KR20040096563A - 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치 제조 방법 - Google Patents

액정 표시 장치 및 액정 표시 장치 제조 방법 Download PDF

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KR20040096563A
KR20040096563A KR10-2004-7012448A KR20047012448A KR20040096563A KR 20040096563 A KR20040096563 A KR 20040096563A KR 20047012448 A KR20047012448 A KR 20047012448A KR 20040096563 A KR20040096563 A KR 20040096563A
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KR10-2004-7012448A
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유카와데이조
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코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.
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Abstract

간단한 공정에 의해서 요철 표면을 갖는 반사막을 형성할 수 있는 확산 반사 구조체를 이용하는 액정 표시 장치와, 이 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 액정 표시 장치는 입사광을 확산시키면서 반사시키는 광 확산 기능을 갖는 확산 반사 구조체(diffusing reflective construction)(7, 8)를 구비한다. 확산 반사 구조체는 기저층(base layer)(1, 20) 위에 형성되어 요철 표면을 갖는 기초 형상층(basic figure layer)(7)과, 기초 형상층(7) 위에 형성되어 기초 형상층의 요철 표면을 따라 요철 표면을 나타내는 광 반사층(8)을 포함한다. 기초 형상층(7)은 감압 건조 처리에 의해 그 표면에 요철이 형성된 방사선 감응성 수지 또는 열 감응성 수지에 의해 형성된다.

Description

액정 표시 장치 및 액정 표시 장치 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING AN OPTICAL DIFFUSING REFLECTIVE CONSTRUCTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
전형적인 반사형 액정 표시 장치는, 표시할 화상에 따라서 액정 매체를 이용하여 디스플레이 스크린측으로부터의 입사광을 변조하고, 변조된 광을 디스플레이 스크린측을 향해 반사시키는 것에 의해서 화상을 표시한다.
일본 특허 출원 공개 번호 제 273800/94 호에는, 이러한 반사 기능을 갖는 화소(picture element : pixel) 전극에 관해 개시되어 있다. 이 참조 문서에 기재된 구성은, 감광성 수지 재료로 이루어진 다수의 분산된 돌출부와, 이들 돌출부 위에 증착되고 이러한 돌출부의 분포에 따라서 요철 형상의 표면을 갖는 유기 절연막을 구비하고, 이 유기 절연막 위에 화소 전극으로서의 금속 박막을 형성하도록 의도된 것이다. 이것에 의해서 화소 전극은 요철 형상의 표면을 갖게 되고, 입사광의 반사뿐만 아니라 확산을 가능하게 한다. 이러한 광의 확산은 디스플레이 스크린측에서 화상이 정 반사로 거울 반사되는 것을 방지하고, 그와 동시에 시야각 특성의 향상에 기여한다. 그러므로, 참조 문서에서는, 화소 전극이 광 반사 기능뿐만 아니라 광 확산 기능도 갖도록 되어 있다.
그러나, 참조 문서에 설명된 종래 기술은 광 확산을 위해 요철 형상의 표면을 갖는 반사 화소 전극을 형성하기 위한 까다로운 공정을 포함한다. 보다 구체적으로, 이 종래 기술은 돌출부와 이 돌출부 위에 증착된 막으로 이루어진 이중 구조층에 기반하여 반사 화소 전극의 표면에 요철을 형성하도록 의도하였으므로, 돌출부와 증착된 막에 대해 제각기 전용 마스크를 이용하는 패터닝 공정을 포함하는 제조 공정이 요구되며, 이것에 의해 이 제조 공정에 따라서 제조되는 반사 전극을 이용하는 액정 표시 장치의 제조 비용 및 제품 비용이 증가되는 경향이 있다.
본 발명은 입사광을 반사시키고 확산시키는 기능을 갖는 확산 반사 구조체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 확산 반사 구조체를 이용하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관련된다. 본 발명은 특히, 반사형 및 반투과 반사형 액정 표시 장치에 사용되는 것이 바람직한 확산 반사 구조체에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치 제조 방법을 도시하는 흐름도,
도 2는 도 1에 도시된 흐름도에 따라서 액정 표시 장치를 제조하는 방법을 도시하는 흐름도,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치 제조 방법 중 TFT 복합층 형성 단계에서 반사 전극이 내장된 기판의 일부를 나타내는 개략적인 단면도,
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법 중 절연 재료 증착 단계에서 반사 전극이 내장된 기판의 일부를 나타내는 개략적인 단면도,
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법 중 진공 베이킹 처리(vacuum bake treatment) 단계 이후에 반사 전극이 내장된 기판의 일부를 나타내는 개략적인 단면도,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법 중 절연막 패터닝 단계 이후에 반사 전극이 내장된 기판의 일부를 나타내는 개략적인 단면도,
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법 중 반사 전극 패터닝 처리 도중에 반사 전극을 내장하는 기판의 일부분을 나타내는 개략적인 단면도,
도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법 중 반사 전극 패터닝 처리 이후에 반사 전극을 내장하는 기판의 일부분을 나타내는 개략적인 단면도,
도 9는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에서 반사 전극을 내장하는 기판의 일부분을 나타내는 개략적인 단면도.
본 발명은 상술된 사항을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 간단한 공정을 이용하여 요철 형상의 표면을 갖는 반사막을 형성할 수 있는 확산 반사 구조체를 이용하는 액정 표시 장치를 제공하는 것과, 이러한 액정 표시 장치를 위한 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 간단한 공정을 이용하여 요철 형상의 표면을 갖는 반사 전극을 형성할 수 있는 확산 반사 전극 제조 방법과, 이러한 방법에 따라 반사 전극을 이용하는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
상술된 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 하나의 측면에서의 액정 표시 장치는, 입사광을 확산시키면서 반사시키는 광 확산 기능을 갖는 확산 반사 구조체를 구비하는 액정 표시 장치이고, 이 확산 반사 구조체는 기저층 위에 형성되어 요철 표면을 갖는 기초 형상층과, 기초 형상층 상에 형성되어 기초 형상층의 요철 표면을 따라 요철 표면을 갖는 광 반사층을 갖고, 기초 형상층은 감압 건조 처리에 의해 그 표면에 요철이 형성되어 있는 방사선 감응성 수지 재료 또는 열 감응성 수지 재료에 의해 형성된다.
이 측면에 의하면, 기초 형상층은 감압 건조 처리에 의해 형성되어 광 확산에 충분한 요철 표면을 갖고, 이 요철 표면만으로 광 반사층의 요철이 있는 표면을 위한 기초를 형성할 수 있으므로, 간단한 구조를 갖는 광 반사층의 표면에 요철을 형성하기 위한 구조체를 제공할 수 있다. 이러한 구조체를 이용하면, 액정 표시 장치의 제조 비용 및 제품 비용이 저렴해진다. 또한, 기초 형상층이 방사선 감응성 수지 또는 열 감응성 수지에 의해 형성된다는 사실에 의해서, 기초 형상층에 마스크 등을 통과하여 적절한 방사선 등을 조사하는 것으로 이러한 기초 형상층을 적절하게 패터닝하는 것이 용이하기 때문에 이러한 사실은 유리하다. 즉, 원하는 형상으로 패터닝된 요철 표면을 갖는 기초 형상층을 용이하게 구현할 수 있다.
따라서, 액정 표시 장치에 있어서, 기초 형상층은 단일층이고, 기초 형상층만으로 광 반사층의 표면에 요철을 제공하는 기초를 형성한다는 것을 특징으로 하는 것은 당연할 수도 있다.
또한, 감응성 수지 재료는 페놀 노볼락 수지(phenol novolac resin)와 감광 재료를 포함할 수 있고, 감광 재료는 나프토퀴논 다이아자이드(naphthoquinone diazide)계 재료일 수 있다. 이것으로 통상적으로 사용되는 재료에 의해 기초 형상층을 형성할 수 있으며, 이는 또한 실용적이다.
한편으로, 광 반사층은 화소 전극으로서 기능할 수 있다. 이것에 의하면, 화소 전극은 액정 매체에 전압을 인가하는 원래의 기능뿐만 아니라 광 반사 및 광 확산 기능도 제공하게 되고, 상술된 용이하고 저렴한 제조 방법과 조합될 수 있으므로 매우 편리하다.
또한, 기저층은 화소를 구동하기 위한 전극 및/또는 소자를 포함할 수 있다. 이것에 의해, 화소를 구동하기 위한 구성을 갖는 기저층의 상층측에서, 상술된 바람직한 확산 반사 구조체를 형성할 수 있고, 이는 특히 반사형 및 반투과 반사형 액정 표시 장치 등에 있어서, 이러한 화소 구동을 위한 구조체가 확산 반사 구조체를 기초로 하는 화소 전극에 의해 마스킹되는 구성에 있어서 편리하다.
또한, 상술된 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 다른 측면에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 입사광을 확산시키면서 반사시키는 광 확산 기능을 갖는 확산 반사 구조체를 구비하는 액정 표시 장치를 제조하는 방법이고, 이 방법은 기저층 상에 방사선 감응성 수지 재료 또는 열 감응성 수지 재료를 증착하는 기초 수지 재료 증착 단계와, 증착된 감응성 수지 재료에 대해 감압 건조 처리를 시행하여 그수지 재료 표면에 요철을 형성하는 진공 건조 단계와, 감압 건조 처리 후 생성된 감응성 수지 재료를 안정화하여 기초 형상층을 형성하는 형상 확정 단계와, 기초 형상층 위에 광 반사성 재료를 증착하여 기초 형상층의 요철 표면을 따라서 정의되는 요철 표면을 갖는 광 반사층을 형성하는 반사층 형성 단계를 포함한다.
이러한 측면에 따르면, 기초 형상층의 요철을 형성하는 데 있어서 기초 형상층을 위한 마스크가 필요하지 않고, 기초 수지 재료 증착 단계 후에 즉시 광 반사층 형성 단계로 진행할 수 있으므로, 제조 공정이 단순해진다.
이 측면에 따르면, 형상 확정 단계는 감응성 수지 재료의 층을 패터닝하는 패터닝 단계를 포함하고, 이 패터닝 단계는, 감응성 수지 재료에 대해 사전 결정된 마스크 패턴을 갖는 마스크를 통과하여 방사선을 조사하는 단계와, 감응성 수지 재료의 불필요한 부분을 후속적으로 제거하는 단계를 포함한다. 이것으로, 적용되는 액정 표시 장치에 적절하게, 방사선 감응성 수지 재료 또는 열 감응성 수지 재료로 이루어지는 층(기초 형상층)을 원하는 대로 패터닝할 수 있다.
또한, 감압 건조 처리는 증착된 감응성 수지 재료에 대하여 120℃ 이하의 온도 하에서 실행될 수 있다. 따라서, 제조 비용의 상승을 초래할 수 있는 특별한 가열 시스템 또는 고온 유지 시스템이 불필요하고, 특히 예를 들면 실온 등과 같이 가열 처리가 없는 상태에서 기초 형상층의 표면에 요철을 형성할 수 있기 때문에, 상술된 종래 기술의 경우에서와 같은 온도 조절에 포함되는 복잡성이 없고, 제조 비용이 저감된다.
또한 이 측면에서, 기초 형상층은 단일층일 수 있고, 기초 형상층만으로 광반사층의 표면에 요철을 형성하기 위한 기초를 형성하며, 감응성 수지 재료는 페놀 노볼락 수지와 감광 재료를 포함할 수 있고, 감광 재료는 나프토퀴논 다이아자이드계 재료일 수 있으며, 광 반사층은 화소 전극으로서 기능할 수 있고, 또는 기저층은 화소 구동용의 전극 및/또는 소자를 포함할 수 있다. 이들은 또한 상술된 측면에서와 동일한 이점을 제공할 수 있다.
다음으로, 첨부된 도면을 참조하여 상술된 측면과 본 발명의 다른 실시예를 상세하게 설명할 것이다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 일실시예에서 액티브형 반사 액정 표시 장치의 반사 전극을 내장하는 기판의 제조 방법을 나타내고, 도 3 내지 도 8은 그 제조 흐름의 각 단계에서 기판의 일부에 대한 개략적인 단면을 나타낸다.
도 1에 있어서 먼저, 지지 기판 또는 기저층으로서 유리 기판(1)을 마련하고(단계 S1), 유리 기판(1)의 상부 표면 위에 TFT(박막 트랜지스터)를 형성한다(단계 S2). 도 3은 이 단계에서 조립된 기판의 구조를 나타낸다.
즉, 유리 기판(1)의 상부 표면 위에 소스 전극(2)과 드레인 전극(3)을 사전 결정된 형상 및 배치로 형성하고, 위의 두 전극 사이에서 접속되고 브리지를 형성하는 방식으로 비정질 실리콘 α-Si로 이루어지는 반도체층(채널 형성층)(4)을 형성한다. 다음에, 소스 전극(2), 드레인 전극(3) 및 반도체층(4)의 상부 표면 위에 절연막(5)을 적층한다. 절연막(5)을 패터닝한 후, 절연막(5)의 상부 표면 위의 반도체층(4)에 대응되는 위치에 게이트 전극(6)을 형성한다. 절연막(5)은 반도체층(4)과 게이트 전극(6) 사이에 개재된 게이트 절연막으로 기능한다 이러한 방식으로, 유리 기판(1) 상에 탑 게이트 구조(top gate structure)를 갖는 TFT의 복합층(20)이 형성된다.
다음에, TFT 복합층(20)의 상부 표면에, 예를 들면 스핀 코팅에 의해서 광 확산을 위한 유기 절연 물질을 도포하고, 그 위에 절연막을 형성한다(기초 수지 재료 증착 단계 S3). 이 절연 재료는 예를 들면 페놀 노볼락 수지 등의 광감성 수지 종류의 전기적 절연 물질과, 나프토퀴논 다이아자이드(naphthoquinone diazide) 등과 같은 광감성 재료 첨가제의 혼합재로 이루어진다. 이 단계에서 구조체 내의 절연막은 도 4에 복합층(20)의 주요 평면에 걸쳐 연장되는 층(7')으로서 도시되어 있다.
그 이후에, 이 절연막(7')에 대해 진공 건조 또는 감압 건조를 수행한다(진공 건조 단계 S4). 보다 구체적으로, 절연막(7')은 복합층(20) 위에 적층된 직후에는 경화되지 않고 점성이 있는 상태가 되고, 이러한 상태의 절연막(7')을 보유하는 기판(1)을 80℃이하의 실온(예를 들면 5℃ 내지 35℃ 등) 또는 상온 분위기를 유지하는 밀폐된 챔버(chamber) 내에 넣고, 그 후에 챔버 내의 충진 기체를 배출하는 공정과, 챔버를 높은 수준의 진공 상태로 감압하는 공정(진공 베이킹(vacuumbake))을 수행한다. 이러한 진공 베이킹에 의해, 대체로 평탄한 절연막(7')이 도 5에 도시된 것과 같은 울퉁불퉁한 형상의 요철 표면을 갖게 된다.
실제적으로, 유기 절연막(7)의 재료에 Shipley사에서 생산되는 포지티브(positive)형 광/UV 레지스트인 "AZ-1350J"를 유기 절연막(7)의 재료로서 사용하여, 이 AZ-1350J를 TFT 복합층(20) 위에 점적(drip)하고 대략 3500rpm으로 30초 정도 스핀 코팅한 후에 이 스핀 코딩된 기판을 챔버 내에 넣어서, 실온(20℃ 정도)에서 10분 이상동안 챔버 내의 기압을 계속 감압하는 처리를 수행했다. 결과적으로, 절연막(7') 표면에 양호한 요철이 형성되었다는 것이 확인되었다.
이러한 방식으로 요철 표면을 갖는 기초 형상층으로서의 절연막(7)을, 절연막(7)의 상부 표면 위에 위치되는 마스크(도시하지 않음)를 통과하는 광으로 노광한다(단계 S5). 이 마스크는 도6에 도시된 컨택트 홀(contact hole)(7h)을 형성하기 위한 것이고, 이 컨택트 홀(7h)에 대응되는 부분(7o)에만 광이 조사될 수 있게 하는 마스크 패턴을 구비한다.
다음에, 이러한 노광 공정이 수행된 절연막(7)을 현상한다(단계 S6). 절연막(7)은 상술한 감광성 수지로 이루어지고, 광으로 조사된 부분(7o)만이 현상액(developing fluid)에 용해될 수 있는 성질을 갖는 물질로 변하기 때문에, 이 현상 처리를 통해 컨택트 홀(7h)이 생성되는 방식으로 절연막(7)이 국부적으로 제거된다. 그러므로, 절연막(7)은 도 6에 도시된 바와 같이 드레인 전극(3)의 일부를 노출시키는 개구를 갖는 방식으로 패터닝된다. 또한, 상술된 단계 S5는 절연막(7)에 방사선을 조사하는 단계에 속하고, 단계 S6은 절연막(7)의 제거 단계에 속하며, 이두 개의 단계는 모두 패터닝 단계에 속한다.
다음에, 절연막(7)을 완전히 경화 또는 안정화하기 위해서 포스트 베이킹(post bake)을 수행한다(단계 S7). 여기에서, 기판 조립체를 대략 80℃ 내지 130℃(이 예에서는 120℃)의 분위기 내에 위치시켜 베이킹한다. 이러한 방식으로, 요철이 있는 울퉁불퉁한 표면과, 드레인 전극(3)을 위한 컨택트 홀을 갖는 경화된 절연막(7)이 형성된다. 또한, 단계 S5와 S6과 함께 단계 S7은 기초 형상층 또는 절연막(7)의 형상 확정 단계에 포함된다.
절연막(7)을 형성한 후에, 스퍼터링을 이용하여 절연막(7)의 전체 영역에 걸쳐 광 반사층으로서 반사 전극(8)을 위한 금속성 광 반사 재료(이 예에서는 알루미늄임)를 적층한다(단계 S8). 그리고, 금속 재료막의 상부 표면에 레지스트를 도포하고(단계 S9), 프리 베이킹을 수행한다(단계 S10). 다음에, 제 2의 마스크를 이용하여 광을 조사하여 노광 공정을 수행하고(단계 S11), 현상하여 불필요한 레지스트 부분을 제거한다(단계 S12). 이 단계에서, 도 7에 도시되는 바와 같이, 금속막(8)은 기판 조립체의 전체 영역에 걸쳐 절연막(7)의 요철 표면을 따라 연장되고, 제 2의 마스크에 의해 패터닝되고 현상 후에 잔류하는 레지스트 부분(9)은 금속막(8) 위의 사전 결정된 위치 및 영역에 증착된다.
그 후에, 포스트 베이킹을 수행하여 레지스트 부분(9)을 안정화하고(단계 S13), 에칭을 수행하여 레지스트 부분(9)이 증착되지 않은 금속막(8)의 불필요한 부분을 제거한다(단계 S14). 다음에, 남아 있는 레지스트 부분(9)을 박리하는 공정을 수행한다(단계 S15).
결과적으로, 도 8에 도시된 바와 같이, 입사광을 난반사하기 위한 요철 형상의 표면과, 화소 전극으로서 기능하는 영역을 갖는 반사 전극(8)이 형성된다. 또한, 최종적으로 획득되는 반사 전극(8)은 각 화소마다 독립된 영역을 갖는 화소 전극으로서의 형상을 갖게 된다는 것을 유의해야 한다. 이러한 형상은 상술된 제 2 마스크의 마스크 패턴에 기초한다. 단계 S8 내지 단계 S15는 반사층 형성 단계에 해당된다.
단계 S15 후에, 해당 공정은 액정 표시 장치의 제조 공정에서의 사전 결정된 단계로 또한 진행된다.
상술된 바와 같이, 본 실시예에 의하면, 그 자신의 표면 위에 요철이 형성되어 있고, TFT 복합층(20)의 상부 표면 위에 형성된 단일층으로 된 절연막(7)만을 이용하여, 반사막(8) 표면에 요철을 형성하고, 그것으로 상술된 종래 기술에 비해서 단일 절연막을 위한 마스크가 1장만(기본적으로는, 컨택트 홀 형성용 마스크) 요구되기 때문에, 간단한 구성으로 광 확산 특성을 갖는 반사막을 형성할 수 있다. 또한, 상술된 바와 같은 진공 건조를 이용하여 이러한 단일층 절연막에 원하는 광 확산에 적합한 요철 표면을 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 확산 반사막을 저렴한 비용으로 제작할 수 있고, 이것을 이용하여 액정 표시 장치의 제조 비용 및 제품 가격의 감소시키는 데 기여할 수 있다.
물론, 이러한 방식으로 형성되는 요철 반사 전극은 그의 기본적인 기능인 입사광의 난반사 효과를 제공하기 때문에, 상술된 바와 같은 거울 반사의 저감 및 시야각 특성의 향상에 기여하는 것과, 뛰어난 시각 특성을 갖는 액정 표시 장치를 실현한다는 이점을 잃지 않는다.
또한, 확산용 절연막(7)에 상술된 바와 같은 저 비용의 재료를 사용할 수 있다는 점도 유리하다.
상술된 제 1 실시예에 있어서, 톱 게이트 구조를 갖는 액정 표시 장치용 반사 전극이 내장된 기판에 관해서 설명했지만, 본 발명은 바텀 게이트 구조(bottom gate structure)를 갖는 액정 표시 장치에도 적용될 수 있다. 이러한 바텀 게이트 타입의 반사 전극이 내장된 기판을 도 9에 도시하였다.
이 실시예에 있어서, 유리 기판(1)의 상부 표면 위에 게이트 전극(6)을 형성하고, 게이트 전극(6)의 상부 표면과, 게이트 전극(6)에 해당되는 영역을 제외하는 유리 기판(1)의 상부 표면 위에 절연막(10)을 형성한다. 다음에, 절연막(10)의 상부 표면 위에, 소스 전극(2), 드레인 전극(3) 및 비정질 실리콘 α-Si로 이루어지는 반도체층(채널 형성층)(4)을 형성한다. 여기에서, 절연막(10)은 게이트 절연막의 역할을 한다. 이러한 방식으로, 소스 전극(2), 드레인 전극(3), 반도체층(4), 게이트 전극(6)및 절연막(10)을 포함하는 TFT 복합층(20')이 형성된다.
이 TFT 복합층(20')의 상부층측에, 제 1 실시예의 단계와 동일한 공정으로, 동일한 확산용 절연막(7) 및 동일한 반사 전극(8)을 형성한다.
이러한 바텀 게이트 타입의 액정 표시 장치에서도, 제 1 실시예와 동일한 이점을 기대할 수 있다.
상술된 실시예에서는 액티브형 액정 표시 장치에 관해서 설명했지만, 본 발명은 패시브형 액정 표시 장치에도 적용될 수 있다. 또한, 절연막(7)에는, 상술된특정한 재료 대신에, 진공 건조 처리를 이용하여 만족스런 광 확산 효과를 제공하는 요철 표면을 형성할 수 있는 재료를 사용하는 것도 가능하리라는 것은 당연하다.
또한, 상술된 실시예는 상온에서 진공 건조 처리를 수행하는 경우에 관련되었지만, 본 발명에 따른 방법은 반드시 실온으로 한정되지는 않는다. 그러나, 실온에서도 기초 형상층의 표면에 요철을 형성할 수 있다는 것은 본 발명의 이점이다.
또한, 상술된 실시예는 TFT를 화소 구동 능동 소자로서 이용하는 액정 표시 장치에 관한 것이지만, 본 발명은, TFT로 한정되지 않고 다른 타입의 능동 소자를 이용하는 액정 표시 장치에도 적용될 수 있다.
또한, 상술된 설명에서 화소 전극은 광 확산 특성을 갖는 광 반사층이었지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 상위 개념의 기술적 사상은 광 확산 특성을 갖는 광 반사층을 이러한 화소 전극과는 별도로 형성하는 형태도 포함한다. 이 형태의 경우에, 광 반사층은 도전성 물질로 형성되는 것으로 한정되지 않는다.
추가적으로, 상술된 절연막(7)용으로 이용되는 재료는 감광성을 갖는 것으로 한정되지 않고, 다른 방사선 감응성 재료 또는 열 감응성 재료도 사용할 수 있다. 예를 들면, 상술된 "AZ-1350J" 등은 자외선 조사에 의해서도 용해 가능하고, 그것으로 패터닝될 수 있다. 또한, 절연막(7)의 재료는 현상 처리에 기초하는 상술된 패터닝을 가능하게 하는 재료로 한정되지 않는다. 소정의 패시브형 액정 표시 장치 등에 있어서, 이른바 인쇄 공정을 이용하여 필요한 형상 부분에만 재료를 도포하는 형태도 가능하다. 이러한 경우에는, 소정의 방사선 또는 열 전달 수단을 이용하여 기초 형상층용의 재료를 완전히 경화하고 안정화하기만 하면 된다.
추가하여, 지금까지의 설명은 본 발명의 본질을 설명하는 데 있어서의 명료성을 위해 단순화된 형태를 갖는 기판 조립체의 구조와 관련하여 설명하였으나, 이는 해당 구성 요소와 다른 구성 요소의 미소한 수정이나 추가 및 본 발명의 본질에서 벗어나지 않는 범위 내에서 기술적 사항의 변경 가능성을 배제하지 않는다.
그러므로, 본 명세서에 설명된 바람직한 실시예는 예시적인 것이고 한정적이지 않다. 본 발명의 범주는 청구항의 의미에 속하는 모든 변형예를 포함한다.

Claims (14)

  1. 액정 표시 장치로서,
    입사광을 확산시키면서 반사시키는 광 확산 기능을 갖는 확산 반사 구조체(diffusion reflective construction)를 구비하고,
    상기 확산 반사 구조체는 기저층(base layer) 위에 형성되어 요철 표면(a roughened surface)을 갖는 기초 형상층과, 상기 기초 형상층 위에 형성되어 상기 기초 형상층의 상기 요철 표면을 따라 요철 표면을 갖는 광 반사층을 가지며,
    상기 기초 형상층은 감압 건조 처리(decompression drying treatment)에 의해 표면에 요철이 발생되는 방사선 감응성 수지 재료 또는 열 감응성 수지 재료에 의해 형성되는
    액정 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기초 형상층은 단일층이고, 상기 기초 형상층만으로 상기 광 반사층의 표면에 요철을 제공하기 위한 기초를 형성하는 액정 표시 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 감응성 수지 재료는 페놀 노볼락 수지(phenol novolac resin)와 감광 재료를 포함하는 액정 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 감광 재료는 나프토퀴논 다이아자이드(naphthoquinone diazide)계 재료인 액정 표시 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 반사층은 화소 전극으로서 기능하는 액정 표시 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기저층은 화소 구동용의 전극 및/또는 소자를 포함하는 액정 표시 장치.
  7. 입사광을 확산시키면서 반사시키는 광 확산 기능을 갖는 확산 반사 구조체를 구비하는 액정 표시 장치의 제조 방법으로서,
    기저층 위에 방사선 감응성 수지 재료 또는 열 감응성 수지 재료를 증착하는 기초 수지 재료 증착 단계와,
    증착된 상기 감응성 수지 재료에 대하여 감압 건조 처리를 수행하여 상기 수지 재료의 표면에 요철을 형성하는 진공 건조 단계와,
    상기 감압 건조 처리 후에 생성된 상기 감응성 수지 재료를 안정화하여 기초 형상층을 형성하는 형상 확정 단계와,
    상기 기초 형상층 위에 광 반사성 재료를 증착시켜 상기 기초 형상층의 요철 표면에 따라 정의되는 요철 표면을 갖는 광 반사층을 형성하는 반사층 형성 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 형상 확정 단계는 상기 감응성 수지 재료의 층을 패터닝하는 패터닝 단계를 포함하고,
    상기 패터닝 단계는,
    사전 결정된 마스크 패턴을 갖는 마스크를 통하여 상기 감응성 수지 재료에 방사선을 조사하는 단계와,
    상기 감응성 수지 재료의 불필요한 부분을 후속적으로 제거하는 단계
    를 포함하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 감압 건조 처리는 상기 증착된 감응성 수지 재료에 대하여 120℃이하의 온도에서 실행되는 액정 표시 장치 제조 방법.
  10. 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기초 형상층은 단일층이고, 상기 기초 형상층만으로 상기 광 반사층의 표면에 요철을 제공하는 기초를 형성하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  11. 제 7항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 감응성 수지 재료는 페놀 노볼락 수지와 감광 재료를 포함하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 감광 재료는 나프토퀴논 다이아자이드(naphthoquinone diazide)계 재료인 액정 표시 장치 제조 방법.
  13. 제 7 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 반사층은 화소 전극으로서 기능하는 액정 표시 장치 제조 방법.
  14. 제 7 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기저층은 화소 구동용 전극 및/또는 소자를 포함하는 액정 표시 장치 제조 방법.
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