JPH07263310A - 回転処理装置及び回転処理方法 - Google Patents
回転処理装置及び回転処理方法Info
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- JPH07263310A JPH07263310A JP4960494A JP4960494A JPH07263310A JP H07263310 A JPH07263310 A JP H07263310A JP 4960494 A JP4960494 A JP 4960494A JP 4960494 A JP4960494 A JP 4960494A JP H07263310 A JPH07263310 A JP H07263310A
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- JP
- Japan
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- processed
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- turntable
- rotation
- rotary table
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、例えば半導体基板等を吸着して回転
処理を行う回転処理装置及び回転処理方法に関し、回転
台１に通気孔８が存在しても、被処理物２の表面におい
て一様でむらのない処理状態を得ることを目的とする。 【構成】回転台１の回転時に、通気孔８の内部の減圧を
抑制する手段を有する構成とする。また、回転台１の回
転時に、通気孔８の出口９を閉じる弁１０を設けた構成
とする。
処理を行う回転処理装置及び回転処理方法に関し、回転
台１に通気孔８が存在しても、被処理物２の表面におい
て一様でむらのない処理状態を得ることを目的とする。 【構成】回転台１の回転時に、通気孔８の内部の減圧を
抑制する手段を有する構成とする。また、回転台１の回
転時に、通気孔８の出口９を閉じる弁１０を設けた構成
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体基板やガ
ラス基板等を吸着して回転処理を行う回転処理装置、及
び該回転処理装置によってレジストの塗布や現像，ＳＯ
Ｇ（Spin onglass ）膜等の塗布，エッチング処理，洗
浄処理等を行う回転処理方法に関する。
ラス基板等を吸着して回転処理を行う回転処理装置、及
び該回転処理装置によってレジストの塗布や現像，ＳＯ
Ｇ（Spin onglass ）膜等の塗布，エッチング処理，洗
浄処理等を行う回転処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５に、従来の半導体デバイスやガラス
マスク等の製造工程において、半導体基板やガラス基板
等にレジスト等を塗布する場合や露光後のレジストを現
像する場合等に使用する、回転処理装置を示す。半導体
基板やガラス基板等の被処理物２を真空吸着した回転台
１をモーター１２を駆動して高速回転させておき、塗布
液１４をノズル１３から滴下させる。滴下された塗布液
１４は、高速回転の遠心力によって被処理物２の表面で
均一に拡がり、膜厚が均一な塗布膜が形成される。
マスク等の製造工程において、半導体基板やガラス基板
等にレジスト等を塗布する場合や露光後のレジストを現
像する場合等に使用する、回転処理装置を示す。半導体
基板やガラス基板等の被処理物２を真空吸着した回転台
１をモーター１２を駆動して高速回転させておき、塗布
液１４をノズル１３から滴下させる。滴下された塗布液
１４は、高速回転の遠心力によって被処理物２の表面で
均一に拡がり、膜厚が均一な塗布膜が形成される。
【０００３】また、レジストを塗布してパターン露光し
た後の半導体基板やガラス基板を被処理物２とし、塗布
液の代わりにレジスト現像液を使用して上記と同様の処
理を行うと、被処理物２の表面で均一な現像処理を行う
ことができる。更に、同様の方法によって、ＳＯＧ膜の
塗布，エッチング処理，洗浄処理等を行うこともでき
る。
た後の半導体基板やガラス基板を被処理物２とし、塗布
液の代わりにレジスト現像液を使用して上記と同様の処
理を行うと、被処理物２の表面で均一な現像処理を行う
ことができる。更に、同様の方法によって、ＳＯＧ膜の
塗布，エッチング処理，洗浄処理等を行うこともでき
る。
【０００４】図４は、従来の回転処理装置の要部を示す
図である。回転台１の上にガラス基板等の被処理物２が
載せられ、真空排気管３を通して真空排気部４を真空排
気することにより、被処理物２が回転台１に吸着され
る。真空排気部４は、通常、図４に示したように、回転
台１の外周部に設けられている。真空排気した部分は、
被処理物２と回転台１との間の熱伝導がされにくいた
め、被処理物２に面内温度分布が生じてしまうからであ
る。そこで、被処理物２の有効領域６の下には常圧部５
を設け、外周部の無効領域７の下のみ真空排気するよう
に構成されている。
図である。回転台１の上にガラス基板等の被処理物２が
載せられ、真空排気管３を通して真空排気部４を真空排
気することにより、被処理物２が回転台１に吸着され
る。真空排気部４は、通常、図４に示したように、回転
台１の外周部に設けられている。真空排気した部分は、
被処理物２と回転台１との間の熱伝導がされにくいた
め、被処理物２に面内温度分布が生じてしまうからであ
る。そこで、被処理物２の有効領域６の下には常圧部５
を設け、外周部の無効領域７の下のみ真空排気するよう
に構成されている。
【０００５】また、常圧部５には通気孔８が設けられて
いる。被処理物２を回転台１に吸着すると、常圧部５は
閉じられた空間となるので、その空間内の空気が何らか
の原因で膨張した場合に、その空気を逃がす必要がある
からである。 被処理物２を吸着した回転台１を高速回
転させ、レジスト液や現像液等を被処理物２の表面に滴
下すると、該レジスト液等は遠心力で被処理物２の表面
に一様に広がり、面内で均一な処理がなされる。
いる。被処理物２を回転台１に吸着すると、常圧部５は
閉じられた空間となるので、その空間内の空気が何らか
の原因で膨張した場合に、その空気を逃がす必要がある
からである。 被処理物２を吸着した回転台１を高速回
転させ、レジスト液や現像液等を被処理物２の表面に滴
下すると、該レジスト液等は遠心力で被処理物２の表面
に一様に広がり、面内で均一な処理がなされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
回転台１を有する回転処理装置で実際に現像等の処理を
行うと、被処理物２の表面に、他の部分と処理のなされ
方が異なる箇所が現れ、且つその箇所は、通気孔８が存
在する位置の被処理物２の表面およびその近傍であると
いう問題が生じる。
回転台１を有する回転処理装置で実際に現像等の処理を
行うと、被処理物２の表面に、他の部分と処理のなされ
方が異なる箇所が現れ、且つその箇所は、通気孔８が存
在する位置の被処理物２の表面およびその近傍であると
いう問題が生じる。
【０００７】ガラス製フォトマスクを製造する場合を例
にとって具体的に説明する。先ず、ガラス基板（厚さ
２．３ｍｍ）の表面にクロム膜（厚さ８００Å）を塗布
し、更に電子ビーム露光用ポジレジストを膜厚５０００
Åで一様に塗布し、ベークを行った試料を作成する。こ
の試料を従来の回転処理装置を使用して現像処理した後
の、未露光部分のレジスト膜厚を測定すると、通気孔８
が存在する位置における該膜厚が、それ以外の場所より
も１５０Åだけ薄くなるということが起こる。１５０Å
のレジスト膜厚差は、膜の色の差となって現れ、目視で
も確認できるほどである。
にとって具体的に説明する。先ず、ガラス基板（厚さ
２．３ｍｍ）の表面にクロム膜（厚さ８００Å）を塗布
し、更に電子ビーム露光用ポジレジストを膜厚５０００
Åで一様に塗布し、ベークを行った試料を作成する。こ
の試料を従来の回転処理装置を使用して現像処理した後
の、未露光部分のレジスト膜厚を測定すると、通気孔８
が存在する位置における該膜厚が、それ以外の場所より
も１５０Åだけ薄くなるということが起こる。１５０Å
のレジスト膜厚差は、膜の色の差となって現れ、目視で
も確認できるほどである。
【０００８】電子ビーム露光用ポジレジストでは、未露
光部分も現像によって一定量膜減りするので、結局、通
気孔８が存在する位置の膜減りレートが、それ以外の場
所の膜減りレートよりも速いということになる。このよ
うなレジスト膜厚に１５０Å程度の面内差があるレジス
トパターンでもって下地のクロムをパターンニングした
場合、できあがったクロムのパターンには０．１μｍ程
度の面内寸法差が生じることになり、パターンの精度上
無視できない問題となる。
光部分も現像によって一定量膜減りするので、結局、通
気孔８が存在する位置の膜減りレートが、それ以外の場
所の膜減りレートよりも速いということになる。このよ
うなレジスト膜厚に１５０Å程度の面内差があるレジス
トパターンでもって下地のクロムをパターンニングした
場合、できあがったクロムのパターンには０．１μｍ程
度の面内寸法差が生じることになり、パターンの精度上
無視できない問題となる。
【０００９】本発明は、このような問題点を解決し、通
気孔８が存在しても、被処理物２の表面の全領域で一様
な処理状態を得ることを目的とする。
気孔８が存在しても、被処理物２の表面の全領域で一様
な処理状態を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載した回転
処理装置は、被処理物（２）を吸着する面に至る通気孔
（８）を有する回転台と、該回転台（１）の回転時に該
通気孔（８）の内部の減圧を抑制する手段とを有するこ
とを特徴とする。請求項２に記載した回転処理装置は、
前記手段が、前記通気孔（８）の出口（９）を閉じる弁
（１０）であることを特徴とする。
処理装置は、被処理物（２）を吸着する面に至る通気孔
（８）を有する回転台と、該回転台（１）の回転時に該
通気孔（８）の内部の減圧を抑制する手段とを有するこ
とを特徴とする。請求項２に記載した回転処理装置は、
前記手段が、前記通気孔（８）の出口（９）を閉じる弁
（１０）であることを特徴とする。
【００１１】請求項３に記載した回転処理方法は、被処
理物（２）を吸着する面に至る通気孔（８）を有する回
転台（１）に被処理物（２）を吸着する工程と、前記被
処理物（２）を回転させた状態において、前記通気孔
（８）の内部の減圧を抑制する工程とを含むことを特徴
とする。
理物（２）を吸着する面に至る通気孔（８）を有する回
転台（１）に被処理物（２）を吸着する工程と、前記被
処理物（２）を回転させた状態において、前記通気孔
（８）の内部の減圧を抑制する工程とを含むことを特徴
とする。
【００１２】
【作用】従来の回転処理装置において膜減りレートに差
が生じるのは、次のような原因によるものである。即
ち、現像処理を行う際、回転台１が高速回転することに
より、通気孔８から見れば、通気孔出口９を外部の大気
が高速で通過することになる。これによって、通気孔８
の内部が減圧され、通気孔８付近で被処理物２と回転台
１との間の熱伝導がされにくくなる。従って、この付近
において、ガラス基板２の温度が周囲と異なる部分が生
じ、現像によるレジスト膜減りレートが他の部分と異な
ることになる。
が生じるのは、次のような原因によるものである。即
ち、現像処理を行う際、回転台１が高速回転することに
より、通気孔８から見れば、通気孔出口９を外部の大気
が高速で通過することになる。これによって、通気孔８
の内部が減圧され、通気孔８付近で被処理物２と回転台
１との間の熱伝導がされにくくなる。従って、この付近
において、ガラス基板２の温度が周囲と異なる部分が生
じ、現像によるレジスト膜減りレートが他の部分と異な
ることになる。
【００１３】そこで、請求項１に記載した回転処理装置
では、回転台１の回転時に、通気孔８の内部が減圧され
ることを抑制する手段を設けることを特徴としている。
これによって、通気孔８付近で被処理物２と回転台１と
の間の熱伝導がされにくくなるというような現象は生じ
なくなり、よって被処理物２の表面の全領域で一様な処
理状態を得ることができる。
では、回転台１の回転時に、通気孔８の内部が減圧され
ることを抑制する手段を設けることを特徴としている。
これによって、通気孔８付近で被処理物２と回転台１と
の間の熱伝導がされにくくなるというような現象は生じ
なくなり、よって被処理物２の表面の全領域で一様な処
理状態を得ることができる。
【００１４】請求項２に記載した回転処理装置では、前
記の減圧を抑制する手段が、通気孔８の出口９を閉じる
弁１０であることを特徴としている。図３を用いて、本
発明の原理構成を示す。回転台１が停止しているとき
（図３（Ａ））、及び回転が低速であって通気孔８内の
減圧が問題とならないとき（同図（Ｂ））においては、
通気孔出口９が開放されており、通気孔９はその本来の
役割を果たす。しかし、通気孔８内の減圧が問題となる
程度に回転が高速になったときは、弁１０が通気孔出口
９を閉じ、通気孔８を外部の大気から遮断する（同図
Ｃ）。これにより、通気孔８に対する外部の大気の流れ
の影響が弁１０によって遮られるので、通気孔８は減圧
されない。よって、通気孔８付近で被処理物２と回転台
１との間の熱伝導がされにくくなるというような現象は
生じなくなり、よって被処理物２の表面の全領域で一様
な処理状態を得ることができる。
記の減圧を抑制する手段が、通気孔８の出口９を閉じる
弁１０であることを特徴としている。図３を用いて、本
発明の原理構成を示す。回転台１が停止しているとき
（図３（Ａ））、及び回転が低速であって通気孔８内の
減圧が問題とならないとき（同図（Ｂ））においては、
通気孔出口９が開放されており、通気孔９はその本来の
役割を果たす。しかし、通気孔８内の減圧が問題となる
程度に回転が高速になったときは、弁１０が通気孔出口
９を閉じ、通気孔８を外部の大気から遮断する（同図
Ｃ）。これにより、通気孔８に対する外部の大気の流れ
の影響が弁１０によって遮られるので、通気孔８は減圧
されない。よって、通気孔８付近で被処理物２と回転台
１との間の熱伝導がされにくくなるというような現象は
生じなくなり、よって被処理物２の表面の全領域で一様
な処理状態を得ることができる。
【００１５】請求項３に記載した回転処理方法では、通
気孔８を有する回転台１に被処理物２を吸着する工程
と、被処理物２を回転させた状態において通気孔８の内
部の減圧を抑制する工程とを含むことを特徴としてい
る。このような方法によって、レジストの塗布や現像，
ＳＯＧ（Spin on glass ）膜等の塗布，エッチング処
理，洗浄処理等を行えば、通気孔８付近で被処理物２と
回転台１との間の熱伝導がされにくくなるというような
現象は生じないので、被処理物２の表面の全領域で一様
な処理状態を得ることができる。
気孔８を有する回転台１に被処理物２を吸着する工程
と、被処理物２を回転させた状態において通気孔８の内
部の減圧を抑制する工程とを含むことを特徴としてい
る。このような方法によって、レジストの塗布や現像，
ＳＯＧ（Spin on glass ）膜等の塗布，エッチング処
理，洗浄処理等を行えば、通気孔８付近で被処理物２と
回転台１との間の熱伝導がされにくくなるというような
現象は生じないので、被処理物２の表面の全領域で一様
な処理状態を得ることができる。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明の第一の実施例の回転処理装
置の要部を示す図である。回転台１の上にガラス基板や
半導体ウエハー等の被処理物２を載せ、真空排気管３を
通じて真空排気部４を真空排気することにより、被処理
物２が回転台１に吸着され、固定される。
置の要部を示す図である。回転台１の上にガラス基板や
半導体ウエハー等の被処理物２を載せ、真空排気管３を
通じて真空排気部４を真空排気することにより、被処理
物２が回転台１に吸着され、固定される。
【００１７】本実施例では、弁１０は、ちょうつがい１
１によって回転台１に取り付けられている。従って、回
転台１が停止しているときには、弁１０が回転台１から
垂れ下がった状態になっていて、通気孔出口９は開放さ
れている。従って、通気孔８は、何らかの原因で常圧部
５の空気が膨張した場合にその空気を外部に逃がすとい
う、通気孔本来の機能を果たすことができる。
１によって回転台１に取り付けられている。従って、回
転台１が停止しているときには、弁１０が回転台１から
垂れ下がった状態になっていて、通気孔出口９は開放さ
れている。従って、通気孔８は、何らかの原因で常圧部
５の空気が膨張した場合にその空気を外部に逃がすとい
う、通気孔本来の機能を果たすことができる。
【００１８】回転台１が回転を始めると、弁１０は遠心
力の作用で通気孔出口９に近づき、高速回転時には通気
孔８を閉じて、通気孔８を外部の大気から遮断する。こ
れにより、通気孔８に対する外部の大気の流れの影響が
弁１０によって遮られるので、通気孔８は減圧されなく
なる。よって、通気孔８付近で被処理物２と回転台１と
の間の熱伝導がされにくくなるというような現象は生じ
なくなり、被処理物２の表面の全領域で一様な処理状態
を得ることができる。
力の作用で通気孔出口９に近づき、高速回転時には通気
孔８を閉じて、通気孔８を外部の大気から遮断する。こ
れにより、通気孔８に対する外部の大気の流れの影響が
弁１０によって遮られるので、通気孔８は減圧されなく
なる。よって、通気孔８付近で被処理物２と回転台１と
の間の熱伝導がされにくくなるというような現象は生じ
なくなり、被処理物２の表面の全領域で一様な処理状態
を得ることができる。
【００１９】弁１０の材質としては、ここでは硬質の塩
化ビニール板を用いた。他の材質も検討した結果、弁は
できるだけ軽いものがよいことが判明している。以上の
ような構成を有する回転処理装置を用いて、従来と同じ
条件を設定して現像処理を行った。即ち、先ず、ガラス
基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にクロム膜（厚さ８００
Å）を塗布し、更に電子ビーム露光用ポジレジストを膜
厚５０００Åで一様に塗布し、ベークを行った試料を作
成する。この試料を、本発明の回転処理装置を使用して
現像処理した。
化ビニール板を用いた。他の材質も検討した結果、弁は
できるだけ軽いものがよいことが判明している。以上の
ような構成を有する回転処理装置を用いて、従来と同じ
条件を設定して現像処理を行った。即ち、先ず、ガラス
基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にクロム膜（厚さ８００
Å）を塗布し、更に電子ビーム露光用ポジレジストを膜
厚５０００Åで一様に塗布し、ベークを行った試料を作
成する。この試料を、本発明の回転処理装置を使用して
現像処理した。
【００２０】このような処理をした後、未露光部分のレ
ジスト膜厚を測定すると、通気孔８が存在する位置にお
ける該レジスト膜厚は、それ以外の場所よりも３０Åだ
け薄いという結果になった。即ち、従来技術では１５０
Åあった面内膜厚差が、本発明によって３０Åにまで改
善された。図２は、本発明の第二の実施例の回転処理装
置の要部を示す図である。本実施例では、第一の実施例
に対して、弁１０が９０度回転した恰好で取り付けられ
ている。第一の実施例が遠心力で弁１０を閉じる構成で
あるのに対し、本実施例では、高速回転時の風圧によっ
て弁１０を閉じる構成になっている。
ジスト膜厚を測定すると、通気孔８が存在する位置にお
ける該レジスト膜厚は、それ以外の場所よりも３０Åだ
け薄いという結果になった。即ち、従来技術では１５０
Åあった面内膜厚差が、本発明によって３０Åにまで改
善された。図２は、本発明の第二の実施例の回転処理装
置の要部を示す図である。本実施例では、第一の実施例
に対して、弁１０が９０度回転した恰好で取り付けられ
ている。第一の実施例が遠心力で弁１０を閉じる構成で
あるのに対し、本実施例では、高速回転時の風圧によっ
て弁１０を閉じる構成になっている。
【００２１】即ち、ちょうつがい１１によって回転台１
に取り付けられた弁１０は、高速回転時には、風圧によ
って回転方向とは反対側に退けられ、通気孔８を閉じ
る。弁１０の材質は、第一の実施例と同様、なるべく軽
いものであることが望ましい。なお、以上の実施例にお
いてはレジストの現像処理を行う場合について述べた
が、本発明は、レジストの塗布，ＳＯＧ（Spin on glas
s ）膜等の塗布，エッチング処理，洗浄処理等の、被処
理物２の面内温度分布が問題となるあらゆる回転処理に
おいて実施することができることは言うまでもない。
に取り付けられた弁１０は、高速回転時には、風圧によ
って回転方向とは反対側に退けられ、通気孔８を閉じ
る。弁１０の材質は、第一の実施例と同様、なるべく軽
いものであることが望ましい。なお、以上の実施例にお
いてはレジストの現像処理を行う場合について述べた
が、本発明は、レジストの塗布，ＳＯＧ（Spin on glas
s ）膜等の塗布，エッチング処理，洗浄処理等の、被処
理物２の面内温度分布が問題となるあらゆる回転処理に
おいて実施することができることは言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、回
転台１に通気孔８が存在しても、回転時における通気孔
８の内部の減圧が抑制されることにより、被処理物２と
回転台１との間で熱伝導が均一に起こるため、被処理物
２に温度分布が発生せず、従って、被処理物２に対して
一様でむらのない処理を施すことが可能になる。
転台１に通気孔８が存在しても、回転時における通気孔
８の内部の減圧が抑制されることにより、被処理物２と
回転台１との間で熱伝導が均一に起こるため、被処理物
２に温度分布が発生せず、従って、被処理物２に対して
一様でむらのない処理を施すことが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施例の回転処理装置の要部を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例の回転処理装置の要部を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の回転処理装置の原理構成を示す図であ
る。
る。
【図４】従来の回転処理装置の要部を示す図である。
【図５】回転処理装置の概念図である。
１ 回転台 ２ 被処理物 ３ 真空排気管 ４ 真空排気部 ５ 常圧部 ６ 有効領域 ７ 無効領域 ８ 通気孔 ９ 通気孔出口 １０ 弁 １１ ちょうつがい １２ モーター １３ ノズル １４ 塗布液
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｐ
Claims (3)
- 【請求項１】被処理物（２）を吸着する面に至る通気孔
（８）を有する回転台と、 該回転台（１）の回転時に、該通気孔（８）の内部の減
圧を抑制する手段とを有することを特徴とする回転処理
装置。 - 【請求項２】前記手段は、前記通気孔（８）の出口
（９）を閉じる弁（１０）であることを特徴とする、請
求項１記載の回転処理装置。 - 【請求項３】被処理物（２）を吸着する面に至る通気孔
（８）を有する回転台（１）に被処理物（２）を吸着す
る工程と、 前記被処理物（２）を回転させた状態において、前記通
気孔（８）の内部の減圧を抑制する工程とを含むことを
特徴とする回転処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4960494A JPH07263310A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 回転処理装置及び回転処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4960494A JPH07263310A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 回転処理装置及び回転処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263310A true JPH07263310A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12835845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4960494A Withdrawn JPH07263310A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 回転処理装置及び回転処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263310A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003117470A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-22 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | 回転式薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2006303205A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 吸着保持装置 |
| CN103691631A (zh) * | 2013-12-16 | 2014-04-02 | 南通大学 | 带保护结构的匀胶机托盘 |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP4960494A patent/JPH07263310A/ja not_active Withdrawn
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