JP4341582B2

JP4341582B2 - 液滴吐出装置

Info

Publication number: JP4341582B2
Application number: JP2005158521A
Authority: JP
Inventors: 治春日
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-05-31
Filing date: 2005-05-31
Publication date: 2009-10-07
Anticipated expiration: 2025-05-31
Also published as: KR20060124584A; CN100553975C; US20060266286A1; KR100833555B1; TW200705596A; JP2006337426A; CN1872548A

Description

本発明は、液滴吐出装置、液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置に関する。

従来、液晶表示装置の製造工程には、透明基板の吐出領域に液状体としての液晶を吐出
し、その吐出領域を対向基板で封止する封止工程が行われている。この封止工程では、吐
出領域に吐出した液晶の容量が変動すると、前記透明基板と前記対向基板との間の距離（
セルギャップ）が変動して、液晶表示装置の表示画質を劣化させる問題があった。そこで
、吐出する液晶の容量変動を抑制する方法として、前記液晶を微小な液滴として吐出する
、いわゆるインクジェット法が提案されている（例えば、特許文献１）。

ところが、上記するインクジェット法では、一般的に、圧電素子の伸縮等によって吐出
ノズルに形成させる液状体の界面（メニスカス）を強制的に振動させ、その振動過程にお
いて、前記メニスカスの液状体を、前記液滴として吐出させるようにしている。そのため
、例えば粘度が５０ｃｐ〜１００ｃｐとなる液晶では、前記メニスカスの液晶を、前記振
動によって吐出させることが困難となり、前記液滴の容量を変動させる、あるいは前記液
滴を形成不能にする問題があった。

そこで、こうしたインクジェット法では、従来より、高粘度の液状体を、均一な容量の
液滴として吐出可能にする提案がなされている（例えば、特許文献２）。特許文献２では
、吐出ノズルを有した液滴吐出ヘッドや前記液滴吐出ヘッドに液晶を供給する供給ライン
を、チューブヒータ等の加熱装置によって加熱して、メニスカス近傍の液晶の粘度を低下
させている。これによって、高粘度の液状体（液晶）を、均一な容量の液滴として吐出を
可能にしている。
特開平５−２８１５６２号公報特開２００４−３５８３５２号公報

しかしながら、上記するインクジェット法では、吐出した液滴の着弾位置の精度を確保
するために、前記吐出ノズルの開口側（液滴吐出ヘッドのノズルプレート側）を前記透明
基板の吐出領域に近づけている。そのため、前記吐出ノズル内の液晶は、外気との間の熱
交換に加えて、前記透明基板との間の熱交換によって、その温度を変動させる。

その結果、前記吐出ノズル内の液晶の温度、すなわち前記液晶の粘度が、透明基板の温
度分布やその透明基板上の滞在時間（熱交換の時間）に応じて変動し、吐出領域に吐出す
る液晶の容量を変動させる問題があった。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板に形成さ
れた複数の吐出領域に高粘度の液状体を液滴として吐出し、各吐出領域に吐出する液状体
の容量の均一性を向上した液滴吐出装置、液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置を提
供することである。

本発明の液滴吐出装置は、基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けら
れて前記吐出領域に液状体の液滴を吐出する液滴吐出手段と、前記液滴吐出手段の前記液
状体を加熱する液状体加熱手段とを備えた液滴吐出装置において、前記基板の外縁近傍に
伝達する熱量の絶対値を、前記基板の中心位置近傍に伝達する熱量の絶対値よりも大きく
する基板温度制御手段を備えた。

本実施形態の液滴吐出装置によれば、外気と熱交換しやすい外縁近傍に、中心位置近傍
よりも大きい絶対値の熱量を伝達することができる。そのため、外気の温度が基板の温度
よりも低い場合、中心位置近傍に対する外縁近傍の温度低下を抑制することができる。反
対に、外気の温度が基板の温度よりも高い場合、中心位置近傍に対する外縁近傍の温度上
昇を抑制することができる。その結果、液滴吐出手段が各吐出領域上を相対移動する間に
、基板側から受ける熱量の変動を抑制することができる。従って、各吐出領域に吐出する
液状体の粘度の均一性を向上することができ、各吐出領域に吐出する液状体の容量の均一
性を向上することができる。

この液滴吐出装置において、前記基板温度制御手段は、前記基板を加熱して、前記基板
の外縁近傍の温度を、前記基板の中心位置近傍の温度よりも高くするようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、液滴吐出手段が基板の中心位置近傍に位置するときに、液
滴吐出手段に対して、基板の広い範囲から、小さい正の熱量を供給することできる。反対
に、液滴吐出手段が基板の外縁近傍に位置するときに、液滴吐出手段に対して、基板の狭
い範囲から、大きい正の熱量を供給することができる。すなわち、液滴吐出手段が各吐出
領域上を相対移動する間に、液滴吐出手段に伝達される基板側からの正の熱量の変動を抑
制することができる。そして、基板を加熱することによって、液滴吐出手段と基板との間
の熱交換を低減することができる。

従って、基板の中心位置近傍と外縁近傍との間に温度勾配を付与する分だけ、液滴吐出
手段が各吐出領域上に位置するときに、液滴吐出手段の液状体の粘度の変動を抑制するこ
とができる。その結果、各吐出領域に吐出する液状体の容量の均一性を、より確実に向上
することができる。

この液滴吐出装置において、前記基板温度制御手段は、前記液滴吐出手段と対峙する前
記吐出領域で、前記基板に伝達された前記液滴吐出手段側からの熱量を相殺するように、
前記基板に、予め前記液滴吐出手段の相対移動方向に沿う方向の温度勾配を前記基板に付
与するようにしてもよい。

この液滴吐出装置によれば、加熱手段や液滴吐出手段からの熱量が基板に蓄積するとき
に、液滴吐出手段と対峙する吐出領域の昇温を、液滴吐出手段の相対移動方向に沿う方向
の温度勾配によって相殺することができる。従って、加熱手段や液滴吐出手段の基板上の
相対移動経路や滞在時間に関わらず、液滴吐出手段に伝達される基板側からの熱量の変動
を抑制することができる。その結果、基板に形成された全ての吐出領域に対して、より均
一な容量の液状体を吐出することができる。

本発明の液滴吐出装置は、基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けら
れて前記吐出領域に液状体の液滴を吐出する液滴吐出手段と、前記液滴吐出手段の前記液
状体を加熱する液状体加熱手段とを備えた液滴吐出装置において、前記液滴吐出手段から
の熱量を相殺するように、前記基板に、予め前記液滴吐出手段の相対移動方向に沿う方向
の温度勾配を付与する基板温度制御手段を備えた。

本発明の液滴吐出装置によれば、加熱手段や液滴吐出手段からの熱量が基板に蓄積する
ときに、液滴吐出手段と対峙する吐出領域の昇温を、液滴吐出手段の相対移動方向に沿う
方向の温度勾配によって相殺することができる。従って、加熱手段や液滴吐出手段の基板
上の相対移動経路やその移動時間に関わらず、液滴吐出手段に伝達される基板側からの熱
量の変動を抑制することができる。その結果、基板に形成された全ての吐出領域に対して
、より均一な容量の液状体を吐出することができる。

この液滴吐出装置は、前記基板温度制御手段が、前記基板を加熱する加熱ヒータを備え
てもよい。
この液滴吐出装置によれば、加熱ヒータからの加熱量の分布によって、各吐出領域に吐
出する液状体の容量の均一性を向上することができる。

この液滴吐出装置において、前記基板温度制御手段は、前記基板を載置して、前記液滴
吐出手段に対して前記基板を移動可能にする基板ステージを備えるようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、移動する基板（各吐出領域）に対して、より円滑に、温度
制御を行うことができる。その結果、液滴吐出処理の処理性能を損なうことなく、各吐出
領域に吐出する液状体の容量の均一性を向上することができる。

この液滴吐出装置において、前記液状体は液晶である。
この液滴吐出装置によれば、各吐出領域に吐出する液晶の容量均一性を向上することが
できる。

本発明の液晶表示装置の製造方法は、素子基板と対向基板のいずれか一方に液晶を吐出
し、吐出した前記液晶を前記素子基板と前記対向基板との間の間隙に封入するようにした
液晶表示装置の製造方法において、前記液晶を、上記する液滴吐出装置によって吐出する
ようにした。

本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、封入する液晶容量の均一性を向上した液晶
表示装置を製造することができる。
本発明の液晶表示装置は、上記する液晶表示装置の製造方法によって製造した。

本発明の液晶表示装置によれば、封入する液晶容量の均一性を向上することができる。

（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図１１に従って説明する。まず、本発
明の液晶表示装置について説明する。図１は、液晶表示装置の斜視図であり、図２は、図
１のＡ−Ａ線断面図である。

図１において、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、前記液晶パネル２に平面状の光（
平面光Ｌ）を照明する面状照明装置３を備えている。液晶パネル２は、前記平面光Ｌの照
射側に備えられた対向基板４と、前記対向基板４と相対向する素子基板５を有している。

対向基板４は、四角板状に形成される無アルカリガラス基板であって、その素子基板５
側（上側）の側面（対向電極形成面４ａ）には、図２に示すように、ＩＴＯ等の透明導電
層からなる対向電極６が積層されて、図示しない電源回路からの所定の共通電位が供給さ
れるようになっている。その対向電極６の上側には、ラビング処理等による配向処理の施
された配向膜７ａが積層されて、前記対向電極６近傍で、後述する液晶１５の配向を所定
の配向に設定するようになっている。

図１に示すように、素子基板５は、前記対向基板４と略同じく、四角板状に形成された
無アルカリガラス基板であって、その対向基板４側（下側）の側面（素子形成面５ａ）に
は、Ｘ矢印方向に延びる複数の走査線８が所定の間隔をおいて形成されている。各走査線
８は、図示しない走査線駆動回路に電気的に接続されて、所定のタイミングで選択駆動さ
れ、対応する走査信号が所定のタイミングで出力されるようになっている。また、素子形
成面５ａには、前記走査線８と直交するＹ矢印方向に延びる複数のデータ線９が所定の間
隔をおいて形成されている。各データ線９は、図示しないデータ線駆動回路に電気的に接
続されて、表示データに基づくデータ信号が、対応するデータ線９に所定のタイミングで
入力されるようになっている。

前記走査線８と前記データ線９の交差する位置には、対応する走査線８及びデータ線９
に接続されて、マトリックス状に配列された複数の画素領域１０が形成されている。各画
素領域１０内には、それぞれＴＦＴ等からなる図示しない制御素子と、ＩＴＯ等の透明導
電膜からなる画素電極１１（図２参照）が形成されている。

図２に示すように、前記データ線９（走査線８）及び画素電極１１の下側（対向基板４
側）には、ラビング処理等による配向処理の施された配向膜７ｂが積層されて、前記画素
電極近傍で、後述する液晶１５の配向を所定の配向に設定するようになっている。

上記する素子基板５（配向膜７ａ）と対向基板４（配向膜７ｂ）の間の間隙には、略球
状の導電性粒子１２ａを有して四角枠状に形成されるシール部材１２が配設されている。
シール部材１２は、導電性粒子１２ａを分散した紫外線硬化性樹脂等を、ディスペンサ
やスクリーン印刷等によって、前記対向基板４の外縁に沿う四角枠状に吐出して、紫外線
等の照射によって硬化することにより形成されている。そして、このシール部材（導電性
粒子１２ａ）が各基板４，５の外縁に配設されることによって、前記素子基板５（素子形
成面５ａ）と前記対向基板４（対向電極形成面４ａ）の外縁が、所定の距離（導電性粒子
１２ａの略外径分）だけ離間するようになっている。

また、上記する素子基板５（配向膜７ａ）と対向基板４（配向膜７ｂ）の間の間隙には
、前記シール部材１２によって封止される液状体としての液晶１５からなる液晶層１５Ｌ
が形成されている。

そして、走査線８が線順次走査に基づいて１本ずつ順次選択されると、画素領域１０の
制御素子が順次、選択期間中だけオン状態となり、対応するデータ線９及び制御素子を介
して、対応する前記画素電極１１にデータ信号が出力される。すると、素子基板５の画素
電極１１と対向電極６の電位差に応じて、前記液晶１５の配向状態が、平面光Ｌを変調す
るように維持されて、変調された光が、図示しない偏光板を通過するか否かによって、液
晶パネル２に、所望する画像が表示される。

上記する液晶パネル２では、液晶１５の容量を各液晶パネル２間で等しくすることによ
って、素子基板５（配向膜７ａ）と対向基板４（配向膜７ｂ）の間の間隙（セルギャップ
）を均一にすることができ、各液晶パネル２の表示画質を維持することができている。尚
、本実施形態の液晶表示装置１は、画素領域１０に制御素子であるＴＦＴを備えた、いわ
ゆるアクティブマトリックス方式の液晶表示装置であるが、例えばパッシブ方式の液晶表
示装置であってもよい。また、本実施形態の液晶表示装置１では、対向基板４を照射側に
配置する構成にしているが、これに限らず素子基板５を照射側に配置する構成であっても
よい。

上記する液晶パネル２は、以下の製造方法によって製造されている。図３は、液晶パネ
ル２の製造方法を説明する説明図である。
上記液晶パネル２は、図３に示すように、前記対向基板４を切り出し可能にした８イン
チのマザー基板（以下単に、吐出基板４Ｍという。）の一側面（吐出面４Ｍａ）に、前記
対向基板４に対応する四角枠状の複数のシール部材１２を塗布形成する。これによって、
吐出基板４Ｍの吐出面４Ｍａには、図４に示すように、マトリックス状に配列された前記
シール部材１２で囲まれる領域（吐出領域Ｓ）が形成される。尚、各吐出領域Ｓに対応す
る前記吐出面４Ｍａには、それぞれ前記対向電極６及び前記配向膜７ａが形成されている
。また、吐出基板４Ｍの反Ｙ矢印方向側端部には、吐出基板４Ｍの製造番号等を刻印した
マーキングＭｋが形成されている。

本実施形態では、吐出基板４Ｍに形成された各吐出領域Ｓを、Ｙ矢印方向側（マーキン
グＭｋの反対側）から順に、１行目の吐出領域Ｓ、２行目の吐出領域Ｓ、・・・、８行目
の吐出領域Ｓとし、Ｘ矢印方向側から順に、１列目の吐出領域Ｓ、２列目の吐出領域Ｓ、
・・・、８列目の吐出領域Ｓという。また、１列目及び２列目の吐出領域を第１吐出領域
Ｓ１とし、各吐出領域ＳのＸ矢印方向の幅を吐出幅Ｗｓという。

吐出基板４Ｍに各吐出領域Ｓを形成すると、図３に示すように、各吐出領域Ｓ内に、液
晶１５の液滴Ｄを所定の容量だけ吐出する。続いて、吐出基板４Ｍの吐出面４Ｍａに、前
記素子基板５を切り出し可能にした８インチのマザー基板（以下単に、貼合基板５Ｍとい
う。）を貼り合わせて、前記シール部材１２を硬化させる。尚、貼合基板５Ｍの吐出面４
Ｍａ側の側面には、各吐出領域Ｓに対応する、前記走査線８、データ線９、画素領域１０
及び画素電極１１等が形成されている。

そして、シール部材１２の硬化によって貼り合わせた前記吐出基板４Ｍ及び前記貼合基
板５Ｍをダイシングすることによって、前記素子基板５及び前記対向基板４の間隙に、前
記シール部材１２によって封止された液晶層１５Ｌを形成して、前記液晶パネル２を形成
する。尚、本実施形態では、前記シール部材１２（吐出領域Ｓ）を前記吐出基板４Ｍに形
成し、液晶１５の液滴Ｄを、その吐出基板４Ｍに吐出する構成にしたが、これに限らず、
各吐出領域Ｓを前記貼合基板５Ｍに形成し、液晶１５の液滴Ｄを、その貼合基板５Ｍに吐
出する構成にしてもよい。

次に、前記吐出基板４Ｍの各吐出領域Ｓに前記液晶１５を吐出するための液滴吐出装置
２０について説明する。図５は、液滴吐出装置２０の構成を示す斜視図である。図６は、
図５のＹ矢印方向に沿う断面図である。

図５において、液滴吐出装置２０には、直方体形状に形成される基台２１が備えられて
いる。基台２１は、後述する基板ステージ２３に前記吐出基板４Ｍを載置する状態で、そ
の長手方向が、前記Ｙ矢印方向に沿うように形成されている。その基台２１の上面には、
Ｙ矢印方向に延びる一対の案内凹溝２２が、Ｙ矢印方向全幅にわたり形成され、その案内
凹溝２２には、Ｙ軸モータＭＹ（図１１参照）に連結駆動されてＹ矢印方向及び反Ｙ矢印
方向への直動を可能にした基板温度制御手段を構成する基板ステージ２３が取付けられて
いる。

そして、所定の駆動信号が前記Ｙ軸モータＭＹに入力されると、Ｙ軸モータＭＹが正転
又は逆転して、基板ステージ２３が、Ｙ矢印方向に沿って、所定の速度で往動又は復動す
る（Ｙ矢印方向に移動する）ようになっている。

基板ステージ２３の上面には、前記吐出面４Ｍａ（吐出領域Ｓ）を上側にして前記吐出
基板４Ｍを載置可能にする載置面２３ａが形成され、載置した吐出基板４Ｍを、基板ステ
ージ２３に対して所定の載置位置に位置決めするようになっている。尚、本実施形態の吐
出基板４Ｍは、その１行目の各吐出領域Ｓを、基板ステージ２３の最もＹ矢印方向側に配
置するように位置決めされる。

図６に示すように、基板ステージ２３の内部には、載置面２３ａに載置した吐出基板４
Ｍを加熱して基板温度制御手段を構成する基板ヒータ２４が備えられている。
基板ヒータ２４は、図７に示すように、載置面２３ａに載置された吐出基板４Ｍの中心
位置近傍に相対して略円形状に形成される内側ヒータ２４ａと、前記内側ヒータ２４ａの
外側であって、前記吐出基板４Ｍの外縁近傍に相対して渦巻き状に形成される外側ヒータ
２４ｂを備えている。これら内側ヒータ２４ａと外側ヒータ２４ｂの間には、図示しない
断熱部材が配設されている。

そして、内側ヒータ２４ａは、吐出基板４Ｍの中心位置近傍の温度を予め定めた温度（
内側目標温度）にするための内側ヒータ駆動信号ＨＣａ（図１１参照）を受けて、吐出基
板４Ｍの中心位置近傍に相対した載置面２３ａを加熱するようになっている。また、外側
ヒータ２４ｂは、吐出基板４Ｍの外縁近傍の温度を予め定めた温度（外側目標温度）にす
るための外側ヒータ駆動信号ＨＣｂ（図１１参照）を受けて、吐出基板４Ｍの外縁近傍に
相対した載置面２３ａを加熱するようになっている。

そして、内側ヒータ２４ａ及び外側ヒータ２４ｂに、それぞれ内側ヒータ駆動信号ＨＣ
ａ及び外側ヒータ駆動信号ＨＣｂが供給されると、載置面２３ａに載置された吐出基板４
Ｍの中心位置近傍の温度は、載置面２３ａを介した内側ヒータ２４ａからの熱量の伝達に
よって、内側目標温度まで昇温される。また、吐出基板４Ｍの外縁近傍の温度は、載置面
２３ａを介した外側ヒータ２４ｂからの熱量の伝達によって、外側目標温度まで昇温され
る。

すなわち、本実施形態の基板ステージ２３は、吐出基板４Ｍを、中心位置近傍と外縁近
傍に分割して、それぞれ内側目標温度と外側目標温度に昇温維持するようになっている。
この際、吐出基板４Ｍの外縁近傍は、中心位置近傍に比べて、その外気に晒される領域
が広くなる。そして、吐出基板４Ｍの外縁近傍は、外気に晒される領域が広い分だけ、外
気との熱交換を加速して、放熱しやすくなる。

そのため、外側ヒータ２４ｂから伝達する単位面積当たりの熱量が内側ヒータ２４ａか
ら伝達する単位面積当たりの熱量がよりも小さくなる、もしくは同程度になると、吐出基
板４Ｍの外縁近傍の温度が、中心位置近傍の温度よりも低くなる。そして、吐出基板４Ｍ
の外縁近傍の温度が中心位置近傍の温度よりも低くなると、外縁近傍の各吐出領域Ｓの上
側（後述するノズルＮ内の液晶１５）に伝達される熱量が、中心位置近傍の各吐出領域Ｓ
の上側（後述するノズルＮ内の液晶１５）に伝達される熱量よりも小さくなる。換言する
と、吐出面４Ｍａの上側に伝達される熱量が、各吐出領域Ｓの形成位置に応じて、変動す
るようになる。

そこで、本実施形態における液滴吐出装置２０では、外側ヒータ２４ｂからの単位面積
当たり熱量を、内側ヒータ２４ａからの単位面積当たりの熱量よりも大きくして、各吐出
領域Ｓの形成位置の上側に伝達する熱量の変動を抑制するようにしている。

図６に示すように、基板ステージ２３の内部であって、吐出基板４Ｍの中心位置近傍及
び外縁近傍に相対する位置には、それぞれ内側温度センサ２５ａ及び外側温度センサ２５
ｂが備えられている。内側温度センサ２５ａ及び外側温度センサ２５ｂは、それぞれ吐出
基板４Ｍの中心位置近傍と外縁近傍からの赤外線等を検出する温度センサである。そして
、内側温度センサ２５ａ及び外側温度センサ２５ｂは、それぞれ検出した吐出基板４Ｍの
中心位置近傍の温度に相対する信号（内側温度検出信号ＴＡａ：図１１参照）及び外縁近
傍の温度に相対する信号（外側温度検出信号ＴＡｂ：図１１参照）を出力するようになっ
ている。

図５に示すように、基台２１のＸ矢印方向両側には、一対の支持台２６ａ、２６ｂが立
設されて、その一対の支持台２６ａ、２６ｂには、Ｘ矢印方向に延びる案内部材２７が架
設されている。その案内部材２７の上側には、収容タンク２８が配設されて、その収容タ
ンク２８内には、液状体としての液晶１５が、後述する液滴吐出ヘッド３１に導出可能に
収容されている。尚、本実施形態における液晶１５の粘度は５０ｃｐ〜１００ｃｐである
が、これに限られるものではない。

案内部材２７の下側には、Ｘ矢印方向に延びる一対の案内レール２７ａが、Ｘ矢印方向
の略全幅にわたり形成されて、その案内レール２７ａには、Ｘ軸モータＭＸ（図１１参照
）に連結駆動されてＸ矢印方向及び反Ｘ矢印方向に直動する移動手段としてのキャリッジ
２９が取付けられている。そして、所定の駆動信号をＸ軸モータＭＸに入力すると、Ｘ軸
モータが正転又は逆転して、キャリッジ２９がＸ矢印方向に沿って往動又は復動する（Ｘ
矢印方向に移動する）ようになっている。

キャリッジ２９の下側には、液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘ
ッド３１という。）が配設されている。図８は、前記吐出ヘッド３１を下側（基板ステー
ジ２３側）から見た斜視図であって、図９は、図８のＢ−Ｂ線断面図である。

図８において、吐出ヘッド３１は、Ｘ矢印方向に延びる略直方体形状に形成されて、そ
の下側（基板ステージ２３側）には、それぞれノズルプレート３２が備えられている。ノ
ズルプレート３２の下面（ノズル形成面３２ａ）には、吐出基板４Ｍの法線方向（Ｚ矢印
方向）に沿って貫通形成される多数の吐出口としての吐出ノズル（以下単に、ノズルＮと
いう。）が、Ｘ矢印方向に沿って一列に配列されて、１列のノズル列ＮＬを形成している
。このノズル列ＮＬのＸ矢印方向の幅（ノズル幅Ｗｎ）は、前記吐出領域Ｓの吐出幅Ｗｓ
（図４参照）の略２倍に相対するサイズで形成されている。

そして、前記ノズル列ＮＬが第１吐出領域Ｓ１と対峙する状態で、前記基板ステージ２
３をＹ矢印方向に沿って移動すると、ノズル列ＮＬは、第１吐出領域Ｓ１（１列目及び２
列目の各吐出領域Ｓ）のＸ矢印方向全幅にわたり、反Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）
に沿って相対移動する。

続いて、キャリッジ２９を反Ｘ矢印方向に移動して、前記ノズル列ＮＬが３列目及び４
列目の吐出領域Ｓと対峙する状態で、前記基板ステージ２３を反Ｙ矢印方向に移動すると
、ノズル列ＮＬは、３列目及び４列目の各吐出領域ＳのＸ矢印方向全幅にわたり、Ｙ矢印
方向（吐出領域Ｓの列方向）に沿って相対移動する。

すなわち、本実施形態の各ノズルＮは、基板ステージ２３及びキャリッジ２９の移動に
よって、１列目及び２列目の吐出領域Ｓ、３列目及び４列目の吐出領域Ｓ、・・・、７列
目及び８列目の吐出領域Ｓの順に、各吐出領域Ｓの上側を相対移動するようになっている
。

図９に示すように、各ノズルＮのＺ矢印方向には、それぞれキャビティ３３が形成され
ている。キャビティ３３は、各ノズルＮに共通する供給路３４を介して、前記収容タンク
２８内に連通して、収容タンク２８の導出する前記液晶１５が導入されるようになってい
る。そして、キャビティ３３は、導入された液晶１５を、それぞれ対応するノズルＮに供
給するようになっている。キャビティ３３のＺ矢印方向には、Ｚ矢印方向及び反Ｚ矢印方
向に振動可能に貼り付けられた振動板３５が備えられて、キャビティ３３内の容積を拡大
・縮小可能にしている。振動板３５のＺ矢印方向には、各ノズルＮに対応する圧電素子３
６が配設されている。圧電素子３６は、その圧電素子３６を駆動制御するための信号（圧
電素子駆動信号ＣＯＭ：図１１参照）を受けて収縮・伸張し、前記振動板３５をＺ矢印方
向及び反Ｚ矢印方向に振動させてキャビティ３３内を加圧・減圧するようになっている。

図６及び図９に示すように、前記吐出ヘッド３１の外周には、液状体加熱手段としての
ヘッドヒータ３１Ｈが配設されている。ヘッドヒータ３１Ｈは、キャビティ３３内の液晶
１５を所定の温度領域（本実施形態では約６０℃）まで加熱するようになっている。そし
て、ヘッドヒータ３１Ｈが各キャビティ３３内の液晶１５を加熱することによって、液晶
１５の粘度を、対応するノズルＮの近傍で低下させて、後述する液滴Ｄとして吐出可能に
している。尚、本実施形態では、吐出ヘッド３１の外周のみに前記ヘッドヒータ３１Ｈを
配設する構成にしたが、前記収容タンク２８から前記吐出ヘッド３１までの液晶１５の供
給配管等の外周にも、別途加熱ヒータを配設する構成にしてもよい。

そして、Ｙ矢印方向に搬送される第１吐出領域Ｓ１が前記吐出ヘッド３１の直下に侵入
して、対応するノズルＮの圧電素子３６が収縮・伸張する。すると、対応するキャビティ
３３の圧力が減圧・加圧されて、対応するノズルＮ内の液晶１５の界面（メニスカスＭ）
がＺ矢印方向及び反Ｚ矢印方向に振動する。液晶１５のメニスカスが振動すると、液晶１
５は、前記ヘッドヒータ３１Ｈの加熱によって、その粘度を低下させた分だけ、液滴Ｄと
して円滑に吐出される。吐出された液滴Ｄは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に沿って
飛行して、第１吐出領域Ｓ１の対応する吐出領域Ｓに着弾する。

この際、吐出ヘッド３１が、図１０の実線に示すように、吐出面４Ｍａの外縁近傍（例
えば、第１吐出領域Ｓ１の１行目の吐出領域Ｓ）に相対すると、その吐出ヘッド３１（液
晶１５）には、吐出面４Ｍａの中心位置近傍側のみから熱量が伝達される。一方、吐出ヘ
ッド３１が、図１０の２点鎖線に示すように、吐出面４Ｍａの中心位置近傍（例えば、３
列目及び４列目の４行目の吐出領域Ｓ）上に位置すると、その吐出ヘッド３１（液晶１５
）には、吐出面４Ｍａの略全体から熱量が伝達される。

つまり、各吐出領域Ｓと相対するノズルＮの液晶１５は、その配置位置が、吐出面４Ｍ
ａの中心位置近傍に近づくに連れて、吐出基板４Ｍ側からの熱量の供給領域が広くなり、
その配置位置が、吐出面４Ｍａの外縁近傍に近づくに連れて、吐出基板４Ｍ側からの熱量
の供給領域が狭くなる。

そのため、吐出基板４Ｍの外側実温度が内側実温度よりも低くなる、もしくは同程度に
なると、外縁近傍に相対する各ノズルＮ内の液晶１５には、中心位置近傍に相対する各ノ
ズルＮ内の液晶１５よりも、小さい正の熱量が伝達されるようになる。

すなわち、各ノズルＮ内の液晶１５の温度が、吐出ヘッド３１の配置位置に応じて、変
動するようになり、各ノズルＮの液晶１５の粘度が、吐出領域Ｓの形成位置に応じて変動
し、吐出する液晶１５の容量が変動するようになる。

そこで、本実施形態の液滴吐出装置２０は、外側ヒータ２４ｂからの単位面積当たりの
熱量を、内側ヒータ２４ａから伝達する単位面積当たりの熱量よりも大きくして、かつ外
側目標温度を、内側目標温度よりも高くしている。換言すると、本実施形態の液滴吐出装
置２０は、吐出ヘッド３１に伝達する熱量の供給領域の変動を補償するように、外側実温
度を内側実温度よりも高くしている。

これによって、各吐出領域Ｓと対峙する各ノズルＮの液晶１５には、外側実温度を内側
実温度よりも高くする分だけ、対峙する各吐出領域Ｓ側から、略等しい量の熱量が伝達さ
れて、各吐出領域Ｓに吐出する液晶１５の容量変動を抑制することができる。

尚、本実施形態における前記内側目標温度及び外側目標温度は、予め実施した試験等に
基づいて設定されて、吐出ヘッド３１に伝達される吐出面４Ｍａ側からの熱量が、各吐出
領域Ｓの上側で略同じであって、各吐出領域Ｓに吐出する液晶１５の容量が同じとなる温
度に設定されている。例えば、液滴吐出装置２０を２０℃に維持された雰囲気下に設置し
て、前記内側目標温度及び前記外側目標温度を、それぞれ３０℃及び３５℃に設定するよ
うにしているが、これに限られるものではない。

次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図１１に従って説明する
。
図１１において、制御装置４０は、ＣＰＵ等からなる加圧駆動制御手段としての制御部
４１、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭからなり各種データを格納するＲＡＭ４２、各種データや各
種制御プログラムを格納する記憶手段としてのＲＯＭ４３を有している。また、制御装置
４０は、前記圧電素子駆動信号ＣＯＭを生成する駆動信号生成回路４４、各種信号を同期
するためのクロック信号ＣＬＫを生成する発振回路４５等を有している。そして、制御装
置４０では、これら制御部４１、ＲＡＭ４２、ＲＯＭ４３、駆動信号生成回路４４及び発
振回路４５が、図示しないバスを介して接続されている。

制御装置４０には、入力装置５１が接続されている。入力装置５１は、起動スイッチ、
停止スイッチ等の操作スイッチを有し、各スイッチの操作による操作信号を前記制御装置
４０に出力する。また、入力装置５１は、吐出面４Ｍａに吐出する液晶１５の吐出位置（
吐出面４Ｍａにおける吐出領域Ｓの位置）や吐出基板４Ｍの設定温度（内側目標温度及び
外側目標温度）等を所定の形式の吐出データＩａとして前記制御装置４０に出力する。制
御装置４０は、入力装置５１からの吐出データＩａと、ＲＯＭ４３等に格納された制御プ
ログラム（例えば、液晶吐出プログラム）に従って、基板ステージ２３を移動させて吐出
面４Ｍａの搬送処理動作を行い、吐出ヘッド３１の各圧電素子３６を駆動させて液晶１５
の液滴吐出処理動作を行う。

詳述すると、制御部４１は、入力装置５１からの吐出データＩａに所定の展開処理を施
して、二次元描画平面（吐出面４Ｍａ）上における位置に、液滴Ｄを吐出するか否かを示
すビットマップデータＢＭＤを生成し、生成したビットマップデータＢＭＤをＲＡＭに格
納するようになっている。このビットマップデータＢＭＤは、各ビットの値（０あるいは
１）に応じて、前記圧電素子３６のオンあるいはオフ（液滴Ｄを吐出するか否か）を規定
するものである。そして、制御部４１は、前記ビットマップデータＢＭＤを、発振回路４
５の生成するクロック信号ＣＬＫに同期させて、スキャン（基板ステージ２３の往動及び
復動）毎のデータを、吐出制御信号ＳＩとして、後述する吐出ヘッド駆動回路５７に転送
するようになっている。

また、制御部４１は、入力装置５１からの吐出データＩａに前記ビットマップデータＢ
ＭＤの展開処理と異なる展開処理を施し、前記圧電素子駆動信号ＣＯＭの波形データを生
成して駆動信号生成回路４４に出力するようになっている。駆動信号生成回路４４は、制
御部４１からの前記波形データを図示しない波形メモリに格納して、格納した波形データ
をデジタル／アナログ変換し、アナログ信号の波形信号を増幅して、圧電素子３６を駆動
するための圧電素子駆動信号ＣＯＭを生成するようになっている。そして、制御部４１は
、前記圧電素子駆動信号ＣＯＭを、後述する吐出ヘッド駆動回路５７に出力するようにな
っている。

また、制御部４１は、入力装置５１からの吐出データＩａに所定の展開処理を施し、前
記内側目標温度及び外側目標温度に対応する前記内側ヒータ駆動信号ＨＣａ及び前記外側
ヒータ駆動信号ＨＣｂを生成するための内側目標温度信号ＴＰａ及び外側目標温度信号Ｔ
Ｐｂを生成する。そして、制御部４１は、前記内側目標温度信号ＴＰａ及び外側目標温度
信号ＴＰｂを、後述する基板ヒータ駆動回路５８に出力するようになっている。

図１１に示すように、制御装置４０には、Ｘ軸モータ駆動回路５２が接続されて、Ｘ軸
モータ駆動回路５２にＸ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ
駆動回路５２は、制御装置４０からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記キャリッ
ジ２９を往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。そして
、例えば、Ｘ軸モータＭＸを正転させると、キャリッジ２９はＸ矢印方向に移動し、逆転
させると、キャリッジ２９は反Ｘ矢印方向に移動するようになっている。

制御装置４０には、Ｙ軸モータ駆動回路５３が接続されて、Ｙ軸モータ駆動回路５３に
Ｙ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路５３は、制御
装置４０からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記基板ステージ２３（吐出基板４
Ｍ）を往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させるようになっている。例えば、
Ｙ軸モータＭＹを正転させると、基板ステージ２３（吐出基板４Ｍ）はＹ矢印方向に移動
し、逆転させると、基板ステージ２３（吐出基板４Ｍ）は反Ｙ矢印方向に移動する。

制御装置４０には、基板検出装置５４が接続されている。基板検出装置５４は、対向基
板４の端縁を検出し、制御装置４０によってキャリッジ２９の直下を通過する吐出基板４
Ｍ（吐出領域Ｓ）の位置を算出する際に利用される。

制御装置４０には、Ｘ軸モータ回転検出器５５が接続されて、Ｘ軸モータ回転検出器５
５からの検出信号が入力される。制御装置４０は、Ｘ軸モータ回転検出器５５からの検出
信号に基づいて、Ｘ軸モータＭＸの回転方向及び回転量を検出し、キャリッジ２９のＸ矢
印方向の移動量と、移動方向とを演算するようになっている。

制御装置４０には、Ｙ軸モータ回転検出器５６が接続されて、Ｙ軸モータ回転検出器５
６からの検出信号が入力される。制御装置４０は、Ｙ軸モータ回転検出器５６からの検出
信号に基づいて、Ｙ軸モータＭＹの回転方向及び回転量を検出し、基板ステージ２３（吐
出領域Ｓ）のＹ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。

制御装置４０には、吐出ヘッド駆動回路５７が接続されて、その吐出ヘッド駆動回路５
７に、前記吐出制御信号ＳＩ、前記クロック信号ＣＬＫ及び前記圧電素子駆動信号ＣＯＭ
を出力するようになっている。吐出ヘッド駆動回路５７は、制御装置４０からの吐出制御
信号ＳＩに応答して、前記圧電素子駆動信号ＣＯＭを、対応する各圧電素子３６に供給す
るか否かを制御するようになっている。

制御装置４０には、基板ヒータ駆動回路５８が接続されて、その基板ヒータ駆動回路５
８に、前記内側目標温度信号ＴＰａ及び前記外側目標温度信号ＴＰｂを出力するようにな
っている。その基板ヒータ駆動回路５８には、前記内側温度センサ２５ａ及び前記外側温
度センサ２５ｂが接続されて、それぞれ内側温度センサ２５ａからの内側温度検出信号Ｔ
Ａａ及び外側温度センサ２５ｂからの外側温度検出信号ＴＡｂが入力されるようになって
いる。

そして、基板ヒータ駆動回路５８は、制御装置４０からの内側目標温度信号ＴＰａと内
側温度センサ２５ａからの内側温度検出信号ＴＡａに基づいて、吐出基板４Ｍの中心位置
近傍の温度を内側目標温度にするための信号（前記内側ヒータ駆動信号ＨＣａ）を生成し
て、その内側ヒータ駆動信号ＨＣａを内側ヒータ２４ａに出力するようになっている。ま
た、基板ヒータ駆動回路５８は、制御装置４０からの外側目標温度信号ＴＰｂと外側温度
センサ２５ｂからの外側温度検出信号ＴＡｂに基づいて、吐出基板４Ｍの外縁近傍の温度
を外側目標温度にするための信号（前記外側ヒータ駆動信号ＨＣｂ）を生成して、その外
側ヒータ駆動信号ＨＣｂを外側ヒータ２４ｂに出力するようになっている。そして、基板
ヒータ駆動回路５８は、吐出基板４Ｍの内側実温度及び外側実温度が、それぞれ内側目標
温度及び外側目標温度になると、吐出基板４Ｍの温度が目標温度に到達したことを示す目
標温度到達信号ＴＡｃを生成して、その目標温度到達信号ＴＡｃを制御装置４０に出力す
るようになっている。

次に、液滴吐出装置２０を使って吐出基板４Ｍに液晶１５を吐出する液滴吐出方法につ
いて以下に説明する。
まず、図５に示すように、基板ステージ２３上に、吐出面４Ｍａを上側にして吐出基板
４Ｍを配置固定する。この状態から、入力装置５１に吐出データＩａを入力して、液晶吐
出プログラムを開始するための操作信号を入力する。

すると、制御装置４０は、吐出データＩａに基づいて、前記内側目標温度信号ＴＰａ及
び前記外側目標温度信号ＴＰｂを生成する。そして、制御装置４０は、前記基板ヒータ駆
動回路５８に、前記内側目標温度信号ＴＰａ及び前記外側目標温度信号ＴＰｂに基づく前
記内側ヒータ駆動信号ＨＣａ及び前記外側ヒータ駆動信号ＨＣｂを生成させて、その内側
ヒータ駆動信号ＨＣａ及び外側ヒータ駆動信号ＨＣｂを、それぞれ内側ヒータ２４ａ及び
外側ヒータ２４ｂに出力させる。そして、制御装置４０は、内側ヒータ２４ａ及び外側ヒ
ータ２４ｂを駆動して、載置面２３ａに載置された吐出基板４Ｍの内側実温度及び外側実
温度を、それぞれ内側目標温度及び外側目標温度に昇温維持させる。

制御装置４０は、内側実温度及び外側実温度が、それぞれ内側目標温度及び外側目標温
度に昇温維持されると、基板ヒータ駆動回路５８からの目標温度到達信号ＴＡｃを受けて
、Ｘ軸モータＭＸを駆動制御してキャリッジ２９を移動させる。そして、制御装置４０は
、吐出基板４ＭがＹ矢印方向に移動したときに、吐出ヘッド３１（ノズル列ＮＬ）の直下
を、第１吐出領域Ｓ１（１行目及び２行目の各吐出領域Ｓ）が通過する位置にキャリッジ
２９をセットさせる。また、制御装置４０は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御して、基板ステ
ージ２３（吐出基板４Ｍ）をＹ矢印方向に搬送させる。すなわち、制御装置４０は、吐出
ヘッド３１に向かって、第１吐出領域Ｓ１の各吐出領域Ｓを、１行目から順に搬送させる
。

やがて、制御装置４０は、基板検出装置５４が吐出基板４Ｍ（吐出面４Ｍａ）のＹ矢印
方向側の端縁を検出すると、Ｙ軸モータ回転検出器５６からの検出信号に基づいて、第１
吐出領域Ｓ１の１行目の吐出領域ＳのＹ矢印方向端部が、ノズル列ＮＬの直下まで搬送さ
れたかどうか演算する。そして、制御装置４０は、第１吐出領域Ｓ１に対応した吐出制御
信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路５７に出力するタイミングを待つ。

そして、制御装置４０は、第１吐出領域Ｓ１の１行目の吐出領域ＳのＹ矢印方向側端部
がノズル列ＮＬの直下まで搬送されると、Ｙ軸モータ回転検出器５６からの検出信号に応
答して、前記吐出制御信号ＳＩを吐出ヘッド駆動回路５７に出力する。吐出ヘッド駆動回
路５７は、制御装置４０からの吐出制御信号ＳＩを受けて、対応する各圧電素子３６に、
前記圧電素子駆動信号ＣＯＭを供給する。そして、吐出ヘッド駆動回路５７は、吐出制御
信号ＳＩに基づいて、第１吐出領域Ｓ１の１行目の吐出領域Ｓから順に、８行目の吐出領
域Ｓまで、液滴Ｄを吐出させる。

この際、吐出基板４Ｍの外縁近傍の吐出領域Ｓ（例えば、１列目の各吐出領域Ｓ）は、
外側ヒータ２４ｂからの熱量を受けて外側目標温度に維持されて、中心位置近傍の吐出領
域Ｓ（例えば、２列目の４行目〜６行目の吐出領域Ｓ）は、内側ヒータ２４ａからの熱量
を受けて内側目標温度に維持されている。

そのため、吐出ヘッド３１（各ノズルＮ内の液晶１５）には、第１吐出領域Ｓ１の各吐
出領域Ｓにおいて、吐出面４Ｍａ側から略等しい熱量が伝達される。これによって、吐出
ヘッド３１は、第１吐出領域Ｓ１の各吐出領域Ｓに、圧電素子駆動信号ＣＯＭに対応した
等しい容量の液晶１５を吐出する。

以後、同様に、制御装置４０は、３列目〜８列目の各吐出領域Ｓがノズル列ＮＬの直下
に搬送される度に、圧電素子駆動信号ＣＯＭに対応した等しい容量の液晶１５を吐出する
。そして、制御装置４０は、全ての吐出領域Ｓに均一な容量の液晶１５を吐出すると、吐
出基板４Ｍを吐出ヘッド３１の直下から退避するように基板ステージ２３を移動して、液
晶吐出プログラムを終了する。

これによって、吐出基板４Ｍの全ての吐出領域Ｓに、等しい容量の液晶１５を吐出する
ことができ、前記対向基板４と前記素子基板５との間の間隙の距離（セルギャップ）を均
一にした液晶パネル２を製造することができる。

次に、上記のように構成した第１実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、吐出基板４Ｍの中心位置近傍に相対して中心位置近傍を
加熱する内側ヒータ２４ａと、内側ヒータ２４ａの外側であって、吐出基板４Ｍの外縁近
傍に相対して外側近傍を加熱する外側ヒータ２４ｂを設けた。そして、内側ヒータ２４ａ
及び外側ヒータ２４ｂに、それぞれ内側ヒータ駆動信号ＨＣａ及び外側ヒータ駆動信号Ｈ
Ｃｂを供給して、外側ヒータ２４ｂから吐出基板４Ｍに供給する単位面積当たり熱量を、
内側ヒータ２４ａから吐出基板４Ｍに供給する単位面積当たりの熱量よりも大きくするよ
うにした。

その結果、内側実温度に対する外側実温度の低下を抑制することができ、吐出ヘッド３
１に伝達される吐出面４Ｍａ側からの熱量の均一性を向上することができる。従って、各
吐出領域Ｓに吐出する液晶１５の容量の均一性を向上することができる。

（２）上記実施形態によれば、吐出基板４Ｍの内側実温度を、内側ヒータ２４ａからの
熱量の伝達によって内側目標温度まで昇温し、吐出基板４Ｍの外側実温度を、外側ヒータ
２４ｂからの熱量の伝達によって外側目標温度まで昇温するようにした。そして、外側目
標温度を内側目標温度よりも高く設定して、外側実温度が内側実温度よりも高くなるよう
にした。

その結果、吐出ヘッド３１に伝達する熱量の供給領域の変動を、内側実温度と外側実温
度によって補償することができ、各吐出領域Ｓに吐出する液晶１５の容量の均一性を、さ
らに向上することができる。

（３）上記実施形態によれば、内側ヒータ２４ａと外側ヒータ２４ｂを基板ステージ２
３に内設し、吐出基板４Ｍを位置決めする載置面２３ａを介して、吐出基板４Ｍを加熱す
るようにした。その結果、吐出基板４Ｍの搬送に関わらず、吐出基板４Ｍの温度を、それ
ぞれ内側設定温度及び外側設定温度に昇温維持することができる。従って、液晶１５の吐
出処理性能を劣化させることなく、各吐出領域Ｓに吐出する液晶１５の容量の均一性を向
上することができる。

（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を、図１２及び図１３に従って説明する。尚、
第２実施形態では、第１実施形態における基板ヒータ２４と吐出ヘッド３１の吐出基板４
Ｍに対する相対移動経路を変更した構成である。そのため、以下では、基板ヒータ２４と
吐出ヘッド３１の相対移動経路の変更点ついて詳細に説明する。図１２は、基板ステージ
２３を上側から見た平面図であり、図１３は、吐出ヘッド３１の相対移動経路を説明する
説明図である。

図１２に示すように、基板ステージ２３内には、第１実施形態に示す内側ヒータ２４ａ
を、その周方向に４等分した位置に、それぞれ略円弧状に形成されて基板温度制御手段を
構成する第１内側ヒータ６１ａ、第２内側ヒータ６１ｂ、第３内側ヒータ６１ｃ及び第４
内側ヒータ６１ｄが備えられている。また、基板ステージ２３内には、第１実施形態に示
す外側ヒータ２４ｂを、その周方向に４等分した位置に、それぞれ略Ｕ字状に形成されて
基板温度制御手段を構成する第１外側ヒータ６２ａ、第２外側ヒータ６２ｂ、第３外側ヒ
ータ６２ｃ及び第４外側ヒータ６２ｄが備えられている。各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄ及
び各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄの間には、図示しない断熱部材が配設されている。

そして、各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄ及び各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄは、それぞれ対
応する内側ヒータ駆動信号及び外側ヒータ駆動信号を受けて、相対する吐出基板４Ｍの領
域をそれぞれ加熱するようになっている。すなわち、本実施形態の基板ステージ２３は、
各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄ及び各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄによって、吐出基板４Ｍの
温度を、各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄ及び各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄに相対する領域に
８分割して昇温維持するようになっている。

図１３に示すように、キャリッジ２９には、第１実施形態に示す１対の吐出ヘッド３１
がＸ矢印方向に併設されて、各吐出ヘッド３１のノズル列ＮＬ（図８参照）が、それぞれ
隣接する２列分の吐出領域Ｓと対峙可能に配設されている。そして、本実施形態の各吐出
ヘッド３１は、基板ステージ２３及びキャリッジ２９の移動によって、図１３の２点鎖線
で示す略Ｕ字状の相対移動経路に沿って、吐出面４Ｍａ上を相対移動するようになってい
る。

詳述すると、本実施形態の液滴吐出装置２０は、キャリッジ２９を移動して、吐出基板
４ＭをＹ矢印方向に移動するときに、各ノズル列ＮＬが、それぞれ１列目及び２列目、３
列目及び４列目の吐出領域Ｓと対峙する位置（図１３に示す実線）にキャリッジ２９を配
置する。そして、前記基板ステージ２３をＹ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬを
、１列目〜４列目の各吐出領域ＳのＸ矢印方向全幅にわたり、反Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓ
の列方向）に沿って相対移動する。

続いて、液滴吐出装置２０は、キャリッジ２９を反Ｘ矢印方向に移動して、吐出基板４
Ｍを反Ｙ矢印方向に移動するときに、各ノズル列ＮＬが、それぞれ５列目及び６列目、７
列目及び８列目の吐出領域Ｓと対峙する位置に配置する。そして、前記基板ステージ２３
を反Ｙ矢印方向に沿って移動して、ノズル列ＮＬを、５列目〜８列目の各吐出領域ＳのＸ
矢印方向全幅にわたり、Ｙ矢印方向（吐出領域Ｓの列方向）に沿って相対移動するように
なっている。

すなわち、各ノズル列ＮＬ（各吐出ヘッド３１）は、各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄ上を
、第１内側ヒータ６１ａ、第２内側ヒータ６１ｂ、第３内側ヒータ６１ｃ、第４内側ヒー
タ６１ｄの順に相対移動する。また、各ノズル列ＮＬ（各吐出ヘッド３１）は、各外側ヒ
ータ６２ａ〜６２ｄ上を、第１外側ヒータ６２ａ、第２外側ヒータ６２ｂ、第３外側ヒー
タ６２ｃ、第４外側ヒータ６２ｄの順に相対移動する。

この際、吐出基板４Ｍには、対峙する各吐出ヘッド３１の相対移動に伴って、吐出ヘッ
ド３１及びヘッドヒータ３１Ｈからの熱量が伝達される。吐出ヘッド３１側からの熱量を
受ける吐出基板４Ｍの温度は、その熱量の伝達速度が速いために、各内側ヒータ６１ａ〜
６１ｄ及び各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄによって補正されることなく、徐々に昇温される
ようになる。そして、吐出基板４Ｍが徐々に昇温されると、各ノズルＮ内の液晶１５に伝
達される熱量が徐々に増大して、各ノズルＮの液晶１５の粘度が、徐々に低下するように
なる。すなわち、吐出ヘッド３１は、各吐出領域Ｓ上を相対移動するに連れて、吐出する
液晶１５の容量を増大させるようになる。

そこで、本実施形態における液滴吐出装置２０では、各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄ及び
各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄからの単位面積当たり熱量を、吐出ヘッド３１の相対移動方
向に沿って小さくしている。そして、各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄ及び各外側ヒータ６２
ａ〜６２ｄに対応する吐出基板４Ｍの領域の温度を、吐出ヘッド３１の相対移動方向に沿
って低くしている。

詳述すると、各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄは、吐出基板４Ｍに伝達する単位面積当たり
の熱量を、第１内側ヒータ６１ａ、第２内側ヒータ６１ｂ、・・・、第４内側ヒータ６１
ｄの順に小さくしている。そして、第１内側ヒータ６１ａに相対する吐出基板４Ｍの温度
を最も高くして、第４内側ヒータ６１ｄに相対する吐出基板４Ｍの温度を最も低くしてい
る。すなわち、各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄは、吐出基板４Ｍの中心位置近傍に対して、
吐出ヘッド３１の相対移動方向に沿う方向に温度勾配を付与している。

また、各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄは、吐出基板４Ｍに伝達する単位面積当たりの熱量
を、第１外側ヒータ６２ａ、第２外側ヒータ６２ｂ、・・・、第４外側ヒータ６２ｄの順
に小さくしている。そして、第１外側ヒータ６２ａに相対する吐出基板４Ｍの温度を最も
高くして、第４外側ヒータ６２ｄに相対する吐出基板４Ｍの温度を最も低くしている。す
なわち、各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄは、吐出基板４Ｍの外縁近傍に対して、吐出ヘッド
３１の相対移動方向に沿う方向に温度勾配を付与している。

尚、本実施形態の液滴吐出装置２０では、各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄからの単位面積
当たりの熱量を、第１実施形態と同じく、各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄからの単位面積当
たりの熱量よりも大きくして、吐出基板４Ｍの外縁近傍の温度を、中心位置近傍の温度よ
りも高くしている。

そして、液滴吐出装置２０は、吐出ヘッド３１を前記相対移動経路に沿って相対移動す
る間に、各吐出領域Ｓの温度上昇分を、予め各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄによって付与し
た温度勾配と各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄによって付与した温度勾配により相殺して、各
吐出領域Ｓ側からの吐出ヘッド３１に伝達する熱量を均一化する。

これによって、各吐出領域Ｓと対峙する各ノズルＮの液晶１５には、対峙する各吐出領
域Ｓ側から略等しい熱量が伝達されて、各吐出領域Ｓに吐出する液晶１５の容量が、さら
に均一化される。

次に、上記のように構成した第２実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、基板ステージ２３に、各内側ヒータ６１ａ〜６１ｄ及び
各外側ヒータ６２ａ〜６２ｄを設け、吐出基板４Ｍに、吐出ヘッド３１の相対移動方向に
沿う方向の温度勾配を付与するようにした。

その結果、各吐出領域Ｓの温度上昇分を、予め付与した相対移動方向に沿う吐出基板４
Ｍの温度勾配によって相殺することができる。従って、吐出ヘッド３１の相対移動経路や
相対移動時間に関わらず、吐出ヘッド３１に伝達される吐出面４Ｍａ側からの熱量の均一
性を向上することができる。そのため、各吐出領域Ｓに吐出する液晶１５の容量の均一性
を、さらに向上することができる。

尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、吐出基板４Ｍを加熱する構成にしたが、これに限らず、吐出基板
４Ｍを冷却する構成にしてもよい。この際、吐出基板４Ｍの外縁近傍が中心位置近傍より
も吸熱しやすいため、外縁近傍に伝達する熱量の絶対値を、中心位置近傍に伝達する熱量
の絶対値よりも大きくするように、吐出基板４Ｍに負の熱量を供給するのが好ましい。

○上記実施形態では、基板ステージ２３に内側ヒータ２４ａ（第１〜第４内側ヒータ６
１ａ〜６１ｄ）及び外側ヒータ２４ｂ（第１〜第４外側ヒータ６２ａ〜６２ｄ）を内設す
る構成にした。これに限らず、例えば基板ステージ２３に外側ヒータ２４ｂ（第１〜第４
外側ヒータ６２ａ〜６２ｄ）のみを設ける構成にしてもよい。

○上記実施形態では、基板温度制御手段を、基板ステージ２３に内設した基板ヒータ２
４（第１〜第４内側ヒータ６１ａ〜６１ｄ及び第１〜第４外側ヒータ６２ａ〜６２ｄ）と
して具体化した。これに限らず、例えば基板温度制御手段を、吐出基板４Ｍの吐出面４Ｍ
ａ側から赤外線等の光を照射する光源として具体化し、吐出基板４Ｍの温度を、前記光の
照射量によって制御するようにしてもよい。

あるいは、基板温度制御手段を、載置面２３ａに形成する複数の凹部として具体化し、
基板ステージ２３を加熱もしくは冷却して所定の温度に調整する。そして、吐出基板４Ｍ
の温度を、吐出基板４Ｍと載置面２３ａとの接触面積の差異によって制御するようにして
もよい。

つまり、吐出基板４Ｍの外縁近傍に伝達する熱量と、吐出基板４Ｍの中心位置近傍に伝
達する熱量を制御可能な手段であればよい。
○上記実施形態では、液状体加熱手段をヘッドヒータ３１Ｈとして具体化した。これに
限らず、例えば、収容タンク２８内の液晶１５を加熱するヒータであってもよく、収容タ
ンク２８と吐出ヘッド３１との間の配管内の液晶１５を加熱するヒータであってもよい。

○上記実施形態では、液滴吐出手段を吐出ヘッド３１として具体化したが、これに限ら
ず、例えばエアー式ディスペンサ等に具体化してもよい。
○上記実施形態では、液状体を液晶１５として具体化した。これに限らず、例えば、金
属微粒子を含有した金属インクに具体化してもよい。つまり、加熱することによって低粘
度化して、液滴として吐出可能となる液状体であればよい。

○上記実施形態では、液状体としての液晶を吐出して液晶表示装置１を製造する構成し
た。これに限らず、例えば液状体を金属インクとして具体化し、液晶表示装置１の各種金
属配線や、平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発
光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示装置の金属配線を製造す
る構成にしてもよい。

本実施形態の液晶表示装置の概略斜視図。同じく、液晶表示装置の概略断面図。同じく、液晶表示装置の製造方法を説明する概略斜視図。同じく、液晶表示装置の製造方法を説明する平面図。同じく、液滴吐出装置の概略斜視図。同じく、液滴吐出装置の概略断面図。第１実施形態の基板ヒータを説明するための平面図。同じく、液滴吐出ヘッドを説明するための概略斜視図。同じく、液滴吐出ヘッドを説明するための要部断面図。同じく、液滴吐出ヘッドと吐出基板を説明するための概略断面図。同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。第２実施形態の基板ヒータを説明するための平面図。同じく、液滴吐出ヘッドの相対移動経路を説明するための説明図。

符号の説明

１…液晶表示装置、４…対向基板、４Ｍ…吐出基板、５…素子基板、１５…液状体とし
ての液晶、２０…液滴吐出装置、２３…基板ステージ、２４ａ…基板温度制御手段を構成
する加熱ヒータとしての内側ヒータ、２４ｂ…基板温度制御手段を構成する加熱ヒータと
しての外側ヒータ、３１…液滴吐出手段としての液滴吐出ヘッド、３１Ｈ…液状体加熱手
段としてのヘッドヒータ、Ｄ…液滴、Ｓ…吐出領域。

Claims

基板に形成された複数の吐出領域上を相対移動可能に設けられて前記吐出領域に液状体の液滴を吐出する液滴吐出手段と、前記液滴吐出手段の前記液状体を加熱する液状体加熱手段とを備えた液滴吐出装置において、
前記基板の外縁近傍に伝達する熱量の絶対値を、前記基板の中心位置近傍に伝達する熱量の絶対値よりも大きくする基板温度制御手段を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
請求項１に記載の液滴吐出装置において、
前記基板温度制御手段は、前記基板を加熱して、前記基板の外縁近傍の温度を、前記基板の中心位置近傍の温度よりも高くすることを特徴とする液滴吐出装置。