JP2001251038A - 回路基板のレジストパタ−ン形成法 - Google Patents
回路基板のレジストパタ−ン形成法Info
- Publication number
- JP2001251038A JP2001251038A JP2000059084A JP2000059084A JP2001251038A JP 2001251038 A JP2001251038 A JP 2001251038A JP 2000059084 A JP2000059084 A JP 2000059084A JP 2000059084 A JP2000059084 A JP 2000059084A JP 2001251038 A JP2001251038 A JP 2001251038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- circuit board
- negative
- positive
- photoresist pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】回路基板を製造する際に必要なレジストパタ−
ンを確実に形成できる回路基板のレジストパタ−ン形成
法を提供する。 【解決手段】基材上１に所要のパタ−ンと反転したポジ
型フォトレジストパタ−ン２を形成し、基材１の露出面
とポジ型フォトレジストパタ−ン２上に一様にネガ型フ
ォトレジスト層３を形成する。次に、ネガ型フォトレジ
スト層３に露光・現像処理を加えてネガ型フォトレジス
トパタ−ン５を形成した後、ポジ型フォトレジストパタ
−ン２を除去する。
ンを確実に形成できる回路基板のレジストパタ−ン形成
法を提供する。 【解決手段】基材上１に所要のパタ−ンと反転したポジ
型フォトレジストパタ−ン２を形成し、基材１の露出面
とポジ型フォトレジストパタ−ン２上に一様にネガ型フ
ォトレジスト層３を形成する。次に、ネガ型フォトレジ
スト層３に露光・現像処理を加えてネガ型フォトレジス
トパタ−ン５を形成した後、ポジ型フォトレジストパタ
−ン２を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板を製造す
る際に必要なレジストパタ−ンを確実に形成できる回路
基板のレジストパタ−ン形成法に関する。
る際に必要なレジストパタ−ンを確実に形成できる回路
基板のレジストパタ−ン形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】回路基板を製造する際のエ
ッチングレジストや絶縁膜等に使用されるフォトレジス
トの中で、ネガ型フォトレジストはポジ型フォトレジス
トに比べて基材に対する密着力、耐熱性、機械的強度及
び耐薬品性等に優れているので、例えば可撓性回路基板
を製造する際のエッチングレジスト又は絶縁膜の形成等
に広く利用されている。
ッチングレジストや絶縁膜等に使用されるフォトレジス
トの中で、ネガ型フォトレジストはポジ型フォトレジス
トに比べて基材に対する密着力、耐熱性、機械的強度及
び耐薬品性等に優れているので、例えば可撓性回路基板
を製造する際のエッチングレジスト又は絶縁膜の形成等
に広く利用されている。
【０００３】ところで、一般にポジ型フォトレジストは
ネガ型フォトレジストに比べて高い解像力を有する他、
現像後のレジストの側壁の形状が基材に垂直に近いもの
が得られる。一方、ネガ型フォトレジストの場合では、
露光・現像によってレジストパタ−ンを形成しても垂直
な形状は得られにくい他、現像時にレジストの膨潤が発
生する為、パタ−ンに沿うようにして外周部にすそ引き
と通称されるごく薄いレジスト膜が残存するので、開口
寸法がレジスト上部より小さくなるという問題がある。
ネガ型フォトレジストに比べて高い解像力を有する他、
現像後のレジストの側壁の形状が基材に垂直に近いもの
が得られる。一方、ネガ型フォトレジストの場合では、
露光・現像によってレジストパタ−ンを形成しても垂直
な形状は得られにくい他、現像時にレジストの膨潤が発
生する為、パタ−ンに沿うようにして外周部にすそ引き
と通称されるごく薄いレジスト膜が残存するので、開口
寸法がレジスト上部より小さくなるという問題がある。
【０００４】しかし、このネガ型フォトレジストの持つ
上記の如き基材に対する密着力、耐熱性、機械的強度及
び耐薬品性等の優位性を考慮すると、既述したネガ型フ
ォトレジストの問題を改善することが必要である。
上記の如き基材に対する密着力、耐熱性、機械的強度及
び耐薬品性等の優位性を考慮すると、既述したネガ型フ
ォトレジストの問題を改善することが必要である。
【０００５】そこで、本発明は、ポジ型フォトレジスト
の解像性及び形状確実性等をそのままネガ型フォトレジ
ストに反映させながら、回路基板を製作する為に必要な
レジストパタ−ンを確実に形成できる回路基板のレジス
トパタ−ン形成法を提供するものである。
の解像性及び形状確実性等をそのままネガ型フォトレジ
ストに反映させながら、回路基板を製作する為に必要な
レジストパタ−ンを確実に形成できる回路基板のレジス
トパタ−ン形成法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】その為に、本発明に係る
回路基板のレジストパタ−ン形成法では、回路基板の基
材上にポジ型フォトレジストを用いて所要のパタ−ンと
反転したポジ型フォトレジストパタ−ンを形成し、次に
上記基材の露出面及び上記ポジ型フォトレジストパタ−
ン上に一様にネガ型フォトレジスト層を形成した後、上
記ネガ型フォトレジスト層に露光・現像処理を加えてネ
ガ型フォトレジストパタ−ンを形成し、最後に上記ポジ
型フォトレジストパタ−ンを除去することを特徴とす
る。
回路基板のレジストパタ−ン形成法では、回路基板の基
材上にポジ型フォトレジストを用いて所要のパタ−ンと
反転したポジ型フォトレジストパタ−ンを形成し、次に
上記基材の露出面及び上記ポジ型フォトレジストパタ−
ン上に一様にネガ型フォトレジスト層を形成した後、上
記ネガ型フォトレジスト層に露光・現像処理を加えてネ
ガ型フォトレジストパタ−ンを形成し、最後に上記ポジ
型フォトレジストパタ−ンを除去することを特徴とす
る。
【０００７】ここで、前記ポジ型フォトレジストパタ−
ン及びネガ型フォトレジストパタ−ンを形成する際には
同一の露光マスクを用いることができる。
ン及びネガ型フォトレジストパタ−ンを形成する際には
同一の露光マスクを用いることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図示の実施例を参照しなが
ら本発明を更に詳述する。図１は本発明による回路基板
のレジストパタ−ン形成法の工程図であり、同図（１）
の如く、先ずポジ型フォトレジストを用いて露光・現像
処理により基材１上に所要のパタ−ンと反転したポジ型
フォトレジストパタ−ン２を形成する。
ら本発明を更に詳述する。図１は本発明による回路基板
のレジストパタ−ン形成法の工程図であり、同図（１）
の如く、先ずポジ型フォトレジストを用いて露光・現像
処理により基材１上に所要のパタ−ンと反転したポジ型
フォトレジストパタ−ン２を形成する。
【０００９】次に、同図（２）の如く、基材１の露出面
及びポジ型フォトレジストパタ−ン２上にこのポジ型フ
ォトレジストパタ−ン２の膜厚より厚くネガ型フォトレ
ジスト層３を一様に形成する。
及びポジ型フォトレジストパタ−ン２上にこのポジ型フ
ォトレジストパタ−ン２の膜厚より厚くネガ型フォトレ
ジスト層３を一様に形成する。
【００１０】そこで、同図（３）のように、ポジ型フォ
トレジストパタ−ン２の形成に用いた露光マスクと同一
の露光マスク４を使用して所要の位置合わせを行ってネ
ガ型フォトレジスト層３に対する露光処理を加えた後、
これに現像処理を施すことにより、同図（４）の如く、
ネガ型フォトレジストパタ−ン５を形成できる。
トレジストパタ−ン２の形成に用いた露光マスクと同一
の露光マスク４を使用して所要の位置合わせを行ってネ
ガ型フォトレジスト層３に対する露光処理を加えた後、
これに現像処理を施すことにより、同図（４）の如く、
ネガ型フォトレジストパタ−ン５を形成できる。
【００１１】最後に、ポジ型フォトレジストパタ−ン２
を除去すると、同図（５）の如く、ネガ型フォトレジス
トパタ−ン５のみが残るので、以後、基材１に対するエ
ッチング又はアディティブ法による配線パタ−ンの形成
や或いはネガ型フォトレジストパタ−ン５による基材１
の開口部に対する絶縁膜工程等に移行できる。
を除去すると、同図（５）の如く、ネガ型フォトレジス
トパタ−ン５のみが残るので、以後、基材１に対するエ
ッチング又はアディティブ法による配線パタ−ンの形成
や或いはネガ型フォトレジストパタ−ン５による基材１
の開口部に対する絶縁膜工程等に移行できる。
【００１２】上記のように、ポジ型フォトレジストパタ
−ン２をガイドとしてネガ型フォトレジストパタ−ン５
を最終的に形成することができるが、これらの種類のレ
ジストの組み合わせとしては現像時に他のレジストを溶
解させない為に、現像液としてポジ型に有機を用いる場
合にはネガ型にアルカリを用い、また、ポジ型にアルカ
リを用いる場合にはネガ型には酸を用いるのが適当であ
る。
−ン２をガイドとしてネガ型フォトレジストパタ−ン５
を最終的に形成することができるが、これらの種類のレ
ジストの組み合わせとしては現像時に他のレジストを溶
解させない為に、現像液としてポジ型に有機を用いる場
合にはネガ型にアルカリを用い、また、ポジ型にアルカ
リを用いる場合にはネガ型には酸を用いるのが適当であ
る。
【００１３】
【発明の効果】本発明に係る回路基板のレジストパタ−
ン形成法によれば、ポジ型フォトレジストの解像力によ
るパタ−ンがそのままネガ型フォトレジスに転写される
ので、形成したネガ型フォトレジスパタ−ンはポジ型フ
ォトレジストパタ−ン並の解像力を有する他、製造時に
ネガ型フォトレジスパタ−ンの開口部に既にポジ型フォ
トレジストパタ−ンが存在するので、従来の如きすそ引
きが発生しない。
ン形成法によれば、ポジ型フォトレジストの解像力によ
るパタ−ンがそのままネガ型フォトレジスに転写される
ので、形成したネガ型フォトレジスパタ−ンはポジ型フ
ォトレジストパタ−ン並の解像力を有する他、製造時に
ネガ型フォトレジスパタ−ンの開口部に既にポジ型フォ
トレジストパタ−ンが存在するので、従来の如きすそ引
きが発生しない。
【００１４】ポジ型フォトレジストパタ−ンの側壁形状
がそのままネガ型フォトレジスパタ−ンに反映されるの
で、基材に対して垂直なレジスト形状が得られ、結果と
して高い解像力を有し且つネガ型としてのメリットを生
かしたフォトレジストパタ−ンを形成することが可能で
ある。
がそのままネガ型フォトレジスパタ−ンに反映されるの
で、基材に対して垂直なレジスト形状が得られ、結果と
して高い解像力を有し且つネガ型としてのメリットを生
かしたフォトレジストパタ−ンを形成することが可能で
ある。
【００１５】また、ポジ型及びネガ型のフォトレジスト
パタ−ンを形成する際の露光マスクには同一のものを用
いることができるので、コスト的には新規にポジ型フォ
トレジストを購入すればよく有利である。
パタ−ンを形成する際の露光マスクには同一のものを用
いることができるので、コスト的には新規にポジ型フォ
トレジストを購入すればよく有利である。
【図１】本発明による回路基板のレジストパタ−ン形成
法の工程図。
法の工程図。
１ 基材 ２ ポジ型フォトレジストパタ−ン ３ ネガ型フォトレジスト層 ４ 露光マスク ５ ネガ型フォトレジストパタ−ン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA26 KA02 KA30 5E339 BE11 CC01 CD01 CE11 CE12 CF06 CF15 CG04 DD02 5E343 AA02 AA11 CC62 CC63 ER11 GG08
Claims (2)
- 【請求項１】回路基板の基材上にポジ型フォトレジスト
を用いて所要のパタ−ンと反転したポジ型フォトレジス
トパタ−ンを形成し、次いで上記基材の露出面及び上記
ポジ型フォトレジストパタ−ン上に一様にネガ型フォト
レジスト層を形成した後、上記ネガ型フォトレジスト層
に露光・現像処理を加えてネガ型フォトレジストパタ−
ンを形成し、最後に上記ポジ型フォトレジストパタ−ン
を除去することを特徴とする回路基板のレジストパタ−
ン形成法。 - 【請求項２】前記ポジ型フォトレジストパタ−ン及びネ
ガ型フォトレジストパタ−ンを形成する際に同一の露光
マスクを用いる請求項１の回路基板のレジストパタ−ン
形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000059084A JP2001251038A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | 回路基板のレジストパタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000059084A JP2001251038A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | 回路基板のレジストパタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001251038A true JP2001251038A (ja) | 2001-09-14 |
Family
ID=18579585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000059084A Pending JP2001251038A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | 回路基板のレジストパタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001251038A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100925758B1 (ko) | 2007-11-23 | 2009-11-11 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
| JP2010085829A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
| US7935477B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-05-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double patterning strategy for contact hole and trench |
| US8048616B2 (en) | 2008-03-12 | 2011-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double patterning strategy for contact hole and trench in photolithography |
| US8859187B2 (en) | 2006-10-20 | 2014-10-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming resist pattern and negative resist composition |
| JP2014235391A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 三菱製紙株式会社 | パターン形成方法 |
-
2000
- 2000-03-03 JP JP2000059084A patent/JP2001251038A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8859187B2 (en) | 2006-10-20 | 2014-10-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming resist pattern and negative resist composition |
| KR100925758B1 (ko) | 2007-11-23 | 2009-11-11 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 제조방법 |
| US7935477B2 (en) | 2007-11-30 | 2011-05-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double patterning strategy for contact hole and trench |
| US8048616B2 (en) | 2008-03-12 | 2011-11-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double patterning strategy for contact hole and trench in photolithography |
| KR101079014B1 (ko) * | 2008-03-12 | 2011-11-01 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 포토리소그래피에 의한 콘택 홀 및 트렌치를 위한 이중 패터닝 방법 |
| US8450052B2 (en) | 2008-03-12 | 2013-05-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double patterning strategy for contact hole and trench in photolithography |
| JP2010085829A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法 |
| JP2014235391A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 三菱製紙株式会社 | パターン形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3639185A (en) | Novel etchant and process for etching thin metal films | |
| US5407788A (en) | Photoresist stripping method | |
| JP2001251038A (ja) | 回路基板のレジストパタ−ン形成法 | |
| JPH05326358A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH10154707A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01191423A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH08272107A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| US3773670A (en) | Novel etchant for etching thin metal films | |
| JP2004093652A (ja) | レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPS58132927A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2004091909A (ja) | レーザ加工機用マスク等に用いる精密な貫通部パターンを含む銅製プレートの電鋳方法 | |
| JP3421268B2 (ja) | パターン形成法 | |
| KR970004428B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR100905193B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JP4425720B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR0137610B1 (ko) | 마스크 정렬 오차 측정을 위한 감광막 패턴 형성 방법 | |
| JP2819568B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト現像液 | |
| KR100476378B1 (ko) | 탑표면이미지프로세스에의해형성된레지스트패턴제거방법 | |
| JP4421706B2 (ja) | 表面にメッキパターンを備えた金属部品の製造方法 | |
| JP2712397B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト現像液 | |
| JPH0638160B2 (ja) | ポジ型ホトレジストのスカム除去剤 | |
| JPH11162803A (ja) | ポジレジストの処理方法 | |
| JPS63233530A (ja) | 露光によるパタ−ン形成方法 | |
| KR19980084124A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPH03268427A (ja) | 有機樹脂膜のパターン形成方法及び多層配線基板の製造方法 |