JPH11340134A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JPH11340134A JPH11340134A JP15846698A JP15846698A JPH11340134A JP H11340134 A JPH11340134 A JP H11340134A JP 15846698 A JP15846698 A JP 15846698A JP 15846698 A JP15846698 A JP 15846698A JP H11340134 A JPH11340134 A JP H11340134A
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- Japan
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- substrate
- film thickness
- unit
- chemical
- processing apparatus
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板に供給すべき薬液の種類が変更された場
合においても、その薬液に適した基板の回転速度を容易
に決定することができ、基板の表面に均一な薬液の薄膜
を形成することが可能な基板処理装置を提供することを
目的とする。 【解決手段】 基板処理装置は、基板Ｗの裏面を吸着保
持して回転するスピンチャック１１と、スピンチャック
１１に保持された基板Ｗの表面にレジストを供給するた
めのレジスト供給ノズル１２とを有するスピンコータＳ
Ｃと、光源部５と、ＣＣＤカメラ６と、光学系７と、フ
ィルタ切替手段８と、処理部９とを有し、スピンコータ
ＳＣにおいて基板Ｗの表面に形成されたレジストの薄膜
の膜厚を、基板Ｗの表面の所定エリアにおいて一括して
測定するための膜厚測定ユニットＴＭとを備える。
合においても、その薬液に適した基板の回転速度を容易
に決定することができ、基板の表面に均一な薬液の薄膜
を形成することが可能な基板処理装置を提供することを
目的とする。 【解決手段】 基板処理装置は、基板Ｗの裏面を吸着保
持して回転するスピンチャック１１と、スピンチャック
１１に保持された基板Ｗの表面にレジストを供給するた
めのレジスト供給ノズル１２とを有するスピンコータＳ
Ｃと、光源部５と、ＣＣＤカメラ６と、光学系７と、フ
ィルタ切替手段８と、処理部９とを有し、スピンコータ
ＳＣにおいて基板Ｗの表面に形成されたレジストの薄膜
の膜厚を、基板Ｗの表面の所定エリアにおいて一括して
測定するための膜厚測定ユニットＴＭとを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を処理する基板処理装置に関し、特
に、基板の表面に薬液の薄膜を形成する回転式薬液塗布
ユニットを備えた基板処理装置に関する。
液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用
マスク基板等の基板を処理する基板処理装置に関し、特
に、基板の表面に薬液の薄膜を形成する回転式薬液塗布
ユニットを備えた基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような基板処理装置の回転式薬液塗
布ユニットは、基板を保持して回転するスピンチャック
と、前記スピンチャックに保持された基板の表面に感光
性レジスト等の薬液を供給するための薬液供給ノズルと
を有している。そして、この回転式薬液塗布ユニットに
おいては、基板を鉛直軸まわりに高速で回転させなが
ら、基板の表面に薬液を供給し、基板の回転に伴う遠心
力により薬液を基板の表面で拡げることにより、基板の
表面に薬液の薄膜を形成する構成となっている。
布ユニットは、基板を保持して回転するスピンチャック
と、前記スピンチャックに保持された基板の表面に感光
性レジスト等の薬液を供給するための薬液供給ノズルと
を有している。そして、この回転式薬液塗布ユニットに
おいては、基板を鉛直軸まわりに高速で回転させなが
ら、基板の表面に薬液を供給し、基板の回転に伴う遠心
力により薬液を基板の表面で拡げることにより、基板の
表面に薬液の薄膜を形成する構成となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような回転式薬液
塗布ユニットにより薬液の薄膜を形成するにあたって、
基板面内において例えば基板の回転中心付近と端縁付近
とで膜厚が均一でなければ、その後の処理において基板
全域を均一に処理することが不可能となり、この基板に
より製造される製品の歩留まりを低下させてしまうこと
になる。そこで、基板面内にわたって均一に薄膜が形成
される必要がある。ところが、基板に塗布すべき薬液の
種類によって基板に形成される膜厚特性が異なる。
塗布ユニットにより薬液の薄膜を形成するにあたって、
基板面内において例えば基板の回転中心付近と端縁付近
とで膜厚が均一でなければ、その後の処理において基板
全域を均一に処理することが不可能となり、この基板に
より製造される製品の歩留まりを低下させてしまうこと
になる。そこで、基板面内にわたって均一に薄膜が形成
される必要がある。ところが、基板に塗布すべき薬液の
種類によって基板に形成される膜厚特性が異なる。
【０００４】このため、使用する薬液に応じてスピンチ
ャックによる基板の回転速度を調整することにより、基
板の表面に所望の均一な膜厚を有する薄膜を形成するよ
うにしている。そして、使用する薬液に適した回転速度
を決定するためには、基板を所定の回転速度で回転させ
ながら薬液を供給することにより基板の表面に薬液の薄
膜を形成し、この基板を膜厚測定装置に運んで薄膜の膜
厚を所定ピッチで測定した後、この測定結果に基づいて
膜厚分布図を作成することを繰り返す作業が必要とされ
る。このため、薬液に適した回転速度を決定するために
多大な時間を要するという問題がある。
ャックによる基板の回転速度を調整することにより、基
板の表面に所望の均一な膜厚を有する薄膜を形成するよ
うにしている。そして、使用する薬液に適した回転速度
を決定するためには、基板を所定の回転速度で回転させ
ながら薬液を供給することにより基板の表面に薬液の薄
膜を形成し、この基板を膜厚測定装置に運んで薄膜の膜
厚を所定ピッチで測定した後、この測定結果に基づいて
膜厚分布図を作成することを繰り返す作業が必要とされ
る。このため、薬液に適した回転速度を決定するために
多大な時間を要するという問題がある。
【０００５】この発明は上記課題を解決するためになさ
れたものであり、基板に供給すべき薬液の種類が変更さ
れた場合においても、その薬液に適した基板の回転速度
を容易に決定することができ、基板の表面に均一な薬液
の薄膜を形成することが可能な基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
れたものであり、基板に供給すべき薬液の種類が変更さ
れた場合においても、その薬液に適した基板の回転速度
を容易に決定することができ、基板の表面に均一な薬液
の薄膜を形成することが可能な基板処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の基板処
理装置は、基板を保持して回転するスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された基板の表面に薬液を供
給するための薬液供給ノズルとを有し、基板の表面に薬
液の薄膜を形成する回転式薬液塗布ユニットと、前記薬
液塗布ユニットにおいて基板の表面に形成された薬液の
膜厚を、基板の表面の所定エリアにおいて一括して測定
する膜厚測定手段とを備えたことを特徴とする。
理装置は、基板を保持して回転するスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された基板の表面に薬液を供
給するための薬液供給ノズルとを有し、基板の表面に薬
液の薄膜を形成する回転式薬液塗布ユニットと、前記薬
液塗布ユニットにおいて基板の表面に形成された薬液の
膜厚を、基板の表面の所定エリアにおいて一括して測定
する膜厚測定手段とを備えたことを特徴とする。
【０００７】請求項２に記載の基板処理装置は、請求項
１に記載の基板処理装置において、前記膜厚測定手段
は、少なくとも、基板表面の前記スピンチャックによる
回転中心に対応する位置と基板の端縁部分とに亘るエリ
アにおける薬液の膜厚を一括して測定する。
１に記載の基板処理装置において、前記膜厚測定手段
は、少なくとも、基板表面の前記スピンチャックによる
回転中心に対応する位置と基板の端縁部分とに亘るエリ
アにおける薬液の膜厚を一括して測定する。
【０００８】請求項３に記載の基板処理装置は、請求項
１または請求項２いずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記膜厚測定手段は、前記回転式薬液塗布ユニット
内において、前記スピンチャックに基板を保持した状態
で、この基板の表面に形成された薬液の膜厚を測定す
る。
１または請求項２いずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記膜厚測定手段は、前記回転式薬液塗布ユニット
内において、前記スピンチャックに基板を保持した状態
で、この基板の表面に形成された薬液の膜厚を測定す
る。
【０００９】請求項４に記載の基板処理装置は、請求項
１または請求項２いずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記膜厚測定手段は、前記回転式薬液塗布ユニット
とは別の位置に配設されており、前記回転式薬液塗布ユ
ニットにより薬液の薄膜が形成された基板は、基板搬送
機構により、前記膜厚測定手段に搬送される。
１または請求項２いずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記膜厚測定手段は、前記回転式薬液塗布ユニット
とは別の位置に配設されており、前記回転式薬液塗布ユ
ニットにより薬液の薄膜が形成された基板は、基板搬送
機構により、前記膜厚測定手段に搬送される。
【００１０】請求項５に記載の基板処理装置は、請求項
１乃至請求項４いずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記膜厚測定手段は、白色光を出射する光源部と、
２次元に配列された複数の受光素子からなる受光手段
と、前記光源部から出射された光を前記基板に導くとと
もに、前記基板表面において反射した光を前記受光手段
に導く光学系と、基板の表面に形成された薬液の薄膜を
感光させない互いに異なる波長の光のみを透過する複数
のフィルタを有し、この複数のフィルタを前記光学系に
おける光路中に選択的に配置するフィルタ切替手段と、
前記フィルタの切替に対応して前記受光手段からの信号
を取得し、この信号に基づいて前記薬液の膜厚を求める
処理部とを備えている。
１乃至請求項４いずれかに記載の基板処理装置におい
て、前記膜厚測定手段は、白色光を出射する光源部と、
２次元に配列された複数の受光素子からなる受光手段
と、前記光源部から出射された光を前記基板に導くとと
もに、前記基板表面において反射した光を前記受光手段
に導く光学系と、基板の表面に形成された薬液の薄膜を
感光させない互いに異なる波長の光のみを透過する複数
のフィルタを有し、この複数のフィルタを前記光学系に
おける光路中に選択的に配置するフィルタ切替手段と、
前記フィルタの切替に対応して前記受光手段からの信号
を取得し、この信号に基づいて前記薬液の膜厚を求める
処理部とを備えている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１は、この発明の第１実施形
態に係る基板処理装置１を、露光装置２とともに示す平
面概要図である。
面に基づいて説明する。図１は、この発明の第１実施形
態に係る基板処理装置１を、露光装置２とともに示す平
面概要図である。
【００１２】この基板処理装置１は、複数枚の基板を収
納したカセットから処理を行うべき基板を１枚ずつ搬出
するとともに、処理を終えた基板を再度カセット内に搬
入するためのインデクサ部ＩＤと、基板に対して薬液処
理を行う薬液処理部３と、基板に対して熱処理を行う熱
処理部４と、露光装置２との間で基板の受け渡しを行う
インターフェース部ＩＦと、図示しない自走式基板搬送
ロボットを有し、インデクサ部ＩＤ、薬液処理部３、熱
処理部４およびインターフェース部ＩＦの間で基板を搬
送する搬送ユニットＴＲとを備える。
納したカセットから処理を行うべき基板を１枚ずつ搬出
するとともに、処理を終えた基板を再度カセット内に搬
入するためのインデクサ部ＩＤと、基板に対して薬液処
理を行う薬液処理部３と、基板に対して熱処理を行う熱
処理部４と、露光装置２との間で基板の受け渡しを行う
インターフェース部ＩＦと、図示しない自走式基板搬送
ロボットを有し、インデクサ部ＩＤ、薬液処理部３、熱
処理部４およびインターフェース部ＩＦの間で基板を搬
送する搬送ユニットＴＲとを備える。
【００１３】基板に対して薬液処理を行う薬液処理部３
は、基板に対して薬液としてのレジストを塗布するスピ
ンコータ（回転式薬液塗布ユニット）ＳＣと、露光装置
２により露光を完了した後の基板に対して、薬液として
の現像液を供給することにより、露光後のレジストを現
像処理する第１、第２のスピンデベロッパ（回転式現像
処理ユニット）ＳＤ１、ＳＤ２とを備える。なお、上記
スピンコータＳＣ内には、後述する膜厚測定ユニットＴ
Ｍが内蔵されている。
は、基板に対して薬液としてのレジストを塗布するスピ
ンコータ（回転式薬液塗布ユニット）ＳＣと、露光装置
２により露光を完了した後の基板に対して、薬液として
の現像液を供給することにより、露光後のレジストを現
像処理する第１、第２のスピンデベロッパ（回転式現像
処理ユニット）ＳＤ１、ＳＤ２とを備える。なお、上記
スピンコータＳＣ内には、後述する膜厚測定ユニットＴ
Ｍが内蔵されている。
【００１４】基板に対して熱処理を行う熱処理部４は、
基板の表面と薬液としてのレジストとの密着性を良くす
るためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の雰囲気
下で基板を加熱処理するアドヒージョン部ＡＨ、４つの
加熱処理部ＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３、ＨＰ４、露光処理
された後の基板を加熱するポスト・エクスポージャ・ベ
ーク部ＰＥＢ、および、４つの冷却処理部ＣＰ１、ＣＰ
２、ＣＰ３、ＣＰ４を有する。
基板の表面と薬液としてのレジストとの密着性を良くす
るためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の雰囲気
下で基板を加熱処理するアドヒージョン部ＡＨ、４つの
加熱処理部ＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３、ＨＰ４、露光処理
された後の基板を加熱するポスト・エクスポージャ・ベ
ーク部ＰＥＢ、および、４つの冷却処理部ＣＰ１、ＣＰ
２、ＣＰ３、ＣＰ４を有する。
【００１５】なお、図１においては、説明の便宜上、熱
処理部４における複数のユニットが平面的に配置された
ように図示されているが、アドヒージョン部ＡＨ、加熱
処理部ＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３、ＨＰ４、ポスト・エク
スポージャ・ベーク部ＰＥＢ、および、冷却処理部ＣＰ
１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４は、適宜の数、上下方向に
配置されている。
処理部４における複数のユニットが平面的に配置された
ように図示されているが、アドヒージョン部ＡＨ、加熱
処理部ＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３、ＨＰ４、ポスト・エク
スポージャ・ベーク部ＰＥＢ、および、冷却処理部ＣＰ
１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４は、適宜の数、上下方向に
配置されている。
【００１６】次に、上述したスピンコータＳＣの構成に
ついて説明する。図２は、スピンコータＳＣをスピンコ
ータＳＣ内に配設された膜厚測定ユニットＴＭとともに
示す側面図である。
ついて説明する。図２は、スピンコータＳＣをスピンコ
ータＳＣ内に配設された膜厚測定ユニットＴＭとともに
示す側面図である。
【００１７】この図に示すように、スピンコータＳＣ
は、基板Ｗの裏面を吸着保持して回転するスピンチャッ
ク１１と、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの回
転中心と対向する位置まで移動した後、基板Ｗの表面に
レジストを供給するレジスト供給ノズル１２とを有す
る。このスピンコータＳＣにおいては、基板Ｗを鉛直軸
まわりに高速で回転させながら、基板Ｗの表面にレジス
トを供給し、基板Ｗの回転に伴う遠心力によりレジスト
を基板Ｗの表面で拡げることにより、基板Ｗの表面にレ
ジストの薄膜を形成する構成となっている。
は、基板Ｗの裏面を吸着保持して回転するスピンチャッ
ク１１と、スピンチャック１１に保持された基板Ｗの回
転中心と対向する位置まで移動した後、基板Ｗの表面に
レジストを供給するレジスト供給ノズル１２とを有す
る。このスピンコータＳＣにおいては、基板Ｗを鉛直軸
まわりに高速で回転させながら、基板Ｗの表面にレジス
トを供給し、基板Ｗの回転に伴う遠心力によりレジスト
を基板Ｗの表面で拡げることにより、基板Ｗの表面にレ
ジストの薄膜を形成する構成となっている。
【００１８】一方、図２に示す膜厚測定ユニットＴＭ
は、スピンコータＳＣにおいて基板Ｗの表面に形成され
たレジストの薄膜の膜厚を、基板Ｗの表面の所定エリア
において一括して測定するためのものである。
は、スピンコータＳＣにおいて基板Ｗの表面に形成され
たレジストの薄膜の膜厚を、基板Ｗの表面の所定エリア
において一括して測定するためのものである。
【００１９】この膜厚測定ユニットＴＭは、白色光を出
射する光源部５と、２次元に配列された複数の受光素子
を有するＣＣＤカメラ６と、光源部５から出射された光
をスピンチャック１１に保持された基板Ｗに導くととも
に、この基板Ｗの表面において反射した光をＣＣＤカメ
ラ６に導く光学系７と、基板の表面に形成されたレジス
トの薄膜を感光させない互いに異なる波長の光のみを透
過する複数のフィルタ１３を有し、この複数のフィルタ
１３を光学系７における光路中に選択的に配置するフィ
ルタ切替手段８と、フィルタ１３の切替に対応してＣＣ
Ｄカメラ６からの信号を取得し、この信号に基づいて基
板Ｗの表面に形成されたレジストの薄膜の膜厚を求める
処理部９とを備える。
射する光源部５と、２次元に配列された複数の受光素子
を有するＣＣＤカメラ６と、光源部５から出射された光
をスピンチャック１１に保持された基板Ｗに導くととも
に、この基板Ｗの表面において反射した光をＣＣＤカメ
ラ６に導く光学系７と、基板の表面に形成されたレジス
トの薄膜を感光させない互いに異なる波長の光のみを透
過する複数のフィルタ１３を有し、この複数のフィルタ
１３を光学系７における光路中に選択的に配置するフィ
ルタ切替手段８と、フィルタ１３の切替に対応してＣＣ
Ｄカメラ６からの信号を取得し、この信号に基づいて基
板Ｗの表面に形成されたレジストの薄膜の膜厚を求める
処理部９とを備える。
【００２０】光源部５は、ハロゲンランプ２１と、ピン
ホール２４が形成されたピンホール板２３と、ハロゲン
ランプ２１からの光をピンホール２４上に集光させるレ
ンズ２２とを備える。このため、ピンホール２４を通過
する光は、点光源からの光としてスピンチャック１１に
保持された基板Ｗに照射されることになる。
ホール２４が形成されたピンホール板２３と、ハロゲン
ランプ２１からの光をピンホール２４上に集光させるレ
ンズ２２とを備える。このため、ピンホール２４を通過
する光は、点光源からの光としてスピンチャック１１に
保持された基板Ｗに照射されることになる。
【００２１】光学系７は、光源部５からの光を基板Ｗに
導くためのレンズ２５、ハーフミラー２６、絞り２７お
よび凹面鏡２８と、基板Ｗからの反射光をＣＣＤカメラ
６に導くためのレンズ２９とを備える。光源部５におけ
るハロゲンランプ２１からの光は、レンズ２５を通過し
ハーフミラー２６で反射した後、絞り２７の位置におい
て一旦集光する。そして、この光は、凹面鏡２８により
反射した後、平行光となって基板Ｗの表面全体に垂直に
入射する。また、基板Ｗからの反射光は、凹面鏡２８お
よび絞り２７を介してハーフミラー２６に至り、ハーフ
ミラー２６を通過した後、レンズ２９を介してＣＣＤカ
メラ６に基板Ｗの照射範囲、すなわち、基板Ｗの表面全
体の像を結ぶ。
導くためのレンズ２５、ハーフミラー２６、絞り２７お
よび凹面鏡２８と、基板Ｗからの反射光をＣＣＤカメラ
６に導くためのレンズ２９とを備える。光源部５におけ
るハロゲンランプ２１からの光は、レンズ２５を通過し
ハーフミラー２６で反射した後、絞り２７の位置におい
て一旦集光する。そして、この光は、凹面鏡２８により
反射した後、平行光となって基板Ｗの表面全体に垂直に
入射する。また、基板Ｗからの反射光は、凹面鏡２８お
よび絞り２７を介してハーフミラー２６に至り、ハーフ
ミラー２６を通過した後、レンズ２９を介してＣＣＤカ
メラ６に基板Ｗの照射範囲、すなわち、基板Ｗの表面全
体の像を結ぶ。
【００２２】このため、ＣＣＤカメラ６により、基板Ｗ
の表面全域のエリアを一括して撮像することが可能とな
る。
の表面全域のエリアを一括して撮像することが可能とな
る。
【００２３】フィルタ切替手段８は、軸３１を中心に回
転する円盤３２と、この円盤３２における軸３１を中心
とした円周上に配設された互いに異なる波長の光のみを
透過する複数のフィルタ１３と、円盤３２を軸３１を中
心として回転させる回転手段としてのモータ３３とを備
える。このため、円盤３２がモータ３３の駆動により軸
３１を中心として回転すると、各フィルタ１３が、順
次、光学系７における光路中に選択的に配置される。
転する円盤３２と、この円盤３２における軸３１を中心
とした円周上に配設された互いに異なる波長の光のみを
透過する複数のフィルタ１３と、円盤３２を軸３１を中
心として回転させる回転手段としてのモータ３３とを備
える。このため、円盤３２がモータ３３の駆動により軸
３１を中心として回転すると、各フィルタ１３が、順
次、光学系７における光路中に選択的に配置される。
【００２４】ＣＣＤカメラ６により撮像された基板Ｗの
画像情報とモータ３３に付設されたエンコーダから得ら
れる光学系７中に配置されたフィルタの種類の情報は、
処理部９に送られる。そして、各フィルタ１３を、順
次、光学系７における光路中に配置し、そのときのＣＣ
Ｄカメラ６により撮像した基板Ｗの画像情報を利用する
ことにより、基板Ｗの分光画像情報が計測され、この分
光画像情報に基づいて、基板Ｗに形成されたレジストの
膜厚が算出される。
画像情報とモータ３３に付設されたエンコーダから得ら
れる光学系７中に配置されたフィルタの種類の情報は、
処理部９に送られる。そして、各フィルタ１３を、順
次、光学系７における光路中に配置し、そのときのＣＣ
Ｄカメラ６により撮像した基板Ｗの画像情報を利用する
ことにより、基板Ｗの分光画像情報が計測され、この分
光画像情報に基づいて、基板Ｗに形成されたレジストの
膜厚が算出される。
【００２５】この膜厚測定ユニットＴＭによれば、光学
系７の光路中に所定の波長の光のみを透過するフィルタ
１３を切り替えて配置するので、所定の波長の光のみを
基板Ｗに照射することができ、また、基板Ｗからの反射
光をＣＣＤカメラ６により一括して取得することができ
る。このため、基板Ｗの表面における広い領域のレジス
トの膜厚を一括して測定することが可能となる。
系７の光路中に所定の波長の光のみを透過するフィルタ
１３を切り替えて配置するので、所定の波長の光のみを
基板Ｗに照射することができ、また、基板Ｗからの反射
光をＣＣＤカメラ６により一括して取得することができ
る。このため、基板Ｗの表面における広い領域のレジス
トの膜厚を一括して測定することが可能となる。
【００２６】なお、上述した膜厚測定ユニットＴＭの構
成については、特開平１０−４７９２６号公報にも記載
されている。
成については、特開平１０−４７９２６号公報にも記載
されている。
【００２７】次に、上述した基板処理装置１により基板
Ｗを処理する場合の一般的な処理工程について説明す
る。
Ｗを処理する場合の一般的な処理工程について説明す
る。
【００２８】複数の基板Ｗを収納したカセットは、前段
の処理工程からインデクサ部ＩＤに搬入される。そし
て、基板Ｗは、搬送ユニットＴＲにより、アドヒージョ
ン部ＡＨ、冷却処理部ＣＰ１、スピンコータＳＣ、加熱
処理部ＨＰ１またはＨＰ２、冷却処理部ＣＰ２へと順次
搬送される。アドヒージョン部ＡＨ、冷却処理部ＣＰ
１、スピンコータＳＣ、加熱処理部ＨＰ１、ＨＰ２およ
び冷却処理部ＣＰ２においては、先に処理が行われた基
板Ｗと次に搬送された基板Ｗとを順次交換することによ
り、それぞれの処理ユニットにおいて所定の処理が行わ
れ、基板Ｗの表面にレジストの薄膜が形成される。
の処理工程からインデクサ部ＩＤに搬入される。そし
て、基板Ｗは、搬送ユニットＴＲにより、アドヒージョ
ン部ＡＨ、冷却処理部ＣＰ１、スピンコータＳＣ、加熱
処理部ＨＰ１またはＨＰ２、冷却処理部ＣＰ２へと順次
搬送される。アドヒージョン部ＡＨ、冷却処理部ＣＰ
１、スピンコータＳＣ、加熱処理部ＨＰ１、ＨＰ２およ
び冷却処理部ＣＰ２においては、先に処理が行われた基
板Ｗと次に搬送された基板Ｗとを順次交換することによ
り、それぞれの処理ユニットにおいて所定の処理が行わ
れ、基板Ｗの表面にレジストの薄膜が形成される。
【００２９】その表面にレジストの薄膜が形成された基
板Ｗは、搬送ユニットＴＲからインターフェース部ＩＦ
に受け渡され、露光装置２へ搬入される。そして、露光
装置２において露光処理を完了した基板Ｗは、インター
フェース部ＩＦを介して搬送ユニットＴＲに受け渡され
る。
板Ｗは、搬送ユニットＴＲからインターフェース部ＩＦ
に受け渡され、露光装置２へ搬入される。そして、露光
装置２において露光処理を完了した基板Ｗは、インター
フェース部ＩＦを介して搬送ユニットＴＲに受け渡され
る。
【００３０】搬送ユニットＴＲに戻された基板Ｗは、ポ
スト・エクスポージャ・ベーク部ＰＥＢで加熱され、冷
却処理部ＣＰ３で冷却された後、スピンデベロッパＳＤ
１またはＳＤ２、加熱処理部ＨＰ３またはＨＰ４、冷却
処理部ＣＰ４へと順次搬送されることにより、それぞれ
の処理ユニットにおいて所定の処理が行われ、基板Ｗの
表面に所望のパターンのレジスト膜が形成される。
スト・エクスポージャ・ベーク部ＰＥＢで加熱され、冷
却処理部ＣＰ３で冷却された後、スピンデベロッパＳＤ
１またはＳＤ２、加熱処理部ＨＰ３またはＨＰ４、冷却
処理部ＣＰ４へと順次搬送されることにより、それぞれ
の処理ユニットにおいて所定の処理が行われ、基板Ｗの
表面に所望のパターンのレジスト膜が形成される。
【００３１】その表面に所望のパターンのレジスト膜が
形成された基板Ｗは、搬送ユニットＴＲにより、インデ
クサ部ＩＤのカセット内に収納される。
形成された基板Ｗは、搬送ユニットＴＲにより、インデ
クサ部ＩＤのカセット内に収納される。
【００３２】次に、上述した基板処理装置１において使
用するレジストの種類が変更された場合に、このレジス
トに適した基板の回転速度を測定する測定工程について
説明する。
用するレジストの種類が変更された場合に、このレジス
トに適した基板の回転速度を測定する測定工程について
説明する。
【００３３】上述した基板処理装置１において使用する
レジストの種類が変更された場合には、測定に使用する
ための基板Ｗを上述した一般的な処理工程と同様の工程
によりスピンコータＳＣに搬入する。そして、スピンチ
ャック１１を所定の回転速度で回転させながらこの基板
Ｗの表面にレジストを供給し、基板Ｗの表面にレジスト
の薄膜を形成する。しかる後、この基板Ｗの表面に形成
されたレジストの薄膜の膜厚を、スピンコータＳＣに内
蔵された膜厚測定ユニットＴＭにより測定する。なお、
測定に使用するための基板Ｗを上述した一般的な処理工
程と同様の工程によりスピンコータＳＣに搬入するかわ
りに、この基板Ｗを直接スピンコータＳＣに搬入するよ
うにしてもよい。
レジストの種類が変更された場合には、測定に使用する
ための基板Ｗを上述した一般的な処理工程と同様の工程
によりスピンコータＳＣに搬入する。そして、スピンチ
ャック１１を所定の回転速度で回転させながらこの基板
Ｗの表面にレジストを供給し、基板Ｗの表面にレジスト
の薄膜を形成する。しかる後、この基板Ｗの表面に形成
されたレジストの薄膜の膜厚を、スピンコータＳＣに内
蔵された膜厚測定ユニットＴＭにより測定する。なお、
測定に使用するための基板Ｗを上述した一般的な処理工
程と同様の工程によりスピンコータＳＣに搬入するかわ
りに、この基板Ｗを直接スピンコータＳＣに搬入するよ
うにしてもよい。
【００３４】続いて、次の測定に使用するための基板Ｗ
をスピンコータＳＣに搬入する。そして、スピンチャッ
ク１１を、先の回転速度とは異なる回転速度で回転させ
ながらこの基板Ｗの表面にレジストを供給し、基板Ｗの
表面にレジストの薄膜を形成する。しかる後、この基板
Ｗの表面に形成されたレジストの薄膜の膜厚を、スピン
コータＳＣに内蔵された膜厚測定ユニットＴＭにより測
定する。
をスピンコータＳＣに搬入する。そして、スピンチャッ
ク１１を、先の回転速度とは異なる回転速度で回転させ
ながらこの基板Ｗの表面にレジストを供給し、基板Ｗの
表面にレジストの薄膜を形成する。しかる後、この基板
Ｗの表面に形成されたレジストの薄膜の膜厚を、スピン
コータＳＣに内蔵された膜厚測定ユニットＴＭにより測
定する。
【００３５】以上の動作を、スピンチャック１１の回転
数を例えば１００ｒｐｍ程度、順次異ならせた状態で複
数回繰り返す。そして、膜厚測定ユニットＴＭにより測
定したレジストの膜厚が、基板Ｗの中央部、すなわち、
スピンチャック１１の回転中心に対応する位置から基板
Ｗの端縁部分に亘って最も均一になる回転速度を求め、
この回転速度をこのレジストに対する最適回転速度と判
断する。
数を例えば１００ｒｐｍ程度、順次異ならせた状態で複
数回繰り返す。そして、膜厚測定ユニットＴＭにより測
定したレジストの膜厚が、基板Ｗの中央部、すなわち、
スピンチャック１１の回転中心に対応する位置から基板
Ｗの端縁部分に亘って最も均一になる回転速度を求め、
この回転速度をこのレジストに対する最適回転速度と判
断する。
【００３６】そして、このレジストを使用して基板Ｗを
処理する一般的な処理工程においては、スピンチャック
１１をこの最適回転速度で回転させた状態で、レジスト
の塗布処理を実行する。
処理する一般的な処理工程においては、スピンチャック
１１をこの最適回転速度で回転させた状態で、レジスト
の塗布処理を実行する。
【００３７】なお、上述した膜厚測定ユニットＴＭにお
いては、ＣＣＤカメラ６により基板Ｗの表面全域のエリ
アを一括して撮像することが可能となっていることか
ら、基板Ｗの表面の必要領域におけるレジストの膜厚を
一度に測定することにより、そのレジストに適した基板
Ｗの回転速度を迅速に決定することが可能となる。
いては、ＣＣＤカメラ６により基板Ｗの表面全域のエリ
アを一括して撮像することが可能となっていることか
ら、基板Ｗの表面の必要領域におけるレジストの膜厚を
一度に測定することにより、そのレジストに適した基板
Ｗの回転速度を迅速に決定することが可能となる。
【００３８】ただし、このレジストの膜厚は、基板Ｗの
中央部、すなわち、スピンチャック１１の回転中心に対
応する位置から基板Ｗの端縁部分に亘って測定されれば
よいことから、膜厚測定ユニットＴＭは、少なくとも基
板Ｗの表面のスピンチャック１１による回転中心に対応
する位置と基板Ｗの端縁部分とに亘るエリアにおけるレ
ジストの薄膜の膜厚を一括して測定しうる構成であれば
よい。
中央部、すなわち、スピンチャック１１の回転中心に対
応する位置から基板Ｗの端縁部分に亘って測定されれば
よいことから、膜厚測定ユニットＴＭは、少なくとも基
板Ｗの表面のスピンチャック１１による回転中心に対応
する位置と基板Ｗの端縁部分とに亘るエリアにおけるレ
ジストの薄膜の膜厚を一括して測定しうる構成であれば
よい。
【００３９】なお、レジストの薄膜の膜厚を一括して測
定するエリアは、上記したものに限らず基板面内の膜厚
の均一性を判断するのに必要なエリアであればよく、そ
れに応じて膜厚測定ユニットＴＭを構成すればよい。
定するエリアは、上記したものに限らず基板面内の膜厚
の均一性を判断するのに必要なエリアであればよく、そ
れに応じて膜厚測定ユニットＴＭを構成すればよい。
【００４０】次に、この発明の他の実施の形態を図面に
基づいて説明する。図３は、この発明の第２実施形態に
係る基板処理装置１を、露光装置２とともに示す平面概
要図である。また、図４は、この第２実施形態に係る基
板処理装置における膜厚測定ユニットＴＭの側面図であ
る。なお、図１および図２に示す第１実施形態と同一の
部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略
する。
基づいて説明する。図３は、この発明の第２実施形態に
係る基板処理装置１を、露光装置２とともに示す平面概
要図である。また、図４は、この第２実施形態に係る基
板処理装置における膜厚測定ユニットＴＭの側面図であ
る。なお、図１および図２に示す第１実施形態と同一の
部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略
する。
【００４１】上述した第１実施形態に係る基板処理装置
においては、スピンコータＳＣ内に膜厚測定ユニットＴ
Ｍを内蔵した構成を有するが、この第２実施形態に係る
基板処理装置においては、膜厚測定ユニットをスピンコ
ータＳＣとは別の位置に配置し、スピンコータＳＣによ
りレジストの薄膜が形成された基板Ｗを、搬送ユニット
ＴＲにより、スピンコータＳＣから膜厚測定ユニットＴ
Ｍに搬送するようにした点が、上述した第１実施形態と
異なる。
においては、スピンコータＳＣ内に膜厚測定ユニットＴ
Ｍを内蔵した構成を有するが、この第２実施形態に係る
基板処理装置においては、膜厚測定ユニットをスピンコ
ータＳＣとは別の位置に配置し、スピンコータＳＣによ
りレジストの薄膜が形成された基板Ｗを、搬送ユニット
ＴＲにより、スピンコータＳＣから膜厚測定ユニットＴ
Ｍに搬送するようにした点が、上述した第１実施形態と
異なる。
【００４２】すなわち、この第２実施形態においては、
図３に示すように、膜厚測定ユニットＴＭは熱処理部４
とインターフェース部ＩＦとの間の位置に配置されてい
る。そして、この膜厚測定ユニットＴＭにおいては、搬
送ユニットＴＲにより搬送され、テーブル１４上に載置
された基板Ｗの膜厚を測定する構成を有する。
図３に示すように、膜厚測定ユニットＴＭは熱処理部４
とインターフェース部ＩＦとの間の位置に配置されてい
る。そして、この膜厚測定ユニットＴＭにおいては、搬
送ユニットＴＲにより搬送され、テーブル１４上に載置
された基板Ｗの膜厚を測定する構成を有する。
【００４３】この第２実施形態に係る基板処理装置にお
いても、第１実施形態に係る基板処理装置と同様、使用
するレジストに適した基板Ｗの回転速度を迅速に決定す
ることが可能となる。
いても、第１実施形態に係る基板処理装置と同様、使用
するレジストに適した基板Ｗの回転速度を迅速に決定す
ることが可能となる。
【００４４】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、基板の
表面に薬液の薄膜を形成する回転式薬液塗布ユニット
と、薬液塗布ユニットにおいて基板の表面に形成された
薬液の膜厚を基板の表面の所定エリアにおいて一括して
測定する膜厚測定手段とを備えたことから、基板に供給
すべき薬液の種類が変更された場合においても、その薬
液に適した基板の回転速度を容易に決定することがで
き、基板の表面に均一な薬液の薄膜を形成することが可
能となる。
表面に薬液の薄膜を形成する回転式薬液塗布ユニット
と、薬液塗布ユニットにおいて基板の表面に形成された
薬液の膜厚を基板の表面の所定エリアにおいて一括して
測定する膜厚測定手段とを備えたことから、基板に供給
すべき薬液の種類が変更された場合においても、その薬
液に適した基板の回転速度を容易に決定することがで
き、基板の表面に均一な薬液の薄膜を形成することが可
能となる。
【００４５】請求項２に記載の発明によれば、膜厚測定
ユニットが、少なくとも、基板表面のスピンチャックに
よる回転中心に対応する位置と基板の端縁部分とに亘る
エリアにおける薬液の膜厚を一括して測定することか
ら、必要な測定領域を一度に測定することができ、薬液
に適した基板の回転速度を迅速に決定することが可能と
なる。
ユニットが、少なくとも、基板表面のスピンチャックに
よる回転中心に対応する位置と基板の端縁部分とに亘る
エリアにおける薬液の膜厚を一括して測定することか
ら、必要な測定領域を一度に測定することができ、薬液
に適した基板の回転速度を迅速に決定することが可能と
なる。
【００４６】請求項３に記載の発明によれば、膜厚測定
手段が、回転式薬液塗布ユニット内においてスピンチャ
ックに基板を保持した状態で基板の表面に形成された薬
液の膜厚を測定することから、薬液を塗布した直後に薬
液の膜厚を測定することが可能となる。
手段が、回転式薬液塗布ユニット内においてスピンチャ
ックに基板を保持した状態で基板の表面に形成された薬
液の膜厚を測定することから、薬液を塗布した直後に薬
液の膜厚を測定することが可能となる。
【００４７】請求項４に記載の発明によれば、膜厚測定
手段が回転式薬液塗布ユニットとは別の位置に配設され
ており、回転式薬液塗布ユニットにより薬液の薄膜が形
成された基板は基板搬送機構により膜厚測定手段に搬送
されることから、通常の基板の処理と並行して薬液の膜
厚を測定することが可能となる。
手段が回転式薬液塗布ユニットとは別の位置に配設され
ており、回転式薬液塗布ユニットにより薬液の薄膜が形
成された基板は基板搬送機構により膜厚測定手段に搬送
されることから、通常の基板の処理と並行して薬液の膜
厚を測定することが可能となる。
【００４８】請求項５に記載の発明によれば、膜厚測定
手段は、白色光を出射する光源部と、２次元に配列され
た複数の受光素子からなる受光手段と、光源部から出射
された光を基板に導くとともに、基板表面において反射
した光を受光手段に導く光学系と、互いに異なる波長の
光のみを透過する複数のフィルタを有し、この複数のフ
ィルタを光学系における光路中に選択的に配置するフィ
ルタ切替手段と、フィルタの切替に対応して受光手段か
らの信号を取得し、この信号に基づいて薬液の膜厚を求
める処理部とを備えることから、基板の表面における広
い領域の薬液の膜厚を一括して測定することが可能とな
る。
手段は、白色光を出射する光源部と、２次元に配列され
た複数の受光素子からなる受光手段と、光源部から出射
された光を基板に導くとともに、基板表面において反射
した光を受光手段に導く光学系と、互いに異なる波長の
光のみを透過する複数のフィルタを有し、この複数のフ
ィルタを光学系における光路中に選択的に配置するフィ
ルタ切替手段と、フィルタの切替に対応して受光手段か
らの信号を取得し、この信号に基づいて薬液の膜厚を求
める処理部とを備えることから、基板の表面における広
い領域の薬液の膜厚を一括して測定することが可能とな
る。
【図１】この発明の第１実施形態に係る基板処理装置１
を、露光装置２とともに示す平面概要図である。
を、露光装置２とともに示す平面概要図である。
【図２】スピンコータＳＣをスピンコータＳＣ内に配設
された膜厚測定ユニットＴＭとともに示す側面図であ
る。
された膜厚測定ユニットＴＭとともに示す側面図であ
る。
【図３】この発明の第２実施形態に係る基板処理装置１
を、露光装置２とともに示す平面概要図である。
を、露光装置２とともに示す平面概要図である。
【図４】膜厚測定ユニットＴＭの側面図である。
１ 基板処理装置 ２ 露光装置 ３ 薬液処理部 ４ 熱処理部 ５ 光源部 ６ ＣＣＤカメラ ７ 光学系 ８ フィルタ切替手段 ９ 処理部 １１ スピンチャック １２ レジスト供給ノズル １３ フィルタ ＳＣ スピンコータ ＴＭ 膜厚測定ユニット ＴＲ 搬送ユニット Ｗ 基板
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を保持して回転するスピンチャック
と、前記スピンチャックに保持された基板の表面に薬液
を供給するための薬液供給ノズルとを有し、基板の表面
に薬液の薄膜を形成する回転式薬液塗布ユニットと、 前記薬液塗布ユニットにおいて基板の表面に形成された
薬液の膜厚を、基板の表面の所定エリアにおいて一括し
て測定する膜厚測定手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記膜厚測定手段は、少なくとも、基板表面の前記スピ
ンチャックによる回転中心に対応する位置と基板の端縁
部分とに亘るエリアにおける薬液の膜厚を一括して測定
する基板処理装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２いずれかに記載
の基板処理装置において、 前記膜厚測定手段は、前記回転式薬液塗布ユニット内に
おいて、前記スピンチャックに基板を保持した状態で、
この基板の表面に形成された薬液の膜厚を測定する基板
処理装置。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２いずれかに記載
の基板処理装置において、 前記膜厚測定手段は、前記回転式薬液塗布ユニットとは
別の位置に配設されており、前記回転式薬液塗布ユニッ
トにより薬液の薄膜が形成された基板は、基板搬送機構
により、前記膜厚測定手段に搬送される基板処理装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項４いずれかに記載の
基板処理装置において、 前記膜厚測定手段は、 白色光を出射する光源部と、 ２次元に配列された複数の受光素子からなる受光手段
と、 前記光源部から出射された光を前記基板に導くととも
に、前記基板表面において反射した光を前記受光手段に
導く光学系と、 基板の表面に形成された薬液の薄膜を感光させない互い
に異なる波長の光のみを透過する複数のフィルタを有
し、この複数のフィルタを前記光学系における光路中に
選択的に配置するフィルタ切替手段と、 前記フィルタの切替に対応して前記受光手段からの信号
を取得し、この信号に基づいて前記薬液の膜厚を求める
処理部と、 を備える基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15846698A JPH11340134A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15846698A JPH11340134A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340134A true JPH11340134A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15672366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15846698A Pending JPH11340134A (ja) | 1998-05-22 | 1998-05-22 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340134A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002071152A3 (en) * | 2001-02-23 | 2002-12-27 | Advanced Micro Devices Inc | Method of controlling the thickness of layers of photoresist |
| US7041434B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-05-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Technique for enhancing accuracy of critical dimensions of a gate electrode by using characteristics of an ARC layer |
| USRE39518E1 (en) | 1997-05-28 | 2007-03-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Run to run control process for controlling critical dimensions |
| US7737021B1 (en) | 2000-12-06 | 2010-06-15 | Globalfoundries Inc. | Resist trim process to define small openings in dielectric layers |
| KR101173124B1 (ko) * | 2010-07-01 | 2012-08-14 | 주식회사 엔티에스 | 기판 본딩 장치 및 기판 본딩 장치와 기판 연마 장치를 포함하는 기판 가공 장치 |
-
1998
- 1998-05-22 JP JP15846698A patent/JPH11340134A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE39518E1 (en) | 1997-05-28 | 2007-03-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Run to run control process for controlling critical dimensions |
| US7737021B1 (en) | 2000-12-06 | 2010-06-15 | Globalfoundries Inc. | Resist trim process to define small openings in dielectric layers |
| WO2002071152A3 (en) * | 2001-02-23 | 2002-12-27 | Advanced Micro Devices Inc | Method of controlling the thickness of layers of photoresist |
| US7041434B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-05-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Technique for enhancing accuracy of critical dimensions of a gate electrode by using characteristics of an ARC layer |
| KR101173124B1 (ko) * | 2010-07-01 | 2012-08-14 | 주식회사 엔티에스 | 기판 본딩 장치 및 기판 본딩 장치와 기판 연마 장치를 포함하는 기판 가공 장치 |
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