JP2001188357A

JP2001188357A - 表示素子用基板への樹脂膜形成法及び装置、並びに該方法を用いた液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2001188357A
Application number: JP37333299A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Sakurai; 芳亘櫻井; Yoshio Iwai; 義夫岩井; Yasuhiko Yamanaka; 泰彦山中; Takashi Hirose; 貴司廣瀬; Junji Boshita; 純二坊下
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-12-28
Filing date: 1999-12-28
Publication date: 2001-07-10

Abstract

(57)【要約】【課題】プリベーク工程における乾燥ムラを抑制する
ことができる感光性樹脂膜の形成法を提供すること。【解決手段】基板に所定の膜厚で樹脂溶液を塗布し、
４０〜６５℃程度の低温で第１のプリベーキングを行っ
た後に、８０〜１３０℃程度の高温で第２のプリベーキ
ングを行うことにより、樹脂膜の乾燥ムラを抑制するこ
とができる。またさらに、上記第１のプリベーキング又
は第２のプリベーキングにおいて、加熱装置と基板の間
に空隙を設け、その空隙にイオン風を送出することによ
り、乾燥ムラの発生を抑制しながら、基板上に形成した
半導体素子の静電破壊を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種の表示素子用
基板への樹脂膜形成法に関し、さらに詳細には、表示素
子用基板に乾燥ムラを抑制しながら樹脂膜を形成する方
法及び装置、並びに該方法を用いた反射型液晶表示装置
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子用ＴＦＴ基板等の製造に際
しては、樹脂膜の均一な形成が重要な役割を果たす。例
えば、素子形成のためのフォトリソグラフィー工程にお
いてベーキング後のレジスト樹脂膜に乾燥ムラがある
と、レジストの露光及び現像時にパターン異常が発生し
易いため、素子の製造歩留まりを低下させ、完成品の機
能、品質にも好ましくない影響を与える。また、反射電
極の下地として平坦なもしくは微細な凹凸を有する樹脂
膜を形成した反射型液晶表示素子（以下反射型ＬＣＤ）
においては、樹脂膜の微妙な乾燥ムラが反射率ムラの原
因となり、パネルの表示品質に深刻な悪影響を与える。

【０００３】以下、反射型ＬＣＤの場合について詳細に
説明する。図１０は、反射型ＬＣＤの一例を示す概略断
面図である。図１０は、一画素分の領域を拡大して示し
ており、簡単のためハッチングを一部省略している。図
１０において、１は偏光フィルム、２は位相差フィル
ム、３はガラス基板、４はカラーフィルタ、５は透明電
極、７は液晶、８０は反射電極、１８０は感光性樹脂か
らなる層間絶縁膜、１６は無機保護膜、１５は薄膜トラ
ンジスタ（以下ＴＦＴ）、１０はガラス基板である。対
向基板３に貼り付けた偏光フィルム１及び位相差フィル
ム２を通過して入射した光を、液晶層７で変調し、反射
電極面８０で反射させ、再度偏光フィルム１及び位相差
フィルム２を通過させる。反射電極８０に電圧を印加し
て液晶層７による変調状態を制御することにより画像表
示を行うことができる。

【０００４】この反射型ＬＣＤは、反射率が高く電気抵
抗値の低いアルミニウム層を液晶セルの内部に形成し、
反射板の機能を兼ね備えた電極（反射電極）８０とした
ものである。また、反射電極８０の下地となる層間絶縁
膜１８０の表面に凹凸を形成することによって光散乱機
能を付与し、反射電極８０の拡散反射率を高めている。
反射電極８０は、層間絶縁膜１８０に設けられたコンタ
クトホール１７を通してＴＦＴ１５のドレイン電極１４
と電気的に接続されている。ＴＦＴ１５から反射電極８
０に電圧が印加され、反射電極８０は画素電極として液
晶７に電圧を印加する作用を行う。

【０００５】感光性樹脂からなる層間絶縁膜１８０は、
一般に次の方法により形成される。まず、ＴＦＴ素子１
５及び無機保護膜１６を形成した基板１０の上に、感光
性のアクリル系樹脂を数μｍの膜厚で塗布する。次にプ
リベークを行い、塗布された樹脂膜１８０の溶媒を蒸発
させる。図９は、プリベークを行うプリベーク装置の一
例を示す概略図である。ホットプレート２７の上に直接
基板１０を設置し、ホットプレート２７から加えた熱に
よって感光性樹脂膜１８０の溶媒を蒸発させる。加熱
は、９０℃で２分間程度行われる。蒸発した溶媒は、ホ
ットプレート２７の上方に設けた排気装置２５から排気
される。また、ＴＦＴ１５の静電破壊を防止するため、
基板１０の表面に向けてイオン風がイオンブロー２６か
ら送出される。

【０００６】プリベーク工程の後、感光性樹脂膜１８０
の露光・現像を行い、表面の凹凸やコンタクトホール１
７を形成する。その後、ポストベーク処理を行い、感光
性樹脂を架橋・硬化させて層間絶縁膜１８０を形成す
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の方
法によっては、プリベーク工程において感光性樹脂膜１
８０に乾燥ムラが発生し易いという問題があった。乾燥
ムラとは、感光性樹脂膜１８０から溶媒を蒸発させた後
に観察されるうねり状又は波状のムラである。この乾燥
ムラは、樹脂膜１８０に生じた微妙な膜厚ムラであると
推定されるが、ポストベーク処理後も残存し、その上に
形成した反射電極８０に反射率ムラを生じさせる。この
ため、乾燥ムラは、液晶表示素子の表示ムラの原因とな
り、液晶表示素子の画質を大幅に低下させる。

【０００８】また、従来の方法においては、プリベーク
工程において基板１０上に形成されたＴＦＴ１５が静電
破壊を起こし易いという問題もあった。基板１０の表面
には、静電気除去のためのイオン風がイオンブロー２６
から吹きつけられているが、乾燥ムラの発生を抑制する
ためにはイオンブロー２６の風量を小さくする必要があ
るため、ＴＦＴの静電破壊を十分に防止することができ
なかった。

【０００９】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、プリベーク工程における乾燥ムラを抑制する
ことができる樹脂膜の形成法を提供すること、及びプリ
ベーク工程において乾燥ムラを抑制しつつ半導体素子の
静電破壊を抑制可能な樹脂膜の形成法及び装置を提供す
ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に記載の樹脂膜形成法は、基板に
所定の膜厚で樹脂溶液を塗布し、プリベーキングして溶
媒を蒸発させた後に、ポストベーキングして硬化する表
示素子用基板への樹脂膜形成法であって、上記プリベー
キングが、所定の加熱温度Ｔ₁で行う第１のプリベーキ
ングと前記Ｔ₁よりも高い加熱温度Ｔ₂で行う第２のプリ
ベーキングから成ることを特徴とする。

【００１１】また、請求項２に記載の樹脂膜形成法は、
上記第１のプリベーキング中の加熱温度Ｔ₁の変動幅を
±１℃以内に制御することを特徴とする。

【００１２】さらに、請求項３に記載の樹脂膜形成法
は、上記基板近傍から２０ｈＰａ以下の排気圧で強制排
気することを特徴とする。

【００１３】またさらに、請求項４に記載の樹脂膜形成
法は、上記第１のプリベーキング又は第２のプリベーキ
ングにおいて、上記基板の加熱を行う加熱装置と上記基
板の間に、所定高さの空隙を設け、該空隙にイオン風を
送出することを特徴とする。

【００１４】加えて、請求項５に記載の樹脂膜形成法
は、上記空隙の高さを８ｍｍ以下とすることを特徴とす
る。

【００１５】さらに、請求項６に記載の樹脂膜形成法
は、上記イオン風の風速が０．３ｍ/sec以下であること
を特徴とする。

【００１６】また、本発明の請求項７に記載の樹脂膜形
成装置は、基板に所定の膜厚で塗布された樹脂溶液を、
該基板近傍から強制排気しつつ、加熱装置上でプリベー
キングして溶媒を蒸発させる表示素子用基板への樹脂膜
形成装置であって、（ａ）上記基板と上記加熱装置の間
に空隙を設けるための突起を表面に備えた加熱装置と、
（ｂ）上記空隙にイオン風を送出するためのイオン風送
出装置を備えたことを特徴とする。

【００１７】さらに、請求項８に記載の樹脂膜形成装置
は、上記突起の高さが８ｍｍ以下であることを特徴とす
る。

【００１８】また、本発明の請求項９に記載の反射型液
晶表示素子の製造方法は、請求項１から６までのいずれ
か１項に記載の樹脂膜形成法を用いて、反射電極と半導
体素子の間にある層間絶縁膜を形成することを特徴とす
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。（実施の形態１）図１は、本発明に係る樹脂膜形成法を
示すフローチャートである。まず、ＴＦＴや電極等を形
成した表示素子用基板に、感光性樹脂等の樹脂を適当な
溶媒に溶かした樹脂溶液を塗布し、樹脂溶液膜を形成す
る。塗布には、スピンコート又はフレキソ印刷等の一般
的な塗布法を用いることができる。次に、加熱温度Ｔ₁
℃に設定された第１のプリベーク装置により、基板を加
熱し、樹脂溶液膜中の溶媒を蒸発させる（第１のプリベ
ーク）。第１のプリベークによって樹脂溶液膜中の溶媒
の大半を蒸発させる。次に、Ｔ₁よりも高い加熱温度Ｔ₂
℃に設定された第２のプリベーク装置によって、さらに
高温で基板を加熱し、樹脂溶液膜中に残存した溶媒をさ
らに蒸発させて樹脂膜とする（第２のプリベーク）。

【００２０】次に、必要に応じて凹凸や孔等の必要なパ
ターンを樹脂膜に形成する。感光性樹脂から成る樹脂膜
の場合には、一般的な露光・現像処理を行うことによ
り、パターン形成をすることができる。最後に、加熱温
度Ｔ₃℃に設定されたベーキング装置によって基板を加
熱し、樹脂膜中に残存する揮発成分を脱離させると共
に、樹脂の架橋反応を進行させて樹脂膜を硬化させる
（ポストベーキング）。

【００２１】第１のプリベーク装置及び第２のプリベー
ク装置は、ホットプレート等の基板に直接接触して加熱
する加熱装置を備えたものが好ましく、その場合には加
熱装置の基板接触部の温度を各々Ｔ₁℃及びＴ₂℃に制御
する。ここで、Ｔ₁及びＴ₂は、いずれも樹脂の熱分解が
急速に進行しない範囲で、溶媒の蒸発を促進可能な温度
とし、Ｔ₂がＴ₁よりも高温となるように設定する。例え
ば、Ｔ₂を従来の感光性樹脂に一般的なプリベーキング
温度である８０〜１３０℃程度に設定し、Ｔ₁を４０〜
６５℃程度に設定することができる。一方、ポストベー
クの温度Ｔ₃は、脱ガスと樹脂硬化反応が進行する温度
とし、例えば１５０〜２２０℃程度に設定することがで
きる。

【００２２】第１のプリベークにおいては、蒸気圧の低
い低温で溶媒を徐々に蒸発させるため、樹脂溶液膜内の
温度ばらつきを抑制して、均一な状態で樹脂溶液膜を乾
燥させることができる。一方、蒸気圧の低い第１のプリ
ベークでは、樹脂溶液膜中の残存溶媒を十分に蒸発させ
ることは困難であるため、より高温で行う第２のプリベ
ークにおいて、露光・現像に十分なレベルまで残存溶媒
を蒸発させる。従って、このようなプリベーク処理を行
うことにより、溶媒を十分に蒸発させながら、樹脂膜の
乾燥ムラの発生を抑制することができる。

【００２３】尚、樹脂膜の乾燥ムラを抑制するために
は、第１のプリベーク温度Ｔ₁を安定に制御することが
重要である。好ましくは、プリベーク中の温度変動幅Δ
Ｔ₁を±１℃以内に制御する。ここで、ΔＴ₁は、基板が
加熱装置と接触して同じ温度まで昇温した後の、加熱装
置の基板接触部における温度変動幅を指す。尚、これは
基板自身の温度変動幅とほぼ同一となる。第１のプリベ
ーク中は、溶媒の蒸発量が多いため溶媒の蒸発熱による
温度変動が起き易く、また、大量に蒸発する溶媒を排気
する際に発生する気流によっても温度が変動し易い。温
度変動幅ΔＴ₁が大きくては基板面内に温度分布が生じ
易くなるため、樹脂膜の乾燥ムラが発生し易くなる。

【００２４】また、同様の理由から、第１のプリベーク
又は第２のプリベークにおいて、蒸発した溶媒を排気す
る排気装置の排気圧を２０ｈＰａ以下に設定することが
好ましい。特に、溶媒の大半が蒸発する第１のプリベー
クにおいて乾燥ムラが発生し易いので、第１のプリベー
クにおいて排気圧を２０ｈＰａ以下とすることが重要で
ある。

【００２５】尚、第１のプリベーク及び第２のプリベー
クは、別々の装置によって行った方が工程のリードタイ
ム短縮に有利であるが、同一の装置で温度Ｔ₁からＴ₂へ
の昇温を行っても良い。いずれの場合においても、第１
のプリベークと第２のプリベークの間で基板を一旦室温
付近まで冷却して良いし、冷却せずに温度Ｔ₁からＴ₂に
直接昇温しても良い。

【００２６】（実施の形態２）図２は、本発明に係るプ
リベーク装置の一例を示す概略図である。この装置は、
第１のプリベーク又は第２のプリベークのいずれにも用
いることができる。プリベーク装置２３は、基板１０を
直接加熱するためのホットプレート２７と、基板１０の
上の樹脂溶液膜１８から蒸発した溶媒を強制的に排気す
るための排気装置２５と、基板１０にイオン風を送出す
るためのイオン風送出装置２６を備える。尚、イオン風
とはイオン化した気体を含む気流のことを指し、イオン
風を吹きつけることによって蓄積した静電気の除電を行
うことができる。イオン風送出装置２６には、例えばイ
オンブローやイオナイザを用いることができる。

【００２７】ホットプレート２７は、その表面に突起部
２４を有し、突起部２４によって基板１０を支持する。
また、その突起部２４は、絶縁性であればホットプレー
ト２７と基板１０の間の静電気を抑制できる。突起部２
４の面積及び本数等は、基板１０を均一に加熱すること
ができるように設定する。突起部２４によって基板１０
とホットプレート２７との間にできた空隙に、イオン風
送出装置２６からイオン風が吹き込まれている。空隙の
高さｈは、突起部２４の高さと等しくなる。これによ
り、基板１０の表面だけでなく裏面からもイオン風によ
る除電を行うことができる。また、ホットプレート２７
と基板１０との接触面積が減少するため、ホットプレー
ト２７と基板１０との間の静電気も抑制される。したが
って、小さなイオン風の風量によって、基板上に形成さ
れたＴＦＴ１５の静電破壊を効果的に防止することがで
きる。また、イオン風の風量を抑制できるため、樹脂膜
１８の乾燥ムラも発生しにくい。

【００２８】尚、乾燥ムラを抑制する観点からは、イオ
ン風送出装置２６の基板近傍の風速を０．３ｍ／ｓ以下
に設定することが好ましい。また、空隙２８の高さｈも
乾燥ムラの発生し易さに影響を与えるため、高さｈが８
ｍｍ以下であることが好ましい。空隙２８が広すぎて
は、基板１０の裏面において、突起２４が接触している
部分とそれ以外の部分との温度差が大きくなるからであ
る。

【００２９】（実施の形態３）本発明に係る樹脂膜形成
法を用いた反射型ＬＣＤの製造方法の一例について説明
する。ここでは、図３に示す構造の反射型ＬＣＤを例に
説明する。尚、図３において、簡単のために一部ハッチ
ングを省略している。図３の反射型ＬＣＤは、図１０に
示した反射型ＬＣＤと同様の構造を有するが、反射電極
８が滑らかな曲線から成る凹構造１９を有する点が異な
る。凹構造１９は滑らかであるため、鏡面性を有する平
坦な部分２０を有する。これによって、反射電極８の反
射特性を改善することができる。反射電極８の凹構造１
９は、下地となる層間絶縁膜１８の表面に滑らかな凹構
造を設けることにより形成することができる。本実施の
形態においては、この層間絶縁膜１８を本発明に係る樹
脂膜形成法を用いて形成する。

【００３０】以下、製造方法について説明する。まず、
無アルカリガラス等から成る反射基板１０の上に、所定
の方法によりアルミニウムとタンタル等からなるゲート
電極１１を形成し、窒化シリコンからなる層間膜１２を
介してチタンとアルミニウムからなるソース電極１３お
よびドレイン電極１４をゲート電極１１と直交して形成
する。さらにゲート電極１１とソース電極１３との各交
差部にアモルファスシリコンからなるＴＦＴ素子１５を
形成する。

【００３１】次に反射基板１０上に無機保護膜１６を形
成する。反射基板１０上に窒化シリコンを堆積し、ドラ
イエッチングによってドレイン電極１４上にコンタクト
ホール１７形成して、無機保護膜１６とする。無機保護
膜１６は、ＴＦＴ１５と反射電極８の層間絶縁膜として
機能するとともに、ドライバー実装部分の電極保護膜と
して機能する。

【００３２】次に、有機樹脂からなる層間絶縁膜１８を
形成する。層間絶縁膜１８は、反射基板１０の表面を平
坦化した上で、反射電極８に反射特性を改善するための
凹構造を付与する役割を果たす。本実施の形態において
は、層間絶縁膜１８を、感光性樹脂を２回に分けて塗布
・プリベークすることにより形成する。まず、反射基板
１０の全面に感光性アクリル樹脂（例えば、ＰＣ３３
５：ＪＳＲ株式会社製）を膜厚約３μｍで基板全面に塗
布し、図２に示したようなプリベーク装置を用いて、第
１及び第２のプリベーク処理を行う。例えば、第１のプ
リベークの加熱温度Ｔ₁を４０℃±１℃の温度範囲に設
定し、第２のプリベークの加熱温度Ｔ₂を８０℃±１℃
の温度範囲に設定し、ベーキング装置に設置されたホッ
トプレート２７と基板１０の間の空隙高さｈが８ｍｍに
なるように突起部２４を設け、排気装置２５の炉内排気
圧Ｗを２０Pa、帯電防止用イオンブロー２６の風速Ｖを
０．３m/secに設定する。

【００３３】プリベーク後のアクリル樹脂に、図４に示
すような外接する円の直径がＲ３である正六角形孔をラ
ンダムに配置した凹構造形成用パターン（例えば、Ｒ３
が８μm、１画素あたりの凹構造群の面積比率が０．
４、凹構造の１画素あたりの個数Ｎが９６個）を設けた
フォトマスクを用いて紫外線を８０〜１００ｍＪ/ｃｍ²
程度照射する。次に有機アルカリ等を用いて一定時間現
像を行うことにより、アクリル樹脂に凹構造群を形成す
る。次に、孔を形成したアクリル樹脂の全面に、さらに
感光性アクリル樹脂（例えば、ＰＣ３３５：ＪＳＲ株式
会社製）を膜厚約１μｍで基板全面に塗布し、プリベー
ク処理を行う。このプリベーク処理も、前述のアクリル
樹脂と同様の条件で第１のプリベークと第２のプリベー
クに分けて行う。得られたアクリル樹脂膜を、コンタク
トホール１７とドライバー実装部分を含む非画素部表示
領域とを開口したフォトマスクを用いて露光・現像し、
約２００℃に設定したクリーンオーブン中でポストベー
キングを行い、層間絶縁膜１８とする。上記条件で形成
された層間絶縁膜１８は、平均深さが約０．６〜０．８
μm、外接円の直径Ｒ１が約１０μmである滑らかな凹構
造群を有する。

【００３４】このように、樹脂を成膜後に凹構造を形成
し、その上にさらに樹脂を成膜することにより、凹部側
面形状を曲面状にした均一な凹構造を形成することがで
きる。また、２回の樹脂膜形成のプリベーク工程をいず
れも第１のプリベークと第２のプリベークに分けて行
い、好ましいプリベーク条件に制御することによって２
層からなる樹脂膜の乾燥ムラを効果的に抑制することが
できる。

【００３５】次に、層間絶縁膜１８上にアルミニウム等
を成膜・パターニングして反射電極８を形成することに
より、反射基板１０が完成する。

【００３６】一方、対向基板３には無アルカリガラスを
用い、この対向基板３上に顔料分散レジストからなる
赤、緑、青のストライプ上のカラーフィルター４を形成
し、その上に酸化インジウム錫から成る透明電極５を形
成する。液晶７を挟んで反射基板１０と対向基板３を貼
り合わせ、対向基板３裏面に位相差フィルム２及び偏光
フィルム１を貼り付けて反射型ＬＣＤが完成する。

【００３７】こうして得られる反射型ＬＣＤは、反射電
極８の反射率ムラが抑制されているため、輝度が均一で
表示品位が高く、歩留まりが高い。

【００３８】なお、本明細書においては、主に反射型Ｌ
ＣＤの層間絶縁膜形成について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、あらゆる基板上に塗布さ
れた樹脂膜の形成方法として他の液晶表示素子や各種半
導体装置においても実施することができ、同様の効果を
得ることができる。

【００３９】

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。（実施例１）無アルカリガラス基板の全面に感光性アク
リル樹脂（ＰＣ３３５：ＪＳＲ株式会社製）を膜厚約３
μｍに塗布し、図２に示したプリベーク装置を用いて、
第１及び第２のプリベーク処理を行った。第１のプリベ
ークの加熱温度Ｔ₁を４０℃±１℃の温度範囲に制御
し、第２のプリベークの加熱温度Ｔ₂を８０℃±１℃の
温度範囲に制御した。プリベーク温度の制御は、プリベ
ーク装置内のホットプレート２７に接続した温度調節器
により行った。ガラス基板は、プリベーク装置内のホッ
トプレート２７上に空隙を設けないように（突起部２４
の高さｈ＝０ｍｍ）設置した。プリベーク装置内の排気
装置２５の排気圧Ｗを０Ｐａとし、イオンブロー２６の
風速Ｖは０．１ｍ／ｓｅｃとした。プリベーク終了後、
アクリル樹脂膜の表面に乾燥ムラは全く観察されなかっ
た。

【００４０】（実施例２）ガラス基板とホットプレート
の間の空隙高さｈを８ｍｍとし、イオンブロー風速Ｖを
０．３ｍ/ｓとし、排気圧Ｗを２０Ｐａとした他は、実
施例１と同様の条件でアクリル樹脂膜のプリベークを行
った。プリベーク終了後、アクリル樹脂の表面に乾燥ム
ラは全く観察されなかった。

【００４１】（実施例３）第一のプリベーク及び第二の
プリベークともにホットプレート温度調節器の温度変動
許容幅を±２℃に設定した他は、実施例２と同様の条件
でアクリル樹脂膜のプリベークを行った。プリベーク終
了後、アクリル樹脂膜の表面に図５に示したような波状
のうすい乾燥ムラが観察された。

【００４２】（実施例４）ガラス基板とホットプレート
表面の間の空隙高さｈを９mmに設定した他は、実施例２
と同様の条件でアクリル樹脂膜のプリベークを行った。
プリベーク終了後、アクリル樹脂膜の表面に図６に示し
たような波状のうすい乾燥ムラが観察された。

【００４３】（実施例５）排気装置の排気圧Ｗを２５Pa
に設定した他は、実施例２と同様の条件でアクリル樹脂
膜のプリベークを行った。プリベーク終了後、アクリル
樹脂膜の表面に図７に示したような波状のうすい乾燥ム
ラが観察された。

【００４４】（実施例６）イオンブローの風速Ｖを０．
４m/secに設定した他は、実施例２と同様の条件でアク
リル樹脂膜のプリベークを行った。プリベーク終了後、
アクリル樹脂膜の表面に図８に示したような波状のうす
い乾燥ムラが観察された。

【００４５】

【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるため下記の効果を奏する。本発明の樹脂膜形成法に
よれば、プリベーキングを、所定の加熱温度Ｔ₁で行う
第１のプリベーキングと前記Ｔ₁よりも高い加熱温度Ｔ₂
で行う第２のプリベーキングに分けて行うため、樹脂膜
への乾燥ムラの発生を抑制することができる。

【００４６】また、上記第１のプリベーキング中の加熱
温度Ｔ₁の変動幅を±１℃以内に制御すること、及び上
記基板近傍からの強制排気の排気圧を２０ｈＰａ以下に
することにより、乾燥ムラの発生をさらに効果的に抑制
することができる。

【００４７】またさらに、上記第１のプリベーキング又
は第２のプリベーキングにおいて、上記基板の加熱を行
う加熱装置と上記基板の間に空隙を設け、該空隙にイオ
ン風を送出することにより、乾燥ムラの発生を抑制しな
がら、基板上に形成した半導体素子の静電破壊を防止す
ることができる。

【００４８】加えて、上記空隙の高さを８ｍｍ以下とす
ること、及び上記イオン風の風速を０．３ｍ/sec以下と
することにより、乾燥ムラ及び静電破壊をさらに効果的
に抑制することができる。

【００４９】また、本発明の樹脂膜形成装置は、基板と
加熱装置の間に空隙を設けるための熱伝導性の突起を表
面に備えた加熱装置と、その空隙にイオン風を送出する
ためのイオン風送出装置を備えるため、簡易な構成によ
って基板上に形成した半導体素子の静電破壊を防止する
ことができる。

【００５０】また、請求項１乃至６のいずれか１項に記
載の樹脂膜形成法を用いて反射型ＬＣＤの反射電極と半
導体素子の間にある層間絶縁膜を形成することにより、
表示ムラがなく高品質な反射型ＬＣＤを高い歩留まりで
製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る樹脂膜
形成法を示すフローチャートである。

【図２】図２は、本発明の実施の形態２に係る樹脂膜
プリベーク装置を示す概略図である。

【図３】図３は、本発明の実施の形態３における反射
型ＬＣＤの構造を示す部分断面図である。

【図４】図４は、本発明の実施の形態３において層間
絶縁膜への凹構造形成に用いるフォトマスクを示す平面
図である。

【図５】図５は、実施例３におけるプリベークによる
乾燥ムラの形状を示す模式平面図である。

【図６】図６は、実施例４におけるプリベークによる
乾燥ムラの形状を示す模式平面図である。

【図７】図７は、実施例５におけるプリベークによる
乾燥ムラの形状を示す模式平面図である。

【図８】図５は、実施例６におけるプリベークによる
乾燥ムラの形状を示す模式平面図である。

【図９】図９は、従来の樹脂膜プリベーク装置を示す
概略図である。

【図１０】図１０は、従来の反射型ＬＣＤの構造を示
す部分断面図である。

【符号の説明】

１・・・偏光フィルム２・・・位相差フィルム３・・・対向基板４・・・カラーフィルタ５・・・透明電極７・・・液晶層８・・・反射電極１０・・・反射基板１５・・・ＴＦＴ素子１６・・・無機保護膜１７・・・コンタクトホール１８・・・層間絶縁膜２３・・・プリベーク装置２４・・・突起部２５・・・排気装置２６・・・イオンブロー２７・・・ホットプレート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山中泰彦大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者廣瀬貴司大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者坊下純二大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 2H096 AA27 DA01 HA01 5F046 JA22 JA24 KA01 KA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に所定の膜厚で樹脂溶液を塗布し、
プリベーキングして溶媒を蒸発させた後に、ポストベー
キングして硬化する表示素子用基板への樹脂膜形成法で
あって、上記プリベーキングが、所定の加熱温度Ｔ₁で行う第１
のプリベーキングと、前記Ｔ₁よりも高い加熱温度Ｔ₂で
行う第２のプリベーキングとから成る表示素子用基板へ
の樹脂膜形成法。
【請求項２】上記第１のプリベーキング中の加熱温度
Ｔ₁の変動幅を±１℃以内に制御することを特徴とする
請求項１記載の樹脂膜形成法。
【請求項３】上記基板近傍から２０ｈＰａ以下の排気
圧で強制排気する請求項１記載の樹脂膜形成法。
【請求項４】上記第１のプリベーキング又は第２のプ
リベーキングにおいて、上記基板の加熱を行う加熱装置
と上記基板との間に、所定高さの空隙を設け、該空隙に
イオン風を送出することを特徴とする請求項１記載の樹
脂膜形成法。
【請求項５】上記空隙の高さを８ｍｍ以下とする請求
項４記載の樹脂膜形成法。
【請求項６】上記イオン風の風速が０．３ｍ/sec以下
である請求項４記載の樹脂膜形成法。
【請求項７】基板に所定の膜厚で塗布された樹脂溶液
を、該基板近傍から強制排気しつつ、加熱装置上でプリ
ベーキングして溶媒を蒸発させる表示素子用基板への樹
脂膜形成装置であって、（ａ）上記基板と上記加熱装置との間に空隙を設けるた
めの突起を表面に備えた加熱装置と、（ｂ）上記空隙に
イオン風を送出するためのイオン風送出装置とを備えた
ことを特徴とする表示素子基板への樹脂膜形成装置。
【請求項８】上記突起の高さが８ｍｍ以下である請求
項７記載の表示素子基板への樹脂膜形成装置。
【請求項９】請求項１から６までのいずれか１項に記
載の樹脂膜形成法を用いて、反射電極と半導体素子との
間にある層間絶縁膜を形成する反射型液晶表示素子の製
造方法。