JPH05263243A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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JPH05263243A
JPH05263243A JP5798592A JP5798592A JPH05263243A JP H05263243 A JPH05263243 A JP H05263243A JP 5798592 A JP5798592 A JP 5798592A JP 5798592 A JP5798592 A JP 5798592A JP H05263243 A JPH05263243 A JP H05263243A
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JP
Japan
Prior art keywords
cooling
thin film
cooling medium
support holder
base plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP5798592A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Tsuino
康弘 対野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP5798592A priority Critical patent/JPH05263243A/ja
Publication of JPH05263243A publication Critical patent/JPH05263243A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 放熱時間の短縮、および正確な冷却温度制御
を、簡単な構造で達成する。 【構成】回転自在に支持された支持ホルダー2と、この
支持ホルダー2を冷却する冷却部3とを備え、冷却部3
は、支持ホルダー2に対して接触/非接触の状態に進退
する冷却ジャケット3Aと、この冷ジャケット3Aに供
給される冷却媒体の量を調節する流量調節部3Bとを有
している薄膜形成装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、蒸着、スパッタリン
グ、CVDなどのような薄膜を形成する装置に関し、詳
しくは、その冷却構造に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、蒸着、スパッタリング、CVD
などによって基板上に薄膜を形成する工程は、膜厚を一
定にする目的から回転する支持ホルダーを用い、この支
持ホルダーに基板を載置しておいて加熱状態で行われ
る。そして、薄膜形成工程終了後、基板は約100℃ま
で冷却される。冷却の方法としては自然放熱も考えられ
るがこれでは時間がかかる。そこで、従来から、支持ホ
ルダーに冷却媒体を流通させて基板を冷却させていた。
このような冷却構造を有する従来の薄膜形成装置を図3
に示す。この薄膜形成装置30は真空室31を備えてお
り、この真空室31内に支持ホルダー32が回転自在に
支持されている。支持ホルダー32は室外に配置された
回転駆動部38によって回転駆動されるようになってい
る。この支持ホルダー32の内部には冷却液室33が形
成されている。そして、この冷却液室33に冷却液パイ
プ34から冷却液(主に冷却水)が供給され、この冷却
水によって基板が冷却されるようになっている。
【0003】なお、図中、符号35は支持ホルダー32
に内装された加熱用ヒータ線、36は同じく支持ホルダ
ー32に内装された温度検出用の熱電対、37は支持ホ
ルダー32を真空室31内において回転自在に支持する
軸受、Aは基板である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
薄膜形成装置30においては、冷却液室33は回転駆動
される支持ホルダー32内に形成されている。そのた
め、この冷却液室33に冷却液を供給する構造が複雑に
なり、その分製造コストを上昇させていた。また、この
ような複雑な冷却液引き込み構造は真空室31における
高真空達成の障害となるので都合が悪かった。
【0005】さらに、薄膜形成の際、支持ホルダー32
の温度は350〜450℃程度に上昇するので、薄膜形
成は冷却液室33から冷却液を排出しておいて行うよう
になっている。というのも冷却液を留め置いた状態で薄
膜形成を行うと、冷却液室33内で冷却液が蒸発し、そ
の圧力によって通液経路が破損してしまう。そこで、冷
却の際には、急激冷却を防止するため、ある程度自然放
熱させておき、そのうえで熱電対36で支持ホルダー3
2の温度を測定しながら、徐々に冷却液を供給するとい
った込み入った作業が必要であり、その制御が複雑で手
間がかかっていた。さらに、これによって冷却開始タイ
ミングが大幅に遅れることになり十分な冷却時間の短縮
効果も得られなかった。
【0006】くわえて、プラスチック、樹脂フィルムと
いった熱変形温度の比較的低いものに金属薄膜を形成す
る場合、基板の温度が熱変形温度以上にならないよう
に、温度制御を行いながら薄膜形成する必要がある。し
かしながら、従来の薄膜形成装置で、このような微妙な
温度制御を行うのは困難であった。
【0007】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、放熱時間の短縮、および正確な冷却温度
制御を、簡単な構造で達成できる薄膜形成装置を提供す
ることを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、回転自在に支持された基板支持部と、こ
の基板支持部を冷却する冷却部とを備え、前記冷却部
は、前記基板支持部に対して接触/非接触の状態に進退
する冷却媒体貯蔵部と、この冷却媒体貯蔵部に供給され
る冷却媒体の量を調節する流量調節部とを有しており、
以上のものから薄膜形成装置を構成した。
【0009】
【作用】上記構成によれば、冷却媒体貯蔵部は、冷却
中、すなわち基板支持部の回転停止中のみ基板支持部と
接触すればよいので、冷却媒体貯蔵部を回転自在に支持
する必要がなくなり、冷却媒体を供給する流路の構造は
簡単になる。 冷却媒体を供給した冷却媒体貯蔵部を基
板支持部に接触させれば冷却動作が行えるので、冷却開
始タイミングが大幅に遅れることはない。
【0010】冷却媒体貯蔵部の基板に対する離合や、流
量調節部による冷却媒体貯蔵部に供給される冷却媒体の
量を調節することにより冷却温度の制御は正確に行え
る。
【0011】
【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて
詳細に説明する。図1は本発明の一実施例の断面図であ
る。
【0012】この薄膜形成装置1は、支持ホルダー(基
板支持部)2と冷却部3とを備えている。支持ホルダー
2は、基板Aを載置するものであり、回転軸2aと、こ
の回転軸2aの先端に一体に取り付けられた円盤状の載
置盤2bとからなっている。載置盤2bの内部にはヒー
タ線9と熱電対10とが埋め込まれている。
【0013】冷却部3は冷却ジャケット(冷却媒体貯蔵
部)3Aと流量調整部3Bとを備えている。冷却ジャケ
ット3Aは、ドーナツ円盤状をしており、その中心孔3
aを回転軸2aに挿通させて支持ホルダー2の下方に配
置されている。冷却ジャケット3Aは中空状になってお
り、その内部に冷却水室3bを備えている。また、冷却
ジャケット3Aには給排用の冷却水パイプ4,5が連結
されている。冷却水パイプ4,5は回転軸2aと平行に
冷却ジャケット3から下方に延出している。冷却水パイ
プ4,5は冷却ジャケット3Aの支持棒を兼ねている。
なお、支持ホルダー2と冷却ジャケット3Aとは熱伝導
性のよい金属(例えばアルミニウム)から構成されてい
る。
【0014】支持ホルダー2と冷却ジャケット3Aとは
真空室6内で支持されている。すなわち、支持ホルダー
2は回転軸2aが軸受7を介して回転自在に、冷却ジャ
ケット3は冷却水パイプ4,5が軸受8,8を介して上
下動自在に、それぞれ真空室6の底面に支持されてい
る。冷却水パイプ4,5には圧着用コイルスプリング1
1,11が装着されている。コイルスプリング11,1
1は冷却ジャケット3Aと真空室6底面との間に配置さ
れている。
【0015】流量調整部3Bは供給側の冷却水パイプ4
の中途部に設けられている。冷却水パイプ4の先端は冷
却水供給部13に連結されている。一方、排出側の冷却
水パイプ5の先端は真空室6外で開放されている。冷却
水パイプ4,5はエアシリンダなどの直線駆動部15に
よって、図中上下方向に移動可能に設けられている。真
空室6から導出された回転軸2aの先端はモータなどの
回転駆動部12に連結されている。
【0016】なお、上記した流量調節部3Bとしては、
ニードルバルブや、電磁弁が用いられる。ニードルバル
ブを用いた場合、熱電対10で測定した支持ホルダー2
の温度や降温時間に応じて作業者が手動でニードルバル
ブの開閉を行い、冷却水の流量調節を行うことになる。
また、電磁弁を用いた場合、制御部を追加して設けれ
ば、熱電対10で測定した支持ホルダー2の温度や降温
時間に応じた冷却水量を制御部が判断して自動的に冷却
水の流量調節をすることになる。
【0017】次に、薄膜形成装置1による冷却工程を説
明する。
【0018】加熱中、および薄膜形成中は、直線駆動部
15によって冷却ジャケット3をコイルスプリング11
に抗して下方に移動させて支持ホルダー2から分離させ
ておく。薄膜形成終了後、図2に示すように、冷却水を
満たした冷却ジャケット3Aを直線駆動部15によって
上昇させて支持ホルダー2に接触させる。この際、冷却
ジャケット3Aへの冷却水供給は支持ホルダー2とは分
離した状態で行えるので、冷却水供給時の急激な温度変
化が支持ホルダー2上の基板Aに及ぶことはない。その
ため、急激冷却を回避するために自然冷却といった余分
な時間を設ける必要がなくなり、冷却開始タイミングが
遅延することもない。
【0019】支持ホルダー2に接触した冷却ジャケット
3Aはコイルスプリング11の弾性力によって密着する
ことになる。そして、支持ホルダー2は密着した冷却ジ
ャケット3Aの熱交換作用により冷却される。冷却温度
と冷却時間とは互いに相関関係にあるが、これらは流量
調節部3Bによる冷却水の供給量によって調整すること
ができる。
【0020】ところで、この薄膜形成装置1において
は、支持ホルダー2の回転を一時停止すれば、薄膜形成
中であっても支持ホルダー2を冷却することができる。
そのため、この薄膜形成装置1を用いてプラスチック、
樹脂フィルムといった熱変形温度の比較的低いものに金
属薄膜を形成する場合、基板の温度が熱変形温度以上に
ならないように、前記した冷却動作によって温度制御を
行いながら薄膜形成することもできる。この際、流量調
節部3Bによる冷却水供給量の調整や、支持ホルダー2
に対する冷却ジャケット3Aの離合によって加熱温度の
調整を微妙に行える。
【0021】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、冷却媒
体貯蔵部は、冷却中、すなわち基板支持部の回転停止中
のみ基板支持部と接触すればよいので、冷却媒体貯蔵部
を回転自在に支持する必要がなくなり、冷却媒体を供給
する流路の構造は簡単になり製造コストの低減が図れる
とともに、真空室の高真空達成も容易になった。
【0022】冷却媒体を満たした冷却媒体貯蔵部を基板
支持部に接触させれば冷却動作が行えるので、冷却開始
タイミングが大幅に遅れることはなく、冷却時間の短縮
が可能になった。
【0023】冷却媒体貯蔵部の基板に対する離合や、冷
却媒体貯蔵部に供給される冷却媒体の量を流量調節部に
よって調節することにより冷却の制御を行うので、冷却
温度や冷却時間の制御は正確に行えるようになり、プラ
スチックや樹脂フィルムといった比較的熱変形温度の低
いものにでも、熱変形を起こすことなく薄膜を形成する
ことができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の薄膜形成装置の構造を示す
断面図である。
【図2】実施例の薄膜形成装置の冷却動作を説明する断
面図である。
【図3】従来例の薄膜形成装置の構造を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
2 基板支持部(支持ホルダー) 3 冷却部 3A 冷却ジャケット(冷却媒体貯蔵部) 3B 流量調整部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回転自在に支持された基板支持部(2)
    と、この基板支持部(2)を冷却する冷却部(3)とを
    備え、前記冷却部(3)は、前記基板支持部(2)に対
    して接触/非接触の状態に進退する冷却媒体貯蔵部(3
    A)と、この冷却媒体貯蔵部(3A)に供給される冷却
    媒体の量を調節する流量調節部(3B)とを有している
    ことを特徴とする薄膜形成装置。
JP5798592A 1992-03-16 1992-03-16 薄膜形成装置 Pending JPH05263243A (ja)

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JP5798592A JPH05263243A (ja) 1992-03-16 1992-03-16 薄膜形成装置

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JP5798592A JPH05263243A (ja) 1992-03-16 1992-03-16 薄膜形成装置

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ID=13071308

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JP5798592A Pending JPH05263243A (ja) 1992-03-16 1992-03-16 薄膜形成装置

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2792084A1 (fr) * 1999-04-12 2000-10-13 Joint Industrial Processors For Electronics Dispositif de chauffage et de refroidissement integre dans un reacteur de traitement thermique d'un substrat
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