WO2012073695A1 - 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 - Google Patents

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WO2012073695A1
WO2012073695A1 PCT/JP2011/076387 JP2011076387W WO2012073695A1 WO 2012073695 A1 WO2012073695 A1 WO 2012073695A1 JP 2011076387 W JP2011076387 W JP 2011076387W WO 2012073695 A1 WO2012073695 A1 WO 2012073695A1
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substrate
coating
irradiation
radiation
wafer
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PCT/JP2011/076387
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康治 高柳
真一 畠山
吉原　孝介
良弘 近藤
泰大 坂本
幸三 川原
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor

Definitions

  • the present invention relates to a technique for forming a coating film on a substrate by rotating the substrate and spreading the coating solution.
  • a resist coating process In a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, a resist coating process, an exposure process, a development process, and the like are sequentially performed on a substrate, whereby a predetermined resist pattern is formed on the substrate.
  • a spin coating method is generally used in which the substrate is first rotated, the resist solution is supplied to the center of the rotating substrate, and the resist solution is spread over the entire surface of the substrate by centrifugal force. Has been done.
  • Patent Document 1 describes heating of a substrate by light irradiation in a coating process, but this is for the purpose of shortening the drying time of the resist when the resist amount is sufficient, and the problem of the present invention is described. Not.
  • the present invention has been made under such a background, and an object of the present invention is to provide a technique capable of obtaining high in-plane uniformity with respect to the thickness of a coating film formed on a substrate in a spin coating method. is there.
  • the coating apparatus of the present invention is In the coating apparatus that spreads the coating liquid supplied from the coating nozzle to the center of the substrate and spreads it on the surface of the substrate by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate,
  • a storage unit that stores the processing recipe including the transition pattern of the type of coating liquid and the number of rotations of the substrate and the irradiation information for specifying the irradiation position of the radiation light in the radial direction of the substrate,
  • the irradiation information corresponding to the selected processing recipe is read, and based on the read irradiation information, the coating liquid is applied to the entire surface of the substrate at the irradiation position specified by the irradiation information, and the coating liquid is dried.
  • a control unit that outputs a control signal so as to irradiate radiation light locally from the radiation source in a time zone including a period in which there is no state, and
  • coating apparatuses of the present invention are: In the coating apparatus that spreads the coating liquid supplied from the coating nozzle to the center of the substrate and spreads it on the surface of the substrate by the centrifugal force caused by the rotation of the substrate, A holding unit for holding the substrate horizontally; A rotation mechanism for rotating the holding portion around a vertical axis; A radiation source for locally irradiating a specific position of the substrate with radiation light having an absorption wavelength region of the material of the substrate from above the substrate, The specific position is a position where the in-plane film thickness distribution profile becomes concave when the coating film is formed without irradiating radiation.
  • Other coating methods of the present invention include: A step of holding the substrate horizontally on the holding portion; Rotating the holding unit and supplying a coating solution to the center of the substrate, and spreading the coating solution on the surface of the substrate by centrifugal force;
  • the processing recipe including the transition pattern of the type of coating liquid and the number of rotations of the substrate and the irradiation information for specifying the irradiation position of the radiation light in the radial direction of the substrate are selected from the storage unit stored in association with each other.
  • Reading the irradiation information according to the processing recipe Based on the read irradiation information, the substrate is in a time zone including a period in which the coating liquid is applied to the entire surface of the substrate and the coating liquid is not dried at the irradiation position specified by the irradiation information. Irradiating with radiant light having the absorption wavelength range of the material locally, The irradiation position corresponds to a position where the in-plane film thickness distribution profile becomes concave when the coating film is formed without irradiating radiation light based on the processing recipe.
  • the coating method of the present invention comprises: A step of holding the substrate horizontally on the holding portion; Rotating the holding unit and supplying a coating solution to the center of the substrate, and spreading the coating solution on the surface of the substrate by centrifugal force; At a specific position of the substrate, the substrate is irradiated with radiation light having an absorption wavelength region of the substrate material in a time zone including a period in which the coating solution is applied to the entire surface of the substrate and the coating solution is not dried. Irradiating locally from above, and The specific position is a position at which the in-plane film thickness distribution profile becomes concave when the coating film is formed without irradiating radiation.
  • the storage medium in the present invention is A storage medium storing a computer program used in a coating apparatus for coating a substrate with a coating liquid,
  • the computer program is for carrying out a coating method,
  • the coating method is: A step of holding the substrate horizontally on the holding portion; Rotating the holding unit and supplying a coating solution to the center of the substrate, and spreading the coating solution on the surface of the substrate by centrifugal force;
  • the processing recipe including the transition pattern of the type of coating liquid and the number of rotations of the substrate and the irradiation information for specifying the irradiation position of the radiation light in the radial direction of the substrate are selected from the storage unit stored in association with each other.
  • Reading the irradiation information according to the processing recipe Based on the read irradiation information, the substrate is in a time zone including a period in which the coating liquid is applied to the entire surface of the substrate and the coating liquid is not dried at the irradiation position specified by the irradiation information. Irradiating with radiant light having the absorption wavelength range of the material locally, The irradiation position corresponds to a position where the in-plane film thickness distribution profile becomes concave when the coating film is formed without irradiating radiation light based on the processing recipe.
  • the storage medium in the present invention is A storage medium storing a computer program used in a coating apparatus for coating a substrate with a coating liquid,
  • the computer program is for carrying out a coating method,
  • the coating method is: A step of holding the substrate horizontally on the holding portion; Rotating the holding unit and supplying a coating solution to the center of the substrate, and spreading the coating solution on the surface of the substrate by centrifugal force; At a specific position of the substrate, the substrate is irradiated with radiation light having an absorption wavelength region of the substrate material in a time zone including a period in which the coating solution is applied to the entire surface of the substrate and the coating solution is not dried. Irradiating locally from above, and The specific position is a position at which the in-plane film thickness distribution profile becomes concave when the coating film is formed without irradiating radiation.
  • the present invention recognizes in advance the position where the film thickness distribution profile in the surface of the substrate determined according to the processing recipe including the transition pattern of the type of coating liquid and the number of rotations of the substrate, and corresponds to the position.
  • the position of the substrate to be irradiated is irradiated with radiation light locally.
  • the film thickness coating solution of the position is locally heated tends to become thick, high in-plane uniformity for the film thickness of the coating film can be obtained.
  • radiation light is locally irradiated from above the substrate to a concave position in the in-plane film thickness distribution profile. Therefore, high in-plane uniformity can be obtained in the same manner with respect to the thickness of the coating film.
  • LED is arrange
  • (b) is radial direction of the wafer.
  • Two LED rows are arranged 180 ° apart from each other in the circumferential direction of the wafer.
  • four rows of LED rows arranged in the radial direction of the wafer are 90 ° apart from each other in the circumferential direction of the wafer.
  • the LED rows are arranged at a plurality of locations in the circumferential direction of the wafer.
  • FIGS. 1 and 2 show a longitudinal side surface and a transverse plane of the apparatus, respectively.
  • Reference numeral 1 in FIG. 1 denotes a housing.
  • the housing 1 includes a loading / unloading port 11 for a wafer W that is opened and closed by a shutter 12. Yes. Note that the positions of the loading / unloading port 11 and the shutter 12 in FIG. 1 are changed to the positions in FIG. 2 for easy understanding of the illustrated contents.
  • a fan filter unit (FFU) 13 for forming a downward air flow and a first exhaust port 15 for sucking and exhausting the atmosphere are provided at the top and bottom of the housing 1, respectively.
  • 14 in FIG. 1 is an intake port.
  • a spin chuck 2 that forms a substrate holder.
  • the spin chuck 2 is configured to hold the wafer W horizontally by vacuum suction, and can be rotated around a vertical axis by a rotation driving unit 21 which is a rotation mechanism including a rotation motor.
  • a guide ring 31 is provided below the spin chuck 2.
  • the guide ring 31 is inclined so as to be lowered from the horizontal position corresponding to the peripheral edge of the wafer W held by the spin chuck 2 toward the outer peripheral side, and the outer peripheral edge of the guide ring 31 is bent downward. It extends.
  • a cup 3 surrounding the spin chuck 2 and the guide ring 31 is provided around the spin chuck 2.
  • the cup 3 the gap 32 that forms a discharge path between the outer peripheral edge of the side peripheral surface and the guide ring 31 is formed.
  • Lower side of the cup 3 constitutes a gas-liquid separator to form a bent path with the outer peripheral edge portion of the guide ring 31.
  • a second exhaust port 33 is formed in the inner region of the bottom of the cup 3. Further, a drain port 34 is formed in the outer region of the bottom of the cup 3.
  • three lifting pins are provided so as to freely move up and down at positions surrounding the spin chuck 2.
  • the transfer of the wafer W between the spin chuck 2 and a transfer arm (not shown) that is provided outside the housing 1 and carries the wafer W in / out via the loading / unloading port 11 is performed via the lift pins.
  • the transfer of the wafer W between the transfer arm and the spin chuck 2 may be performed by moving the spin chuck 2 up and down by a lifting mechanism (not shown).
  • a heating unit 4 including a large number of radiation sources 41 is provided at a position corresponding to the lower side of the wafer W held by the spin chuck 2.
  • a large number of LEDs (light emitting diodes) 41 that are concentric circles are arranged so as to surround the spin chuck 2.
  • the LED 41 emits infrared light that is an absorption wavelength band of silicon that is a material of the wafer W (substrate material). For this reason, the wafer W can be locally heated by locally irradiating infrared rays in the radial direction of the wafer W toward the back surface of the wafer W held by the spin chuck 2.
  • the corresponding LEDs 41 on each concentric circle form a row in the radial direction of the wafer W, and are arranged radially as a whole.
  • LED 41 can be turned on / off for each group of LEDs 41 concentrically divided by a lighting controller 55 to be described later if the LED group positioned for each concentric circle is called an LED group.
  • Radiation intensity that is, emission intensity can be controlled by adjusting the value.
  • the region of the wafer W to be heated more specifically, the irradiation region of the LED 41, will be referred to as regions P1, P2,. Since these regions P1 to Pn correspond to the groups of LEDs 41 arranged in the respective concentric circles, the groups of LEDs 41 corresponding to the regions P1 to Pn on the wafer W side are also respectively referred to as P1 to Pn in order to simplify the description. The sign of is used.
  • a cooling jacket 42 is provided below the LED 41 so that the temperature of the LED 41 itself does not rise excessively even if the LED 41 is frequently turned on.
  • the temperature regulating water flowing in cooling jacket 42 for example, utilize a temperature control water for motor flange temperature control of the rotary drive unit 21.
  • the resist coating apparatus includes a resist solution nozzle 6 that is a coating solution nozzle for supplying a resist solution to the center portion of the wafer W surface and a solvent nozzle 7 for supplying a solvent such as thinner to the center portion of the wafer W surface.
  • Thinner is supplied in order to perform a pre-wet treatment to improve the wetting and spreading of the resist solution on the wafer W.
  • the resist solution nozzle 6 is connected to a resist solution supply source 62 via a resist solution supply pipe 61 and a supply device group including a valve and a flow rate adjusting unit (not shown).
  • the solvent nozzle 7 is connected to a solvent supply source 72 via a supply device group including a solvent supply pipe 71 and a valve and a flow rate adjusting unit (not shown).
  • the resist solution nozzle 6 is connected to a moving mechanism 64 through an arm 63 extending in the horizontal direction as shown in FIG.
  • the arm 63 extends from a standby position 65 provided on the outer side of one end side (left side in FIG. 2) of the cup 3 toward the other end side along a guide rail 60 provided along the lateral direction by the moving mechanism 64. It is configured so that it can move and move vertically.
  • the solvent nozzle 7 is connected to a moving mechanism 74 via the arm 73 extending similarly in the horizontal direction and the resist solution nozzle 6.
  • the arm 73 can be moved from the standby position 75 provided on the outer side of the other end side (right side in FIG. 2) of the cup 3 along the guide rail 60 toward the one end side along the guide rail 60 and can move in the vertical direction. It is configured as follows.
  • the resist coating apparatus includes a control unit 5 including, for example, a computer that controls a series of operations of the apparatus described later.
  • the control unit 5 includes a program 51, a CPU 53, a recipe storage unit 54, an input unit 56, and a bus 50 connecting them.
  • the program 51 includes a group of steps for controlling operations of the rotation drive unit 21, the supply device group, the LED 41, and the like.
  • the recipe storage unit 54 that is a storage unit stores a processing recipe for the coating process.
  • This processing recipe is data in which information for setting parameters necessary for performing the coating process is written, and there is a processing recipe for each coating process.
  • FIG. 3 schematically shows a state in which n processing recipes 1 to n are stored in the recipe storage unit 54 that is a storage unit. Parameters include resist type, rotation speed transition pattern (profile), resist discharge amount, resist discharge timing, exhaust amount in the cup, solvent discharge amount for prewetting, solvent discharge timing, etc. In this example, the lighting area of the LED 41 is also described.
  • the transition pattern of the rotational speed is a relation between each time and the rotational speed of the wafer W, that is, a temporal transition of the rotational speed of the wafer W with reference to a reference time, for example, a time when the wafer W is held on the spin chuck 2.
  • a reference time for example, a time when the wafer W is held on the spin chuck 2.
  • the lighting area of the LED 41 is an irradiation area by the LED 41 among the areas P1 to Pn on the wafer W side assigned to each group of the LED 41 corresponding to each concentric circle. This is an area (group) to be turned on.
  • P3 to P6 are set for the processing recipe 1
  • P4 to P7 are set for the processing recipe 2
  • Pk to P (k + 3) are set for the processing recipe n.
  • the setting of the lighting area of the LED 41 is determined as follows. A resist solution is applied to the wafer W in advance using a processing recipe that does not include the irradiation of the LED 41, and then the wafer W is loaded into a heating device and subjected to heat treatment.
  • the film thickness distribution profile (hereinafter simply referred to as film thickness distribution) is obtained. Then, a region corresponding to a concave portion (a portion where the film thickness becomes thin) in the film thickness distribution is selected from the regions P1 to Pn.
  • the reason why a concave portion is generated in the film thickness distribution will be described.
  • the reason for this is speculation, but is considered as follows.
  • the resist solution can be considered that resist solution in the process of diffusion to the periphery from the central portion is highly concentrated. It is considered that one of the causes that the film thickness becomes thicker in the peripheral portion is that the influence of increasing the concentration of the resist solution is larger than the influence of the centrifugal force.
  • the wafer temperature in the irradiated region is locally increased.
  • the volatilization of the solvent contained in the resist solution in the irradiated region is promoted, and the concentration of the resist solution in the irradiated region is changed to other regions. It becomes higher than the concentration of a certain resist solution.
  • the high-concentration resist solution has a high viscosity, even if the wafer W rotates at a relatively high speed, it becomes difficult to move in the peripheral direction, so that the film thickness in the irradiated region increases.
  • the resist solution is shaken off at the periphery of the wafer W while the movement of the resist solution moving from the radial direction is reduced. As a result, it is considered that the film thickness in the periphery of the wafer W decreases as the film thickness in the irradiation region increases.
  • an area for heating the concave portion is obtained from the areas P1 to Pn divided in the radial direction of the wafer W, and the area is set as the lighting area of the LED 41 corresponding to the processing recipe. ing.
  • the lighting region (for example, P3 to P6) of the LED 41 corresponds to irradiation information for specifying the irradiation position of the radiation light in the radial direction of the wafer W.
  • the resist solution 200 supplied to the central portion of the wafer W is less likely to diffuse in the peripheral direction of the wafer W because the centrifugal force in addition to its viscosity is smaller than that on the peripheral side.
  • the resist solution 200 that has reached the vicinity of the periphery has a greater centrifugal force that acts closer to the periphery, and therefore the resist solution 200 tends to gather near the periphery. Therefore, when looking at the film thickness distribution profile in the radial direction of the wafer W, the film thickness of the central portion and the peripheral portion of the wafer W is large, and the concave portion 8 tends to be formed therebetween. As shown in FIG.
  • the relationship between the viscosity of the resist solution 200, which is one of the processing recipe items, and the lighting region of the LED 41 has been described above. Other items in the processing recipe, such as the number of rotations of the wafer W and the discharge of the resist solution 200, are described. As for the time, the lower the rotation speed of the wafer W or the shorter the discharge time of the resist solution 200, the closer the lighting area of the LED 41 is to the center of the wafer W as shown in FIG.
  • an area in which the LED 41 is turned on is set in the processing recipe.
  • the intensity of the LED 41 is set to the maximum for the areas P3 to P6, and the intensity of the LED 41 is set to be lower than the maximum for the P2 and P7 adjacent to the areas P3 to P6. It may be devised to heat only.
  • the number of the LEDs 41 in FIG. 3 and the number of the regions P3 to P6 are convenient for the sake of convenience. Therefore, actually, the LEDs 41 are slightly in the region where the intensity of the LED 41 is maximized or in the vicinity of the region. the number of intensity to reduce areas of would be determined depending like arrangement number and the shape of the film thickness distribution of the LED 41.
  • the program 51 and the processing recipe are stored in a storage medium such as a flexible disk (FD), a memory card, a compact disk (CD), a magnetic optical desk (MO), and a hard disk and installed in the control unit 5.
  • the control unit 5 controls the operation of the apparatus according to the program 51 based on the processing recipe installed in the recipe storage unit 54.
  • FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the operational flow of the present embodiment
  • FIG. 6 is a graph showing a temporal transition pattern of the rotational speed of the wafer W at that time
  • FIG. 7 is a wafer at the LED 41 in the present embodiment. It is the schematic based on the experimental result for demonstrating the film thickness uniformity by the heating of W.
  • a processing recipe is selected from the input unit 56 by an operator, and the program reads the contents of the processing recipe and sequentially executes the steps corresponding to the contents. .
  • the shutter 12 at the loading / unloading port 11 provided in the housing 1 is opened, and the wafer W is loaded into the housing 1 by a transfer arm (not shown), and is sucked and held by the spin chuck 2 via a lifting pin (not shown).
  • the thinner 100 is supplied to the wafer W from the solvent nozzle 7 (FIG. 5A and FIG. 6 solvent supply step S1).
  • the wafer W is rotated by the spin chuck 2 at a rotational speed V1 of, for example, 500 rpm, the thinner 100 on the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W, and the entire surface of the wafer W is wetted by the thinner 100 ( FIG. 5B and FIG. 6 solvent diffusion step S2).
  • V1 rotational speed
  • the solvent nozzle 7 is retracted from the wafer W to the original standby position 75, and the resist solution nozzle 6 at the standby position 65 is moved to a substantially upper center portion of the wafer W by the moving mechanism 64.
  • the discharge of the resist solution 200 from the resist solution nozzle 6 onto the wafer W is started, and the resist solution 200 is supplied to the central portion of the wafer W (FIG.
  • the rotation speed of the wafer W is increased from V1 to a high speed V2, for example, 2000 to 4000 rpm.
  • V1 a high speed
  • V2 2000 to 4000 rpm.
  • This acceleration in the rotation of the wafer W, the rotational speed from the rotational speed V1 is gradually accelerated to vary continuously and smoothly. In other words, the rotational acceleration of the wafer W gradually increases from zero, for example.
  • the rotational speed of the wafer W from V1 V2 vary as to remain in an S-shape on the graph of FIG.
  • the resist solution 200 is discharged while the rotational speed changes in an S-shape, and the resist solution 200 supplied to the central portion of the wafer W is diffused over the entire surface of the wafer W by centrifugal force (FIG. 6 in resist solution coating step S3).
  • the rotation speed is reduced from V2 to a low speed of, for example, 300 rpm V3, and the resist solution 200 diffused on the wafer W is roughly leveled and flattened (FIG. 5 ( d) and the flattening step S4) in FIG.
  • the timing of the discharge stop time and the resist solution 200 starts to decelerate the rotational speed from V2 to V3 may be simultaneous.
  • This flattening step S4 is performed for about 1 second, for example.
  • the film thickness distribution profile of the resist solution 200 on the wafer W is roughly flattened, but as shown in the upper diagrams of FIGS. In this state, the concave portion 8 can be seen on the surface.
  • the wafer W is accelerated to the rotational speed V4, for example, about 1500rpm medium speed to dry the resist solution 200 on the wafer W (FIG. 6 during the drying step S5).
  • the drying step S5 is executed for about 20 seconds, for example, and simultaneously with the start of the drying step S5, the radiant heating of the wafer W by the heating unit 4 is started. That is, the program 51 of the control unit 5 reads the lighting area of the LED 41 written in the already selected processing recipe and outputs it to the lighting controller 55. Lighting controller 55, to turn on the P4 ⁇ P7 such groups e.g. Figure 3 LED41 for the specified illumination regions. Thereby, infrared rays are irradiated from the LED 41 in the lighting region toward the wafer W, and the irradiated region in the wafer W is locally heated to a predetermined temperature, for example, 30 ° C. to 40 ° C. (FIG. 5E).
  • a predetermined temperature for example, 30 ° C. to 40 ° C.
  • the resist solution 200 stays in this region against the centrifugal force in the irradiation region, and the resist that moves from the central portion of the wafer W at the peripheral portion of the wafer W correspondingly.
  • the amount of liquid 200 decreases.
  • the film thickness increases in the irradiated region and conversely decreases in the peripheral portion of the wafer W, so that the thickness of the resist film finally obtained after the drying step S5 becomes uniform (FIG. Figure 7 below).
  • the dotted line in the lower figure of FIG. 7 shows the film thickness distribution profile in the case of no heating. In this way, a resist film having a high in-plane film thickness uniformity is formed on the surface of the wafer W.
  • the rotation of the wafer W is stopped, and the wafer W is unloaded from the spin chuck 2 via a lift pin and a transfer arm (not shown) to the outside of the housing 1 to complete a series of resist coating processes.
  • the transition pattern of the viscosity of the resist solution and the rotation speed of the wafer W corresponds to the position of the recess 8 in the film thickness distribution in the plane of the wafer W. and the film thickness when heated becomes thicker while in the flowable resist is performed to coating processing focusing on. That is, a resist coating process is performed on the wafer W in advance using a processing recipe that does not include the irradiation of the LED 41, the film thickness distribution in the surface of the wafer W is obtained, and the LED 41 is irradiated to the position of the recess 8 in the film thickness distribution. The part is heated locally. Accordingly, since the thickness of the resist film corresponding to the concave portion 8 tends to increase, high in-plane uniformity can be obtained with respect to the thickness of the resist film.
  • the information on the lighting area of the LED 41 that is irradiation information is written in association with the processing recipe in a storage area different from the storage area that stores the processing recipe.
  • the irradiation information may be read from the storage area.
  • the irradiation by the LED 41 is started simultaneously with the start of the drying step S5.
  • the timing of the irradiation of the LED 41 in the present invention is not limited to this.
  • the irradiation of the LED 41 may be started, for example, before the resist solution is discharged, when the resist solution is diffused on the wafer W, or during the planarization step S4.
  • the timing of the irradiation end of LED41 may be a during the drying process S5, or after completion of the drying step S5. That is, the timing at which the LED 41 irradiates the wafer W may be a time zone including a period in which the resist solution is applied to the entire surface of the wafer W and the resist solution is not dried.
  • FIG. 8A another example of the arrangement position of the LEDs 41 constituting the heating unit 4 is shown in FIG.
  • the LEDs 41 are arranged in one line in the radial direction of the wafer W at one location.
  • FIG. 8B two rows of LEDs 41 arranged in the radial direction of the wafer W are arranged with a 180 ° shift in the circumferential direction of the wafer W.
  • FIG. 8C four rows of LEDs 41 arranged in the radial direction of the wafer W are arranged so as to be shifted from each other by 90 ° in the circumferential direction of the wafer W.
  • FIG. 8A the LEDs 41 are arranged in one line in the radial direction of the wafer W at one location.
  • FIG. 8B two rows of LEDs 41 arranged in the radial direction of the wafer W are arranged with a 180 ° shift in the circumferential direction of the wafer W.
  • FIG. 8C four rows of LEDs 41 arranged in the radial direction of the wa
  • the rows of the LEDs 41 are arranged at a plurality of locations in the circumferential direction of the wafer W, for example, at four locations as shown in FIG. 8C.
  • the rows of LEDs 41 are set so that the concentric zones where the LEDs 41 are placed and the concentric zones where the LEDs 41 in the other row are placed overlap in the radial direction of the wafer W.
  • the formation of the resist film is described.
  • the wafer W may be heated by applying a chemical solution in which a precursor of the SiO 2 film is dissolved to the wafer W. This includes the case where a SiO2 film is formed thereon.
  • FIG. 9 shows a moving mechanism 9 that moves the resist solution nozzle 6, and this moving mechanism 9 is movable along a guide rail 60 extending in the X direction, and is movable up and down with respect to the column 94. And a horizontally extending arm 91.
  • a resist solution nozzle 6 is attached to the tip of the arm 91.
  • the LED 41 is attached downward to the arm 91 at a position spaced apart from the resist solution nozzle 6 in the X direction. Accordingly, when the support column 94 moves along the guide rail 60, the irradiation area of the LED 41 moves along the diameter of the wafer W.
  • the lighting area is set as the irradiation information according to the processing recipe, but in this embodiment, the irradiation information is written in the processing recipe as the stop position of the support column 94, that is, the arm 91 in the X direction. .
  • FIG. 10 is a diagram showing a state in which the wafer W is locally irradiated by the LED 41, and the irradiation timing is the same as that of the previous embodiment.
  • FIG. 10 for convenience, an example in which one LED 41 is provided on the arm 91 is described. However, a plurality of LEDs 41 are arranged in the X direction, and the LEDs 41 are arranged according to the width dimension of the recess 8 in the film thickness distribution described above. An appropriate number of LEDs 41 may be lit from the group. Alternatively, the LED 41 may be moved by reciprocating once or twice or more in the region corresponding to the recess 8 with the LED 41 turned on. Further, the LED 41 may be attached to an arm provided with the solvent nozzle 7 instead of being attached to the arm for the resist solution nozzle 6, and a separate moving mechanism such as shown in FIG. You may provide in the same movement mechanism.
  • LED 41 is for a movable relative to the radial direction of the wafer W, it is possible to suppress the number of LED 41 used.
  • the resist coating apparatus in this embodiment is provided with an arm 91 that is a part of a moving mechanism 9 that extends from the center of the wafer W in a direction orthogonal to the guide rail 60.
  • a large number of LEDs 41 are arranged in a row in the radial direction of the wafer W so as to face the surface of the wafer W from the center to the peripheral edge of the wafer 91. It has been.
  • the arm 91 can move horizontally along the guide rail 60 via the support column 94.
  • the LED 41 is connected to the lighting controller 55, and on / off control is performed for each lighting region via the lighting controller 55.
  • the LED 41 to be lit according to the processing recipe is determined. Selected.
  • the arm 91 moves to the center position of the wafer W after the resist solution nozzle 6 starts moving toward the standby position 65. Then, infrared irradiation is performed from the LED 41 to the irradiation region on the wafer W based on the irradiation information.
  • the same effect as in the previous embodiment can be obtained.
  • a large number of LEDs 41 are arranged in a row in the radial direction of the wafer W so as to face the surface of the wafer W under the arm 63 of the resist solution nozzle 6 or the arm 73 of the solvent nozzle 7. It may be done.
  • the wafer W may be heated from above and below in combination with the first embodiment and the second or third embodiment.
  • Example 1 In FIG. 13, when a resist solution is applied to a wafer W having a diameter of 300 mm, irradiation is performed by the LED 41 as in the first embodiment described above, and the current value applied to the LED 41 at that time, that is, the irradiation intensity of the LED 41 is determined. The result of having measured the change of the film thickness distribution profile as a parameter is shown. The experimental conditions at this time are that the temperature of the LED 41 itself before irradiation is 25 ° C.
  • the irradiation time is 5 seconds
  • the LED irradiation position is 65 mm to 90 mm in the radial direction from the center of the wafer W.
  • the current value of the LED 41 which is a parameter in this experiment, was measured by setting 0 mA, 50 mA, 75 mA, 100 mA, 150 mA, and 200 mA that are not irradiated with the LED, but in FIG. Only 0 mA (“ ⁇ ” in FIG. 13), 50 mA (“ ⁇ ” in FIG. 13), 100 mA (“ ⁇ ” in FIG. 13), and 200 mA (“ ⁇ ” in FIG. 13) are shown. As shown in FIG.
  • Example 2 In the present embodiment, as in the first embodiment described above, the resist coating process with irradiation by the LEDs 41 is continuously performed on 10 wafers W, and the stability of the coating process during that time (reproducibility of the film thickness distribution profile) is performed. Confirmed. In particular, when the wafer W is continuously processed, the LED 41 emits light more frequently, and therefore the LED temperature is expected to rise and thereby affect the film thickness distribution profile. Therefore, the LED temperature immediately after the end of the coating process is also measured. did.
  • the experimental conditions of this example are: the temperature of the LED 41 itself before irradiation is 25 ° C.
  • FIG. 14 shows the film thickness difference in the film thickness distribution profile when LED irradiation is performed with respect to the film thickness distribution profile when LED irradiation is not performed for all 10 wafers W at that time. .
  • the film thickness difference for all 10 wafers is plotted for each measurement position in the radial direction of the wafer W.
  • the film thickness difference between the wafers W at each measurement position is plotted in the radial direction of the wafer W.
  • This value is equivalent to the maximum film thickness difference in the film thickness distribution profile (a plot where the LED current value is 0 mA in FIG. 13) in one wafer W that is not irradiated with LED, and the film thickness at the irradiation position by LED irradiation. Is smaller than the maximum increase amount. Further, the temperature of the LED 41 had risen to 40 ° C. at the time when the final 10th wafer W was coated. Therefore, the possibility that the film thickness distribution profile changes during continuous processing of the wafer W in the coating process is low, and when the LED temperature is at least 40 ° C. or less, the film thickness increase amount due to the temperature rise of the LED 41 is low. There is little change.

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Abstract

　塗布方法は、塗布液の種類及び基板の回転数の推移パターンを含む処理レシピと、基板の径方向における輻射光の照射位置を特定するための照射情報と、を対応付けて記憶した記憶部から、選択された処理レシピに応じた前記照射情報を読み出す工程と、読み出した照射情報に基づいて、当該照射情報により特定される照射位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を局所的に照射する工程と、を含み、前記照射位置は、処理レシピに基づいて輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置に対応する。

Description

塗布装置、塗布方法及び記憶媒体
　本発明は、基板を回転させて塗布液を広げることにより基板上に塗布膜を形成するための技術に関する。
　半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、基板に対してレジスト塗布処理、露光処理及び現像処理などが順次行われることにより、基板上に所定のレジストパターンが形成される。このうち、レジスト塗布処理では、例えば基板を先に回転させ、回転している基板の中心部にレジスト液を供給して、遠心力によりレジスト液を基板の表面全体に広げるスピンコーティング法が一般的に行われている。
　近年、コスト削減などの理由から、レジスト使用量の抑制の要望が高まっている。しかし、レジスト使用量を抑えると、基板上に形成されるレジスト膜の膜厚が不均一になりがちである。そこで、各半導体メーカーにおいては、基板の回転数の推移パターン（いわゆる回転数のプロファイル）、レジスト吐出速度などのレジスト吐出条件、塗布処理前クールプレート温度（塗布処理前の基板温度）及びレジスト温度などの調整やレジストの種類を検討することにより、レジスト膜の膜厚均一性の向上に努めている。しかし、回路パターンの微細化が進んでいることから膜厚についてより一層高い面内均一性が要求され、加えて更なるレジストの節約が求められており、両者を満たす手法の開発が望まれている。
　特許文献１には、塗布処理における光照射による基板の加熱について記載されているが、これはレジスト量が十分にある場合におけるレジストの乾燥時間の短縮が目的であり、本発明の課題は記載されていない。
日本国特開２００５－３２２７９１号公報
　本発明はこのような背景の下になされたものであり、その目的は、スピンコーティング法において基板上に形成される塗布膜の膜厚について高い面内均一性が得られる技術を提供することにある。
　本発明の塗布装置は、
　基板の中心部に塗布ノズルから供給された塗布液を基板の回転による遠心力により基板の表面に広げて塗布する塗布装置において、
　基板を水平に保持する保持部と、
　この保持部を鉛直な軸の周りに回転させるための回転機構と、
　基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を基板に局所的に照射するための輻射源と、
　塗布液の種類及び基板の回転数の推移パターンを含む処理レシピと、基板の径方向における輻射光の照射位置を特定するための照射情報と、を対応付けて記憶した記憶部と、
　選択された処理レシピに応じた前記照射情報を読み出し、読み出した照射情報に基づいて、当該照射情報により特定される照射位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、前記輻射源から輻射光を局所的に照射するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
　前記照射位置は、処理レシピに基づいて輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置に対応している。
　他の本発明の塗布装置は、
　基板の中心部に塗布ノズルから供給された塗布液を基板の回転による遠心力により基板の表面に広げて塗布する塗布装置において、
　基板を水平に保持する保持部と、
　この保持部を鉛直な軸の周りに回転させるための回転機構と、
　基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を基板の特定の位置に当該基板の上方から局所的に照射するための輻射源と、を備え、
　前記特定の位置は、輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置であることを特徴とする。
　他の本発明の塗布方法は、
　基板を保持部に水平に保持させる工程と、
　前記保持部を回転させると共に基板の中心部に塗布液を供給し、塗布液を遠心力により基板の表面に広げる工程と、
　塗布液の種類及び基板の回転数の推移パターンを含む処理レシピと、基板の径方向における輻射光の照射位置を特定するための照射情報と、を対応付けて記憶した記憶部から、選択された処理レシピに応じた前記照射情報を読み出す工程と、
　読み出した照射情報に基づいて、当該照射情報により特定される照射位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を局所的に照射する工程と、を含み、
　前記照射位置は、処理レシピに基づいて輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置に対応する。
　また、本発明の塗布方法は、
　基板を保持部に水平に保持させる工程と、
　前記保持部を回転させると共に基板の中心部に塗布液を供給し、塗布液を遠心力により基板の表面に広げる工程と、
　基板の特定の位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を基板の上方から局所的に照射する工程と、を含み、
　前記特定の位置は、輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置である。
　なお、本発明における記憶媒体は、
　基板に塗布液を塗布する塗布装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
　前記コンピュータプログラムは、塗布方法を実施するためのものであり、
　前記塗布方法は、
　基板を保持部に水平に保持させる工程と、
　前記保持部を回転させると共に基板の中心部に塗布液を供給し、塗布液を遠心力により基板の表面に広げる工程と、
　塗布液の種類及び基板の回転数の推移パターンを含む処理レシピと、基板の径方向における輻射光の照射位置を特定するための照射情報と、を対応付けて記憶した記憶部から、選択された処理レシピに応じた前記照射情報を読み出す工程と、
　読み出した照射情報に基づいて、当該照射情報により特定される照射位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を局所的に照射する工程と、を含み、
　前記照射位置は、処理レシピに基づいて輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置に対応する。
　また、本発明における記憶媒体は、
　基板に塗布液を塗布する塗布装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
　前記コンピュータプログラムは、塗布方法を実施するためのものであり、
　前記塗布方法は、
　基板を保持部に水平に保持させる工程と、
　前記保持部を回転させると共に基板の中心部に塗布液を供給し、塗布液を遠心力により基板の表面に広げる工程と、
　基板の特定の位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を基板の上方から局所的に照射する工程と、を含み、
　前記特定の位置は、輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置である。
　本発明は、塗布液の種類及び基板の回転数の推移パターンを含む処理レシピに応じて決まる基板の面内の膜厚分布プロファイルにおいて凹状になる位置を事前に把握しておき、当該位置に対応する基板の位置に輻射光を局所的に照射している。従って当該位置の塗布液が局所的に加熱されて膜厚が厚くなろうとするので、塗布膜の膜厚について高い面内均一性が得られる。
　また他の発明は、基板の面内の膜厚分布プロファイルにおいて凹状になる位置に輻射光を基板の上方から局所的に照射している。従って同様に塗布膜の膜厚について高い面内均一性が得られる。
本発明の実施形態に係るレジスト塗布装置を示す断面図である。 前記塗布装置を示す平面図である。 前記加熱部におけるＬＥＤの配置を示す平面図及び制御系や処理レシピを説明するブロック図である。 本発明の実施形態に係る処理レシピと膜厚分布との関係を説明する縦断側面図であって、（ａ）はレジスト液の粘度が高い、あるいはウエハの回転数が低い、あるいはレジスト液の吐出時間が短い場合の膜厚分布を示し、（ｂ）はレジスト液の粘度が低い、あるいはウエハの回転数が高い、あるいはレジスト液の吐出時間が長い場合の膜厚分布を示す。 本発明の実施形態に係る塗布処理のフロー図であって、（ａ）はウエハにシンナーを供給する様子を示し、（ｂ）はウエハの表面全体がシンナーで濡れた状態を示し、（ｃ）はウエハの中心部にレジスト液を供給する様子を示し、（ｄ）はウエハ上に拡散したレジスト液が大まかに均され平坦化された様子を示し、（ｅ）はウエハにおける赤外線が照射された領域が所定の温度に局所的に加熱される様子を示す。 本発明の実施形態に係る基板の回転数の一例を示す概要図である。 本発明の実施形態に係る作用を説明する膜厚分布図である。 本発明における他の実施形態に係るＬＥＤ配置例を示す平面図であって、（ａ）ではＬＥＤを１ヶ所にウエハの径方向に一列だけ配置しており、（ｂ）ではウエハの径方向に並ぶＬＥＤの列を互いにウエハの周方向に１８０°ずらして２列配置しており、（ｃ）ではウエハの径方向に並ぶＬＥＤの列を互いにウエハの周方向に９０°ずつずらして４列配置しており、（ｄ）ではＬＥＤの列をウエハの周方向に複数箇所にＬＥＤの列が配置されている。 本発明における第２の実施形態に係るＬＥＤの移動機構を示す斜視図である。 前記第２の実施形態に係るＬＥＤ照射を示す斜視図である。 本発明における第３の実施形態に係るＬＥＤの移動機構を示す平面図である。 前記第３の実施形態に係るＬＥＤの移動機構の概要を示す側面図である。 本発明における実施例１に係るＬＥＤ照射による膜厚分布プロファイルへの影響を示す散布図である。 本発明における実施例２に係るＬＥＤの連続照射による膜厚分布プロファイルへの影響を示す散布図である。
　本発明の第１の実施形態における塗布装置として、レジスト塗布装置について図１～図３を参照して説明する。図１、図２は夫々装置の縦断側面、横断平面を示しており、図１中の１は筐体であり、この筐体１はシャッタ１２により開閉されるウエハＷの搬入出口１１を備えている。なお、図１における搬入出口１１及びシャッタ１２の位置は、図示内容を分かり易くするために、図２における位置と変えて表している。筐体１内の上部及び底部には、下降気流を形成するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）１３及び雰囲気を吸引排気するための第１の排気ポート１５が夫々設けられている。なお、図１中の１４は、吸気ポートである。
　筐体１内には基板保持部をなすスピンチャック２が設けられている。スピンチャック２は、真空吸着によりウエハＷを水平に保持するように構成されており、回転モータなどを含む回転機構である回転駆動部２１により鉛直軸回りに回転できるようになっている。またスピンチャック２の下方側にはガイドリング３１が設けられている。このガイドリング３１は、スピンチャック２に保持されるウエハＷの周縁部に相当する水平位置から外周側に向かって下がるように傾斜しており、このガイドリング３１の外周縁は下方側に屈曲して延びている。前記スピンチャック２の周囲には、当該スピンチャック２及びガイドリング３１を囲むカップ３が設けられている。
　このカップ３は、側周面とガイドリング３１の外周縁との間に排出路をなす隙間３２が形成されている。前記カップ３の下方側は、ガイドリング３１の外周縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成している。また前記カップ３の底部の内側領域には第２の排気ポート３３が形成されている。さらに前記カップ３の底部の外側領域には排液ポート３４が形成されている。
　筐体１内には図示しない３本の昇降ピンが、スピンチャック２を囲む位置で昇降自在に設けられている。筐体１の外に備えられており搬入出口１１を介してウエハＷを搬入出する図示しない搬送アームとスピンチャック２とのウエハＷの受け渡しは、この昇降ピンを介して行われる。なお、この搬送アームとスピンチャック２とのウエハＷの受け渡しは、図示しない昇降機構によりスピンチャック２を昇降させることで行えるようにしてもよい。
　また、スピンチャック２に保持されるウエハＷの下方に相当する位置には、多数の輻射源４１からなる加熱部４が設けられている。この実施形態では、図３に示すように、スピンチャック２を囲むように同心円状に多数の輻射源であるＬＥＤ（発光ダイオード）４１が配置されている。このＬＥＤ４１は、ウエハＷの材料（基板材料）であるシリコンの吸収波長帯域である赤外線を発する。このため、スピンチャック２に保持されたウエハＷの裏面に向けて赤外線をウエハＷの径方向において局所的に照射することにより、ウエハＷを局所的に加熱することができる。この例では、各同心円上の対応するＬＥＤ４１同士がウエハＷの径方向に列をなし、全体としては放射状に配置されている。
　これらＬＥＤ４１は、同心円毎に位置するＬＥＤ群をＬＥＤのグループと呼ぶとすると、後述する点灯コントローラ５５により、同心円状に区画される各ＬＥＤ４１のグループ毎に、オン／オフすることができ、また電流値の調整により輻射強度つまり発光強度を制御できるようになっている。本実施形態では、各ＬＥＤ４１のグループにより、概略的に言えば加熱されるウエハＷの領域、より詳しくはＬＥＤ４１の照射領域を、内側から順番に領域Ｐ１、Ｐ２、・・・、Ｐｎと呼ぶ。これら領域Ｐ１～Ｐｎは、各同心円に配置されるＬＥＤ４１のグループに対応することから、説明を簡素化するためにウエハＷ側の各領域Ｐ１～Ｐｎに対応するＬＥＤ４１のグループについても夫々Ｐ１～Ｐｎの符号を使用することとする。そして、ＬＥＤ４１の下部には、ＬＥＤ４１の点灯を頻繁に行ってもＬＥＤ４１自体の温度が上がり過ぎないように、冷却ジャケット４２が設けられている。この冷却ジャケット４２に流す温調水は、例えば回転駆動部２１のモータフランジ温調用の温調水を利用する。
　また、レジスト塗布装置は、ウエハＷ表面の中心部にレジスト液を供給するための塗布液ノズルであるレジスト液ノズル６及びウエハＷ表面の中心部に溶剤例えばシンナーを供給するための溶剤ノズル７を備えている。シンナーは、ウエハＷ上でのレジスト液の濡れ広がりを向上させるプリウエット処理を行うために供給される。前記レジスト液ノズル６は、レジスト液供給管６１及び図示しないバルブや流量調整部等を含む供給機器群を介してレジスト液供給源６２に接続されている。前記溶剤ノズル７は、溶剤供給管７１及び図示しないバルブや流量調整部等を含む供給機器群を介して溶剤供給源７２に接続されている。
　また、前記レジスト液ノズル６は、図２に示すように水平方向に伸びたアーム６３を介して移動機構６４に接続されている。前記アーム６３は移動機構６４により横方向に沿って設けられたガイドレール６０に沿って、カップ３の一端側（図２では左側）の外側に設けられた待機位置６５から他端側に向かって移動できると共に上下方向に移動できるように構成されている。また前記溶剤ノズル７は、レジスト液ノズル６と同様に水平方向に伸びたアーム７３を介して移動機構７４に接続されている。前記アーム７３は移動機構７４により前記ガイドレール６０に沿ってカップ３の他端側（図２では右側）の外側に設けられた待機位置７５から一端側に向かって移動できると共に上下方向に移動できるように構成されている。
　また、レジスト塗布装置は、後述する当該装置の一連の動作を制御する例えばコンピュータからなる制御部５を備えている。この制御部５は、図３に示すように、プログラム５１、ＣＰＵ５３、レシピ格納部５４、入力部５６及びこれらを接続するバス５０により構成される。プログラム５１は、前記回転駆動部２１、供給機器群及びＬＥＤ４１等の動作を制御するためのステップ群が含まれる。記憶部であるレシピ格納部５４には、塗布処理の処理レシピが格納されている。
　この処理レシピは、塗布処理を行うために必要なパラメータを設定するための情報が書き込まれたデータであり、塗布処理ごとに処理レシピが存在する。図３では模式的にｎ個の処理レシピ１～ｎが記憶部であるレシピ格納部５４に格納されている状態を示している。パラメータとしては、レジストの種類、回転数の推移パターン（プロファイル）、レジストの吐出量、レジスト吐出のタイミング、カップ内の排気量、プリウエットのための溶剤の吐出量、溶剤の吐出のタイミングなどであるが、この例では更にＬＥＤ４１の点灯領域についても記載されている。
　回転数の推移パターンとは、基準となる時点例えばウエハＷがスピンチャック２に保持された時点を基準にして各時刻とウエハＷの回転数との関係、つまりウエハＷの回転数の時間的推移を示すデータ（例えば後述の図６を参照）である。
　ＬＥＤ４１の点灯領域は、既述のように各同心円に対応するＬＥＤ４１のグループ毎に割り当てられたウエハＷ側の領域Ｐ１～ＰｎのうちＬＥＤ４１による照射領域であり、即ちＬＥＤ４１のグループの中で、点灯（オン）すべき領域（グループ）である。模式的に示せば例えば、処理レシピ１についてはＰ３～Ｐ６、処理レシピ２についてはＰ４～Ｐ７、処理レシピｎについてはＰｋ～Ｐ（ｋ＋３）といった具合に設定される。ＬＥＤ４１の点灯領域の設定については、次のようにして決められる。予めＬＥＤ４１の照射を含まない処理レシピを用いてレジスト液をウエハＷに塗布し、その後当該ウエハＷを加熱装置に搬入して加熱処理し、得られたレジスト膜について膜厚計によりウエハＷの面内の膜厚分布プロファイル（以下、単に膜厚分布という。）を求める。そしてこの膜厚分布において凹状になる部位（膜厚が薄くなる部位）に対応する領域を領域Ｐ１～Ｐｎの中から選択する。
　ここでＬＥＤ４１によりウエハＷに局部的に照射する理由を述べる前に、膜厚分布において凹状になる部位が発生する理由について説明しておく。この理由は推測ではあるが、以下のように考えられる。スピンコーティング法の場合、ウエハＷの中央部にあるレジスト液に作用する遠心力は小さいため、膜厚は厚めになると考えられるが、ウエハＷ周縁部においては、レジスト液に作用する遠心力は大きい。しかしその一方で、レジスト液が中央部から周縁部に拡散する過程においてレジスト液が高濃度化しているものと考えられる。遠心力の影響よりレジスト液の高濃度化の影響の方が大きいことが、周縁部において膜厚が厚くなる原因の一つと考えられる。
　そこでＬＥＤ４１を照射すると、その照射領域のウエハ温度が局所的に上昇し、その結果、照射領域におけるレジスト液中に含まれる溶剤の揮発が促進され、照射領域のレジスト液の濃度がその他の領域にあるレジスト液の濃度より高くなる。高濃度のレジスト液は粘度が高いため、比較的高速でウエハＷが回転しても、周縁方向に移動しにくくなり、このため照射領域における膜厚が増大する。その一方で、ウエハＷ周縁部においては半径方向から移動してくるレジスト液の移動が減少した状態で、レジスト液が振り切られる。その結果、照射領域の膜厚が増大すると共にウエハＷ周縁部における膜厚が減少するものと考えられる。
　このため、ウエハＷの径方向に分割された前記領域Ｐ１～Ｐｎの中から前記凹状になる部位を加熱するための領域を求めて当該領域をその処理レシピに対応するＬＥＤ４１の点灯領域として設定している。ウエハＷの径方向におけるＬＥＤ４１の数が多ければ多いほど、照射領域のいわば分解能が高く、そのため高い精度で前記凹状になる部位を局所的に加熱できる。以上のことから、ＬＥＤ４１の点灯領域（例えばＰ３～Ｐ６など）はウエハＷの径方向における輻射光の照射位置を特定するための照射情報に相当する。
　処理レシピとＬＥＤ４１の点灯領域との関係の一例について述べる。ウエハＷの中央部に供給されたレジスト液２００は、その粘性に加え遠心力も周縁側に比べて小さいことから、ウエハＷの周縁方向に拡散しにくい。また、周縁付近に達したレジスト液２００については、周縁に近いほど作用する遠心力が大きいことから、周縁付近にもレジスト液２００が集まり易い。よって、ウエハＷの径方向の膜厚分布プロファイルをみると、ウエハＷの中央部及び周縁部の膜厚が厚くその間において凹部８が形成される傾向がある。そして、図４（ａ）に示すように、レジスト液２００の粘度が高いと、その凹部８はウエハＷの中央部側に寄りがちである。逆に、図４（ｂ）に示すように、レジスト液２００の粘度が低いと、膜厚分布プロファイルの凹部８はウエハＷの周縁側に寄りがちになる。このため、レジスト液２００の粘度が高いほど、ＬＥＤ４１の点灯領域はウエハＷの中心寄り、例えば領域Ｐ２～Ｐ４になる。一方、レジスト液２００の粘度が低いほど、ＬＥＤ４１の点灯領域はウエハＷの周縁寄り、例えば領域Ｐ６～Ｐ８になる。以上、処理レシピの項目の１つであるレジスト液２００の粘度とＬＥＤ４１の点灯領域との関係について述べたが、処理レシピにおけるその他の項目である、例えばウエハＷの回転数やレジスト液２００の吐出時間についても、ウエハＷの回転数が低いほどあるいはレジスト液２００の吐出時間が短いほど、図４（ａ）に示すように、ＬＥＤ４１の点灯領域はウエハＷの中心寄りになる。
　また、この例では処理レシピの中でＬＥＤ４１をオンにする領域を設定しているが、ＬＥＤ４１によりウエハＷを局所的に加熱したときには近傍領域にも熱が伝導することから、この点も考慮して例えば領域Ｐ３～Ｐ６についてはＬＥＤ４１の強度を最大に設定し、当該領域Ｐ３～Ｐ６に隣接するＰ２、Ｐ７については、ＬＥＤ４１の強度を最大よりも小さくしておき、結果としてできるだけ加熱すべき領域のみを加熱するように工夫してもよい。なお、既述のように図３のＬＥＤ４１の配置数や領域Ｐ３～Ｐ６などの数は便宜上であるため、実際には、ＬＥＤ４１の強度を最大にする領域や、当該領域の近傍にて少しＬＥＤ４１の強度を小さくする領域の数は、ＬＥＤ４１の配置数や、膜厚分布の形状などに依存して決められることになる。
　プログラム５１及び処理レシピは、例えばフレキシブルディスク（ＦＤ）、メモリーカード、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、ハードディスク等の記憶媒体に格納されて、制御部５にインストールされる。制御部５は、レシピ格納部５４にインストールされた処理レシピに基づいて、プログラム５１に則り、当該装置の動作を制御する。
　次に、上述の実施形態における作用について、図５～図７を参照しながら説明する。図５は本実施形態の作用フローを説明する概要図であり、図６はそのときのウエハＷの回転速度の時間的推移パターンを示すグラフであり、図７は本実施形態におけるＬＥＤ４１でのウエハＷの加熱による膜厚均一化を説明するための、実験結果を基にした概要図である。以下に述べる動作が実行される前に、例えばオペレータにより入力部５６から処理レシピが選択されており、プログラムがその処理レシピの内容を読み込んで当該内容に対応するステップが順次実行されることになる。まず、筐体１に設けられた搬入出口１１のシャッタ１２が開かれ、図示しない搬送アームによりウエハＷが筐体１内に搬入されて、図示しない昇降ピンを介してスピンチャック２に吸着保持される。次に、待機位置７５にあった溶剤ノズル７を移動機構７４によりウエハＷの上方略中央部に移動させた後、溶剤ノズル７よりウエハＷにシンナー１００を供給する（図５（ａ）及び図６中溶剤供給工程Ｓ１）。
　その後、スピンチャック２によりウエハＷを例えば５００ｒｐｍの回転速度Ｖ１で回転させ、ウエハＷ上のシンナー１００をウエハＷの表面全面に拡散させ、ウエハＷの表面全体がシンナー１００で濡れた状態になる（図５（ｂ）及び図６中溶剤拡散工程Ｓ２）。この間に、溶剤ノズル７はウエハＷ上から元の待機位置７５に退避し、待機位置６５にあったレジスト液ノズル６を移動機構６４によりウエハＷの上方略中央部に移動させる。そして、レジスト液ノズル６からウエハＷにレジスト液２００の吐出が開始され、ウエハＷの中心部にレジスト液２００が供給される（図５（ｃ））。このとき、ウエハＷの回転速度をＶ１から高速の例えば２０００～４０００ｒｐｍのＶ２まで上昇させる。このウエハＷの回転における加速は、回転速度Ｖ１から回転速度が連続的に滑らかに変動するように徐々に加速される。言い換えると、ウエハＷの回転加速度は、例えば零から次第に増加する。
　そして、ウエハＷの回転速度がＶ２に近付いてきたら、回転加速度を次第に減少させ、ウエハＷの回転速度をＶ２に滑らかに収束させる。こうして、ウエハＷの回転速度をＶ１からＶ２に、図６のグラフ上でＳ字状に推移するように変動させる。回転速度がＳ字状に推移する間においてレジスト液２００の吐出が行われ、ウエハＷの中央部に供給されたレジスト液２００は遠心力によりウエハＷの表面全面に拡散された状態となる（図６中レジスト液塗布工程Ｓ３）。
　レジスト液２００の吐出（供給）を終えた後、回転速度がＶ２から低速の例えば３００ｒｐｍのＶ３に減速され、ウエハＷ上に拡散したレジスト液２００は大まかに均され平坦化される（図５（ｄ）及び図６中平坦化工程Ｓ４）。なお、回転速度をＶ２からＶ３に減速し始める時点とレジスト液２００の吐出停止とのタイミングが同時であってもよい。この平坦化工程Ｓ４は、例えば１秒程度の間実行される。この平坦化工程Ｓ４の終了時点では、ウエハＷ上のレジスト液２００の膜厚分布プロファイルは、大まかには平坦化されているが、図５（ｄ）及び図７の上図に示すように、表面に凹部８が見受けられる状態である。次に、ウエハＷは中速の例えば１５００ｒｐｍ程度の回転速度Ｖ４に加速され、ウエハＷ上のレジスト液２００を乾燥させる（図６中乾燥工程Ｓ５）。
　この乾燥工程Ｓ５は、例えば２０秒間程度実行され、この乾燥工程Ｓ５の開始と同時に、加熱部４によるウエハＷの輻射加熱が開始される。即ち、制御部５のプログラム５１は、既に選択された処理レシピに書き込まれているＬＥＤ４１の点灯領域を読み出し、点灯コントローラ５５に出力する。点灯コントローラ５５は、指定された点灯領域に対するＬＥＤ４１のグループ例えば図３のＰ４～Ｐ７等をオンにする。これにより、点灯領域のＬＥＤ４１からウエハＷに向かって赤外線が照射され、ウエハＷにおける照射された領域が所定の温度例えば３０℃～４０℃に局所的に加熱される（図５（ｅ））。その結果、既述のように、照射領域においてはレジスト液２００が遠心力に抗してこの領域に留まるようになり、その分ウエハＷの周縁部ではウエハＷの中心部から移動してくるレジスト液２００の量が減少する。このようにして、照射領域では膜厚が増大すると共にウエハＷの周縁部では逆に膜厚が減少するため、乾燥工程Ｓ５の後に最終的に得られるレジスト膜の厚さは均一になる（図７の下図）。なお、図７の下図における点線は、加熱なしの場合の膜厚分布プロファイルを示す。こうして、ウエハＷの表面上に面内の膜厚の均一性が高いレジスト膜が形成される。ウエハＷの乾燥終了後、ウエハＷは、回転停止されて、スピンチャック２上から図示しない昇降ピン及び搬送アームを介して筐体１の外に搬出されて、一連のレジスト塗布処理が終了する。
　上述の実施形態は、既述のように、レジスト液の粘度及びウエハＷの回転数の推移パターンと、ウエハＷの面内の膜厚分布における凹部８の位置とが対応していることと、レジストに流動性がある間に加熱すれば膜厚が厚くなることと、に着眼して塗布処理を行っている。即ち、予めＬＥＤ４１の照射を含まない処理レシピを用いてウエハＷにレジスト塗布処理を行い、このウエハＷの面内の膜厚分布を求め、この膜厚分布における凹部８の位置にＬＥＤ４１を照射して当該部位を局所的に加熱している。従って、凹部８に対応する部位のレジスト膜の膜厚が厚くなろうとするので、レジスト膜の膜厚について高い面内均一性が得られる。
　なお、上述の実施形態では、照射情報であるＬＥＤ４１の点灯領域の情報については、処理レシピを格納している記憶領域とは別の記憶領域に処理レシピと対応付けて書き込んでおき、処理レシピが選択されたときにその記憶領域から照射情報を読み出すようにしてもよい。
　また、上述の実施形態では、乾燥工程Ｓ５の開始と同時にＬＥＤ４１による照射を開始しているが、本発明におけるＬＥＤ４１の照射のタイミングはこれに限定されるものではない。ＬＥＤ４１の照射は、例えば、レジスト液の吐出前やウエハＷ上にレジスト液を拡散している段階、あるいは平坦化工程Ｓ４の間に開始してもよい。また、ＬＥＤ４１の照射終了のタイミングは、乾燥工程Ｓ５の間であってもよいし、乾燥工程Ｓ５の終了後でもよい。即ち、ＬＥＤ４１がウエハＷを照射するタイミングは、レジスト液がウエハＷの表面全体に塗布されかつレジスト液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯であればよい。
　更にまた加熱部４を構成するＬＥＤ４１の配置位置の他の例を図８に示す。　
　図８（ａ）では、ＬＥＤ４１を１ヶ所にウエハＷの径方向に一列だけ配置している。　
　図８（ｂ）では、ウエハＷの径方向に並ぶＬＥＤ４１の列を、互いにウエハＷの周方向に１８０°ずらして２列配置している。　
　図８（ｃ）では、ウエハＷの径方向に並ぶＬＥＤ４１の列を、互いにウエハＷの周方向に９０°ずつずらして４列配置している。　
　図８（ｄ）では、ＬＥＤ４１の列をウエハＷの周方向に複数箇所、例えば図８（ｃ）のように４箇所に配置するが、互いに隣接するＬＥＤ４１の列の間において一方の列の各ＬＥＤ４１が置かれる同心円帯域と他方の列の各ＬＥＤ４１が置かれる同心円帯域とがウエハＷの径方向で重なり合うようにＬＥＤ４１の列が設定されている。
　また、上述の実施形態ではレジスト膜の形成について述べているが、本発明はそれに限らず、ウエハＷ上に例えばＳｉＯ２膜の前駆物質を溶解した薬液を塗布して加熱処理することで、ウエハＷ上にＳｉＯ２膜を形成する場合も含む。
　次に、本発明における第２の実施形態について、図９及び図１０を用いて説明する。図９は、レジスト液ノズル６を移動する移動機構９を示しており、この移動機構９は、Ｘ方向に伸びるガイドレール６０に沿って移動する支柱９４と、この支柱９４に対して昇降自在に設けられた、水平に伸びるアーム９１とを備えている。アーム９１の先端部にはレジスト液ノズル６が取り付けられている。この実施形態では、ＬＥＤ４１は、レジスト液ノズル６に対してＸ方向に離間した位置にて、アーム９１に下向きに取り付けられている。従って、支柱９４がガイドレール６０に沿って移動すると、ＬＥＤ４１の照射領域がウエハＷの直径に沿って移動することとなる。　
　先の実施形態では、処理レシピに応じて点灯領域が照射情報として設定されていたが、この実施形態では、照射情報は、支柱９４、つまりアーム９１のＸ方向の停止位置として処理レシピに書き込まれる。
　図１０は、ＬＥＤ４１によりウエハＷを局所的に照射している様子を示す図であり、照射のタイミングについては先の実施形態と同様である。図１０では、便宜上、アーム９１にＬＥＤ４１を１個設けた例を記載しているが、複数のＬＥＤ４１をＸ方向に配列し、既述の膜厚分布における凹部８の幅寸法に応じて、ＬＥＤ４１の群の中から適数のＬＥＤ４１を点灯させるようにしてもよい。また、ＬＥＤ４１を点灯させた状態で前記凹部８に対応する領域を１回あるいは２回以上往復するなどして、移動させるようにしてもよい。　
　また、ＬＥＤ４１は、レジスト液ノズル６用のアームに取り付ける代わりに、溶剤ノズル７が設けられたアームに取り付けるようにしてもよいし、これらアームとは別途専用の移動機構、例えば図９に示すのと同様の移動機構に設けてもよい。
　このような実施形態によれば、先の実施形態の効果に加えて、ウエハＷにおけるスピンチャック２による吸着部分の領域を加熱することができる利点がある。また、この実施形態では、ＬＥＤ４１がウエハＷの径方向に対して移動自在なため、使用するＬＥＤ４１の数を抑えることができる。
　本発明における第３の実施形態について、図１１及び図１２を用いて説明する。なお、第１の実施形態と同様の構造及び作用の部分については、ここでの説明は省略する。この実施形態におけるレジスト塗布装置には、図１１に示すように、ウエハＷの中心部からガイドレール６０と直交する方向に向かって伸びる移動機構９の一部であるアーム９１が設けられている。このアーム９１の下部には、図１２に示すように、ウエハＷの中心部から周縁部までウエハＷの表面に対向するように、多数のＬＥＤ４１がウエハＷの径方向に列を成して設けられている。アーム９１は、支柱９４を介してガイドレール６０に沿って水平移動可能となっている。ＬＥＤ４１は、点灯コントローラ５５に接続されており、この点灯コントローラ５５を介して各点灯領域毎のオン／オフ制御が行われ、第１の実施形態
と同様に処理レシピに応じて点灯すべきＬＥＤ４１が選択される。　
　ＬＥＤ４１による照射を行う際には、レジスト液ノズル６が待機位置６５に向けて移動を開始した後、アーム９１がウエハＷの中央位置まで移動する。そして、照射情報に基づくウエハＷ上の照射領域に対してＬＥＤ４１から赤外線の照射が行われる。
　このような実施形態においても、先の実施形態と同様の効果が得られる。なお、本実施形態における多数のＬＥＤ４１は、レジスト液ノズル６のアーム６３あるいは溶剤ノズル７のアーム７３の下部に、ウエハＷの表面と対向するようにウエハＷの径方向に列を成して設けられていてもよい。本発明は、第１の実施形態と第２あるいは第３の実施形態とを合わせて、ウエハＷを上下両方から加熱するようにしてもよい。
　続いて、本発明におけるＬＥＤ４１による照射の効果を確認するために行った実施例について説明する。　
　［実施例１］
　図１３は、直径３００ｍｍのウエハＷにレジスト液を塗布する際に、上述の第１の実施形態のようにＬＥＤ４１による照射を行い、そのときにＬＥＤ４１に印加する電流値、即ちＬＥＤ４１の照射強度をパラメータとして膜厚分布プロファイルの変化を測定した結果を示したものである。このときの実験条件は、照射前のＬＥＤ４１自体の温度が２５℃（室温）、照射時間が５秒間、そしてＬＥＤ照射位置がウエハＷの中心部からの径方向の距離で６５ｍｍ～９０ｍｍである。また、本実験におけるパラメータであるＬＥＤ４１の電流値は、ＬＥＤによる照射を行わない０ｍＡ、５０ｍＡ、７５ｍＡ、１００ｍＡ、１５０ｍＡ及び２００ｍＡと設定して測定したが、図１３には、分かり易くするために、０ｍＡ（図１３中の“●”）、５０ｍＡ（図１３中の“×”）、１００ｍＡ（図１３中の“△”）及び２００ｍＡ（図１３中の“○”）についてのみ示した。　
　図１３に示すように、ＬＥＤ４１の電流値が大きいほど、照射位置のレジスト膜の膜厚が厚くなるという結果となった。このことから、ＬＥＤ４１による照射によりレジスト膜の膜厚を制御できること、そしてＬＥＤ４１の照射強度を調整することにより照射位置の膜厚の増加量を調整できる可能性があることが確認された。
　［実施例２］
　本実施例では、上述の実施例１と同様、ＬＥＤ４１による照射を交えたレジスト塗布処理をウエハＷ１０枚に対して連続で行い、その間における塗布処理の安定性（膜厚分布プロファイルの再現性）について確認を行った。特に、ウエハＷの連続処理を行うとＬＥＤ４１の発光する頻度が高くなるため、ＬＥＤ温度の上昇及びそれによる膜厚分布プロファイルへの影響が予想されることから、塗布処理終了直後のＬＥＤ温度も測定した。本実施例の実験条件は、照射前のＬＥＤ４１自体の温度が２５℃（室温）、照射時間が５秒間、ＬＥＤ４１への印加電流値が１００ｍＡ、そしてＬＥＤ照射位置がウエハＷの中心部からの径方向の距離で６５ｍｍ～９０ｍｍである。図１４は、そのときのウエハＷ全１０枚夫々についての、ＬＥＤ照射を行わなかった場合の膜厚分布プロファイルに対するＬＥＤ照
射を行った場合の膜厚分布プロファイルにおける膜厚差を示したものである。　
　図１４では、ウエハＷの径方向における各測定位置毎に、全１０枚分の膜厚差がプロットされているが、各測定位置における各ウエハＷ間の膜厚差は、ウエハＷの径方向におけるどこの位置においても１ｎｍ程度内に収まっている。この値は、ＬＥＤ照射をしない１枚のウエハＷ内における膜厚分布プロファイル（図１３におけるＬＥＤ電流値が０ｍＡのプロット）の最大膜厚差と同等であり、またＬＥＤ照射による照射位置における膜厚の増加量の最大値よりも小さい。また、最後の１０枚目のウエハＷの塗布処理が終了した時点において、ＬＥＤ４１の温度は４０℃まで上昇していた。これらのことから、塗布処理においてウエハＷを連続処理する中で膜厚分布プロファイルが変化する可能性は低く、またＬＥＤ温度が少なくとも４０℃以下の場合では、ＬＥＤ４１の昇温による膜厚増加量の変化は少ないものと考えられる。
Ｗ　　　ウエハ
Ｐ１～Ｐｎ　　ＬＥＤの各グループ及び当該グループによる照射領域
１　　　筐体
２　　　スピンチャック
３　　　カップ
４　　　加熱部
４１　　ＬＥＤ
４２　　冷却ジャケット
５　　　制御部
５４　　レシピ格納部
６　　　レジスト液ノズル
７　　　溶剤ノズル
８　　　膜厚分布プロファイルにおける凹部
９　　　第２及び第３の実施形態におけるＬＥＤの移動機構

Claims (20)

  1. 　基板の中心部に塗布ノズルから供給された塗布液を基板の回転による遠心力により基板の表面に広げて塗布する塗布装置において、
    　基板を水平に保持する保持部と、
    　この保持部を鉛直な軸の周りに回転させるための回転機構と、
    　基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を基板に局所的に照射するための輻射源と、
    　塗布液の種類及び基板の回転数の推移パターンを含む処理レシピと、基板の径方向における輻射光の照射位置を特定するための照射情報と、を対応付けて記憶した記憶部と、
    　選択された処理レシピに応じた前記照射情報を読み出し、読み出した照射情報に基づいて、当該照射情報により特定される照射位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、前記輻射源から輻射光を局所的に照射するように制御信号を出力する制御部と、を備え、
    　前記照射位置は、処理レシピに基づいて輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置に対応している。
  2. 　請求項１に記載の塗布装置であって、
    　前記輻射源は、基板の径方向に多数配列され、
    　前記照射情報は、多数の輻射源の一部である複数の輻射源を特定するための情報である。
  3. 　請求項１に記載の塗布装置であって、
    　前記制御部は、塗布液が基板全体に広がった後に輻射源から輻射光を基板に照射するように制御信号を出力するものである。
  4. 　請求項３に記載の塗布装置であって、
    　前記輻射源は、発光ダイオードである。
  5. 　基板の中心部に塗布ノズルから供給された塗布液を基板の回転による遠心力により基板の表面に広げて塗布する塗布装置において、
    　基板を水平に保持する保持部と、
    　この保持部を鉛直な軸の周りに回転させるための回転機構と、
    　基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を基板の特定の位置に当該基板の上方から局所的に照射するための輻射源と、を備え、
    　前記特定の位置は、輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置である。
  6. 　請求項５に記載の塗布装置であって、
    　塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、前記輻射源から輻射光を基板に対して局所的に照射するように制御信号を出力する制御部を備えている。
  7. 　請求項６に記載の塗布装置であって、
    　前記輻射源は、基板の径方向に移動自在な移動部材に設けられる。
  8. 　請求項６に記載の塗布装置であって、
    　前記制御部は、塗布液が基板全体に広がった後に輻射源から輻射光を基板に照射するように制御信号を出力するものである。
  9. 　請求項５に記載の塗布装置であって、
    　前記輻射源は、基板の径方向に移動自在な移動部材に設けられる。
  10. 　請求項５に記載の塗布装置であって、
    　前記輻射源は、発光ダイオードである。
  11. 　基板を保持部に水平に保持させる工程と、
    　前記保持部を回転させると共に基板の中心部に塗布液を供給し、塗布液を遠心力により基板の表面に広げる工程と、
    　塗布液の種類及び基板の回転数の推移パターンを含む処理レシピと、基板の径方向における輻射光の照射位置を特定するための照射情報と、を対応付けて記憶した記憶部から、選択された処理レシピに応じた前記照射情報を読み出す工程と、
    　読み出した照射情報に基づいて、当該照射情報により特定される照射位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を局所的に照射する工程と、を含み、
    　前記照射位置は、処理レシピに基づいて輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置に対応する。
  12. 　請求項１１に記載の塗布方法であって、
    　輻射光の輻射は、基板の径方向に多数配列された輻射源を用いて行われ、
    　前記照射情報は、多数の輻射源の一部である複数の輻射源を特定するための情報である。
  13. 　請求項１１に記載の塗布方法であって、
    　基板への輻射光の照射開始は、塗布液が基板全体に広がった後である。
  14. 　請求項１１に記載の塗布方法であって、
    　輻射光を照射する輻射源は、発光ダイオードである。
  15. 　基板を保持部に水平に保持させる工程と、
    　前記保持部を回転させると共に基板の中心部に塗布液を供給し、塗布液を遠心力により基板の表面に広げる工程と、
    　基板の特定の位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を基板の上方から局所的に照射する工程と、を含み、
    　前記特定の位置は、輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置である。
  16. 　請求項１５に記載の塗布方法であって、
    　輻射光の照射は、基板の径方向に移動自在に設けられた輻射源により行われる。
  17. 　請求項１５に記載の塗布方法であって、
    　基板への輻射光の照射開始は、塗布液が基板全体に広がった後である。
  18. 　請求項１５に記載の塗布方法であって、
    　輻射光を照射する輻射源は、発光ダイオードである。
  19. 　基板に塗布液を塗布する塗布装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    　前記コンピュータプログラムは、塗布方法を実施するためのものであり、
    　前記塗布方法は、
    　基板を保持部に水平に保持させる工程と、
    　前記保持部を回転させると共に基板の中心部に塗布液を供給し、塗布液を遠心力により基板の表面に広げる工程と、
    　塗布液の種類及び基板の回転数の推移パターンを含む処理レシピと、基板の径方向における輻射光の照射位置を特定するための照射情報と、を対応付けて記憶した記憶部から、選択された処理レシピに応じた前記照射情報を読み出す工程と、
    　読み出した照射情報に基づいて、当該照射情報により特定される照射位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を局所的に照射する工程と、を含み、
    　前記照射位置は、処理レシピに基づいて輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置に対応する。
  20. 　基板に塗布液を塗布する塗布装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
    　前記コンピュータプログラムは、塗布方法を実施するためのものであり、
    　前記塗布方法は、
    　基板を保持部に水平に保持させる工程と、
    　前記保持部を回転させると共に基板の中心部に塗布液を供給し、塗布液を遠心力により基板の表面に広げる工程と、
    　基板の特定の位置に、塗布液が基板の表面全体に塗布されかつ塗布液が乾燥していない状態である期間が含まれる時間帯にて、基板の材料の吸収波長域を有する輻射光を基板の上方から局所的に照射する工程と、を含み、
    　前記特定の位置は、輻射光を照射せずに塗布膜を形成したときに基板の面内の膜厚分布プロファイルが凹状になる位置である。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015081167A1 (en) * 2013-11-27 2015-06-04 Tokyo Electron Limited Substrate tuning system and method using optical projection
JP6299624B2 (ja) * 2015-02-13 2018-03-28 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
KR102204885B1 (ko) * 2017-09-14 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 처리 방법
CN109078813B (zh) * 2018-08-09 2021-08-13 锐捷光电科技（江苏）有限公司 一种凹形光阻涂布的制作过程
KR102232654B1 (ko) * 2019-08-05 2021-03-26 주식회사 에이치에스하이테크 엘이디 스핀척

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01262968A (ja) * 1988-04-14 1989-10-19 Daicel Chem Ind Ltd スピンコータ
JPH04184915A (ja) * 1990-11-20 1992-07-01 Fujitsu Ltd レジスト塗布方法
JPH05259061A (ja) * 1992-03-10 1993-10-08 Kawasaki Steel Corp 半導体基板のスピンコーティング方法および装置
JPH10172906A (ja) * 1996-11-28 1998-06-26 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置製造用スピナ装置
JP2001068490A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Sony Corp 回転塗布装置および回転塗布方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529206A (ja) * 1991-07-25 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp レジスト塗布装置
JPH11274030A (ja) * 1998-03-20 1999-10-08 Hitachi Ltd レジスト処理方法および装置ならびにレジスト塗布方法
JP2000243679A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Sony Corp レジスト塗布装置およびベーキング装置
JP3629232B2 (ja) * 2001-10-16 2005-03-16 株式会社半導体先端テクノロジーズ 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP4075527B2 (ja) * 2002-08-28 2008-04-16 日本電気株式会社 レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置
JP2005322791A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法、及び塗布装置
JP5065071B2 (ja) * 2007-03-15 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法、塗布処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01262968A (ja) * 1988-04-14 1989-10-19 Daicel Chem Ind Ltd スピンコータ
JPH04184915A (ja) * 1990-11-20 1992-07-01 Fujitsu Ltd レジスト塗布方法
JPH05259061A (ja) * 1992-03-10 1993-10-08 Kawasaki Steel Corp 半導体基板のスピンコーティング方法および装置
JPH10172906A (ja) * 1996-11-28 1998-06-26 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置製造用スピナ装置
JP2001068490A (ja) * 1999-08-27 2001-03-16 Sony Corp 回転塗布装置および回転塗布方法

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