JP3629232B2 - 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法 - Google Patents
回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3629232B2 JP3629232B2 JP2001318162A JP2001318162A JP3629232B2 JP 3629232 B2 JP3629232 B2 JP 3629232B2 JP 2001318162 A JP2001318162 A JP 2001318162A JP 2001318162 A JP2001318162 A JP 2001318162A JP 3629232 B2 JP3629232 B2 JP 3629232B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- temperature
- thin film
- liquid
- cleaning agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、回転式薄膜形成装置及び、薄膜形成方法に関する。さらに、具体的には、基板に薄膜を形成する際に用いられる回転式薄膜形成装置の構造及び使用に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
この発明は、典型例としては、半導体製造工程において、基板に薄膜を形成する際に使用される回転式薄膜形成装置に関する。以下、半導体基板に薄膜を形成する場合を例にとって説明する。
【0003】
図3は、基板に薄膜を塗布するための既知の塗布装置を示す断面模式図である。
図3に示す塗布装置200において、基板20に薄膜を形成する際、基板20は、支持台であるウエハチャック22に支持され、水平に保持される。このウエハチャック22には、ウエハチャック22を高速で回転させる回転駆動機構を有する回転軸24が備えられ、これによって、ウエハチャック22は基板20を保持した状態で水平に、高速回転する。
【0004】
基板20を回転させている状態で、基板20の表面中央に、滴下口40から、薄膜形成のための液体材料を滴下する。回転による遠心力により、滴下した液体材料を外側に向かって塗り広げると共に、液体材料に含有する溶剤を揮発させ、基板20に薄膜を塗布する。
【0005】
また、このようにして薄膜を塗布する場合、膜厚を均一にするためには、基板の温度は、全体に均一であることが望ましい。このため、回転式薄膜形成装置には、上述した塗布装置200の備えられた塗布部以外に、薄膜塗布前に、基板の温度を均一にするための恒温部が設けられている。この恒温部は、一般に、全面が均一に一定の温度に保たれた恒温板に基板を載置することにより、基板の温度を均一化するようになっている。
【0006】
ところで、この高速回転による液体材料塗布の際、基板20の外周端部20Aや背面20Bに、薄膜形成用の液体材料の余剰分が飛散して付着する場合がある。このように、外周端部20Aや背面20Bに付着した液体材料は、塵埃の発生の原因となるため、この付着した液体材料を取り除く必要がある。
このため、塗布装置200では、液体材料を基板20表面に滴下して薄膜を形成する際に、基板背面20Bに向けて、洗浄剤噴出口36から洗浄剤を噴出し、これによって、基板背面20Bや外周端部20Aに付着した液体材料を洗い流す。
【0007】
一方、基板20を基板収納容器に収納する際には、基板20の外周端部20Aを支持することにより収納される。従って、収納の安定性を良好に保ち、かつ、この支持される外周端部20Aと基板収納容器の支持部とが擦れることによる異物の発生を防止するために、基板の外周端部20A付近を多少薄くした状態にしておく必要がある。このため、基板の外周端部20A付近においては、塗布した薄膜を剥離することにより、基板の外周端部20A付近を基板20の他の部分より薄くする手段がとられる。この剥離のために、基板20の外周端部20A付近には、剥離剤噴出口38が設けられており、この剥離剤噴出口38から基板20の外周端部20Aに向けて剥離剤を噴出することにより、基板20の外周端部20Aに塗布される薄膜を剥離する。
【0008】
しかし、このように基板20の外周端部20Aや背面20Bに向けて噴出する洗浄剤や剥離剤により、あるいは、これらの溶剤が揮発する場合の気化熱により、基板20の温度が低下する。この場合、基板20中央部はウエハチャック22により支持されていて、基板背面20Bが露出していないため、基板20中央部には洗浄剤がかからず、洗浄剤は、主に、基板の外周部に噴きかけられる。また、外周端部20Aには集中的に剥離剤が噴出される。従って、薄膜塗布中に、基板20の外周部の温度は洗浄剤や剥離剤により低下し、基板20の温度は不均一な状態になると考えられる。
【0009】
図4は、薄膜塗布の際の基板中央部、右外周部、左外周部の温度を測定した結果を示すグラフである。
図4において、横軸は時間、縦軸は温度を示す。また、中央部の温度は、△、右外周部の温度は、◆、左外周部の温度は、■を用いてプロットした。ここで、右外周部、左外周部とは、便宜的に、回転開始前の基板の載置状態において、外周の右側を右外周部、反対側を左外周部としたものである。従って、右外周部、左外周部は、回転が開始すれば必ずしも、右側、左側にあるものではない。
また、横軸において、×で示したのは、基板20の薄膜塗布を開始した時間である。×印において、塗布が開始してから、次の×印までの間に、基板1枚の薄膜塗布は終了し、基板は、次の基板と入れ替えられる。即ち、このグラフにおいては、13枚の基板に薄膜を塗布したことになる。
【0010】
グラフからわかるように、1枚の基板20の薄膜塗布において、洗浄剤のかからない基板20中央部の温度は、薄膜塗布中に、0.2〜0.3℃程度しか変化しないのに対して、基板の外周部の温度は、1.0〜1.5℃程度の変化をみせる。特に、左外周部の測定位置は、右外周部の測定位置より、剥離剤の噴出の際に、剥離剤噴出口の近くに位置すると考えられる。そのため左外周部の温度は、洗浄剤噴出口36から背面20Bに噴出される洗浄剤と、剥離剤噴出口38から噴出される剥離剤の両方が多く噴きかけられるため、温度変化は大きい。
【0011】
また、1枚の基板と他の基板との間においても、基板の温度は、徐々に下がる傾向にあり、初めに処理される基板の温度が23.0℃程度あるのに対して、13枚目の基板の温度は、中心部でも22.5℃、外周部においては22.0℃と、0.5〜1.0℃程度の温度差が生じている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、薄膜塗布の際、基板の背面20Bや外周端部20Aに液体材料が付着するのを防止するため、洗浄剤や剥離剤を背面20Bや、外周端部20Aに噴出し、基板20の洗浄を行う。しかし、この洗浄剤や剥離剤により、特に洗浄剤や剥離剤が多くかけられる基板の外周部において、薄膜塗布中に、基板の温度が下がってしまうため、基板全体の温度が不均一になってしまう。また、洗浄剤や剥離剤の影響により、塗布装置全体の温度も徐々に下がることとなり、薄膜塗布の際、基板と別の基板との間で温度が異なることになる。
このように、薄膜塗布の際、基板に生じる温度の不均一は、形成される薄膜の膜厚を不均一にする原因となり問題である。また、基板と別の基板との間の温度差も、基板によって、形成される膜厚が異なる原因となり問題である。
【0013】
従って、この発明は、このような問題を解決し、薄膜塗布時の基板の部分的な温度の低下を防ぐことにより、基板全体の温度を均一に保ち、また、複数の基板間の温度を同一に保つ方法を提案するものであり、これによって、膜厚の均一な薄膜の形成を可能にした回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提案するものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
この発明の回転式薄膜形成装置は、基板を支持する支持台と、前記支持台に接続して、前記支持台を回転させる駆動手段と、前記基板の表面に薄膜を形成するための液体材料を滴下する滴下部と、前記基板の裏面を洗浄するための洗浄剤を噴出する洗浄剤噴出部と、前記基板に形成された薄膜を剥離するための剥離剤を前記基板の外周部付近に噴出する剥離剤噴出部と、を有し、
前記基板を回転させた状態で、
前記洗浄剤噴出部から洗浄剤を噴出して、前記基板の裏面を洗浄すると共に、回転する前記基板の表面に前記液体材料を塗布して薄膜を形成し、更に、前記剥離剤噴出部から前記剥離剤を噴出して、前記基板の外周部付近に形成された薄膜の膜厚を薄くする塗布部と、
前記薄膜を形成する前の基板を収納して、前記基板の温度を制御することができる温度制御部と、
を有する回転式薄膜形成装置であって、
前記温度制御部は、前記基板を複数の区画に区分して、前記区画ごとに、前記基板への前記洗浄剤の噴出及び前記剥離剤の噴出により生じる温度差を予測して、前記基板の温度を制御するものである。
【0016】
また、この発明の回転式薄膜形成装置は、前記温度制御部が、基板を載置することができる温度制御板と、
前記温度制御板に前記複数の区画に対応するように備えられた複数の液体流入管と、前記複数の液体流入管のそれぞれに接続して液体を導入する液体導入手段と、を備え、
前記液体導入手段が、前記液体の温度を、前記複数の区画のそれぞれに対応するように制御する制御手段を備えたものである。
【0017】
また、この発明の回転式薄膜形成装置は、前記複数の区画が、前記基板を、複数の同心円状に区分するように配置されるものである。
【0018】
また、この発明の回転式薄膜形成装置は、前記温度制御部が、外側に区分された前記区画の温度を、内側に区分された前記区画の温度より高温になるように制御するものである。
【0020】
次に、この発明の薄膜形成方法は、支持台に基板を載置して、前記支持台ごと前記基板を回転させた状態で、
前記基板の裏面に洗浄剤を噴出して洗浄すると共に、
前記回転する基板の表面に薄膜形成用の液体材料を滴下して薄膜を形成し、
更に、前記基板の外周部付近に剥離剤を噴出して、前記基板の外周部付近に形成された前記薄膜の膜厚を薄くする薄膜形成方法において、
前記薄膜の形成に先立って、前記基板を、複数に区画し、各区画ごとに、前記基板への前記洗浄剤の噴出及び前記剥離剤の噴出により生じる温度差を予測して、前記基板の温度を制御するものである。
【0021】
また、この発明の薄膜形成方法は、前記複数の区画に対応するように複数の液体流入管を備えた温度制御板の上に基板を載置して、
前記液体流入管に、前記複数の区画のそれぞれに対応する所定の温度に設定された液体を導入することにより、前記温度制御板の温度を制御し、これによって、前記基板の温度を制御するものである。
【0022】
また、この発明の薄膜形成方法は、前記基板を、複数の同心円状に区画して、外側に区画された前記区画の温度を、内側に区画された前記区画の温度より高くなるように、前記基板の温度を制御するものである。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を省略ないし簡略化する。
【0025】
実施の形態1.
この発明の実施の形態1では、基板上に薄膜を形成する前に、基板を複数の区画に区分して、それぞれの区画ごとに温度を制御する。即ち、薄膜を形成する際に基板の温度が下がりやすい部分の温度を予め高温にしておく。
【0026】
図1は、この実施の形態において使用される回転式薄膜形成装置の内部を示す概念図である。
図1において、300は、回転式薄膜形成装置を示し、310は、薄膜を形成する前の基板の温度を制御するための温度制御部、320は、基板に薄膜を塗布するための塗布部を示す。
【0027】
回転式薄膜形成装置300には、温度制御部310、塗布部320以外に、熱処理部330、340、350及び冷却部360などが備えられている。熱処理部330、340、350では、形成された薄膜に100〜350℃程度の段階的な熱処理を施して、予備的な熱硬化処理を行い、溶剤を揮発させ、薄膜を安定化させる。また、冷却部360では、高温になった基板の温度を下げる。また、基板は、基板収納容器370に収納された状態で、回転薄膜形成装置に搬送される。その後、処理を行う際には、基板収納容器370から取り出され、搬送装置380により、各場所に、順に自動搬送されるようになっている。
【0028】
この装置の塗布部320には、図3に示す塗布装置200が備えられている。図3において、20は、基板を示し、20Aは、基板20の外周端部、20Bは、基板20の背面を示す。また、22は、基板20を支持する支持台であるウエハチャックを示し、24は、ウエハチャック22に接続し、ウエハチャック22を高速で回転させる駆動手段を備えた回転軸を示す。
【0029】
40は、基板20に薄膜を形成するための液体材料を滴下するための滴下口を示し、基板20表面に対して中央上方に備えられている。この滴下口40から、回転する基板20に液体材料が滴下され、遠心力によりこれを塗り広げるとともに、液体材料に含まれる溶剤を揮発させることにより基板20に薄膜を塗布する。
【0030】
26は、塗布装置200に備えられたインナーカップを示し、26Aは、インナーカップの側面を示す。インナーカップ26は、塗布装置200において使用される液体材料や洗浄剤等が、ウエハチャック22や回転軸24等に付着することを防止するために設けられたものである。
また、28は、塗布装置200に備えられたアウターカップを示し、28Aは、アウターカップの側面を示す。アウターカップ28は、塗布装置200において使用される液体材料や洗浄剤等が、回転によりかけられる遠心力により、塗布装置200の外側に飛散することを防止するために設けられたものである。
【0031】
30は、インナーカップ26とアウターカップ28とによって形成される空間を示す。また、30Aは、この空間に設けられた排出口を示す。塗布装置200は、インナーカップ26とアウターカップ28と空間30とにより形成されるカップ内に、ウエハチャック22、回転軸24を設け、このカップ内で、薄膜を塗布するように構成されている。
【0032】
また、32は、インナーカップ側面26Aを洗浄するための洗浄剤を流す洗浄剤流入管を示し、32Aは、洗浄剤流入口、32Bは洗浄剤流出口を示す。洗浄剤流入口32Aから、流入された洗浄剤は、流入管32を通り、洗浄剤流出口32Bから流出し、インナーカップ側面32Aを伝って、洗浄しながら流れ、排出口30Aから排出されるように形成されている。
【0033】
34は、アウターカップ側面28Aを洗浄するための洗浄剤を流す洗浄剤流入管を示し、34Aは、洗浄剤流入口、34Bは、洗浄剤流出口を示す。洗浄剤流入口34Aから、流入された洗浄剤は、流入管34を通り、洗浄剤流出口34Bから流出し、アウターカップ側面28Aを伝って、洗浄しながら流れ、排出口30Aから排出されるように形成されている。
【0034】
インナーカップ26及びアウターカップ28は、上述したように、液体材料や、洗浄剤等が飛散したり、ウエハチャック22や、回転軸26に付着したりすることを防ぐために設けられている。しかし、液体材料や洗浄剤等は、インナーカップ26や、アウターカップ28に飛散して付着する。このように付着した液体材料等を放置しておくと、この液体材料が乾燥して固化し、さらに、振動や衝撃等カップの壁面から剥離した場合に、基板の表面に付着して処理不良や基板の汚染の原因となる。これを防止するために、インナーカップ側面26A及びアウターカップ側面28Aにはそれぞれ、洗浄剤を流し、液体材料等の付着を防止しているのである。
【0035】
なお、洗浄剤流入管32及び34は、図3において、インナーカップ26またはアウターカップ28内部を通過するように記載されているが、インナーカップ側面26Aまたはアウターカップ側面28Aを洗浄できるものであれば、配管の位置はこれに限るものではない。
【0036】
36は、基板背面20Bを洗浄するために設けられた洗浄剤噴出口を示す。洗浄剤噴出口36から噴出した洗浄剤は、図3において矢印に示すように、基板の背面20Bに噴出され、基板背面20Bを洗浄した後、カップ内の空間30を通り、排出口30Aから排出されるようになっている。
【0037】
38は、基板20の外周端部20A付近に剥離剤を流す剥離剤噴出口を示す。剥離剤噴出口38から噴出した剥離剤は、基板の外周端部20A付近に塗布された薄膜を剥離して、カップ内の空間30を通り排出口30Aから排出されるようになっている。
基板収納容器370内においては、外周端部20Aを支持した状態で基板20が収納される。従って、基板20を安定した状態で支持して基板収納容器200に収納するためには、基板20の外周端部20Aを基板20の他の部分より多少薄くした状態にする必要がある。このため、基板20の外周端部20Aに剥離剤を噴出して、特に基板20の外周端部20A付近に塗布された薄膜を剥離し、これによって、基板外周端部20A付近を薄くする。このような状態にすれば、安定した状態で基板20を支持でき、また、基板20と基板収納容器370が擦れることによる異物の発生を防止することができる。
【0038】
このように、塗布部320には、薄膜塗布用の液体材料と、洗浄用の洗浄剤等が同時に流入され、基板20の薄膜塗布、カップ内の空間30の洗浄、基板20の外周端部20A及び背面20Bの洗浄、剥離等を同時に行うことができるようになっている。
【0039】
なお、以上説明した範囲において塗布装置200は、既知のものであり、塗布部310に備えられる塗布装置は、これに限るものではなく、この発明の範囲内において、他の塗布用の装置であってもよい。
【0040】
図2は、温度制御部310に備えられた温度制御板を示す概念図であり、図2(a)は、縦断面図、図2(b)は、横断面図を示す。
図2(a)及び図2(b)において、100は、基板を載置して、この基板の温度を制御するための温度制御板を示す。
【0041】
2A、4A、6A、8Aは、液体導入口であり、2B、4B、6B、8Bは、液体排出口を示す。また、2、4、6、8は、それぞれ、液体導入口2A〜8Aと、液体排出口2B〜8Bとを繋ぐ液体流入管を示す。液体流入管2、4、6、8は、液体流入管2を外周側、配管8を内周側として、順に同心円状に配置されている。
【0042】
また、10、12、14は、温度制御板100の表面に設けられた温度センサを示し、温度制御板100に載置された基板20の温度を測ることができる。温度センサ10は、液体流入管2と液体流入管4との間、温度センサ12は、液体流入管6と液体流入管8との間、温度センサ14は、温度制御板100の中央表面付近にそれぞれ備えられている。
【0043】
16は、制御手段を示し、18は、液体導入手段を示す。制御手段16は、液体導入手段に接続され、各液体流入管2〜8に導入する液体の温度をそれぞれ制御する。また、液体導入手段18は、各液体流入口2A〜8Aに接続され、ここから、温度制御された液体を各液体流入管2〜8に流入する。
【0044】
また、センサ10、12、14による温度の測定結果は、制御手段16に伝えられるようになっている。制御手段16は、これによって、さらに、各液体流入管2〜8に流入させる液体の温度を調整することができる。
【0045】
各液体流入管2〜8には、それぞれ異なる温度に制御した液体を流すことにより、温度制御板100を、同心円状に複数に区画して、区画ごとに温度を制御できるようになっている。また、この温度制御板100によって温度制御される基板20も、この温度制御板100の複数の区画に対応して、複数の区画に区分して温度制御することができ、これによって、基板20全体には、温度勾配をつけることができる。
【0046】
なお、この実施の形態では、液体流入管2〜8に流入する液体として、温水を使用し、洗浄剤、剥離剤としては、基板の主溶剤である有機溶剤を使用するが、これに限るものではなく、他の薬品であっても良い。
【0047】
次に、図を用いて、回転式薄膜形成装置300を用いた薄膜の形成方法を説明する。
まず、回転式薄膜装置300内に設けられた温度制御部310において、温度制御板100の温度の調節を行う。
ここでは、まず、同心円状に配置された4つの流入管に流入する液体の温度を、それぞれ、制御手段16により制御する。液体の温度は、塗布装置200に配置された洗浄剤噴出口36や剥離剤噴出口38の位置によって、温度の下がりやすい部分の温度を高くするように制御すればよい。ここでは、塗布装置200の構造上、特に外周部に洗浄剤や剥離剤がかかりやすい。従って、最も内側に配置される液体流入管8に流入させる液体から、最も外側に配置される液体流入管2に流入させる液体に向かって順に高温になるよう制御する。
【0048】
このように制御手段16により温度の制御された液体を、導入手段18から、液体導入口2A〜8Aを介して、それぞれ、液体流入管2〜8に流入する。これによって、温度制御板100の温度を、4つの液体流入管2〜8に対応させて区画し、外周に向かって内側から順に高くなるように、かつ、内側と外側の区画の温度差が1.0℃以上になるように制御する。
なお、各液体流入管2〜8を流れる液体は、導入手段18から続けて導入され、液体排出口2B〜8Bを通して排出される。従って、液体流入管2〜8内は、液体が流れている状態が保たれている。
【0049】
このように、温度制御部310における温度制御板100の温度が制御された状態で、基板20の搬送を開始する。基板20が収納された基板収納容器370から、搬送装置380により基板20を取り出して、温度制御部310に搬送した後、温度制御板100の上に載置する。この温度制御板100は、上述したように、外側に向かって温度が高くなるように4つの区画に分けて温度制御されている。従って、基板20を温度制御板100に載置することにより、基板20も、この区画に対応して、温度制御される。
【0050】
またこの際、同時に、温度センサ10、12、14により、それぞれの位置における基板20の温度が測られ、測定結果は、制御手段16に伝えられる。制御手段16は、この測定結果に応じて、液体導入手段18の各液体の温度を制御する。これによって、基板20の温度の微調整が行われ、外周の温度が、内周の温度よりも、約1.0℃高くなるように設定される。
【0051】
このようにして、時間の経過と共に、基板20には、外側に向かって徐々に温度が高くなるように温度勾配が作られる。また、基板20の温度勾配は、基板20を塗布部310に移動する間に、さらに緩やかなものとなる。
【0052】
以上のように温度制御され、温度が安定した後、基板20を搬送装置380により、塗布部320に搬送する。搬送された基板20は、塗布装置200のウエハチャック22の上に載置される。
【0053】
塗布装置200内において、まず、回転軸24に備えられた回転駆動機構により、ウエハチャック22の回転を開始する。ウエハチャック22に支持された基板20が、高速に回転している状態で、基板20の中央上方に設けられた滴下口40から、薄膜形成用の液体材料を滴下する。基板20の表面に滴下された液体材料は、回転により生じる遠心力により外側に塗り広げられ、同時に液体材料に含有する溶剤が揮発されていき、これによって薄膜が形成される。
【0054】
また、この薄膜塗布の間に、洗浄剤噴出口36及び剥離剤噴出口38から、洗浄剤及び剥離剤を基板20に向けて噴出させ、基板背面20Bを洗浄し、また、基板20の外周端部20Aに塗布された薄膜の剥離が行われる。
ここで、基板20に吹きかけられる洗浄剤、剥離剤の温度が低温であっても、予め基板20の温度は、洗浄剤や剥離剤の多く噴きかけられる外周部分に向かって高温になるように制御してある。従って、この洗浄剤や剥離剤の噴出によって基板20の温度が不均一になることは抑えることができる。
【0055】
このようにして、薄膜が塗布された後、塗布装置320には洗浄剤流入口32A及び34Aから、洗浄剤を導入して、インナーカップ側壁26A及びアウターカップ側壁28Aに洗浄剤を流して洗浄する。
一方、薄膜の塗布された基板は、熱処理部330、340、350を通過して薄膜を安定化した後、冷却部360を通過して通常の基板の温度に下げられる。
【0056】
以上のようにすれば、基板20は、予め温度の下がりやすい部分を高温にしておくことができるため、洗浄剤や、剥離剤の噴出により基板20の温度が不均一になることを抑えることができる。従って、基板20に形成される薄膜の膜厚の均一性を向上させることができる。また、基板20は、温度制御部100において、温度を制御した後に、薄膜の塗布が行われるため、基板20と他の基板の間における膜厚の不均一をも抑えることができる。
【0057】
なお、ここでは、洗浄剤及び剥離剤の噴出は、薄膜の塗布が終了する直前に1度行う。これは、洗浄剤や剥離剤を無駄にしないためであるが、これに限るものではなく、常に洗浄剤や剥離剤を噴出していてもよく、また、薄膜の塗布中に何度か吹きかけるものであってもよい。この場合、これにあわせて、基板20に生じる温度差を予測し、温度制御板100により予め基板の温度を制御して薄膜の塗布を行えばよい。
【0058】
また、ここでは、温度制御板100に4つの液体流入管2〜8を設けて、同心円状の4区画に分けて温度を制御した。しかし、4区画に限るものではなく、いくつかの同心円状に分けてもよい。但し、基板に生じる温度差を考慮すれば、好適には、少なくとも2つの区画に分け、外側の区画の温度を内側の区画の温度より、0.2〜1.0℃高くなるようにすることが望ましい。また、同心円状の区画に限るものでもない。特に、剥離剤の噴出が片側にあり、剥離剤の噴出を一度しか行わないような場合、剥離剤噴出口の設けられている部分の温度が特に下がりやすいため、それにあわせて、その部分の温度をより高温に制御できるようにしたもの等も考えられる。
【0059】
また、ここでは、3つの温度センサを備えた。しかし、これに限るものではなく、例えば、区画ごとに対応させた数の温度センサを設ける等してもよい。また、特に温度センサを有さないものであってもよい。
また、液体導入手段には制御手段16を備えたが、このような制御手段を有さないものであってもよい。
【0060】
また、ここでは、温度制御板100の温度を、内部に温度制御した液体を流入させることにより制御したが、これに限るものでもなく、例えば、ペルチェ素子や、低温のヒーターを用いるなどして温度を制御するものであっても良い。
【0061】
実施の形態2.
この発明の実施の形態2では、洗浄剤噴出口及び剥離剤噴出口から噴出させる洗浄剤及び剥離剤は、あらかじめ温めておく。これによって、これらの薬剤が吹きかけられることによる基板の部分的な温度低下を防止することができる。
【0062】
この実施の形態2において使用する回転式薄膜形成装置は、実施の形態1において説明した図1のものと同様である。
ただし、温度制御部310には、恒温板が備えられている。この恒温板は、既知のものと同様であり、恒温板全面が同一の温度になるように制御される。
また、塗布部320に備えられた塗布装置は、実施の形態1において説明した塗布装置200と同様のものである。ただし、洗浄液噴出口36及び剥離液噴出口38に供給する洗浄剤及び剥離剤の温度を制御する制御部を備える。
ここでは、洗浄剤及び剥離剤として、基板20の主溶剤である有機溶剤を用いるため、この有機溶剤の温度を一括して制御する制御部を備える。しかし、洗浄剤及び剥離剤として異なる薬剤を使うものでもよく、この場合にはそれぞれの温度を制御できる制御部を備えればよい。
【0063】
次にこの実施の形態における薄膜の形成方法を説明する。
まず、温度制御部310に備えられた恒温板の全面が一定の温度になるように制御する。
この状態の温度制御部310に、基板20を搬送し、基板を恒温板に載置する。一定時間経過させ、基板20の温度を均一にする。
次に、基板20を塗布部320に搬送する。塗布部320において、基板20は塗布装置200のウエハチャック22に載置され、薄膜が回転塗布される。
一方制御部においては、洗浄剤及び剥離剤としての有機溶剤が所定の温度に温められる。この温度の制御された有機溶剤は、洗浄液噴出口36及び剥離液噴出口38から、基板20の外周端部20A及び背面20Bに向かって噴出される。
その他の部分は、実施の形態1と同様であるから説明を省略する。
【0064】
このようにすれば、洗浄剤及び剥離剤を予め温めておくことができるため、基板20の外周端部20A及び背面20Bに洗浄剤及び剥離剤を噴出しても、基板20の温度が低下することがない。従って、基板20の温度が、洗浄や剥離によって不均一になることを防止することができ、均一な薄膜の形成をすることができる。
【0065】
なお、この実施の形態2において、塗布装置200に、洗浄剤及び剥離剤としての有機溶剤の温度を制御して温めることができる制御部が備えられている場合について説明した。しかし制御部を備えるものに限らず、例えば、塗布装置200の外部で予め所定の温度に温めた洗浄剤等を供給するものであっても良い。
【0066】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の薄膜形成前に基板を複数の区画に区分して、各区画ごとに温度を制御するものにおいては、洗浄剤や剥離剤の噴出により、基板の温度が部分的に低下して基板全体の温度が不均一になることを抑えることができる。従って、基板に形成される薄膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【0067】
また、この発明の、温度を同心円状に区画して制御するものにおいては、薄膜塗布の際に、温度の低下が起こりやすい部分の温度を、効率よく高温にすることができ、効果的に基板の温度が不均一に成ることを防止することができる。従って、基板に形成される薄膜の膜厚均一性を向上させることができる。
【0068】
また、この発明の、洗浄用に用いられる洗浄剤を予め温度を高めておくものにおいては、洗浄液の噴出により基板の温度が部分的に低下して不均一になることを防止できる。従って膜圧の均一性の向上を図ることができる。また、これによれば洗浄液をあらかじめ所定温度に温めておくだけで足り、従って、より簡易に膜厚の均一性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の回転式薄膜形成装置の内部を示す概念図である。
【図2】この発明の実施の形態1において用いた温度制御板を示す断面模式図である。
【図3】基板に薄膜を塗布するための既知の塗布装置を示す断面模式図である。
【図4】薄膜を塗布する際の基板の温度を測定した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
100 温度制御板
200 塗布装置
300 回転式薄膜形成装置
310 温度制御部
320 塗布部
330〜350 熱処理部
360 冷却部
370 基板収納容器
380 搬送装置
2、4、6、8 液体流入管
2A、4A、6A、8A 液体導入口
2B、4B,6B、8B 液体排出口
10、12、14 温度センサ
16 制御手段
18 導入手段
20 基板
22 支持台(ウエハチャック)
24 回転軸
26 インナーカップ
26A インナーカップ側面
28 アウターカップ
28A アウターカップ側面
30 空間
32 洗浄剤流入管
32A 洗浄剤流入口
32B 洗浄剤流出口
34 洗浄剤流入管
34A 洗浄剤流入口
34B 洗浄剤流出口
36 洗浄剤噴出口
38 剥離剤噴出口
40 滴下口
Claims (7)
- 基板を支持する支持台と、前記支持台に接続して、前記支持台を回転させる駆動手段と、前記基板の表面に薄膜を形成するための液体材料を滴下する滴下部と、前記基板の裏面を洗浄するための洗浄剤を噴出する洗浄剤噴出部と、前記基板に形成された薄膜を剥離するための剥離剤を前記基板の外周部付近に噴出する剥離剤噴出部と、を有し、
前記基板を回転させた状態で、
前記洗浄剤噴出部から洗浄剤を噴出して、前記基板の裏面を洗浄すると共に、回転する前記基板の表面に前記液体材料を塗布して薄膜を形成し、更に、前記剥離剤噴出部から前記剥離剤を噴出して、前記基板の外周部付近に形成された薄膜の膜厚を薄くする塗布部と、
前記薄膜を形成する前の基板を収納して、前記基板の温度を制御することができる温度制御部と、
を有する回転式薄膜形成装置であって、
前記温度制御部は、前記基板を複数の区画に区分して、前記区画ごとに、前記基板への前記洗浄剤の噴出及び前記剥離剤の噴出により生じる温度差を予測して、前記基板の温度を制御することを特徴とする回転式薄膜形成装置。 - 前記温度制御部は、基板を載置することができる温度制御板と、
前記温度制御板に前記複数の区画に対応するように備えられた複数の液体流入管と、前記複数の液体流入管のそれぞれに接続して液体を導入する液体導入手段と、を備え、
前記液体導入手段は、前記液体の温度を、前記複数の区画のそれぞれに対応するように制御する制御手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載の回転式薄膜形成装置。 - 前記複数の区画は、前記基板を、複数の同心円状に区分するように配置されることを特徴とする請求項1または2に記載の回転式薄膜形成装置。
- 前記温度制御部は、外側に区分された前記区画の温度を、内側に区分された前記区画の温度より高温になるように制御することを特徴とする請求項3に記載の回転式薄膜形成装置。
- 支持台に基板を載置して、前記支持台ごと前記基板を回転させた状態で、
前記基板の裏面に洗浄剤を噴出して洗浄すると共に、
前記回転する基板の表面に薄膜形成用の液体材料を滴下して薄膜を形成し、
更に、前記基板の外周部付近に剥離剤を噴出して、前記基板の外周部付近に形成された前記薄膜の膜厚を薄くする薄膜形成方法において、
前記薄膜の形成に先立って、前記基板を、複数に区画し、各区画ごとに、前記基板への前記洗浄剤の噴出及び前記剥離剤の噴出により生じる温度差を予測して、前記基板の温度を制御することを特徴とする薄膜形成方法。 - 前記複数の区画に対応するように複数の液体流入管を備えた温度制御板の上に基板を載置して、
前記液体流入管に、前記複数の区画のそれぞれに対応する所定の温度に設定された液体を導入することにより、前記温度制御板の温度を制御し、これによって、前記基板の温度を制御することを特徴とする請求項5に記載の薄膜形成方法。 - 前記基板を、複数の同心円状に区画して、外側に区画された前記区画の温度を、内側に区画された前記区画の温度より高くなるように、前記基板の温度を制御することを特徴とする請求項5または6に記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001318162A JP3629232B2 (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001318162A JP3629232B2 (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003117470A JP2003117470A (ja) | 2003-04-22 |
JP3629232B2 true JP3629232B2 (ja) | 2005-03-16 |
Family
ID=19135925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001318162A Expired - Fee Related JP3629232B2 (ja) | 2001-10-16 | 2001-10-16 | 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3629232B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4341582B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2009-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴吐出装置 |
JP2012119536A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01172049U (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-06 | ||
JPH0462831A (ja) * | 1990-06-25 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | ホトレジスト塗布方法 |
JPH07263310A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 回転処理装置及び回転処理方法 |
JPH08293460A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Ricoh Co Ltd | 薬液塗布装置 |
JPH11274030A (ja) * | 1998-03-20 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | レジスト処理方法および装置ならびにレジスト塗布方法 |
JPH11276972A (ja) * | 1998-04-01 | 1999-10-12 | Sony Corp | レジストコーティング装置 |
JP2000243679A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Sony Corp | レジスト塗布装置およびベーキング装置 |
-
2001
- 2001-10-16 JP JP2001318162A patent/JP3629232B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003117470A (ja) | 2003-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3587723B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN100541728C (zh) | 用于处理基底的装置和方法 | |
US20130011555A1 (en) | Coating apparatus and coating method | |
JP6456793B2 (ja) | 基板処理装置および昇華性物質の析出防止方法 | |
KR19980019104A (ko) | 반도체 처리용 도포방법 및 도포장치(coating methdo and apparatus for semiconductor process) | |
KR100803147B1 (ko) | 도포장치 및 이를 이용한 처리액의 도포 방법 | |
TWI578391B (zh) | 基板清洗裝置、基板清洗方法及電腦可讀取記錄媒體 | |
JP3545676B2 (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
JP3629232B2 (ja) | 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
JPH08130202A (ja) | 回転式半導体基板処理装置 | |
TW202101533A (zh) | 液處理裝置及液處理方法 | |
JP2607389B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
JP2000119874A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH09289161A (ja) | 処理液塗布装置 | |
JPH0957176A (ja) | 回転塗布装置 | |
JP2002204992A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7170506B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP6254054B2 (ja) | 塗布装置、接合システム、塗布方法、接合方法、プログラム、および情報記憶媒体 | |
JP3842221B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP5917165B2 (ja) | 基板処理装置及びこれに用いられる液供給装置 | |
JP4636083B2 (ja) | 異種sog材料装填時におけるノズル先端の結晶化防止方法 | |
JPH10135101A (ja) | スピンコータ | |
JP2920462B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
JP4172077B2 (ja) | 基板の液処理方法及び装置 | |
JP2002159905A (ja) | 塗布装置及び塗布方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040521 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040914 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041115 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20041119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3629232 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071217 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081217 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091217 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101217 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111217 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121217 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131217 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |