JPH04211263A - 現像方法 - Google Patents
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- JPH04211263A JPH04211263A JP2328891A JP2328891A JPH04211263A JP H04211263 A JPH04211263 A JP H04211263A JP 2328891 A JP2328891 A JP 2328891A JP 2328891 A JP2328891 A JP 2328891A JP H04211263 A JPH04211263 A JP H04211263A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は感光材料の現像方法に関
し、更に詳しくは、液体により現像される感光材料の解
像度、画像精度等を向上させる現像方法に関する。
し、更に詳しくは、液体により現像される感光材料の解
像度、画像精度等を向上させる現像方法に関する。
【0002】
【従来の技術】感光性樹脂組成物等の感光材料から形成
される皮膜は、フォトレジストとしてプリント配線板製
造に使用されたり、レリーフとして印刷刷版に使用され
ている。これら感光材料は、基板上に液体として塗布さ
れたり、フィルムとして積層された後、活性光により画
像的に露光され、次いで、液体を用い現像されて残存し
た像を所望の用途に用いている。
される皮膜は、フォトレジストとしてプリント配線板製
造に使用されたり、レリーフとして印刷刷版に使用され
ている。これら感光材料は、基板上に液体として塗布さ
れたり、フィルムとして積層された後、活性光により画
像的に露光され、次いで、液体を用い現像されて残存し
た像を所望の用途に用いている。
【0003】感光材料としては、活性光照射により現像
液に不溶化するネガ型、活性光照射により現像液に溶解
するポジ型があり、また現像液として有機溶剤を用いる
溶剤現像型アルカリ水溶液を用いるアルカリ現像型、有
機溶剤とアルカリ水溶液の混合液を用いる半溶剤現像型
等、各種の感光材料がある。
液に不溶化するネガ型、活性光照射により現像液に溶解
するポジ型があり、また現像液として有機溶剤を用いる
溶剤現像型アルカリ水溶液を用いるアルカリ現像型、有
機溶剤とアルカリ水溶液の混合液を用いる半溶剤現像型
等、各種の感光材料がある。
【0004】従来、この現像方法としては、現像液に浸
漬する方法、更に浸漬中に揺動や超音波を加えたりする
方法、あるいは極く一般的な方法として現像液とスプレ
ー噴射する方法がある。
漬する方法、更に浸漬中に揺動や超音波を加えたりする
方法、あるいは極く一般的な方法として現像液とスプレ
ー噴射する方法がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、特にフ
ォトレジストの分野では形成されるフォトレジスト像は
、プリント配線板の高密度化に伴い非常に高精度である
ことが要求されており、従来の現像方法では、高解像度
の像が得にくく対応が困難な状況になってきている。 例えば、細い間隙の部分を現像で除去しようとした場合
に除去しきれなかったり、あるいは、像の壁と基体の接
点において、像の壁は基体に対し直角であるのが望まし
いのに対し、像にすそ引きを生じたりする。
ォトレジストの分野では形成されるフォトレジスト像は
、プリント配線板の高密度化に伴い非常に高精度である
ことが要求されており、従来の現像方法では、高解像度
の像が得にくく対応が困難な状況になってきている。 例えば、細い間隙の部分を現像で除去しようとした場合
に除去しきれなかったり、あるいは、像の壁と基体の接
点において、像の壁は基体に対し直角であるのが望まし
いのに対し、像にすそ引きを生じたりする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な従来現像法の問題点を改善するため検討した結果、感
光材料の解像度を向上させ、画像精度と向上させる現像
方法を見い出し本発明に至った。
な従来現像法の問題点を改善するため検討した結果、感
光材料の解像度を向上させ、画像精度と向上させる現像
方法を見い出し本発明に至った。
【0007】即ち本発明は、液体により現像される感光
材料の現像において、現像工程において気体を現像面に
噴流させることを特徴とする現像方法に関する。
材料の現像において、現像工程において気体を現像面に
噴流させることを特徴とする現像方法に関する。
【0008】以下、本発明を詳述する。本発明における
液体は、感光材料を現像する現像液である。現像液は、
感光材料に対応する公知のものを用いることができるが
、環境面等からアルカリ性水溶液が好ましい。
液体は、感光材料を現像する現像液である。現像液は、
感光材料に対応する公知のものを用いることができるが
、環境面等からアルカリ性水溶液が好ましい。
【0009】本発明における現像とは、一般にフォトレ
ジスト分野で言う現像と同じ意味であり、ネガ型の感光
材料においては、未露光部を除去し、露光部の像を形成
することであり、一方、ポジ型の感光材料においては、
逆に、露光部を除去し、未露光部の像を形成することで
ある。
ジスト分野で言う現像と同じ意味であり、ネガ型の感光
材料においては、未露光部を除去し、露光部の像を形成
することであり、一方、ポジ型の感光材料においては、
逆に、露光部を除去し、未露光部の像を形成することで
ある。
【0010】本発明において現像は、感光材料の現像液
への浸漬、感光材料への現像液のスプレー噴射等の公知
の手段によって行う現像工程において、気体を現像面に
噴流させて行われる。スプレー噴射現像中に、気体を現
像面に噴流させて行うことが好ましい。気体としては、
得に制限はないが、空気、窒素ガス、炭酸ガス、ヘリウ
ムガス、アルゴンガス等があげられ、経済面から空気が
好ましい。
への浸漬、感光材料への現像液のスプレー噴射等の公知
の手段によって行う現像工程において、気体を現像面に
噴流させて行われる。スプレー噴射現像中に、気体を現
像面に噴流させて行うことが好ましい。気体としては、
得に制限はないが、空気、窒素ガス、炭酸ガス、ヘリウ
ムガス、アルゴンガス等があげられ、経済面から空気が
好ましい。
【0011】気体を現像面に噴流させることが、気体が
現像面に当たる際の温度が0℃〜80℃となるようにし
て行なわれることが好ましく、5℃〜40℃となるよう
にして行なわれることがより好ましい。
現像面に当たる際の温度が0℃〜80℃となるようにし
て行なわれることが好ましく、5℃〜40℃となるよう
にして行なわれることがより好ましい。
【0012】この温度が低すぎたり高すぎたりすると、
感光皮膜がダメージを受けることがある。またこの温度
が0℃未満の場合は、現像液中の、水分の氷結が起こり
やすくなる。この温度を所望の温度に調整するには、例
えば、室温(23℃)の気体(例えば、空気)を噴流す
ること、熱交換機を用いて一定の温度とした気体(例え
ば、空気)を噴流すること等により行うことができる。 所望の温度であることの確認は、現像面の表面温度ある
いは現像面直前の温度を各種温度計(例えば、赤外温度
計)で測定し行うことができる。
感光皮膜がダメージを受けることがある。またこの温度
が0℃未満の場合は、現像液中の、水分の氷結が起こり
やすくなる。この温度を所望の温度に調整するには、例
えば、室温(23℃)の気体(例えば、空気)を噴流す
ること、熱交換機を用いて一定の温度とした気体(例え
ば、空気)を噴流すること等により行うことができる。 所望の温度であることの確認は、現像面の表面温度ある
いは現像面直前の温度を各種温度計(例えば、赤外温度
計)で測定し行うことができる。
【0013】気体を現像面に噴流させることが、気体の
圧力が0.1kgf/cm2〜6kgf/cm2となる
ようにして行われることが好ましく、0.5kgf/c
m2〜4kgf/cm2となるようにして行われること
がより好ましい。この圧力が、低すぎると、本発明の効
果が発現しないことがあり、一方、高すぎると感光皮膜
がダメージを受けることがある。ここで、気体の圧力と
は、ノズル等から噴流として出る直前の気体の圧力をい
い、これを所望の圧力とすることは、気体源にボンベを
使う場合、気体源がコンプレッサーで圧縮された空気等
の場合等において減圧調整弁等によって行うことができ
る。 所望の圧力であるかどうかの確認は、ノズル等とボンベ
、コンプレッサー等との間に圧力計を設けることにより
容易に行うことができる。
圧力が0.1kgf/cm2〜6kgf/cm2となる
ようにして行われることが好ましく、0.5kgf/c
m2〜4kgf/cm2となるようにして行われること
がより好ましい。この圧力が、低すぎると、本発明の効
果が発現しないことがあり、一方、高すぎると感光皮膜
がダメージを受けることがある。ここで、気体の圧力と
は、ノズル等から噴流として出る直前の気体の圧力をい
い、これを所望の圧力とすることは、気体源にボンベを
使う場合、気体源がコンプレッサーで圧縮された空気等
の場合等において減圧調整弁等によって行うことができ
る。 所望の圧力であるかどうかの確認は、ノズル等とボンベ
、コンプレッサー等との間に圧力計を設けることにより
容易に行うことができる。
【0014】この所望の圧力とした気体の噴流は、気体
の噴出口(例えば、ノズル等)から現像面までの距離を
5cm〜50cmとして行われることが好ましく、10
cm〜30cmとして行われることがより好ましい。
の噴出口(例えば、ノズル等)から現像面までの距離を
5cm〜50cmとして行われることが好ましく、10
cm〜30cmとして行われることがより好ましい。
【0015】気体を現像面に噴流させることは、現像面
が乾燥しないように行われることが好ましい。気体を現
像面に噴流させることは感光材料が現像液に浸漬されて
いる間あるいは感光材料に現像液がスプレー噴射されて
いる間に同時に行われてもよく、また、感光材料が現像
液への浸漬あるいは、現像液のスプレー噴射が終了し、
水洗等の次の工程に行く前に行われてもよい。気体を現
像面に噴流させることは、何回かに分けて行われてもよ
い。気体を現像面に噴流させることは、総計で1秒間〜
30秒間行うことが好ましく、2秒間〜15秒間行うこ
とがより好ましい。
が乾燥しないように行われることが好ましい。気体を現
像面に噴流させることは感光材料が現像液に浸漬されて
いる間あるいは感光材料に現像液がスプレー噴射されて
いる間に同時に行われてもよく、また、感光材料が現像
液への浸漬あるいは、現像液のスプレー噴射が終了し、
水洗等の次の工程に行く前に行われてもよい。気体を現
像面に噴流させることは、何回かに分けて行われてもよ
い。気体を現像面に噴流させることは、総計で1秒間〜
30秒間行うことが好ましく、2秒間〜15秒間行うこ
とがより好ましい。
【0016】本発明の好ましい一つの態様は、現像液と
してのアルカリ性液体(例えば、炭酸ナトリウムの水溶
液)により現像される。感光材料の現像において、現像
中に気体が現像面に当たる際の温度及び気体の圧力がそ
れぞれ0℃〜80℃及び0.1kgf/cm2〜6kg
f/cm2となるようにし、気体の噴流のタイミングを
感光材料の最少現像時間のスプレー噴射の後1秒間〜3
0秒間、気体を現像面に噴流させ、ついで、前記最少現
像時間の1/4〜1/2の時間再度スプレー噴射させる
現像方法である(すなわち、スプレー噴射−気体噴流−
スプレー噴射の工程を行う方法)。
してのアルカリ性液体(例えば、炭酸ナトリウムの水溶
液)により現像される。感光材料の現像において、現像
中に気体が現像面に当たる際の温度及び気体の圧力がそ
れぞれ0℃〜80℃及び0.1kgf/cm2〜6kg
f/cm2となるようにし、気体の噴流のタイミングを
感光材料の最少現像時間のスプレー噴射の後1秒間〜3
0秒間、気体を現像面に噴流させ、ついで、前記最少現
像時間の1/4〜1/2の時間再度スプレー噴射させる
現像方法である(すなわち、スプレー噴射−気体噴流−
スプレー噴射の工程を行う方法)。
【0017】本発明の別の好ましい一つの態様としては
、前記の現像法において噴流のタイミングを最少現像時
間のスプレー噴射と同時に、1回につき2秒間〜5秒間
で2〜3回と変更した、時間の短縮された現像方法であ
る。
、前記の現像法において噴流のタイミングを最少現像時
間のスプレー噴射と同時に、1回につき2秒間〜5秒間
で2〜3回と変更した、時間の短縮された現像方法であ
る。
【0018】ここで、最少現像時間とは、ネガ型の感光
材料を用いた場合、未露光部の広い部分(10mm×1
0mm以上)が浸漬あるいはスプレー噴射等(気体噴流
を除く)により除去できるのに最少限必要な時間を意味
し、ポジ型の感光材料を用いた場合、露光部の広い部分
(10mm×10mm)が浸漬あるいはスプレー噴射等
(気体噴流を除く)により除去できるのに最少限必要な
時間を意味する。
材料を用いた場合、未露光部の広い部分(10mm×1
0mm以上)が浸漬あるいはスプレー噴射等(気体噴流
を除く)により除去できるのに最少限必要な時間を意味
し、ポジ型の感光材料を用いた場合、露光部の広い部分
(10mm×10mm)が浸漬あるいはスプレー噴射等
(気体噴流を除く)により除去できるのに最少限必要な
時間を意味する。
【0019】
【実施例】以下、本発明を実施例によって更に詳しく説
明する。実施例1、2及び比較例1銅はく(厚さ35μ
m)を両面に積層したガラスエポキシ材である基板(日
立化成工業株式会社製、商標MCL−E−61)の銅表
面を#800のサンドペーパーで研磨し、水洗して空気
流で乾燥した。次いで基板を60℃に加温し、その銅面
上に、感光性フィルム(日立化成工業株式会社製、商標
Photec865AFT−50、感光層50μm厚、
アルカリ現像型、ネガ型)をラミネーター(日立化成工
業株式会社製、商標HLM−1500)でラミネートし
た(ラミネートロール温度120℃、エアシリンダ圧力
3.0kgf/cm2、ラミネートスピード1.5m/
分)。
明する。実施例1、2及び比較例1銅はく(厚さ35μ
m)を両面に積層したガラスエポキシ材である基板(日
立化成工業株式会社製、商標MCL−E−61)の銅表
面を#800のサンドペーパーで研磨し、水洗して空気
流で乾燥した。次いで基板を60℃に加温し、その銅面
上に、感光性フィルム(日立化成工業株式会社製、商標
Photec865AFT−50、感光層50μm厚、
アルカリ現像型、ネガ型)をラミネーター(日立化成工
業株式会社製、商標HLM−1500)でラミネートし
た(ラミネートロール温度120℃、エアシリンダ圧力
3.0kgf/cm2、ラミネートスピード1.5m/
分)。
【0020】このようなサンプルを所定枚数つくり各々
、3kWの高圧水銀灯(オーク製作所製、商標201B
)で、フォトレジストの解像度が評価できるような種々
のライン幅及びライン間隔(ライン幅=ライン間隔)の
あるフォトマスクを介し、120mJ/cm2で露光を
行った。次に表1に示すように30℃、1.2%炭酸ナ
トリウム水溶液に揺動しながら浸漬及び室温(23℃)
で4kg/cm2の圧力の空気噴流をあて現像を行った
。
、3kWの高圧水銀灯(オーク製作所製、商標201B
)で、フォトレジストの解像度が評価できるような種々
のライン幅及びライン間隔(ライン幅=ライン間隔)の
あるフォトマスクを介し、120mJ/cm2で露光を
行った。次に表1に示すように30℃、1.2%炭酸ナ
トリウム水溶液に揺動しながら浸漬及び室温(23℃)
で4kg/cm2の圧力の空気噴流をあて現像を行った
。
【0021】その後現像されたサンプルを20℃の水道
水で40秒間水洗し、乾燥し、解像度を評価した。尚、
比較例1は空気噴流を行わない場合であり、100秒の
揺動浸漬で未露光部は完全に除去された。なお、現像工
程の後に、像が形成された最も狭いライン幅を解像度と
して示した。
水で40秒間水洗し、乾燥し、解像度を評価した。尚、
比較例1は空気噴流を行わない場合であり、100秒の
揺動浸漬で未露光部は完全に除去された。なお、現像工
程の後に、像が形成された最も狭いライン幅を解像度と
して示した。
【0022】実施例3、4、5、6及び7実施例2と同
様にサンプルを作製し、露光、現像を行った。現像時に
おける空気噴流の圧力を表2に示すように行った。
様にサンプルを作製し、露光、現像を行った。現像時に
おける空気噴流の圧力を表2に示すように行った。
【0023】実施例8、9、10及び比較例2実施例1
と同様にサンプルを作製し、露光を行った。次に表3に
示すように1.2%炭酸ナトリウム水溶液を30℃、ス
プレー圧1.5kgf/cm2(現像面)、流量2l/
min(現像面)でスプレー噴流し、4kgf/cm2
の圧力の空気噴流をあて現像を行いその後20℃の水道
水で40秒間水洗し乾燥し解像度及びレジスト像すそ引
き量(d)を評価した。なお、すそ引き量(d)を図1
として示した。図1において、1は感光被膜、2はすそ
引き量(d)、3はライン幅である。
と同様にサンプルを作製し、露光を行った。次に表3に
示すように1.2%炭酸ナトリウム水溶液を30℃、ス
プレー圧1.5kgf/cm2(現像面)、流量2l/
min(現像面)でスプレー噴流し、4kgf/cm2
の圧力の空気噴流をあて現像を行いその後20℃の水道
水で40秒間水洗し乾燥し解像度及びレジスト像すそ引
き量(d)を評価した。なお、すそ引き量(d)を図1
として示した。図1において、1は感光被膜、2はすそ
引き量(d)、3はライン幅である。
【0024】
【表1】
【0025】
【表2】
【0026】
【表3】
【0027】実施例11、12及び比較例3実施例1と
同様の基板に同様に溶剤現像型感光性フィルム(日立化
成工業株式会社製、商標Photec145F−40)
をラミネートした。実施例1と同様のフォトマスクを介
在し、同様の露光機を用い、60mJ/cm2で露光を
行った。次に表4に示すように18℃の1,1,1−ト
リクロルエタンをスプレー圧力2kg/cm2,ノズル
からの距離15cm下で、スプレー噴射し、室温(23
℃)の4kg/cm2の圧力の空気噴流をあて現像を行
い、その後20℃の水道水で40秒間水洗し、乾燥し、
解像度を評価した。尚比較例3は空気噴流を行わない場
合を示した。
同様の基板に同様に溶剤現像型感光性フィルム(日立化
成工業株式会社製、商標Photec145F−40)
をラミネートした。実施例1と同様のフォトマスクを介
在し、同様の露光機を用い、60mJ/cm2で露光を
行った。次に表4に示すように18℃の1,1,1−ト
リクロルエタンをスプレー圧力2kg/cm2,ノズル
からの距離15cm下で、スプレー噴射し、室温(23
℃)の4kg/cm2の圧力の空気噴流をあて現像を行
い、その後20℃の水道水で40秒間水洗し、乾燥し、
解像度を評価した。尚比較例3は空気噴流を行わない場
合を示した。
【0028】
【表4】
【0029】
【発明の効果】本発明の現像方法を用いることにより解
像度の良好な、すそ引きが少なく画像精度が優れた像(
レジストパターン)を形成することができる。
像度の良好な、すそ引きが少なく画像精度が優れた像(
レジストパターン)を形成することができる。
【図1】図1は、すそ引き量(d)について示した模式
図である。
図である。
1…感光被膜(レジストパターン)
2…すそ引き量(d)
3…ライン幅
Claims (5)
- 【請求項1】 液体により現像される感光材料の現像
において、現像工程において気体を現像面に噴流させる
ことを特徴とする現像方法。 - 【請求項2】 気体を現像面に噴流させることが、気
体が現像面に当たる際の温度が0℃〜80℃となるよう
にして行われる請求項1記載の現像方法。 - 【請求項3】 気体を現像面に噴流させることが、気
体の圧力が0.1kgf/cm2〜6kgf/cm2と
なるようにして行われる請求項1又は2記載の現像方法
。 - 【請求項4】 液体がアルカリ性水溶液である請求項
1、2又は3記載の現像方法。 - 【請求項5】 気体が空気である請求項1、2、3又
は4記載の現像方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3023288A JP2684854B2 (ja) | 1990-02-19 | 1991-02-18 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3814490 | 1990-02-19 | ||
JP2-38144 | 1990-02-19 | ||
JP3023288A JP2684854B2 (ja) | 1990-02-19 | 1991-02-18 | 現像方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04211263A true JPH04211263A (ja) | 1992-08-03 |
JP2684854B2 JP2684854B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=26360620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3023288A Expired - Lifetime JP2684854B2 (ja) | 1990-02-19 | 1991-02-18 | 現像方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2684854B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05173336A (ja) * | 1990-11-28 | 1993-07-13 | Canon Inc | レジストの除去方法及び除去装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56110940A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method for developing and rinsing photoresist |
JPH0246465A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Nec Kyushu Ltd | 現像機 |
JPH03270218A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Fujitsu Ltd | 現像方法 |
JPH0425115A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Fujitsu Ltd | 現像装置 |
JPH0440461A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
JPH04242741A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-08-31 | Konica Corp | 感光材料の処理方法及び処理装置 |
JPH04249259A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Konica Corp | 感光性平版印刷版の処理方法 |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP3023288A patent/JP2684854B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56110940A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method for developing and rinsing photoresist |
JPH0246465A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-15 | Nec Kyushu Ltd | 現像機 |
JPH03270218A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Fujitsu Ltd | 現像方法 |
JPH0425115A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-28 | Fujitsu Ltd | 現像装置 |
JPH0440461A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像形成方法 |
JPH04242741A (ja) * | 1991-01-08 | 1992-08-31 | Konica Corp | 感光材料の処理方法及び処理装置 |
JPH04249259A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Konica Corp | 感光性平版印刷版の処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05173336A (ja) * | 1990-11-28 | 1993-07-13 | Canon Inc | レジストの除去方法及び除去装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2684854B2 (ja) | 1997-12-03 |
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