JP3249765B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP3249765B2
JP3249765B2 JP13161497A JP13161497A JP3249765B2 JP 3249765 B2 JP3249765 B2 JP 3249765B2 JP 13161497 A JP13161497 A JP 13161497A JP 13161497 A JP13161497 A JP 13161497A JP 3249765 B2 JP3249765 B2 JP 3249765B2
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清久 立山
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばLCD基板
や半導体ウエハ等の基板に対してレジスト液の塗布およ
びレジスト膜の現像等を行うシステムにおいて、基板に
対して加熱処理、冷却処理または疎水化処理を施す基板
処理装置に関する。

【0002】

【従来の技術】例えばLCDや半導体デバイスの製造に
おいては、被処理体としての基板にフォトレジストを塗
布し、回路パターンに対応してフォトレジストを露光
し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグ
ラフィー技術により回路が形成される。

【0003】このようなレジスト塗布・現像工程におい
ては、レジストの安定化のためのプリベーク処理、露光
後のポストエクスポージャーベーク処理、および現像後
のポストベーク処理等の加熱処理およびその後の冷却処
理が行われる。これら加熱処理および冷却処理は、それ
ぞれ加熱プレートおよび冷却プレートを備えた加熱処理
装置および冷却処理装置によってなされる。また、HM
DSなどによる疎水化処理においても、加熱処理装置と
同様の加熱プレートにより基板が加熱される。

【0004】このような加熱処理装置、冷却処理装置ま
たは疎水化処理は、図6に示すように、基板Sを加熱ま
たは冷却するためのプレート101と、プレート101
に形成された複数の穴102に挿入された複数のリフト
ピン103と、これら複数のリフトピンを支持する支持
部材104とを備えており、図示しない昇降機構により
支持部材4を昇降させ、その昇降動作によりリフトピン
103が昇降して、基板Sを搬送位置と処理位置との間
で移動させることができるようになっている。

【0005】しかし、加熱処理装置において、基板Sを
加熱するためにプレート101の温度を上昇させると、
プレート101の熱膨張により穴102のピッチがずれ
てしまう。冷却処理装置においても、プレート101の
収縮によりやはり穴102のピッチがずれてしまう。

【0006】そこで、従来はこのようなプレート101
の熱膨張または熱収縮にともなう穴ピッチのずれに対応
するため、穴102の径を大きくして穴102とピン1
03との隙間を大きくしている。すなわち、穴102の
ピッチがずれても支障なくリフトピン103が昇降でき
る程度の隙間を形成している。しかしながら、このよう
に穴102の径を大きくすると、その部分では基板Sが
加熱、冷却されないため、基板S上に温度分布のムラが
発生する。

【0007】このような問題を解決する技術として特開
平8−313855号に開示されたものがある。この技
術においては、支持体104のリフトピン103取付部
分にリフトピン103の遊びを設け、この遊びによりピ
ン103が穴ピッチのずれに追従して移動することがで
きるようにしている。これにより、穴径を大きくする必
要がないので、基板Sの温度分布ムラの発生を防止する
ことができる。

【0008】しかしながら、この技術の場合には、穴ピ
ッチのずれにともなうリフトピンの追従性が悪く、ピン
が傾いたりしやすい。また、ピンにある程度の剛性が必
要であるため、ピンをあまり細くすることができず、し
たがって穴径もさほど小さくすることができず、温度を
さらに高精度に均一にするには限界があった。

【0009】

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであって、プレートによって基板を
加熱または冷却する際に基板に温度分布ムラが発生せ
ず、かつ昇降ピン等の昇降部材の追従性が良好な基板処
理装置を提供することを目的とする。

【0010】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第1発明は、基板に対して加熱処理、冷却処理、ま
たは疎水化処理を施す基板処理装置であって、基板の下
方に配置され、基板を非接触状態で加熱または冷却する
ためのプレートと、前記プレートに形成された複数の穴
に昇降可能に設けられ、鍔部を有し、基板を昇降させる
複数の昇降部材と、前記プレートの下面の前記複数の昇
降部材にそれぞれ対応した位置に設けられ、前記昇降部
材の鍔部を係止して前記昇降部材が前記プレートから外
れないようにする複数の係止部と、前記複数の昇降部材
とは分離して設けられ、前記複数の昇降部材を押し上げ
る押し上げ機構とを具備し、 前記昇降部材は、前記押し
上げ機構により押し上げられることによりその先端が前
記プレート上に突出し、前記押し上げ機構を戻すことに
より下降してその鍔部が前記係止部材の係止部に係止さ
れることを特徴とする基板処理装置を提供する。

【0011】第2発明は、第1発明において、前記昇降
部材はピン状をなすことを特徴とする基板処理装置を提
供する。第3発明は、第1発明または第2発明におい
て、前記各昇降部材と前記プレートとの間に設けられ、
前記昇降部材が上昇した際に前記昇降部材を下方に付勢
する付勢手段をさらに具備することを特徴とする基板処
理装置を提供する。

【0012】第4発明は、基板に対して加熱処理、冷却
処理、または疎水化処理を施す基板処理装置であって、
基板の下方に配置され、基板を加熱または冷却するため
のプレートと、前記プレートに形成された複数の穴に昇
降可能に設けられ、鍔部を有し、基板を昇降する複数の
昇降ピンと、前記プレートの下面の前記複数の昇降ピン
にそれぞれ対応した位置に設けられ、前記昇降ピンの鍔
部を係止して前記昇降ピンが前記プレートから外れない
ようにする複数の係止部と、 前記各昇降ピンと前記プレ
ートとの間に設けられ、前記昇降ピンが上昇された際に
前記昇降ピンを下方に付勢するスプリングと、前記複数
のピンとは分離して設けられ、前記複数の昇降ピンの下
端に当接して押し上げる押し上げ部材と、前記押し上げ
部材を駆動する駆動機構とを具備し、前記昇降ピンは、
前記押し上げ機構により押し上げられることによりその
先端が前記プレート上に突出し、前記押し上げ機構を戻
すことにより前記スプリングの下方への付勢力により下
降してその鍔部が前記係止部材の係止部に係止されるこ
とを特徴とする基板処理装置を提供する。

【0013】第発明は、第4発明において、前記押し
上げ部材と前記複数の昇降ピンの下端との間にボールが
介在されていることを特徴とする基板処理装置を提供す
る。第発明は、第4発明において、前記押し上げ部材
と前記複数の昇降ピンの下端との当接部は平面状をなし
ていることを特徴とする基板処理装置を提供する。

【0014】第1発明によれば、基板を昇降する複数の
昇降部材が、プレートに形成された穴に昇降可能に設け
られ、かつ鍔部を有しており、この鍔部がプレートの下
面の昇降部材に対応した位置に設けられた係止部に係止
されて昇降部材がプレートから外れないようになって
り、しかもこれら昇降部材を押し上げる押し上げ機構が
昇降部材とは分離して設けられているので、プレートの
加熱または冷却にともなう穴ずれが生じても昇降部材が
穴に追従して容易に移動可能である。したがって、昇降
部材の周囲の隙間を大きくとる必要がなく、かつ昇降部
材自体細くても問題がないため、基板の温度分布ムラ
を有効に防止することができる。また、昇降部材がプレ
ートから外れないようになっているため、昇降部材の追
従性は良好である。

【0015】第3発明のように、各昇降部材と前記プレ
ートとの間に設けられ、昇降部材が上昇した際に昇降部
材を下方に付勢する付勢手段を設けることにより、押し
上げ機構の押し上げを解除して下降させる際に、それに
追従して昇降ピンを下降させることができる。

【0016】第4発明によれば、基板を昇降する複数の
昇降ピンが、プレートに形成された穴に昇降可能に設け
られ、かつ鍔部を有しており、この鍔部がプレートの下
面の昇降ピンに対応した位置に設けられた係止部に係止
されて昇降ピンがプレートから外れないようになって
り、しかもこれら昇降ピンの下端に当接して押し上げる
押し上げ部材が昇降ピンとは分離して設けられているの
で、プレートの加熱または冷却にともなう穴ずれが生じ
ても昇降ピンが穴に追従して容易に移動可能である。し
たがって、昇降ピンの周囲の隙間を大きくとる必要がな
く、かつ昇降ピン自体が細くても問題がないため、基板
の温度分布ムラを有効に防止することができる。また、
昇降ピンがプレートから外れないようになっている
め、昇降ピンの追従性は良好である。さらに、昇降ピン
、上昇した際に昇降ピンとプレー トとの間に設けられ
スプリングにより下方に付勢されるので、駆動機構に
より押し上げ部材を下降させた際にそれに追従して昇降
ピンを下降させることができる。

【0017】この場合に、第発明のように、押し上げ
部材と前記複数の昇降ピンの下端との間にボールが介在
されるようにすることにより、昇降ピンの押し上げ部材
に対する移動が容易となる。さらに、第発明のよう
に、押し上げ部材と複数の昇降ピンの下端との当接部が
平面状をなすようにすることにより、昇降ピンを押し上
げ部材に対してスライドさせることが可能となり、昇降
ピンの移動が容易となる。

【0018】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明に係る基板処理装置が適用されるLCD基板の塗布・
現像処理システムを示す斜視図である。

【0019】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Sを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Sにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、カセットステーション1上のカセットCと処理部
2との間で基板Sの搬送を行うための搬送機構3とを備
えている。そして、カセットステーション1においてシ
ステムへのカセットCの搬入およびシステムからのカセ
ットCの搬出が行われる。また、搬送機構3はカセット
の配列方向に沿って設けられた搬送路12上を移動可能
な搬送アーム11を備え、この搬送アーム11によりカ
セットCと処理部2との間で基板Sの搬送が行われる。

【0020】処理部2は、前段部分2aと後段部分2b
とに分かれており、それぞれ中央に通路15、16を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部17が設けら
れている。

【0021】前段部2aは、通路15に沿って移動可能
なメインアーム18を備えており、通路15の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット21、水洗ユニット22、アド
ヒージョン処理ユニット23、および冷却ユニット24
が、他方側には2つのレジスト塗布ユニット25が配置
されている。一方、後段部2bは、通路16に沿って移
動可能なメインアーム19を備えており、通路19の一
方側には複数の加熱処理ユニット26および冷却ユニッ
ト27からなる熱系ユニット群28が、他方側には2つ
の現像処理ユニット29が配置されている。熱系ユニッ
ト群28は、ユニットが2段積層されてなる組が通路1
9に沿って3つ並んでおり、上段が加熱処理ユニット2
6であり、下段が冷却ユニット27である。加熱処理ユ
ニット26は、レジストの安定化のためのプリベーク、
露光後のポストエクスポージャーベーク、および現像後
のポストベーク処理を行うものである。なお、後段部2
bの後端には露光装置(図示せず)との間で基板Sの受
け渡しを行うためのインターフェース部30が設けられ
ている。

【0022】上記メインアーム18は、搬送機構3のア
ーム11との間で基板Sの受け渡しを行うとともに、前
段部2aの各処理ユニットに対する基板Sの搬入・搬
出、さらには中継部17との間で基板Sの受け渡しを行
う機能を有している。また、メインアーム19は中継部
17との間で基板Sの受け渡しを行うとともに、後段部
2bの各処理ユニットに対する基板Sの搬入・搬出、さ
らにはインターフェース部30との間の基板Sの受け渡
しを行う機能を有している。このように各処理ユニット
を集約して一体化することにより、省スペース化および
処理の効率化を図ることができる。

【0023】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の基板Sが、処理部2に
搬送され、まず、洗浄ユニット21および水洗ユニット
22により洗浄処理され、レジストの定着性を高めるた
めにアドヒージョン処理ユニット23にて疎水化処理さ
れ、冷却ユニット24で冷却後、レジスト塗布ユニット
25でレジストが塗布される。その後、基板Sは、加熱
処理ユニット26の一つでプリベーク処理され、冷却ユ
ニット27で冷却された後、インターフェース部30を
介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露
光される。そして、再びインターフェース部30を介し
て搬入され、加熱処理ユニット26の一つでポストエク
スポージャーベーク処理が施される。その後、冷却ユニ
ット27で冷却された基板Sは、現像処理ユニット29
で現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現
像処理された基板Sは、メインアーム19,18および
搬送機構3によってカセットステーション1上の所定の
カセットに収容される。

【0024】次に、本発明の対象である加熱処理ユニッ
ト26について説明する。この加熱処理ユニット26
は、図2に示すように、筐体40を有し、その中に基板
Sを加熱するための加熱プレート41がその面を水平に
して配置されている。この加熱プレートにはヒーター
(図示せず)が装着されており、所望の温度に設定可能
となっている。

【0025】この加熱プレート41の表面には、複数の
スペーサ44が設けられており、このスペーサ44によ
って基板Sが保持される。すなわち、プロキシミティ方
式が採用されており、加熱プレート41と基板Sとの直
接の接触を避け、加熱プレート41からの放熱によっ
て、基板Sを加熱処理するようになっている。これによ
り、加熱プレート41からの基板Sの汚染が防止され
る。各スペーサ44には支持部材43がねじ止めされて
おり、この支持部材43により基板Sが支持される。

【0026】加熱プレート41の上方位置にはカバー4
2が上下動可能に設けられている。このカバー42は、
基板Sの加熱処理の際に加熱プレート41の表面を覆う
ことにより、基板Sに対する外乱を避け、所定の処理雰
囲気を形成するために設けられる。基板Sの搬入および
搬出に際しては、カバー42は上方に退避される。

【0027】図3に詳細に示すように、加熱プレート4
1には、複数(3つ以上)の穴46が形成されており、
この中には昇降部材としての複数のリフトピン45が昇
降可能に設けられている。このリフトピン45は、加熱
プレート41の下面に設けられた係止部材47により係
止され、加熱プレート41から外れないようになって
る。具体的には、リフトピン45の鍔部45aが、各リ
フトピンに対応して設けられた係止部材47の係止部4
7aに係止されるようになっている。そして、リフトピ
ン45の下端面は面積が広い当接面49となっている。

【0028】一方、リフトピン45の下方には、リフト
ピン45とは分離して押し上げ部材50が設けられてお
り、この押し上げ部材50は駆動機構53により昇降可
能となっている。押し上げ部材50のリフトピン45に
対応する位置には受け部51が突設されており、その上
面にはピローボール52がはめ込まれている。そして、
リフトピン45の当接面49がこのピローボール52に
当接するようになっている。

【0029】加熱プレート41の内部のリフトピン45
周囲にはスプリング48が設けられており、このスプリ
ング48はリフトピン45を下方へ付勢するようになっ
ている。すなわち、リフトピン45を上昇させる時には
駆動機構53により押し上げ部材50を上昇させ、この
押し上げ部材50によりリフトピン45を押し上げる
が、リフトピン45を下降させる時には、押し上げ部材
50を下降させた際に、スプリング48の付勢力により
下降させる。

【0030】このように構成される加熱処理ユニット2
6においては、まず、カバー42を上昇させた状態で、
駆動機構53により押し上げ部材50を押し上げること
により複数のリフトピン45を上昇させ、その状態でリ
フトピン45上に基板Sを受け取る。次いで押し上げ部
材50を下降させることにより、スプリング48の付勢
力によってリフトピン47が下降する。これによって、
加熱プレート41の支持部材43上に基板Sが載置され
る。そしてその後、カバー42を下降させる。この状態
で加熱プレートにより基板Sを加熱処理する。

【0031】この場合に、加熱プレート41の熱膨張に
より穴46のピッチがずれるが、複数のリフトピン45
が、穴46を昇降可能な状態で係止部材47により加熱
プレート41から外れないように設けられており、しか
も押し上げ部材50がリフトピン45とは分離して設け
られているので、リフトピン45が穴46に追従して容
易に移動可能である。しかもリフトピン45の当接面4
9と押し上げ部材50の受け部51の間にピローボール
52が介在しているので、この移動が極めてスムースで
ある。したがって、リフトピン45の周囲の隙間を大き
くとる必要がなく、かつリフトピン45の径を極めて細
く、例えば1〜2mm程度とすることが可能であり、基
板Sの温度分布ムラを有効に防止することができ、リフ
トピン45の穴46の跡が基板Sに転写されてしまう等
の不都合が防止される。また、リフトピン45がプレー
ト41から外れないように設けられているため、リフト
ピン45の追従性は良好である。さらに、リフトピン4
5はスプリング48により下方に付勢されているので、
駆動機構53により押し上げ部材50を下降させた際に
それに追従してリフトピン45を下降させることができ
る。

【0032】以上は加熱処理ユニット26について説明
したが、冷却ユニット24,27も同様の構造を有して
おり、冷却プレートにて基板を冷却する。この場合にも
本発明を適用することにより、プレートが収縮してリフ
トピンの穴ピッチがずれてもリフトピンが穴に追従して
移動可能であり、加熱処理ユニット26の場合と同様の
効果を得ることができる。さらに、疎水化処理を行うア
ドヒージョン処理ユニット23も、加熱処理ユニット2
6と同様な構造の加熱機構を有しており、加熱処理ユニ
ット26と同様の効果を得ることができる。

【0033】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、図4に示すよう
に、支持部材43を用いずにリフトピン45により基板
Sを加熱プレート45から所定距離だけ離間位置に保持
する、いわゆるピンプロキシミティー方式を用いてもよ
い。

【0034】また、リフトピン45の当接面49と押し
上げ部材50の受け部51との間にピローボール52を
用いたが、リフトピン45の当接面49の部分および受
け部51の材質をすべりのよいもの、例えばテフロン
(登録商標)やすべりのよいエンジニアリングプラスチ
ック(例えば超高分子ポリエチレン)などを用い、図5
に示すように、リフトピン45の当接面49が受け部5
1の上面と直接接触するようにしてもよい。

【0035】さらにまた、上記実施の形態では、本発明
の装置をレジスト塗布・現像ユニットに適用した例を示
したが、これに限らず他の処理に適用してもよい。被処
理体としてLCD基板を用いた場合について示したが、
これに限らず半導体ウエハ等他の被処理体の処理の場合
にも適用可能であることはいうまでもない。

【0036】

【発明の効果】以上説明したように、第1発明によれ
ば、基板を昇降する複数の昇降部材が、プレートに形成
された穴に昇降可能に設けられ、昇降部材の鍔部がプレ
ートの下面の昇降部材に対応した位置に設けられた係止
部に係止されて昇降部材がプレートから外れないように
なっており、しかもこれら昇降部材を押し上げる押し上
げ機構が昇降部材とは分離して設けられているので、
レートの加熱または冷却にともなう穴ずれが生じても昇
降部材が穴に追従して容易に移動可能である。したがっ
て、昇降部材の周囲の隙間を大きくとる必要がなく、か
つ昇降部材自体細くても問題がないため、基板の温度
分布ムラを有効に防止することができる。また、昇降部
材がプレートから外れないように設けられているため、
昇降部材の追従性は良好である。

【0037】第発明によれば、各昇降部材と前記プレ
ートとの間に設けられ、昇降部材が上昇した際に昇降部
材を下方に付勢する付勢手段を設けたので、押し上げ機
構の押し上げを解除して下降させる際に、それに追従し
て昇降ピンを下降させることができる。

【0038】第発明によれば、基板を昇降する複数の
昇降ピンが、プレートに形成された穴に昇降可能に設け
られ、昇降ピンの鍔部がプレートの下面の昇降ピンに対
応し た位置に設けられた係止部に係止されて昇降ピンが
プレートから外れないようになっており、しかもこれら
昇降ピンの下端に当接して押し上げる押し上げ部材が昇
降ピンとは分離して設けられているので、プレートの加
熱または冷却にともなう穴ずれが生じても昇降ピンが穴
に追従して容易に移動可能である。したがって、昇降ピ
ンの周囲の隙間を大きくとる必要がなく、かつ昇降ピン
自体が細くても問題がないため、基板の温度分布ムラを
有効に防止することができる。また、昇降ピンがプレー
から外れないように設けられているため、昇降ピンの
追従性は良好である。さらに、昇降ピンはスプリングに
より下方に付勢されているので、駆動機構により押し上
げ部材を下降させた際にそれに追従して昇降ピンを下降
させることができる。

【0039】第発明によれば、押し上げ部材と前記複
数の昇降ピンの下端との間にボールが介在されるように
するので、昇降ピンの押し上げ部材に対する移動が容易
となる。また、第発明によれば、押し上げ部材と複数
の昇降ピンの下端との当接部が平面状をなすので、昇降
ピンを押し上げ部材に対してスライドさせることが可能
となり、昇降ピンの移動が容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の対象となる処理装置が適用されるレジ
スト塗布・現像システムを示す斜視図。

【図2】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットを
示す断面図。

【図3】本発明の一実施形態に係る加熱処理ユニットの
要部を示す断面図。

【図4】本発明の他の実施形態に係る加熱処理ユニット
を示す断面図。

【図5】本発明のさらに他の実施形態に係る加熱処理ユ
ニットの要部を示す断面図。

【図6】従来の加熱または冷却処理装置を示す断面図。

【符号の説明】

26……加熱処理ユニット 40……筐体 41……加熱プレート 42……カバー 45……リフトピン 46……穴 47……係止部材 48……スプリング 49……当接面 50……押し上げ部材 51……受け部 52……ピローボール 53……駆動機構 S……基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 H01L 21/68

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に対して加熱処理、冷却処理、また
    は疎水化処理を施す基板処理装置であって、 基板の下方に配置され、基板を非接触状態で加熱または
    冷却するためのプレートと、 前記プレートに形成された複数の穴に昇降可能に設けら
    れ、鍔部を有し、基板を昇降させる複数の昇降部材と、前記プレートの下面の前記複数の昇降部材にそれぞれ対
    応した位置に設けられ、前記昇降部材の鍔部を係止して
    前記昇降部材が前記プレートから外れないようにする複
    数の係止部と、 前記複数の昇降部材とは分離して設けられ、前記複数の
    昇降部材を押し上げる押し上げ機構とを具備し、 前記昇降部材は、前記押し上げ機構により押し上げられ
    ることによりその先端が前記プレート上に突出し、前記
    押し上げ機構を戻すことにより下降してその鍔部が前記
    係止部材の係止部に係止される ことを特徴とする基板処
    理装置。
  2. 【請求項2】 前記昇降部材はピン状をなすことを特徴
    とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記各昇降部材と前記プレートとの間に
    設けられ、前記昇降部材が上昇した際に前記昇降部材を
    下方に付勢する付勢手段をさらに具備することを特徴と
    する請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 基板に対して加熱処理、冷却処理、また
    は疎水化処理を施す基板処理装置であって、 基板の下方に配置され、基板を加熱または冷却するため
    のプレートと、 前記プレートに形成された複数の穴に昇降可能に設けら
    れ、鍔部を有し、基板を昇降する複数の昇降ピンと、前記プレートの下面の前記複数の昇降ピンにそれぞれ対
    応した位置に設けられ 、前記昇降ピンの鍔部を係止して
    前記昇降ピンが前記プレートから外れないようにする複
    数の係止部と、 前記各昇降ピンと前記プレートとの間に設けられ、前記
    昇降ピンが上昇された際に 前記昇降ピンを下方に付勢す
    るスプリングと、 前記複数のピンとは分離して設けられ、前記複数の昇降
    ピンの下端に当接して押し上げる押し上げ部材と、 前記押し上げ部材を駆動する駆動機構とを具備し、前記昇降ピンは、前記押し上げ機構により押し上げられ
    ることによりその先端が前記プレート上に突出し、前記
    押し上げ機構を戻すことにより前記スプリングの下方へ
    の付勢力により下降してその鍔部が前記係止部材の係止
    部に係止され ることを特徴とする基板処理装置。
  5. 【請求項5】 前記押し上げ部材と前記複数の昇降ピン
    の下端との間にボールが介在されていることを特徴とす
    る請求項4に記載の基板処理装置。
  6. 【請求項6】 前記押し上げ部材と前記複数の昇降ピン
    の下端との当接部は平面状をなしていることを特徴とす
    る請求項4に記載の基板処理装置。
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