JP2012227461A - 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
基板の保持部と、基板に塗布液を供給するノズルと、基板全体に塗布膜を形成するために、前記ノズルに対して保持部を相対的に移動させる移動機構と、前記保持部に保持された基板に向けて電磁波を照射し、当該塗布膜に含まれる分子が互いに結合する温度に前記塗布膜全体を加熱するための電磁波照射部と、を備えるように塗布装置を構成する。塗布膜の形成後、加熱処理を行うために基板を移動させる必要が無いので、処理に要する時間を短くし、スループットの向上を図ることができる。
【選択図】図1
Description
前記基板の表面に塗布液を供給するノズルと、
基板全体に塗布膜を形成するために、前記ノズルに対して保持部を相対的に移動させる移動機構と、
前記保持部に保持された基板に向けて電磁波を照射し、当該塗布膜に含まれる分子が互いに結合する温度に前記塗布膜全体を加熱するための電磁波照射部と、
を備えたことを特徴とする。
(1)前記移動機構は、基板の中心部に供給された塗布液を基板の周縁部へ遠心力により広げるために前記保持部を鉛直な軸回りに回転させる回転機構である。
(2)前記電磁波照射部は、回転する基板の径方向に異なる位置を加熱するように電磁波を照射する。
(3)前記電磁波照射部は、回転する基板の径方向に異なる位置に互いに独立した強度で電磁波を照射できるように構成され、
塗布液の種類及び基板の回転速度の推移パターンを含む複数の処理レシピと、基板の径方向における照射強度の比率を特定する複数のデータとの対応関係を記憶した記憶部と、
前記処理レシピを設定するための設定部と、
前記設定部により設定された処理レシピと、前記対応関係とに基づいて、前記径方向における電磁波の照射強度の比率を制御するように制御信号を出力する制御部と、
が設けられる。
(4)前記電磁波照射部は、塗布膜の形成後に基板を回転させながら当該基板を第1の温度で加熱するために第1の照射強度で電磁波を照射し、然る後、基板を回転させながら基板を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱するために第2の照射強度で電磁波を照射することを特徴とする。
(5)前記電磁波照射部は、発光ダイオードである。
保持部により基板を水平に保持する工程と、
ノズルにより前記基板の表面に塗布液を供給する工程と、
移動機構により前記ノズルに対して保持部を相対的に移動させて基板全体に塗布膜を形成する工程と、
電磁波照射部により、前記保持部に保持された基板に向けて電磁波を照射し、当該塗布膜に含まれる分子が互いに結合する温度に前記塗布膜全体を加熱する工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の塗布方法を実施するためのものであることを特徴とする。
1 レジスト塗布装置
21 スピンチャック
31 裏面側加熱部
32 LED
41 裏面側加熱部
42 LED
51A レジスト液ノズル
6 制御部
Claims (12)
- 基板を水平に保持する保持部と、
前記基板の表面に塗布液を供給するノズルと、
基板全体に塗布膜を形成するために、前記ノズルに対して保持部を相対的に移動させる移動機構と、
前記保持部に保持された基板に向けて電磁波を照射し、当該塗布膜に含まれる分子が互いに結合する温度に前記塗布膜全体を加熱するための電磁波照射部と、
を備えたことを特徴とする塗布装置。 - 前記移動機構は、基板の中心部に供給された塗布液を基板の周縁部へ遠心力により広げるために、前記保持部を鉛直な軸回りに回転させる回転機構であることを特徴とする請求項1記載の塗布装置。
- 前記電磁波照射部は、回転する基板の径方向に異なる位置を加熱するように電磁波を照射することを特徴とする請求項2記載の塗布装置。
- 前記電磁波照射部は、回転する基板の径方向に異なる位置に互いに独立した強度で電磁波を照射できるように構成され、
塗布液の種類及び基板の回転速度の推移パターンを含む複数の処理レシピと、基板の径方向における照射強度の比率を特定する複数のデータとの対応関係を記憶した記憶部と、
前記処理レシピを設定するための設定部と、
前記設定部により設定された処理レシピと、前記対応関係とに基づいて、前記径方向における電磁波の照射強度の比率を制御するように制御信号を出力する制御部と、
が設けられることを特徴とする請求項3記載の塗布装置。 - 前記電磁波照射部は、塗布膜の形成後に基板を回転させながら当該基板を第1の温度で加熱するために第1の照射強度で電磁波を照射し、然る後、基板を回転させながら基板を前記第1の温度よりも高い第2の温度で加熱するために第2の照射強度で電磁波を照射することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一つに記載の塗布装置。
- 前記電磁波照射部は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の塗布装置。
- 保持部により基板を水平に保持する工程と、
ノズルにより前記基板の表面に塗布液を供給する工程と、
移動機構により前記ノズルに対して保持部を相対的に移動させて基板全体に塗布膜を形成する工程と、
電磁波照射部により、前記保持部に保持された基板に向けて電磁波を照射し、当該塗布膜に含まれる分子が互いに結合する温度に前記塗布膜全体を加熱する工程と、
を備えたことを特徴とする塗布方法。 - 前記塗布膜を形成する工程は、
基板の中心部に供給された塗布液を基板の周縁部へ遠心力により広げるために前記保持部を鉛直な軸回りに回転させる工程を含むことを特徴とする請求項7記載の塗布方法。 - 前記塗布膜全体を加熱する工程は、
回転する基板の径方向に異なる領域に電磁波を照射する工程を含むことを特徴とする請求項8記載の塗布方法。 - 前記塗布膜全体を加熱する工程は、
塗布液の種類及び基板の回転速度の推移パターンを含む処理レシピを設定する工程と、
予め記憶部に記憶された塗布液の種類及び基板の回転速度の推移パターンを含む複数の処理レシピと、基板の径方向における照射強度の比率を特定する複数のデータとの対応関係とに基づいて、設定した処理レシピに対応する前記照射強度の比率を決定する工程と、
決定した照射強度の比率で基板の径方向に異なる位置に各々電磁波を照射する工程と、
を含むことを特徴とする請求項9記載の塗布方法。 - 前記塗布膜全体を加熱する工程は、
塗布膜の形成後に基板を回転させながら当該基板を第1の温度で加熱する工程と、
次いで、基板を回転させながら、基板を第1の温度よりも高い第2の温度で加熱する工程と、
を含むことを特徴とする請求項8ないし10のいずれか一つに記載の塗布方法。 - 基板に対する塗布処理を行う塗布装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項7ないし11のいずれか一つに記載の塗布方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014110314A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非接触型ウエハ加熱ヒータ |
JP2014140003A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
JP2015062259A (ja) * | 2012-11-26 | 2015-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄システム |
JP2015115561A (ja) * | 2013-12-14 | 2015-06-22 | 木村 光照 | スピンコータ |
KR20200042036A (ko) * | 2018-10-12 | 2020-04-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2022159262A (ja) * | 2022-05-02 | 2022-10-17 | 中外炉工業株式会社 | 塗工部周縁処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62274722A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nec Corp | レジスト膜の形成方法 |
JP2001188357A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示素子用基板への樹脂膜形成法及び装置、並びに該方法を用いた液晶表示装置の製造方法 |
JP2002190446A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-07-05 | Tokyo Electron Ltd | レジストパターン形成装置及びその方法 |
JP2003279245A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-10-02 | Seiko Epson Corp | 塗布膜の乾燥方法及びその装置、デバイスの製造方法、デバイス |
JP2005322791A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、及び塗布装置 |
JP2010135508A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱装置、基板加熱方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61131529A (ja) | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Nec Corp | レジスト塗布方法 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62274722A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-28 | Nec Corp | レジスト膜の形成方法 |
JP2001188357A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示素子用基板への樹脂膜形成法及び装置、並びに該方法を用いた液晶表示装置の製造方法 |
JP2002190446A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-07-05 | Tokyo Electron Ltd | レジストパターン形成装置及びその方法 |
JP2003279245A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-10-02 | Seiko Epson Corp | 塗布膜の乾燥方法及びその装置、デバイスの製造方法、デバイス |
JP2005322791A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法、及び塗布装置 |
JP2010135508A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板加熱装置、基板加熱方法及び記憶媒体 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015062259A (ja) * | 2012-11-26 | 2015-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄システム |
JP2014110314A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 非接触型ウエハ加熱ヒータ |
JP2014140003A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体 |
JP2015115561A (ja) * | 2013-12-14 | 2015-06-22 | 木村 光照 | スピンコータ |
KR20200042036A (ko) * | 2018-10-12 | 2020-04-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102221692B1 (ko) * | 2018-10-12 | 2021-03-03 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2022159262A (ja) * | 2022-05-02 | 2022-10-17 | 中外炉工業株式会社 | 塗工部周縁処理装置 |
JP7220968B2 (ja) | 2022-05-02 | 2023-02-13 | 中外炉工業株式会社 | 塗工部周縁処理装置 |
WO2023214470A1 (ja) * | 2022-05-02 | 2023-11-09 | 中外炉工業株式会社 | 塗工部周縁処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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