が配置
されている。一方、後段部２ｂは、通路１６に沿って移
動可能なメインアーム１９を備えており、通路１９の一
方側には複数の加熱処理ユニット２６および冷却ユニッ
ト２７からなる熱系ユニット群２８が、他方側には２つ
の現像処理ユニット２９が配置されている。熱系ユニッ
ト群２８は、ユニットが２段積層されてなる組が通路１
９に沿って３つ並んでおり、上段が加熱処理ユニット２
６であり、下段が冷却ユニット２７である。加熱処理ユ
ニット２６は、レジストの安定化のためのプリベーク、
露光後のポストエクスポージャーベーク、および現像後
のポストベーク処理を行うものである。なお、後段部２
ｂの後端には露光装置（図示せず）との間で基板Ｓの受
け渡しを行うためのインターフェース部３０が設けられ
ている。
【００２２】上記メインアーム１８は、搬送機構３のア
ーム１１との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、前
段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬入・搬
出、さらには中継部１７との間で基板Ｓの受け渡しを行
う機能を有している。また、メインアーム１９は中継部
１７との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、後段部
２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬入・搬出、さ
らにはインターフェース部３０との間の基板Ｓの受け渡
しを行う機能を有している。このように各処理ユニット
を集約して一体化することにより、省スペース化および
処理の効率化を図ることができる。
ーム１１との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、前
段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬入・搬
出、さらには中継部１７との間で基板Ｓの受け渡しを行
う機能を有している。また、メインアーム１９は中継部
１７との間で基板Ｓの受け渡しを行うとともに、後段部
２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｓの搬入・搬出、さ
らにはインターフェース部３０との間の基板Ｓの受け渡
しを行う機能を有している。このように各処理ユニット
を集約して一体化することにより、省スペース化および
処理の効率化を図ることができる。
【００２３】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｓが、処理部２に
搬送され、まず、洗浄ユニット２１および水洗ユニット
２２により洗浄処理され、レジストの定着性を高めるた
めにアドヒージョン処理ユニット２３にて疎水化処理さ
れ、冷却ユニット２４で冷却後、レジスト塗布ユニット
２５でレジストが塗布される。その後、基板Ｓは、加熱
処理ユニット２６の一つでプリベーク処理され、冷却ユ
ニット２７で冷却された後、インターフェース部３０を
介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露
光される。そして、再びインターフェース部３０を介し
て搬入され、加熱処理ユニット２６の一つでポストエク
スポージャーベーク処理が施される。その後、冷却ユニ
ット２７で冷却された基板Ｓは、現像処理ユニット２９
で現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現
像処理された基板Ｓは、メインアーム１９，１８および
搬送機構３によってカセットステーション１上の所定の
カセットに収容される。
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｓが、処理部２に
搬送され、まず、洗浄ユニット２１および水洗ユニット
２２により洗浄処理され、レジストの定着性を高めるた
めにアドヒージョン処理ユニット２３にて疎水化処理さ
れ、冷却ユニット２４で冷却後、レジスト塗布ユニット
２５でレジストが塗布される。その後、基板Ｓは、加熱
処理ユニット２６の一つでプリベーク処理され、冷却ユ
ニット２７で冷却された後、インターフェース部３０を
介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露
光される。そして、再びインターフェース部３０を介し
て搬入され、加熱処理ユニット２６の一つでポストエク
スポージャーベーク処理が施される。その後、冷却ユニ
ット２７で冷却された基板Ｓは、現像処理ユニット２９
で現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現
像処理された基板Ｓは、メインアーム１９，１８および
搬送機構３によってカセットステーション１上の所定の
カセットに収容される。
【００２４】次に、本発明の対象である加熱処理ユニッ
ト２６について説明する。この加熱処理ユニット２６
は、図２に示すように、筐体４０を有し、その中に基板
Ｓを加熱するための加熱プレート４１がその面を水平に
して配置されている。この加熱プレートにはヒーター
（図示せず）が装着されており、所望の温度に設定可能
となっている。
ト２６について説明する。この加熱処理ユニット２６
は、図２に示すように、筐体４０を有し、その中に基板
Ｓを加熱するための加熱プレート４１がその面を水平に
して配置されている。この加熱プレートにはヒーター
（図示せず）が装着されており、所望の温度に設定可能
となっている。
【００２５】この加熱プレート４１の表面には、複数の
スペーサ４４が設けられており、このスペーサ４４によ
って基板Ｓが保持される。すなわち、プロキシミティ方
式が採用されており、加熱プレート４１と基板Ｓとの直
接の接触を避け、加熱プレート４１からの放熱によっ
て、基板Ｓを加熱処理するようになっている。これによ
り、加熱プレート４１からの基板Ｓの汚染が防止され
る。各スペーサ４４には支持部材４３がねじ止めされて
おり、この支持部材４３により基板Ｓが支持される。
スペーサ４４が設けられており、このスペーサ４４によ
って基板Ｓが保持される。すなわち、プロキシミティ方
式が採用されており、加熱プレート４１と基板Ｓとの直
接の接触を避け、加熱プレート４１からの放熱によっ
て、基板Ｓを加熱処理するようになっている。これによ
り、加熱プレート４１からの基板Ｓの汚染が防止され
る。各スペーサ４４には支持部材４３がねじ止めされて
おり、この支持部材４３により基板Ｓが支持される。
【００２６】加熱プレート４１の上方位置にはカバー４
２が上下動可能に設けられている。このカバー４２は、
基板Ｓの加熱処理の際に加熱プレート４１の表面を覆う
ことにより、基板Ｓに対する外乱を避け、所定の処理雰
囲気を形成するために設けられる。基板Ｓの搬入および
搬出に際しては、カバー４２は上方に退避される。
２が上下動可能に設けられている。このカバー４２は、
基板Ｓの加熱処理の際に加熱プレート４１の表面を覆う
ことにより、基板Ｓに対する外乱を避け、所定の処理雰
囲気を形成するために設けられる。基板Ｓの搬入および
搬出に際しては、カバー４２は上方に退避される。
【００２７】図３に詳細に示すように、加熱プレート４
１には、複数（３つ以上）の穴４６が形成されており、
この中には昇降部材としての複数のリフトピン４５が昇
降可能に設けられている。このリフトピン４５は、加熱
プレート４１の下面に設けられた係止部材４７により係
止され、加熱プレート４１から外れないようになってい
る。具体的には、リフトピン４５の鍔部４５ａが、各リ
フトピンに対応して設けられた係止部材４７の係止部４
７ａに係止されるようになっている。そして、リフトピ
ン４５の下端面は面積が広い当接面４９となっている。
１には、複数（３つ以上）の穴４６が形成されており、
この中には昇降部材としての複数のリフトピン４５が昇
降可能に設けられている。このリフトピン４５は、加熱
プレート４１の下面に設けられた係止部材４７により係
止され、加熱プレート４１から外れないようになってい
る。具体的には、リフトピン４５の鍔部４５ａが、各リ
フトピンに対応して設けられた係止部材４７の係止部４
７ａに係止されるようになっている。そして、リフトピ
ン４５の下端面は面積が広い当接面４９となっている。
【００２８】一方、リフトピン４５の下方には、リフト
ピン４５とは分離して押し上げ部材５０が設けられてお
り、この押し上げ部材５０は駆動機構５３により昇降可
能となっている。押し上げ部材５０のリフトピン４５に
対応する位置には受け部５１が突設されており、その上
面にはピローボール５２がはめ込まれている。そして、
リフトピン４５の当接面４９がこのピローボール５２に
当接するようになっている。
ピン４５とは分離して押し上げ部材５０が設けられてお
り、この押し上げ部材５０は駆動機構５３により昇降可
能となっている。押し上げ部材５０のリフトピン４５に
対応する位置には受け部５１が突設されており、その上
面にはピローボール５２がはめ込まれている。そして、
リフトピン４５の当接面４９がこのピローボール５２に
当接するようになっている。
【００２９】加熱プレート４１の内部のリフトピン４５
周囲にはスプリング４８が設けられており、このスプリ
ング４８はリフトピン４５を下方へ付勢するようになっ
ている。すなわち、リフトピン４５を上昇させる時には
駆動機構５３により押し上げ部材５０を上昇させ、この
押し上げ部材５０によりリフトピン４５を押し上げる
が、リフトピン４５を下降させる時には、押し上げ部材
５０を下降させた際に、スプリング４８の付勢力により
下降させる。
周囲にはスプリング４８が設けられており、このスプリ
ング４８はリフトピン４５を下方へ付勢するようになっ
ている。すなわち、リフトピン４５を上昇させる時には
駆動機構５３により押し上げ部材５０を上昇させ、この
押し上げ部材５０によりリフトピン４５を押し上げる
が、リフトピン４５を下降させる時には、押し上げ部材
５０を下降させた際に、スプリング４８の付勢力により
下降させる。
【００３０】このように構成される加熱処理ユニット２
６においては、まず、カバー４２を上昇させた状態で、
駆動機構５３により押し上げ部材５０を押し上げること
により複数のリフトピン４５を上昇させ、その状態でリ
フトピン４５上に基板Ｓを受け取る。次いで押し上げ部
材５０を下降させることにより、スプリング４８の付勢
力によってリフトピン４７が下降する。これによって、
加熱プレート４１の支持部材４３上に基板Ｓが載置され
る。そしてその後、カバー４２を下降させる。この状態
で加熱プレートにより基板Ｓを加熱処理する。
６においては、まず、カバー４２を上昇させた状態で、
駆動機構５３により押し上げ部材５０を押し上げること
により複数のリフトピン４５を上昇させ、その状態でリ
フトピン４５上に基板Ｓを受け取る。次いで押し上げ部
材５０を下降させることにより、スプリング４８の付勢
力によってリフトピン４７が下降する。これによって、
加熱プレート４１の支持部材４３上に基板Ｓが載置され
る。そしてその後、カバー４２を下降させる。この状態
で加熱プレートにより基板Ｓを加熱処理する。
【００３１】この場合に、加熱プレート４１の熱膨張に
より穴４６のピッチがずれるが、複数のリフトピン４５
が、穴４６を昇降可能な状態で係止部材４７により加熱
プレート４１から外れないように設けられており、しか
も押し上げ部材５０がリフトピン４５とは分離して設け
られているので、リフトピン４５が穴４６に追従して容
易に移動可能である。しかもリフトピン４５の当接面４
９と押し上げ部材５０の受け部５１の間にピローボール
５２が介在しているので、この移動が極めてスムースで
ある。したがって、リフトピン４５の周囲の隙間を大き
くとる必要がなく、かつリフトピン４５の径を極めて細
く、例えば１〜２ｍｍ程度とすることが可能であり、基
板Ｓの温度分布ムラを有効に防止することができ、リフ
トピン４５の穴４６の跡が基板Ｓに転写されてしまう等
の不都合が防止される。また、リフトピン４５がプレー
ト４１から外れないように設けられているため、リフト
ピン４５の追従性は良好である。さらに、リフトピン４
５はスプリング４８により下方に付勢されているので、
駆動機構５３により押し上げ部材５０を下降させた際に
それに追従してリフトピン４５を下降させることができ
る。
より穴４６のピッチがずれるが、複数のリフトピン４５
が、穴４６を昇降可能な状態で係止部材４７により加熱
プレート４１から外れないように設けられており、しか
も押し上げ部材５０がリフトピン４５とは分離して設け
られているので、リフトピン４５が穴４６に追従して容
易に移動可能である。しかもリフトピン４５の当接面４
９と押し上げ部材５０の受け部５１の間にピローボール
５２が介在しているので、この移動が極めてスムースで
ある。したがって、リフトピン４５の周囲の隙間を大き
くとる必要がなく、かつリフトピン４５の径を極めて細
く、例えば１〜２ｍｍ程度とすることが可能であり、基
板Ｓの温度分布ムラを有効に防止することができ、リフ
トピン４５の穴４６の跡が基板Ｓに転写されてしまう等
の不都合が防止される。また、リフトピン４５がプレー
ト４１から外れないように設けられているため、リフト
ピン４５の追従性は良好である。さらに、リフトピン４
５はスプリング４８により下方に付勢されているので、
駆動機構５３により押し上げ部材５０を下降させた際に
それに追従してリフトピン４５を下降させることができ
る。
【００３２】以上は加熱処理ユニット２６について説明
したが、冷却ユニット２４，２７も同様の構造を有して
おり、冷却プレートにて基板を冷却する。この場合にも
本発明を適用することにより、プレートが収縮してリフ
トピンの穴ピッチがずれてもリフトピンが穴に追従して
移動可能であり、加熱処理ユニット２６の場合と同様の
効果を得ることができる。さらに、疎水化処理を行うア
ドヒージョン処理ユニット２３も、加熱処理ユニット２
６と同様な構造の加熱機構を有しており、加熱処理ユニ
ット２６と同様の効果を得ることができる。
したが、冷却ユニット２４，２７も同様の構造を有して
おり、冷却プレートにて基板を冷却する。この場合にも
本発明を適用することにより、プレートが収縮してリフ
トピンの穴ピッチがずれてもリフトピンが穴に追従して
移動可能であり、加熱処理ユニット２６の場合と同様の
効果を得ることができる。さらに、疎水化処理を行うア
ドヒージョン処理ユニット２３も、加熱処理ユニット２
６と同様な構造の加熱機構を有しており、加熱処理ユニ
ット２６と同様の効果を得ることができる。
【００３３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、図４に示すよう
に、支持部材４３を用いずにリフトピン４５により基板
Ｓを加熱プレート４５から所定距離だけ離間位置に保持
する、いわゆるピンプロキシミティー方式を用いてもよ
い。
ず、種々の変形が可能である。例えば、図４に示すよう
に、支持部材４３を用いずにリフトピン４５により基板
Ｓを加熱プレート４５から所定距離だけ離間位置に保持
する、いわゆるピンプロキシミティー方式を用いてもよ
い。
【００３４】また、リフトピン４５の当接面４９と押し
上げ部材５０の受け部５１との間にピローボール５２を
用いたが、リフトピン４５の当接面４９の部分および受
け部５１の材質をすべりのよいもの、例えばテフロン
（登録商標）やすべりのよいエンジニアリングプラスチ
ック（例えば超高分子ポリエチレン）などを用い、図５
に示すように、リフトピン４５の当接面４９が受け部５
１の上面と直接接触するようにしてもよい。
上げ部材５０の受け部５１との間にピローボール５２を
用いたが、リフトピン４５の当接面４９の部分および受
け部５１の材質をすべりのよいもの、例えばテフロン
（登録商標）やすべりのよいエンジニアリングプラスチ
ック（例えば超高分子ポリエチレン）などを用い、図５
に示すように、リフトピン４５の当接面４９が受け部５
１の上面と直接接触するようにしてもよい。
【００３５】さらにまた、上記実施の形態では、本発明
の装置をレジスト塗布・現像ユニットに適用した例を示
したが、これに限らず他の処理に適用してもよい。被処
理体としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、
これに限らず半導体ウエハ等他の被処理体の処理の場合
にも適用可能であることはいうまでもない。
の装置をレジスト塗布・現像ユニットに適用した例を示
したが、これに限らず他の処理に適用してもよい。被処
理体としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、
これに限らず半導体ウエハ等他の被処理体の処理の場合
にも適用可能であることはいうまでもない。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、第１発明によれ
ば、基板を昇降する複数の昇降部材が、プレートに形成
された穴に昇降可能に設けられ、昇降部材の鍔部がプレ
ートの下面の昇降部材に対応した位置に設けられた係止
部に係止されて昇降部材がプレートから外れないように
なっており、しかもこれら昇降部材を押し上げる押し上
げ機構が昇降部材とは分離して設けられているので、プ
レートの加熱または冷却にともなう穴ずれが生じても昇
降部材が穴に追従して容易に移動可能である。したがっ
て、昇降部材の周囲の隙間を大きくとる必要がなく、か
つ昇降部材自体が細くても問題がないため、基板の温度
分布ムラを有効に防止することができる。また、昇降部
材がプレートから外れないように設けられているため、
昇降部材の追従性は良好である。
ば、基板を昇降する複数の昇降部材が、プレートに形成
された穴に昇降可能に設けられ、昇降部材の鍔部がプレ
ートの下面の昇降部材に対応した位置に設けられた係止
部に係止されて昇降部材がプレートから外れないように
なっており、しかもこれら昇降部材を押し上げる押し上
げ機構が昇降部材とは分離して設けられているので、プ
レートの加熱または冷却にともなう穴ずれが生じても昇
降部材が穴に追従して容易に移動可能である。したがっ
て、昇降部材の周囲の隙間を大きくとる必要がなく、か
つ昇降部材自体が細くても問題がないため、基板の温度
分布ムラを有効に防止することができる。また、昇降部
材がプレートから外れないように設けられているため、
昇降部材の追従性は良好である。
【００３７】第３発明によれば、各昇降部材と前記プレ
ートとの間に設けられ、昇降部材が上昇した際に昇降部
材を下方に付勢する付勢手段を設けたので、押し上げ機
構の押し上げを解除して下降させる際に、それに追従し
て昇降ピンを下降させることができる。
ートとの間に設けられ、昇降部材が上昇した際に昇降部
材を下方に付勢する付勢手段を設けたので、押し上げ機
構の押し上げを解除して下降させる際に、それに追従し
て昇降ピンを下降させることができる。
【００３８】第４発明によれば、基板を昇降する複数の
昇降ピンが、プレートに形成された穴に昇降可能に設け
られ、昇降ピンの鍔部がプレートの下面の昇降ピンに対
応し た位置に設けられた係止部に係止されて昇降ピンが
プレートから外れないようになっており、しかもこれら
昇降ピンの下端に当接して押し上げる押し上げ部材が昇
降ピンとは分離して設けられているので、プレートの加
熱または冷却にともなう穴ずれが生じても昇降ピンが穴
に追従して容易に移動可能である。したがって、昇降ピ
ンの周囲の隙間を大きくとる必要がなく、かつ昇降ピン
自体が細くても問題がないため、基板の温度分布ムラを
有効に防止することができる。また、昇降ピンがプレー
トから外れないように設けられているため、昇降ピンの
追従性は良好である。さらに、昇降ピンはスプリングに
より下方に付勢されているので、駆動機構により押し上
げ部材を下降させた際にそれに追従して昇降ピンを下降
させることができる。
昇降ピンが、プレートに形成された穴に昇降可能に設け
られ、昇降ピンの鍔部がプレートの下面の昇降ピンに対
応し た位置に設けられた係止部に係止されて昇降ピンが
プレートから外れないようになっており、しかもこれら
昇降ピンの下端に当接して押し上げる押し上げ部材が昇
降ピンとは分離して設けられているので、プレートの加
熱または冷却にともなう穴ずれが生じても昇降ピンが穴
に追従して容易に移動可能である。したがって、昇降ピ
ンの周囲の隙間を大きくとる必要がなく、かつ昇降ピン
自体が細くても問題がないため、基板の温度分布ムラを
有効に防止することができる。また、昇降ピンがプレー
トから外れないように設けられているため、昇降ピンの
追従性は良好である。さらに、昇降ピンはスプリングに
より下方に付勢されているので、駆動機構により押し上
げ部材を下降させた際にそれに追従して昇降ピンを下降
させることができる。
【００３９】第５発明によれば、押し上げ部材と前記複
数の昇降ピンの下端との間にボールが介在されるように
するので、昇降ピンの押し上げ部材に対する移動が容易
となる。また、第６発明によれば、押し上げ部材と複数
の昇降ピンの下端との当接部が平面状をなすので、昇降
ピンを押し上げ部材に対してスライドさせることが可能
となり、昇降ピンの移動が容易となる。
数の昇降ピンの下端との間にボールが介在されるように
するので、昇降ピンの押し上げ部材に対する移動が容易
となる。また、第６発明によれば、押し上げ部材と複数
の昇降ピンの下端との当接部が平面状をなすので、昇降
ピンを押し上げ部材に対してスライドさせることが可能
となり、昇降ピンの移動が容易となる。
【図１】本発明の対象となる処理装置が適用されるレジ
スト塗布・現像システムを示す斜視図。
スト塗布・現像システムを示す斜視図。
【図２】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットを
示す断面図。
示す断面図。
【図３】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの
要部を示す断面図。
要部を示す断面図。
【図４】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニット
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】本発明のさらに他の実施形態に係る加熱処理ユ
ニットの要部を示す断面図。
ニットの要部を示す断面図。
【図６】従来の加熱または冷却処理装置を示す断面図。
２６……加熱処理ユニット ４０……筐体 ４１……加熱プレート ４２……カバー ４５……リフトピン ４６……穴 ４７……係止部材 ４８……スプリング ４９……当接面 ５０……押し上げ部材 ５１……受け部 ５２……ピローボール ５３……駆動機構 Ｓ……基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/68
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に対して加熱処理、冷却処理、また
は疎水化処理を施す基板処理装置であって、 基板の下方に配置され、基板を非接触状態で加熱または
冷却するためのプレートと、 前記プレートに形成された複数の穴に昇降可能に設けら
れ、鍔部を有し、基板を昇降させる複数の昇降部材と、前記プレートの下面の前記複数の昇降部材にそれぞれ対
応した位置に設けられ、前記昇降部材の鍔部を係止して
前記昇降部材が前記プレートから外れないようにする複
数の係止部と、 前記複数の昇降部材とは分離して設けられ、前記複数の
昇降部材を押し上げる押し上げ機構とを具備し、 前記昇降部材は、前記押し上げ機構により押し上げられ
ることによりその先端が前記プレート上に突出し、前記
押し上げ機構を戻すことにより下降してその鍔部が前記
係止部材の係止部に係止される ことを特徴とする基板処
理装置。 - 【請求項２】 前記昇降部材はピン状をなすことを特徴
とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記各昇降部材と前記プレートとの間に
設けられ、前記昇降部材が上昇した際に前記昇降部材を
下方に付勢する付勢手段をさらに具備することを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 基板に対して加熱処理、冷却処理、また
は疎水化処理を施す基板処理装置であって、 基板の下方に配置され、基板を加熱または冷却するため
のプレートと、 前記プレートに形成された複数の穴に昇降可能に設けら
れ、鍔部を有し、基板を昇降する複数の昇降ピンと、前記プレートの下面の前記複数の昇降ピンにそれぞれ対
応した位置に設けられ 、前記昇降ピンの鍔部を係止して
前記昇降ピンが前記プレートから外れないようにする複
数の係止部と、 前記各昇降ピンと前記プレートとの間に設けられ、前記
昇降ピンが上昇された際に 前記昇降ピンを下方に付勢す
るスプリングと、 前記複数のピンとは分離して設けられ、前記複数の昇降
ピンの下端に当接して押し上げる押し上げ部材と、 前記押し上げ部材を駆動する駆動機構とを具備し、前記昇降ピンは、前記押し上げ機構により押し上げられ
ることによりその先端が前記プレート上に突出し、前記
押し上げ機構を戻すことにより前記スプリングの下方へ
の付勢力により下降してその鍔部が前記係止部材の係止
部に係止され ることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 前記押し上げ部材と前記複数の昇降ピン
の下端との間にボールが介在されていることを特徴とす
る請求項４に記載の基板処理装置。 - 【請求項６】 前記押し上げ部材と前記複数の昇降ピン
の下端との当接部は平面状をなしていることを特徴とす
る請求項４に記載の基板処理装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP13161497A JP3249765B2 (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 基板処理装置 |
| TW087106011A TW411485B (en) | 1997-05-07 | 1998-04-20 | Substrate treating apparatus |
| US09/064,783 US6227786B1 (en) | 1997-05-07 | 1998-04-23 | Substrate treating apparatus |
| KR10-1998-0016273A KR100495248B1 (ko) | 1977-05-07 | 1998-05-07 | 기판처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13161497A JP3249765B2 (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 基板処理装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308348A JPH10308348A (ja) | 1998-11-17 |
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Family
ID=15062189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13161497A Expired - Fee Related JP3249765B2 (ja) | 1977-05-07 | 1997-05-07 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6227786B1 (ja) |
| JP (1) | JP3249765B2 (ja) |
| KR (1) | KR100495248B1 (ja) |
| TW (1) | TW411485B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1189274A1 (en) * | 2000-02-08 | 2002-03-20 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic board for semiconductor production and inspection devices |
| KR100611070B1 (ko) * | 2001-05-02 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조를 위한 베이크 장치 |
| KR20020088265A (ko) * | 2001-05-21 | 2002-11-27 | 삼성전자 주식회사 | 리프트 핀 및 이를 사용하는 기판 스테이지 |
| DE10134513A1 (de) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Unaxis Balzers Ag | Hebe-und Stützvorichtung |
| KR100469360B1 (ko) * | 2002-02-22 | 2005-02-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조 장비용 진공 합착 장치 및 구동 방법 |
| US20060102210A1 (en) * | 2002-07-25 | 2006-05-18 | Yasuhiro Chouno | Substrate processing container |
| WO2004030411A1 (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ウエハー保持体及び半導体製造装置 |
| CN100430803C (zh) * | 2003-01-30 | 2008-11-05 | 日本写真印刷株式会社 | 加热装置 |
| US7204888B2 (en) * | 2003-05-01 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | Lift pin assembly for substrate processing |
| US20060016398A1 (en) * | 2004-05-28 | 2006-01-26 | Laurent Dubost | Supporting and lifting device for substrates in vacuum |
| JP4559801B2 (ja) * | 2004-09-06 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | ウエハチャック |
| KR100646105B1 (ko) | 2004-12-17 | 2006-11-14 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 기판 승강부재 |
| JP4530352B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2010-08-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板載置装置 |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
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