JPH0513318A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH0513318A JPH0513318A JP18350691A JP18350691A JPH0513318A JP H0513318 A JPH0513318 A JP H0513318A JP 18350691 A JP18350691 A JP 18350691A JP 18350691 A JP18350691 A JP 18350691A JP H0513318 A JPH0513318 A JP H0513318A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- resist
- temperature
- sender
- cool plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板にレジストを均一に塗布する。
【構成】 レジスト塗布前に半導体基板１をクールプレ
ート９で冷却して基板表面の温度ムラをなくし、その後
にレジストを基板表面に塗布する。
ート９で冷却して基板表面の温度ムラをなくし、その後
にレジストを基板表面に塗布する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特にレジスト塗布装置に関する。
特にレジスト塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のレジスト塗布装置では、
図４に示すように、カップ４内に取り付けられているス
ピンナーチャック２に半導体基板１が真空チャック等に
より保持され、光あるいは電子線等の感光レジストをノ
ズル７より半導体基板１上に滴下し、モーター３により
半導体基板１を保持したスピンナーチャック２を高速回
転させて所望の塗布膜厚を得ている。５はドレン，６は
ダクトである。
図４に示すように、カップ４内に取り付けられているス
ピンナーチャック２に半導体基板１が真空チャック等に
より保持され、光あるいは電子線等の感光レジストをノ
ズル７より半導体基板１上に滴下し、モーター３により
半導体基板１を保持したスピンナーチャック２を高速回
転させて所望の塗布膜厚を得ている。５はドレン，６は
ダクトである。
【０００３】当然のことながら半導体基板は、清浄なも
のでなければならず、レジスト塗布工程の前に清浄工
程，乾燥工程を経て図４に示すようなレジスト塗布装置
によって、レジストが塗布される。
のでなければならず、レジスト塗布工程の前に清浄工
程，乾燥工程を経て図４に示すようなレジスト塗布装置
によって、レジストが塗布される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に半導体製造工程
は、半導体基板の洗浄，乾燥，レジスト塗布，プレベー
ク，露光，現像，ポストベーク，エッチング，レジスト
剥離，洗浄等の工程を経て製造される。
は、半導体基板の洗浄，乾燥，レジスト塗布，プレベー
ク，露光，現像，ポストベーク，エッチング，レジスト
剥離，洗浄等の工程を経て製造される。
【０００５】特に、半導体基板へのレジスト塗布工程で
は、半導体基板を清浄にするために、清浄工程，乾燥工
程を経ている。
は、半導体基板を清浄にするために、清浄工程，乾燥工
程を経ている。
【０００６】ここで半導体基板の洗浄後の乾燥方法とし
ては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパ乾燥，
赤外線照射による乾燥等の手段を用いて乾燥している。
ては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパ乾燥，
赤外線照射による乾燥等の手段を用いて乾燥している。
【０００７】これらの乾燥方法で乾燥した半導体基板は
そのままレジスト塗布工程へ進み、レジスト塗布してい
る。
そのままレジスト塗布工程へ進み、レジスト塗布してい
る。
【０００８】特に、ＩＰＡベーパ乾燥等による乾燥方法
では、半導体基板の温度が約８０℃まで上昇するため、
乾燥後の放冷が不十分である場合には半導体基板表面に
温度分布をもった状態でレジスト塗布を行うことがあっ
た。
では、半導体基板の温度が約８０℃まで上昇するため、
乾燥後の放冷が不十分である場合には半導体基板表面に
温度分布をもった状態でレジスト塗布を行うことがあっ
た。
【０００９】半導体基板表面に温度分布をもった状態で
レジスト塗布を行うと、半導体基板表面にレジストが均
一に塗布されず、半導体回路パターンの寸法精度低下の
原因となっていた。
レジスト塗布を行うと、半導体基板表面にレジストが均
一に塗布されず、半導体回路パターンの寸法精度低下の
原因となっていた。
【００１０】このため、ＩＰＡベーパ乾燥で乾燥した半
導体基板は、レジスト塗布まで約６０分間放冷時間を有
し、ＴＡＴ短縮に反する結果となっていた。
導体基板は、レジスト塗布まで約６０分間放冷時間を有
し、ＴＡＴ短縮に反する結果となっていた。
【００１１】本発明の目的は前記課題を解決したレジス
ト塗布装置を提供することにある。
ト塗布装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るレジスト塗布装置においては、半導体
基板に光あるいは電子線等の感光レジストを滴下し半導
体基板を高速回転して、レジスト塗布膜を形成するレジ
スト塗布装置であって、半導体基板にレジストを均一に
塗布するために、半導体基板にレジストを滴下する前工
程として該半導体基板を均一に冷却する機構を有するも
のである。
め、本発明に係るレジスト塗布装置においては、半導体
基板に光あるいは電子線等の感光レジストを滴下し半導
体基板を高速回転して、レジスト塗布膜を形成するレジ
スト塗布装置であって、半導体基板にレジストを均一に
塗布するために、半導体基板にレジストを滴下する前工
程として該半導体基板を均一に冷却する機構を有するも
のである。
【００１３】
【作用】本発明では、レジスト塗布前に半導体基板を冷
却し、基板表面に温度分布ムラがなくなるようにしたも
のである。
却し、基板表面に温度分布ムラがなくなるようにしたも
のである。
【００１４】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１５】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係るレジスト塗布装置を示す断面図、図２は同平面図で
ある。
係るレジスト塗布装置を示す断面図、図２は同平面図で
ある。
【００１６】図において、レジスト塗布工程では、カッ
プ４中に、半導体基板１を真空チャック等で保持するス
ピンナーチャック２と、スピンナーチャック２を高速回
転させるモーター３とを有し、カップ４にはドレン５及
びダクト６を有している。
プ４中に、半導体基板１を真空チャック等で保持するス
ピンナーチャック２と、スピンナーチャック２を高速回
転させるモーター３とを有し、カップ４にはドレン５及
びダクト６を有している。
【００１７】このレジスト塗布工程では、半導体基板１
上にノズル７からレジストが滴下し、スピンナーチャッ
ク２がスピン回転する際にカップ４がエアーシリンダー
８により上昇し、スピンナーチャック２を外周から覆う
構造となっている。
上にノズル７からレジストが滴下し、スピンナーチャッ
ク２がスピン回転する際にカップ４がエアーシリンダー
８により上昇し、スピンナーチャック２を外周から覆う
構造となっている。
【００１８】このように構成されたレジスト塗布工程の
前段に、本発明の特徴である半導体基板を一定温度にす
るための機構としてのクールプレート９を有している。
前段に、本発明の特徴である半導体基板を一定温度にす
るための機構としてのクールプレート９を有している。
【００１９】このクールプレート９中には、管１０が通
っており、この管１０は温調ユニット１１につながって
いる。管１０中を、温調ユニット１１により一定温度に
保たれた冷却水が循環するようになっている。
っており、この管１０は温調ユニット１１につながって
いる。管１０中を、温調ユニット１１により一定温度に
保たれた冷却水が循環するようになっている。
【００２０】このようにクールプレート９を有したレジ
スト塗布装置をカセット−カセットの方式により半導体
基板にレジスト塗布する場合を説明する。
スト塗布装置をカセット−カセットの方式により半導体
基板にレジスト塗布する場合を説明する。
【００２１】センダーカセット１２に半導体基板１がセ
ットされている。これをセンダーチャック１３がセンダ
ーチャック移動用レール１４を通り、センダーカセット
１２により半導体基板１を取り出す。
ットされている。これをセンダーチャック１３がセンダ
ーチャック移動用レール１４を通り、センダーカセット
１２により半導体基板１を取り出す。
【００２２】次にセンダーチャック１３上に取り出され
た半導体基板は、センダーアーム１５によりセンダーア
ーム移動用レール１６を通り、クールプレート９へセッ
トされる。
た半導体基板は、センダーアーム１５によりセンダーア
ーム移動用レール１６を通り、クールプレート９へセッ
トされる。
【００２３】クールプレート９は一定温度に保たれてい
るので、半導体基板は一定温度に調整される。
るので、半導体基板は一定温度に調整される。
【００２４】一定温度になった半導体基板は、センター
アーム１７によりセンターアーム移動用レール１８を通
り、スピンナーチャック２へセットされる。
アーム１７によりセンターアーム移動用レール１８を通
り、スピンナーチャック２へセットされる。
【００２５】レジストがノズル７から滴下されモーター
３により、スピンナーチャック２は任意の回転数で回転
する。レジスト塗布完了後、半導体基板はレシーバーア
ーム１９によりレシーバーアーム移動用レール２０を通
り、レシーバーチャック２１に運ばれる。
３により、スピンナーチャック２は任意の回転数で回転
する。レジスト塗布完了後、半導体基板はレシーバーア
ーム１９によりレシーバーアーム移動用レール２０を通
り、レシーバーチャック２１に運ばれる。
【００２６】そして、レシーバーチャック２１にセット
された半導体基板は、レシーバーチャック移動用レール
２２を通り、レシーバーカセット２３に回収される。
された半導体基板は、レシーバーチャック移動用レール
２２を通り、レシーバーカセット２３に回収される。
【００２７】以上のように塗布前に、半導体基板が一定
温度に管理されるため、半導体基板上の温度分布ムラが
なく、レジストが精度よく塗布される。
温度に管理されるため、半導体基板上の温度分布ムラが
なく、レジストが精度よく塗布される。
【００２８】（実施例２）図３は、本発明の実施例２を
示す断面図である。実施例２では、クールプレート９
ａ，９ｂを二個以上備えていることを特徴としている。
示す断面図である。実施例２では、クールプレート９
ａ，９ｂを二個以上備えていることを特徴としている。
【００２９】実施例２において、クールプレート９ａ，
９ｂを複数個以上備えていることにより、クールプレー
ト一個当りの半導体基板の温調時間が短縮され、このた
めスループットが向上するという利点がある。
９ｂを複数個以上備えていることにより、クールプレー
ト一個当りの半導体基板の温調時間が短縮され、このた
めスループットが向上するという利点がある。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レジスト
塗布前に半導体基板をクールプレートにより、一定温度
に調整するため、半導体基板表面に温度分布ムラがなく
なり、半導体基板の洗浄乾燥後、約２分でレジストを塗
布することができる。
塗布前に半導体基板をクールプレートにより、一定温度
に調整するため、半導体基板表面に温度分布ムラがなく
なり、半導体基板の洗浄乾燥後、約２分でレジストを塗
布することができる。
【００３１】しかもレジストが半導体基板に均一に塗布
できる効果を有している。このため、半導体回路パター
ンを半導体基板に精度良くパターンニングできるという
効果を有している。
できる効果を有している。このため、半導体回路パター
ンを半導体基板に精度良くパターンニングできるという
効果を有している。
【図１】本発明の実施例１を示す断面図である。
【図２】同平面図である。
【図３】本発明の実施例２を示す断面図である。
【図４】従来のレジスト塗布装置を示す平面図である。
１ 半導体基板 ２ スピンナーチャック ３ モーター ４ カップ ５ ドレン ６ ダクト ７ ノズル ８ エアーシリンダー ９ クールプレート １０ 管 １１ 温調ユニット １２ センダーカセット １３ センダーチャック １４ センダーチャック移動用レール １５ センダーアーム １６ センダーアーム移動用レール １７ センターアーム １８ センターアーム移動用レール １９ レシーバーアーム ２０ レシーバーアーム移動用レール ２１ レシーバーチャック ２２ レシーバーチャック移動用レール ２３ レシーバーカセット
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板に光あるいは電子線等の感光
レジストを滴下し半導体基板を高速回転して、レジスト
塗布膜を形成するレジスト塗布装置であって、 半導体基板にレジストを均一に塗布するために、半導体
基板にレジストを滴下する前工程として該半導体基板を
均一に冷却する機構を有することを特徴とするレジスト
塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18350691A JPH0513318A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18350691A JPH0513318A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513318A true JPH0513318A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16137030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18350691A Pending JPH0513318A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513318A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020068309A (ja) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 面発光レーザの製造方法 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP18350691A patent/JPH0513318A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020068309A (ja) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 面発光レーザの製造方法 |
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