JP2884927B2 - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JP2884927B2 JP2884927B2 JP19543792A JP19543792A JP2884927B2 JP 2884927 B2 JP2884927 B2 JP 2884927B2 JP 19543792 A JP19543792 A JP 19543792A JP 19543792 A JP19543792 A JP 19543792A JP 2884927 B2 JP2884927 B2 JP 2884927B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- resist
- photoresist
- back surface
- hot plate
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造におけるレ
ジスト塗布処理に利用する。本発明は、半導体基板裏面
に付着したレジストが剥離して再付着することを防止で
きるレジスト塗布装置に関する。
ジスト塗布処理に利用する。本発明は、半導体基板裏面
に付着したレジストが剥離して再付着することを防止で
きるレジスト塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のレジスト塗布装置は図３
に示すように、カップ１内に取り付けられているスピン
ナーチャック２に半導体基板３を真空チャックなどによ
り保持し、フォトレジストをノズル４より半導体基板３
上に滴下しモータ５により半導体基板を保持したスピン
ナーチャック２を高速回転させて所望の塗布膜厚を形成
している。この所望の塗布膜厚に塗布された半導体基板
はホットプレート６上に搬送用ツメ７、あるいはベルト
コンベアなどにより搬送されベーキングが行われてい
る。
に示すように、カップ１内に取り付けられているスピン
ナーチャック２に半導体基板３を真空チャックなどによ
り保持し、フォトレジストをノズル４より半導体基板３
上に滴下しモータ５により半導体基板を保持したスピン
ナーチャック２を高速回転させて所望の塗布膜厚を形成
している。この所望の塗布膜厚に塗布された半導体基板
はホットプレート６上に搬送用ツメ７、あるいはベルト
コンベアなどにより搬送されベーキングが行われてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来装置に
よる塗布処理では、レジストが半導体基板の表面に塗布
されるばかりでなく、半導体基板の裏面にもまわり込み
付着していた。一般に半導体基板の裏面に付着したレジ
ストは後工程の現像処理あるいはエッチング処理中に剥
離し易く、半導体基板表面に再付着する問題があった。
よる塗布処理では、レジストが半導体基板の表面に塗布
されるばかりでなく、半導体基板の裏面にもまわり込み
付着していた。一般に半導体基板の裏面に付着したレジ
ストは後工程の現像処理あるいはエッチング処理中に剥
離し易く、半導体基板表面に再付着する問題があった。
【０００４】図４はレジストを半導体基板にスピンコー
トした後の半導体基板の断面を示したもので、このよう
にレジストを半導体基板３に滴下してスピンナーチャッ
ク２により高速回転を与えるとレジスト９は半導体基板
裏面１０にまわり込み付着する。
トした後の半導体基板の断面を示したもので、このよう
にレジストを半導体基板３に滴下してスピンナーチャッ
ク２により高速回転を与えるとレジスト９は半導体基板
裏面１０にまわり込み付着する。
【０００５】本発明はこのような問題を解決するもの
で、半導体基板裏面に付着したレジストを現像処理時に
溶解させ除去することができる装置を提供することを目
的とする。
で、半導体基板裏面に付着したレジストを現像処理時に
溶解させ除去することができる装置を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板表
面にフォトレジストを滴下するノズルと、カップ内に設
けられ半導体基板を載置するスピンナーチャックと、こ
のスピンナーチャックに高速回転を与えるモータと、半
導体基板を保持し搬送する搬送用ツメと、搬送された半
導体基板を載置しベーキングを行うホットプレートと、
このホットプレートを加熱するヒートブロックとを備え
たレジスト塗布装置において、ベーキングが完了した半
導体基板裏面にフォトレジストが感光する波長の光を照
射する照射手段を備えたことを特徴とする。
面にフォトレジストを滴下するノズルと、カップ内に設
けられ半導体基板を載置するスピンナーチャックと、こ
のスピンナーチャックに高速回転を与えるモータと、半
導体基板を保持し搬送する搬送用ツメと、搬送された半
導体基板を載置しベーキングを行うホットプレートと、
このホットプレートを加熱するヒートブロックとを備え
たレジスト塗布装置において、ベーキングが完了した半
導体基板裏面にフォトレジストが感光する波長の光を照
射する照射手段を備えたことを特徴とする。
【０００７】前記照射手段は、光源、シャッタ、および
集光レンズにより構成することができ、または、前記照
射手段は、前記光源、前記シャッタ、および前記集光レ
ンズがスリットを有する筐体に内設され、この筐体はモ
ータによりベルトを介して回転し前記スリットからの照
射光が半導体基板裏面をスキャンするように構成するこ
とができる。
集光レンズにより構成することができ、または、前記照
射手段は、前記光源、前記シャッタ、および前記集光レ
ンズがスリットを有する筐体に内設され、この筐体はモ
ータによりベルトを介して回転し前記スリットからの照
射光が半導体基板裏面をスキャンするように構成するこ
とができる。
【０００８】
【作用】マスクプレートおよびウェハーにより構成され
た半導体基板にフォトレジストを滴下し、半導体基板を
高速回転してレジスト塗布膜を形成し、ホットプレート
上でフォトレジストをベーキングする工程でフォトレジ
ストのベーキングが完了したときに、半導体基板裏面に
均一にフォトレジストが感光する波長の光を照射して付
着したフォトレジストを光によって感光させ、現像処理
工程で裏面のフォトレジストを溶解して除去する。
た半導体基板にフォトレジストを滴下し、半導体基板を
高速回転してレジスト塗布膜を形成し、ホットプレート
上でフォトレジストをベーキングする工程でフォトレジ
ストのベーキングが完了したときに、半導体基板裏面に
均一にフォトレジストが感光する波長の光を照射して付
着したフォトレジストを光によって感光させ、現像処理
工程で裏面のフォトレジストを溶解して除去する。
【０００９】これにより、半導体基板の裏面に付着した
レジストが現像処理あるいはエッチング処理によって剥
離し、半導体基板表面に再付着することを防ぐことがで
きる。
レジストが現像処理あるいはエッチング処理によって剥
離し、半導体基板表面に再付着することを防ぐことがで
きる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
【００１１】（第一実施例）図１は本発明第一実施例の
要部の構成を示す側面図である。
要部の構成を示す側面図である。
【００１２】本発明第一実施例は、半導体基板３の表面
にフォトレジストを滴下するノズル４と、カップ１内に
設けられ半導体基板３を載置するスピンナーチャック２
と、このスピンナーチャック２に高速回転を与えるモー
タ５と、半導体基板３を保持し搬送する搬送用ツメ７
と、搬送された半導体基板３を載置しベーキングを行う
ホットプレート６と、このホットプレート６を加熱する
ヒートブロック８とを備え、さらに本発明の特徴とし
て、ベーキングが完了した半導体基板３の裏面にフォト
レジストが感光する波長の光を照射する照射手段２１
と、照射する時間を制御する制御手段２０とを備える。
照射手段２１は、光源１２、シャッタ１４、および集光
レンズ１３により構成される。
にフォトレジストを滴下するノズル４と、カップ１内に
設けられ半導体基板３を載置するスピンナーチャック２
と、このスピンナーチャック２に高速回転を与えるモー
タ５と、半導体基板３を保持し搬送する搬送用ツメ７
と、搬送された半導体基板３を載置しベーキングを行う
ホットプレート６と、このホットプレート６を加熱する
ヒートブロック８とを備え、さらに本発明の特徴とし
て、ベーキングが完了した半導体基板３の裏面にフォト
レジストが感光する波長の光を照射する照射手段２１
と、照射する時間を制御する制御手段２０とを備える。
照射手段２１は、光源１２、シャッタ１４、および集光
レンズ１３により構成される。
【００１３】次に、このように構成された本発明第一実
施例の動作を図１を参照して説明する。
施例の動作を図１を参照して説明する。
【００１４】カップ１内に取り付けられているスピンナ
ーチャック２に半導体基板３を真空チャックなどにより
保持し、フォトレジストをノズル４から半導体基板３上
に滴下してモータ５により半導体基板３を保持したスピ
ンナーチャック２を高速回転させることにより所望の塗
布膜厚が得られる。
ーチャック２に半導体基板３を真空チャックなどにより
保持し、フォトレジストをノズル４から半導体基板３上
に滴下してモータ５により半導体基板３を保持したスピ
ンナーチャック２を高速回転させることにより所望の塗
布膜厚が得られる。
【００１５】この塗布された半導体基板３はベーキング
するためにホットプレート６上に搬送される。ホットプ
レート６はヒートブロック８によって所定の温度まで加
熱されている。ホットプレート６のステージ数は複数個
所設けられることがある。ホットプレート６上に移動し
た半導体基板３は、搬送用ツメ７を介してホットプレー
ト６上を移動し所定の時間ベーキングが行われる。
するためにホットプレート６上に搬送される。ホットプ
レート６はヒートブロック８によって所定の温度まで加
熱されている。ホットプレート６のステージ数は複数個
所設けられることがある。ホットプレート６上に移動し
た半導体基板３は、搬送用ツメ７を介してホットプレー
ト６上を移動し所定の時間ベーキングが行われる。
【００１６】ベーキングが完了した半導体基板３は露光
ステージ１１に移動し、フォトレジストが感光する波長
の光で露光される。露光エネルギは６０〜８０ｍｊが望
ましく、その露光エネルギが光源１２より集光レンズ１
３を通してベーキングされた半導体基板３に均一に照射
される。照射時間は制御手段２０が動作させるシャッタ
１４によって制御される。露光ステージ１１は石英など
の遠紫外線領域の光を透過できる材料により構成されて
いる。
ステージ１１に移動し、フォトレジストが感光する波長
の光で露光される。露光エネルギは６０〜８０ｍｊが望
ましく、その露光エネルギが光源１２より集光レンズ１
３を通してベーキングされた半導体基板３に均一に照射
される。照射時間は制御手段２０が動作させるシャッタ
１４によって制御される。露光ステージ１１は石英など
の遠紫外線領域の光を透過できる材料により構成されて
いる。
【００１７】（第二実施例）第二実施例は、照射手段２
１′が光源１２、シャッタ１４、および集光レンズ１３
を備え、これらをスリット１５を有する筐体２２に内設
し、この筐体２２がモータ１７によりベルト１６を介し
て回転しスリット１５からの照射光が半導体基板３の裏
面をスキャンするように構成される。
１′が光源１２、シャッタ１４、および集光レンズ１３
を備え、これらをスリット１５を有する筐体２２に内設
し、この筐体２２がモータ１７によりベルト１６を介し
て回転しスリット１５からの照射光が半導体基板３の裏
面をスキャンするように構成される。
【００１８】次に、このように構成された本発明第二実
施例の動作を図２を参照して説明する。
施例の動作を図２を参照して説明する。
【００１９】本第二実施例も第一実施例同様に、まず、
カップ１内に取り付けられているスピンナーチャック２
に半導体基板３を真空チャックなどにより保持し、フォ
トレジストをノズル４から半導体基板３上に滴下し、モ
ータ５により半導体基板３を保持したスピンナーチャッ
ク２を高速回転させることにより所望の塗布膜厚が得ら
れる。
カップ１内に取り付けられているスピンナーチャック２
に半導体基板３を真空チャックなどにより保持し、フォ
トレジストをノズル４から半導体基板３上に滴下し、モ
ータ５により半導体基板３を保持したスピンナーチャッ
ク２を高速回転させることにより所望の塗布膜厚が得ら
れる。
【００２０】この塗布した半導体基板３はベーキングす
るためホットプレート６上に搬送用ツメ７によって搬送
される。ホットプレート６はヒートブロック８によって
所定の温度まで加熱されている。ホットプレート６上に
移動した半導体基板３は所定の時間ベーキングされて移
動する。
るためホットプレート６上に搬送用ツメ７によって搬送
される。ホットプレート６はヒートブロック８によって
所定の温度まで加熱されている。ホットプレート６上に
移動した半導体基板３は所定の時間ベーキングされて移
動する。
【００２１】ベーキングが完了した半導体基板３は露光
ステージ１１に移動し、フォトレジストが感光する波長
の光で露光される。露光は光源１２より集光レンズ１３
およびスリット１５を通して照射光によって行われる。
スリット１５と光源１２とは一体型に形成されており、
フォトレジストをスピンコートした半導体基板３の裏面
をスキャンできるように、ベルト１６を介してモータ１
７が備えられている。照射時間およびスキャン動作は制
御手段２０が動作させるシャッタ１４およびモータ１７
によって制御される。露光ステージ１１は第一実施例同
様に、石英などの遠紫外領域まで透過できる材料により
構成されている。
ステージ１１に移動し、フォトレジストが感光する波長
の光で露光される。露光は光源１２より集光レンズ１３
およびスリット１５を通して照射光によって行われる。
スリット１５と光源１２とは一体型に形成されており、
フォトレジストをスピンコートした半導体基板３の裏面
をスキャンできるように、ベルト１６を介してモータ１
７が備えられている。照射時間およびスキャン動作は制
御手段２０が動作させるシャッタ１４およびモータ１７
によって制御される。露光ステージ１１は第一実施例同
様に、石英などの遠紫外領域まで透過できる材料により
構成されている。
【００２２】本第二実施例では、光源１２からスリット
１５を通しスキャンさせるために半導体基板裏面に照射
される光の分布を均一に制御することができ、露光ムラ
を防止することができる。
１５を通しスキャンさせるために半導体基板裏面に照射
される光の分布を均一に制御することができ、露光ムラ
を防止することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ジスト塗布処理においてレジスト塗布およびベーキング
された半導体基板裏面にフォトレジストが感光する波長
の光を均一に所定時間照射した後に現像液を噴射するこ
とにより、半導体基板裏面に付着したレジストを現像処
理時に溶解させて除去することができ、そのために半導
体基板裏面に付着したレジストが現像あるいはエッチン
グ処理中に剥離して半導体基板表面に再付着し欠陥とな
ることを防ぐことができる効果がある。
ジスト塗布処理においてレジスト塗布およびベーキング
された半導体基板裏面にフォトレジストが感光する波長
の光を均一に所定時間照射した後に現像液を噴射するこ
とにより、半導体基板裏面に付着したレジストを現像処
理時に溶解させて除去することができ、そのために半導
体基板裏面に付着したレジストが現像あるいはエッチン
グ処理中に剥離して半導体基板表面に再付着し欠陥とな
ることを防ぐことができる効果がある。
【図１】本発明第一実施例の要部の構成を示す側面図。
【図２】本発明第二実施例の要部の構成を示す側面図。
【図３】従来例の要部の構成を示す側面図。
【図４】従来例装置によりレジストをスピンコートした
半導体基板の状態を示す側面図。
半導体基板の状態を示す側面図。
１ カップ ２ スピンナーチャック ３ 半導体基板 ４ ノズル ５、１７ モータ ６ ホットプレート ７ 搬送用ツメ ８ ヒートブロック ９ レジスト １０ 半導体基板裏面 １１ 露光ステージ １２ 光源 １３ 集光レンズ １４ シャッタ １５ スリット １６ ベルト ２０ 制御手段 ２１、２１′ 照射手段 ２２ 筐体
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を保持し回転を与えるスピン
ナーチャックと、半導体基板にレジストを滴下するノズルと、 表面にレジストが滴下され回転が与えられレジストが所
望の塗布膜厚となった直後の 半導体基板を載置しべーキ
ングを行うホットプレートと、ベーキング直後の 半導体基板裏面にレジストが感光する
波長の光を照射する照射手段とを備えたことを特徴とす
るレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19543792A JP2884927B2 (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19543792A JP2884927B2 (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | レジスト塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645241A JPH0645241A (ja) | 1994-02-18 |
| JP2884927B2 true JP2884927B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=16341050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19543792A Expired - Lifetime JP2884927B2 (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884927B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5145654B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2013-02-20 | 日本電気株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP19543792A patent/JP2884927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0645241A (ja) | 1994-02-18 |
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